「substrate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(207ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thermal transfer image receiving sheet having a thermal transfer image of high density and high quality by employing a substrate having a porous film as a void structure of the sheet, eliminating requirement of accurate control of conditions for forming the porous film and solving the problems on flammability, safety relating to exertion of a bad influence upon lives or the like and the like to reduce total manufacturing cost, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱転写受像シートのボイド構造である多孔膜をもつ基材として、多孔膜を形成する条件で精密な制御する条件を必要とせず、可燃性の問題や生物等に対する悪影響を生じる安全性の問題等を解消し、製造上のトータルコストを低減できる高濃度で、高画質の熱転写画像を有する熱転写受像シートおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The transparent substrate is composed of a transparent plate having no optical polarizing property and a structure holding the peripheral part of the plate, wherein the transparent plate has a compressive stress by a compression means or a tensile stress by a tension means applying a stress from around the transparent material by using a frame made of a material having a coefficient of thermal expansion different from the coefficient of thermal expansion of the transparent plate.例文帳に追加

光学的に偏光性を持たない透明板材と、その周辺部を保持する構造体とで形成されており、透明板材は、透明板材の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する材料よりなる枠を用いて、透明板材の周囲から応力を加える圧縮手段による圧縮応力或いは引張手段による引張応力を有している透明基板。 - 特許庁

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.例文帳に追加

半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁

The functional metal composite substrate comprises a metal composite material and a functional thin film provided on the metal composite material, wherein the metal composite material has a shape of holes like traces of removing a supramolecular structure having a fractal surface configuration, the shape has a flake-like surface, and the functional thin film is either self-assembly monomolecular films (SAM films) or polymer thin films.例文帳に追加

本発明による機能性金属複合基板は、金属複合材料と、金属複合材料上に設けられた機能性薄膜とを含み、金属複合材料は、フラクタル表面構造を持つ超分子組織体の除去痕跡様孔の形状を有し、形状の表面がフレーク状であり、機能性薄膜は、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）または高分子薄膜のいずれかであることを特徴とする。 - 特許庁

In the evaporation source provided with: a crucible storing an organic matter as an organic thin film material and having a heating unit ; and at least one spray nozzle of spraying the organic matter on a substrate, the crucible has at least one baffle arranged onto a moving path of the organic matter to be evaporated, and the spray nozzle has a shower head structure capable of shielding radiant heat.例文帳に追加

本発明による有機薄膜材料である有機物が収納され、加熱部を有するるつぼと、前記有機物を基板に噴射する少なくとも一つの噴射ノズルとを備える蒸発源において、前記るつぼは蒸発する前記有機物の移動経路上に配設される少なくとも一つのバッフルを有し、前記噴射ノズルは、輻射熱を遮断することができるシャワーヘッド構造を有する。 - 特許庁

To provide a structure for preventing infiltration of water to a power supply circuit portion on the primary by using guide boards consisting of split boards in order to prevent a lot of water from being poured to a power supply circuit portion on the primary of a substrate arranged longitudinally during water pouring test, while reducing the cost by eliminating a need for making an extra part.例文帳に追加

縦向きに配置された基板の一次側の電源回路部に水掛試験時等に大量の水分がかからないようにするために、割り基板からなるガイド基板を用いて水分が一次側の電源回路に水分が浸入することを防止でき、別パーツを作る必要がなくてコストダウンを図ることができる基板における一次側の電源回路部への水分侵入防止構造を提供する。 - 特許庁

In the organic EL element 100 composed of sequentially laminating the color filter layer 13, the gas barrier layer 20, and the organic EL structure 30 on the substrate 11, the gas barrier layer 20 is an amorphous thin film composed of AlxTiyOz which is a metal oxide of Al and Ti, and the ratio of the number of atoms of Ti to Al in a composition ratio of this AlxTiyOz is 10 atom% or more.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子１００において、ガスバリア層２０は、ＡｌとＴｉの金属酸化物であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなるアモルファス薄膜であり、且つこのＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌに対するＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上のものである。 - 特許庁

A body 102 of the substrate treating apparatus 1 has a structure such that: a holding and rotating unit 111 which holds and rotates a semiconductor wafer W and a mist generating unit 120 generating mist of the treatment liquid at a periphery of the semiconductor wafer W are provided in a chamber 104; and a lamp 110 for heating which irradiates the semiconductor wafer W with infrared light is provided outside a quartz window 108.例文帳に追加

基板処理装置１の本体１０２は、半導体ウエハＷを保持するとともに半導体ウエハＷを回転させる保持回転部１１１と、半導体ウエハＷの周辺に処理液のミストを発生させるミスト発生部１２０とをチャンバ１０４の内部に設け、半導体ウエハＷに赤外光を照射する加熱用ランプ１１０を石英窓１０８の外側に設けた構造を有している。 - 特許庁

In the thermal recording material provided with a thermal color-developing layer comprising a usually colorless or light-colored color developing compound, and a developing compound capable of color-developing the color developing compound by heating on a substrate, the thermal color-developing layer uses either one of bisphenol compounds expressed by a specified chemical structure as the developing compound and an ammonium salt of 3,5-di-t-butyl salicylic acid.例文帳に追加

通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を支持体上に設けた感熱記録材料において、該感熱発色層が顕色性化合物として特定の化学構造で示されるビスフェノール化合物のいずれかと、３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチル酸のアンモニウム塩を使用する感熱記録材料。 - 特許庁

The adhered structure obtained by adhering the substrate to the adherend with an adhesive composition which comprises a tackifying resin, a metal oxide and a polychloroprene latex having a chloroprene polymer gel content of 10 to 60 wt.% and prepared by polymerizing 100 pts.wt. of chloroprene and 0 to 10 pts.wt. of an ethylenic unsaturated carboxylic acid in the presence of 0.5 to 4 pts.wt. of polyvinyl alcohol.例文帳に追加

クロロプレン１００質量部とエチレン性不飽和カルボン酸０質量部を越え１０質量部以下を、ポリビニルアルコール０．５〜４質量部の存在下に重合してなり、クロロプレン重合体のゲル含有率が１０〜６０質量％であるポリクロロプレンラテックスと、粘着付与樹脂及び金属酸化物を含有する接着剤組成物を用いて被着体と基材とを接着して得られる接着構造体。 - 特許庁

The molecule element is formed by forming an organic monomolecular layer 2 by chemical bonding on a surface of a semiconductor substrate 1 which is made of at least one kind of element selected from a group of Si, Ge, and C and has a diamond type structure, and fixing at least one kind of at least one photochromic molecule 3 which reversibly vary in electric conductivity by light irradiation to the organic monomolecular layer 2 by chemical bonding.例文帳に追加

Ｓｉ、ＧｅおよびＣからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなり、ダイアモンド型構造を有する半導体基板１の表面に有機単分子層２を化学結合により形成し、この有機単分子層２に、光照射によって電気伝導度が可逆的に変化する少なくとも一種の少なくとも一つのフォトクロミック分子３を化学結合により固定することで分子素子を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the voids in a second trench can be suppressed when an embedded film is formed in the second trench after an alignment mark is formed for positioning on a semiconductor substrate by using the second trench, in the case where a photolithographic step is performed after a first trench is formed in an element at the time of manufacturing a semiconductor device having a trench structure in the element.例文帳に追加

素子内にトレンチ構造を有する半導体装置の製造方法において、素子内に第１のトレンチを形成した後に、フォトリソグラフィ工程を有する場合、マスク合わせのため、半導体基板にアライメントマークを第２のトレンチにより形成し、この第２のトレンチ内に埋め込み膜を形成したとき、この第２のトレンチ内にボイドが発生するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In step and repeat type imprinting, an alignment mark on the mold side is formed at a position parted from a groove structure on the same plane as the transcription region of the mold, and is not aligned with the substrate side alignment mark in a transcribed region where imprinting is performed, but is aligned with the transcribed region vertically, horizontally, and diagonally brought into contact with the transcribed region.例文帳に追加

ステップアンドリピート方式のインプリントにおいて、モールド側アライメントマークを、モールドの転写領域と同一面上であって、溝構造を隔てた位置に形成し、インプリントしようとしている被転写領域内の基板側アライメントマークではなく、前記被転写領域に対して上下、左右、対角に接する被転写領域内の基板側アライメントマークとアライメントすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The capacitor of the semiconductor device is formed on a lower electrode formed on the predetermined lower structure of a semiconductor substrate, is formed on the lower electrode, is formed on an AlON film having the characteristics of a low leakage current, is formed on the AlON film, and includes a YON film having a relatively higher dielectric constant than that of the AlON film and an upper electrode formed on the YON film.例文帳に追加

半導体装置のキャパシタは、半導体基板上の所定の下部構造上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、低い漏洩電流の特性を有するＡｌＯＮ膜と、前記ＡｌＯＮ膜上に形成され、前記ＡｌＯＮ膜に比べて相対的に高い誘電率を有するＹＯＮ膜と、前記ＹＯＮ膜上に形成された上部電極とを含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor device has a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure containing no aluminum on a substrate, and the gate electrode has a field plate portion which extends toward a drain in Schottky contact with the first nitride semiconductor layer exposed in a recessed portion formed by cutting part of the second nitride semiconductor layer or the second nitride semiconductor layer which is slightly left.例文帳に追加

基板上に、第１の窒化物半導体層と、アルミニウムを含まない微結晶構造の第２の窒化物半導体層とを備え、ゲート電極は、第２の窒化物半導体層の一部を切り欠き形成された凹部内に露出する前記第１の窒化物半導体層あるいはわずかに残した第２の窒化物半導体層にショットキ接触し、ドレイン側に延出するフィールドプレート部を備える。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure has a substrate having a growth surface made of the same material and having a projection portion and a recess portion formed thereon; and a nitride semiconductor film grown at least on the projection portion of the growth surface.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

In the sheet for receiving the thermal transfer image in which the interlayer and the dye acceptance layer are stacked in this order on at least one face of the substrate, the interlayer is made of self-crosslinking polyhydroxy polyurethane resins derived by the reaction of a five-membered ring cyclic carbonate compound and an amine compound, and have a masking isocyanate group in the structure as a main component.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に、中間層と染料受容層とをこの順に積層した熱転写受像用シートにおいて、上記中間層が、５員環環状カーボネート化合物とアミン化合物との反応から誘導された、その構造中にマスキングされたイソシアネート基を有する自己架橋型ポリヒドロキシポリウレタン樹脂を主成分としてなることを特徴とする熱転写受像用シート。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium wherein at least a base layer, an intermediate layer, a recording layer, a protective layer and a lubricating layer are successively layered on a substrate, the intermediate layer has an amorphous structure and thereby the grain size of the material of the recording layer formed on the intermediate layer is micronized and the grain size distribution thereof is uniformized.例文帳に追加

本発明は、基板上に少なくとも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂直磁気記録媒体において、前記中間層がアモルファス構造を有し、前記中間層をアモルファス構造とすることにより中間層上に形成された前記記録層の材料が、結晶粒径が微細化し、粒径分布が均一化される垂直磁気記録媒体に関する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having a structure with a crystalline semiconductor layer with a catalitic element added, a gate insulating film, and a gate electrode laminated on an insulating substrate in this order includes a light irradiating process for irradiating the light that passes through the crystalline semiconductor layer and is absorbed by the gate electrode to the gate electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に、触媒元素が添加された結晶性半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、結晶性半導体層を透過し、かつゲート電極に吸収される光をゲート電極に対して照射する光照射工程を含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a thermosetting color composition for the color filter for manufacturing a color filter substrate by an ink-jet method containing at least (A) a coloring agent, (B) a polymer, (C) a thermosetting monomer and (D) an organic solvent, wherein (C) the thermosetting monomer contains an epoxy resin having a fluorene structure and a melamine compound.例文帳に追加

インクジェット法によりカラーフィルター基板を製造するためのカラーフィルター用熱硬化性着色組成物であって、該カラーフィルター用熱硬化性着色組成物が少なくとも、（Ａ）着色剤、（Ｂ）ポリマー、（Ｃ）熱硬化性モノマーおよび（Ｄ）有機溶媒を含有し、かつ（Ｃ）熱硬化性モノマーがフルオレン構造を有するエポキシ樹脂とメラミン化合物とを含有することを特徴とするカラーフィルター用熱硬化性着色組成物。 - 特許庁

In order to compensate the defective image caused by the difference of length between the interconnection lines with the capacitor of a layered structure type, a conductive layer is formed so that thicknesses of interconnection line parts for applying a signal from a driving integrated circuit to a liquid crystal display panel are differentiated, or the center part on a substrate of the interconnection line part has a wider area than the peripheral part thereof.例文帳に追加

本発明は、相互接続線は、配線の長さの差による画像不良を積層構造方式のキャパシタンスに補償するため、ドライブＩＣからの信号を液晶表示パネルに印加するための相互接続線部の厚さを異にしたり、相互接続線部の基板上の中央部分が周辺部分より更に広い面積を有するように導電層を形成してあることを特徴とする。 - 特許庁

The light receiving circuit has a structure provided with a photodiode 1 which is formed on an insulating substrate and is formed of a thin film, transfer TFT 2 transferring charge induced in the photodiode in accordance with optical input, a charge storage capacitor 3 for storing transferred charge, and reading TFT 4 for transferring charge stored in the charge storage capacitor to a charge reading signal line 7.例文帳に追加

開示される受光回路は、絶縁性基板上に形成された薄膜からなるフォトダイオード１と、光入力に応じてフォトダイオードに誘起された電荷を転送する転送用ＴＦＴ２と、転送された電荷を蓄積する電荷蓄積用コンデンサ３と、電荷蓄積用コンデンサに蓄積された電荷を電荷読み出し用信号線７に転送する読み出し用ＴＦＴ４とを備えた構成を有している。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel with an airtight sealing structure for sealing an organic electroluminescent element by sealing members at least equipped with a first electrode layer, an organic compound layer including a light-emitting layer, and a second electrode layer on a substrate, at least a top face of the second electrode layer is put under a smoothing treatment, and after that, the sealing members are laminated.例文帳に追加

基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材により密着封止構造を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、少なくとも前記第２電極層の上面を平滑化処理した後、前記封止部材を積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 特許庁

A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, and the surface layer of the photoreceptor contains a modified polycarbonate copolymer resin containing repeating units represented by formula I, repeating units represented by formula II and repeating units of a siloxane structure and fine silica particles having 0.005 to 0.05 μm volume average particle diameter.例文帳に追加

導電性支持体上に、少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、該感光体の表面層が、下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、下記一般式（２）で表される繰り返し単位と、シロキサン構造の繰り返し単位とを含む変性ポリカーボネート共重合樹脂を含有し、かつ、体積平均粒径が０．００５μｍ以上０．０５μｍ未満であるシリカ微粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体である。 - 特許庁

Thus, formed structure makes the catalyst layer 2 including silver and palladium decrease overvoltage by lowering electric resistance and improving catalytic activity, and makes the electroconductive substrate 3 provide superior gas supply properties because of its porosity and improved electroconductivity. Accordingly, the cathode can decrease the overvoltage, reduce the resistance component, improve durability, and can be used for the brine electrolysis of which the electrolysis condition is harsh among electrolysis reactions.例文帳に追加

銀とパラジウムを含む前記触媒層２により、抵抗の低減、触媒活性の向上による過電圧の低減を図る事ができ、前記導電性基体３は多孔性かつ導電性の向上によりガス供給性に優れる構成となっていて、過電圧の低減、抵抗成分の低減かつ耐久性の向上が達成でき、電解反応の中でも電解条件が過酷な食塩電解用陰極として用いることができる。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

This semiconductor layer laminating method, having the steps of laminating a dissimilar silicic semiconductor layer on a silicic semiconductor layer after laminating the silicic semiconductor layer, having a prescribed structure on a substrate comprises a step of laminating the silicic semiconductor layer, using the laminating apparatus and a step of changing the laminating conditions of the laminating apparatus and laminating the dissimilar silicic semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に所定構造のシリコン系半導体層を積層した後、そのシリコン系半導体層の上に異種のシリコン系半導体層を積層する工程を含む半導体層の積層方法において、積層装置を用いて前記シリコン系半導体層を積層する工程と、前記積層装置の積層条件を変更して前記異種のシリコン系半導体層を積層する工程とを含んで半導体層の積層方法を構成した。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

Integrated circuit(IC) structure for an IC containing the multilayered dielectric stack includes a) a first dielectric layer which contains first dielectric material and covers a semiconductor substrate, b) a second dielectric layer which contains a second dielectric material and covers the first dielectric layer, c) a third dielectric layer which contains the first dielectric material and covers the first and second dielectric layers, and d) an electrode which covers the dielectric stack.例文帳に追加

多層誘電体スタックを含むＩＣのための集積回路（ＩＣ）構造は、ａ）第１の誘電体材料を含み、半導体基板を覆う第１の誘電体層と、ｂ）第２の誘電体材料を含み、第１の誘電体層を覆う第２の誘電体層と、ｃ）第１の誘電体材料を含み、第１および第２の誘電体層を覆う第３の誘電体層と、ｄ）誘電体スタックを覆う電極とを含む。 - 特許庁

The image display medium is obtained by forming a photosensitive layer containing microcapsules housing at least a photochromic compound and an electron accepting compound on a supporting substrate, wherein the photochromic compound is a fulgide-based compound having two or more structures represented by formula (I) in its molecule, and the electron accepting compound is a Lewis acid compound the long chain structure moiety of which except the Lewis acid moiety has a carbon number of ≥12.例文帳に追加

少なくともフォトクロミック化合物と電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する感光層を支持基板上に形成した画像表示媒体であって、該フォトクロミック化合物がその分子中に以下の一般式（Ｉ）で示す構造を２つ以上有するフルギド系化合物であり、該電子受容性化合物がルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上であることを特徴とする。 - 特許庁

There are provided an active energy ray-curable coating composition for undercoat of metallic thin film formed on a metallic substrate, which active energy ray-curable coating composition comprises a coating film forming component containing ≥30 mass% urethane(meth)acrylate polymer having a dicyclopentanyl and/or dicyclopentenyl structure, and composite coating films having base coat layer obtained from the active energy ray-curable coating composition.例文帳に追加

金属基材上に形成される金属薄膜の下塗り用の活性エネルギー線硬化型塗料組成物であって、ジシクロペンタニルおよび／またはジシクロペンテニル構造を有するウレタン（メタ）アクリレート重合体を３０質量％以上含む塗膜形成成分を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型塗料組成物、および該活性エネルギー線硬化型塗料組成物より得られるベースコート層を備えた複合塗膜。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer.例文帳に追加

半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure has: a first substrate having a growth surface which consists of the same material and in which a protruded portion and a recessed portion 114 are formed on the growth surface; and a first nitride semiconductor film which is grown on at least the convex portion of the growth surface.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2.例文帳に追加

５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on an electrically conductive substrate by way of an intermediate layer, the intermediate layer contains a binder resin and n-type semiconductor fine particles subjected to a plurality of surface treatments including the final surface treatment with a reactive organosilicon compound, and the surface layer of the photosensitive layer contains a siloxane resin containing an electric charge transporting structure group.例文帳に追加

導電性支持体上に、中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が、複数回の表面処理を施し、且つ最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いて行われたＮ型半導性微粒子とバインダー樹脂を含有しており、該感光層の表面層が、電荷輸送性構造基を含むシロキサン系樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

A sealing part SL1 to laminate the first and second substrates SUB1, SUB2 are formed in such a manner that the cross-sectional structure near the sealing part includes the liquid crystal LC, bank-like projection WB formed on the substrate, and the sealing part SL1 arranged in this order.例文帳に追加

一対の基板で液晶層を挟持した液晶表示装置において、第１の基板上に、第１及び第２の基板間隔を制御するための柱状のスペーサを設け、第２の基板上に該基板の有効表示領域周縁にどて状の突起を設け、前記第１及び第２の基板を貼り合わせるためのシール部を、その周辺の断面構造において、その配置が液晶，基板上に形成されたどて状突起，シール部の順に配置する。 - 特許庁

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

The process for producing a structure comprises steps of preparing a layered product having, on a substrate 3, a first nonporous layer 1 and a second nonporous layer 2 different in constituting material composition from the first nonporous layer, anodizing the layered product to form pores 5 in the first nonporous layer and the second nonporous layer, and removing the second nonporous layer having pores formed therein from the layered product.例文帳に追加

具体的には、構造体の製造方法において、基板３上に第１の非多孔質層１と、該第１の非多孔質層の構成材料とは組成が異なる第２の非多孔質層２を有する積層体を用意する工程、該積層体を陽極酸化し、該第１及び第２の非多孔質層に孔５を形成する工程、及び該積層体から孔が形成されている該第２の非多孔質層を除去する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a recording and reproducing apparatus which is excellent in practicality in which cooling is performed efficiently by guiding a cooling air using electronic parts surrounded by shield plates constituting the apparatus, while interference of noise between substrate circuits themselves is prevented by the electronic parts in a cooling structure using a cooling fan to exhaust the heat discharged from an HDD unit or the like incorporated in a case, to the outside of the case.例文帳に追加

筐体に内蔵するＨＤＤユニット等から放出される熱を、冷却ファンを用いて前記筐体外に排出する記録再生装置の冷却構造において、前記装置を構成するシールド板で囲われた電子部品を用いて冷却風を誘導して効率よく冷却すると共に、前記電子部品により基板回路相互間のノイズ干渉を防止する実用性に優れた記録再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thermal transfer image receiving sheet having a thermal transfer image of high density and high quality by employing a substrate having a porous film as a void structure of the sheet, eliminating requirement of accurate control of conditions for forming the porous film and solving the problems on flammability, safety relating to exertion of a bad influence upon lives or the like and the like to reduce total manufacturing cost, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱転写受像シートのボイド構造である多孔膜をもつ基材として、多孔膜を形成する条件で精密な制御する条件を必要とせず、可燃性の問題や生物等に対する悪影響を生じる安全性の問題等を解消し、製造上のトータルコストを低減できる高濃度で、高画質の熱転写画像を有する熱転写受像シート及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A double layered structure catalyst for cleaning the exhaust gas 10 having an inner side catalyst layer 12 arranged on a substrate and an outer side catalyst layer 13 arranged on the inner side catalyst layer 12 is constituted in such a way that the outer side catalyst layer 13 has zirconia particles carrying rhodium but no platinum, and that the inner side catalyst layer 12 has noble metal carried metal-oxide particles carrying the noble metal such as palladium and platinum.例文帳に追加

基材上に配置されている内側触媒層１２、及びこの内側触媒層１２上に配置されている外側触媒層１３を有する二層構造排ガス浄化触媒１０であって、外側触媒層１３が、ロジウム担持ジルコニア粒子を有し、且つ白金を有さず、且つ内側触媒層１２が、パラジウム、白金等の貴金属を担持している貴金属担持金属酸化物粒子を有する、二層構造排ガス浄化触媒１０とする。 - 特許庁