「substrate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(205ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display panel is constituted of a substrate 101, a gate electrode 104 formed thereon and composed of metal, an insulating film 107 formed on the gate electrode, a polycrystalline indium tin oxide film 117, having a crystal structure of a cubic bixbyte type and formed on the insulating film and a source and drain electrode 110 formed on the polycrystalline indium tin oxide film.例文帳に追加

液晶表示パネルの基板１０１上に、金属で形成したゲート電極１０４と、該ゲート電極の上に形成した絶縁膜１０７と、該絶縁膜の上に形成したキュービック・ビックスバイト型の結晶構造を有する多結晶酸化インジウムスズ膜１１７と、該多結晶酸化インジウムスズ膜上に形成したソース・ドレイン電極１１０とを有して構成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a manufacturing method of the same, which can improve process yield and reliability by eliminating a level difference between a cell region and a peripheral circuit region of a semiconductor substrate to facilitate and simplify a process, and especially prevent contact not open, attack against a lower structure, and the like.例文帳に追加

半導体基板のセル領域と周辺回路領域との間に段差をなくして、工程を容易かつ単純にしつつ、特に、コンタクトナットオープン（Ｃｏｎｔａｃｔ ｎｏｔ ｏｐｅｎ）、下部構造物に対するアタック（Ａｔｔａｃｋ）などを防止し、工程歩留まり及び信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The low reflection transparent electrically conductive laminated film comprises a structure including a hard coat layer, a transparent electrically conductive layer formed from a chain metallic colloid containing at least one metal and at least one transparent antireflection layer formed on the outside of the transparent electrically conductive layer and having a refractive index different from that of the transparent electrically conductive layer on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基材上にハードコート層と、少なくとも１種の金属を含有する鎖状金属コロイドから形成された透明導電層と、該透明導電層の外層に形成され、この透明導電層の屈折率と異なる屈折率を有する少なくとも１層の透明性反射防止層とを含む構成からなる低反射透明導電性積層フイルム。 - 特許庁

To provide an optical component having long-term reliability by imparting desirable conditions to the constituents in regard to the optical component having such a structure that a specified recessed and protruded shape is formed on one part of flat surface of a transparent member layer closely adhered to a transparent substrate and the surface of the transparent member layer is covered with a dielectric multilayer film.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に密着した透明部材層の平坦な表面の一部に所定の凹凸形状が設けられ、その透明部材層の表面が誘電体多層膜によって被覆されている構造を有する光学部品を対象とし、その構成要素に対して望ましい条件を提供することによって、長期的な信頼性を備えた光学部品を提供する。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced sheet which prevents the cutting of threads when stretched, the occurrence of voids in construction, and resin sagging, secures good work properties, can obtain enough adhesive force to a substrate, and is especially useful for the reinforcement of a concrete structure or the like extremely stably in qualities based on a tension adhesion method.例文帳に追加

緊張に際しての糸切れの問題を解決し、又、施工に際してのボイドの発生回避、樹脂ダレ防止を図り、良好な作業性を確保し、且つ被接着面に対して充分な接着力を得ることのできる、特に、緊張接着工法に基づくコンクリート構造物の補強などに極めて品質安定的に実施することができる繊維強化シートを提供する。 - 特許庁

To provide an opening reinforced steel material mounting structure and mounting metal fittings used therefor capable of eliminating cutting work of a panel member mounted to an opening reinforced steel material, facilitating the construction of a substrate material for mounting the opening reinforced steel material, exhibiting stabilized sliding efficiency and reducing the number of components to reduce cost.例文帳に追加

本発明は、開口補強鋼材に取り付けられるパネル材の切削加工が不要で、且つ開口補強鋼材を取り付ける下地材の施工が容易で、安定したスライド性能が発揮出来、部品点数を削減してコストダウンを図ることが出来る開口補強鋼材取付構造及びそれに用いられる取付金物を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

Higher output and smaller physical size are achieved by integrating an output amplifier circuit composed of TFT having a crystal structure semiconductor film (typically polysilicon film) with a sensor element using an amorphous semiconductor film (typically amorphous silicon film) on a heat-resistant plastic film substrate which can resist temperature at a time of packaging for solder reflow treatment and the like.例文帳に追加

本発明は、半田リフロー処理などの実装時の温度に耐えうる耐熱性プラスチックフィルム基板上に、結晶構造を有する半導体膜（代表的にはポリシリコン膜）を有するＴＦＴからなる出力増幅回路と、非晶質半導体膜（代表的にはアモルファスシリコン膜）を用いたセンサ素子とを一体化させることで、高出力化及び小型化を図る。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a MISFET comprises the steps of: covering a surface of a semiconductor substrate with an oxygen-absorbing film after forming a gate stack of a MISFET and a peripheral structure; performing annealing in that state to activate an impurity in a source-drain region; and subsequently removing the oxygen-absorbing film.例文帳に追加

本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor integrated circuit capable of decreasing power consumption at standby time without increasing a dedicated power source for reducing the power consumption at the standby time, separately providing a substrate bias generating circuit, which increases the power consumption and a chip area, and forming a triple well structure to become the cause of complicating a process.例文帳に追加

待機時の消費電力低減のために専用の電源を増やさず、消費電力及びチップ面積の増大を招く基板バイアス発生回路を別途設けることなく、プロセスの複雑化の原因となる三重ウエル構造を形成することなく待機時の消費電力を減少させることができるＣＭＯＳ半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor chip 101 has a structure equipped with multilevel metallization and a sealing ring 1 on a semiconductor substrate 5, and a semiconductor element 12, whose operable reliability is secured, as a chip internal circuit is disposed in not only an internal region 2 demarcated inwardly of the ring 1 but also a frame region 3 demarcated outwardly of the region 2.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体チップは、半導体基板５上に多層配線、及びシールリング１構造を備える半導体チップ１０１であって、シールリング１より内側に区画される内部領域２のみならず、内部領域２より外側に区画される額縁領域３に、チップ内部回路として動作可能な信頼性が確保された半導体素子１２が配設されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium easily increasing nucleation field Hn and coercive force Hc of a magnetic recording layer on the perpendicular magnetic recording medium (CGC medium) comprising a soft magnetic layer, a magnetic recording layer having a granular structure, and a continuous layer having high perpendicular magnetic anisotropy on a substrate, can be easily enhanced.例文帳に追加

基体上に軟磁性層、グラニュラー構造を有する磁気記録層及び高い垂直磁気異方性を有する連続層を備える垂直磁気記録媒体（ＣＧＣ媒体）について、磁気記録層の逆磁区核形成磁界Ｈｎ及び保磁力Ｈｃを容易に高めることができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The SRAM has source/drain electrodes of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 to which impurities are implanted in the semiconductor substrate between the gate electrodes 106; and a silicide blocking film 110 formed on a top of the structure in the transmission transistor area, and a silicide film 112 formed on a top of the gate electrode and a surface of the source/drain electrodes of the drive transistor.例文帳に追加

前記ゲート電極１０６の間の半導体基板内に、不純物が注入された前記伝送トランジスター２０と前記駆動トランジスター１０のソース／ドレーン電極を有し、前記伝送トランジスター領域の構造物の上部にシリサイドブロッキング膜１１０と、前記駆動トランジスターのゲート電極の上部及びソース／ドレーン電極の表面にシリサイド膜１１２を形成する。 - 特許庁

The light transmissive electromagnetic shielding material 10 includes a structure, having a mesh-like conductive layer 3 provided on the surface of the glass substrate 2, with the mesh-like conductive layer 3 containing conductive particles and a black-color pigment and having an average line width of 18 to 30 μm and a numerical aperture of 50 to 76%.例文帳に追加

ガラス基板２の表面にメッシュ状の導電層３が設けられた構成を含む光透過性電磁波シールド材１０であって、当該導電層３が導電粒子と黒色系顔料を含有する層であり、メッシュ状の導電層３の平均線幅が１８〜３０μｍ、開口率が５０〜７６％であることを特徴とする光透過性電磁波シールド材１０。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

To provide a low-voltage type optical modulator, having a symmetric structure in which the polarization of any one of branched waveguides formed on a substrate is inverted, and the two branched waveguides are simultaneously controlled by a center electrode formed on a top portion thereof, thereby ensuring a low-voltage drive and embodying the characteristics of there being no signal distortions due to chirping.例文帳に追加

基板に形成され分岐された導波路のうち一方を分極反転させ、その上側に形成される中央電極で二つに分岐された導波路を同時に制御することによって、低電圧駆動が可能であり、チャープ（Ｃｈｉｒｐ）による信号歪みのない特性を具現することができる対称構造を有する低電圧型光変調器を提供する。 - 特許庁

X-ray absorption parts 24 are formed by filling the inside of grooves 27a provided in an X-ray transmissive substrate 27 composing an X-ray transmission part 25 with an X-ray absorber made of a metal having a melting point lower than a temperature at which a grid structure composed of the X-ray absorption parts 24 and the X-ray transmission part 25 may be deformed.例文帳に追加

Ｘ線透過部２５を構成するＸ線透過性基板２７に設けられた溝２７ａ内に、Ｘ線吸収材を充填してＸ線吸収部２４を形成する際に、Ｘ線吸収部２４及びＸ線透過部２５からなるグリッド構造が変形する可能性がある温度よりも低い融点を有する金属からなるＸ線吸収材を充填する。 - 特許庁

The manufacturing method for the solar cell has a process in which the power generation layer 102 is formed on the first surface of the polycrystalline semiconductor substrate 101, a pattern by a growth preventive film 103 is formed on the surface of the layer 102, and a texture structure is formed by selectively growing a semiconductor layer 105 on the surface of the layer 102 in an epitaxial manner by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

多結晶半導体基板１０１の第一の表面に発電層１０２を形成し、該発電層１０２表面上に成長阻止膜１０３によるパターンを形成し、該発電層１０２表面上に液相成長法にて半導体層１０５を選択的にエピタキシャル成長することによりテクスチャ構造を形成する工程を有する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

First microphotoetching (MPE) is carried out for a first metal layer formed on a transparent insulation substrate to form a ridge-shaped block having a gate electrode structure and first and second slanting surface sides, a first insulation layer is formed, and their surfaces are covered; and a pattern of a semiconductor layer is formed on the surface of the first insulation layer to obtain a channel area of a thin film transistor.例文帳に追加

透明絶縁基板に形成した第1金属層に対して第1マイクロフォトエッチング(MPE)を行ない、ゲート電極構造及び第1傾斜面側辺と第2傾斜面側辺を有する尾根状ブロックとを形成し、第1絶縁層を形成してこれらの表面を被覆し、該第1絶縁層の表面に半導体層のパターンを形成して薄膜トランジスタのチャネルエリアとする。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

The optical filter for a display including a structure provided with a mesh-like metal conductive layer on one surface of a substrate is provided with an anti glare layer with particles dispersed in resin, on the surface of the mesh-like metal conductive layer, wherein the particles are localized on and/or near the mesh surface of the metal conductive layer.例文帳に追加

基板の一方の表面にメッシュ状の金属導電層が設けられた構造を含むディスプレイ用光学フィルタであって、メッシュ状の金属導電層の表面に、樹脂中に微粒子が分散した防眩層が設けられ、且つその微粒子が金属導電層のメッシュ表面及び／又はその近傍に偏在していることを特徴とするディスプレイ用光学フィルタ。 - 特許庁

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.例文帳に追加

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁

A surface emitting laser module 10 is constituted into such a structure that the module 10 is provided with a semiconductor substrate 18, an upper side clad layer 14, an active layer layer 12 and a lower side clad layer 16, which are laminated in order.例文帳に追加

面発光型レーザモジュール１０は、半導体基板１８、上側クラッド層１４、活性層１２、下側クラッド層１６を順次積層し、下側クラッド層１６の下面及び半導体基板１８の上面にそれぞれ形成された下部電極２０及び上部電極２２を有する面発光型半導体光増幅器と、半導体基板１８の上側に設けられた光ファイバ２４を備えて構成されている。 - 特許庁

In the inkjet recording head where the ink channel has been formed in the position enabling an ink delivery pressure-generating element to work by joining the ink-channel-forming member to the substrate where the ink delivery pressure-generating element has been formed, the ink-channel-forming member is to be formed using a resin composition (a) containing an episulfide compound which has at least one thiirane ring structure.例文帳に追加

インク吐出圧力発生素子が形成された基板に、インク流路形成部材を接合して、該インク吐出圧力発生素子が作用できる位置にインク流路を形成したインクジェット記録ヘッドにおいて、前記インク流路形成部材を、少なくとも１つのチイラン環構造を有するエピスルフィド化合物を含有する樹脂組成物（ａ）を用いて形成されたものとする。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

The spatial light modulator is disclosed which has a substrate, a light modulating part having a multilayer structure formed by layering two or more layers of magnetic films and one or more layers of nonmagnetic films, an electrode for supplying a current to the light modulating part and a polarizing filter detecting polarization of light, wherein at least one of the magnetic films is made of a magnetic material having perpendicular magnetic anisotropy.例文帳に追加

基板と、２層以上の磁性膜と１層以上の非磁性膜を積層してなる多層構造の光変調部と、前記光変調部に電流を流すための電極と、光の偏光を検出する偏光フィルターとを具備する空間光変調素子であって、前記磁性膜の少なくとも１つが垂直磁気異方性を有する磁性材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

This phase transition optical information recording medium has a multilayer structure comprising at least one recording layer, dielectric layer and reflective layer respectively on a transparent substrate and, further, is constituted in such a manner that the erasing level (crystal level) at on optical wavelength of 420 nm is ≥70% of the erasing level at an optical wavelength 635 nm and the reflectance at the optical wavelength 420 nm is ≥10%.例文帳に追加

透明基板上に記録層、誘電体層及び反射層を各々少なくとも１層以上有する多層構造の相変化光情報記録媒体において、光の波長４２０ｎｍの消去レベル（結晶レベル）が光の波長６３５ｎｍの消去レベルの７０％以上で、かつ光の波長４２０ｎｍの反射率が１０％以上である構成とする。 - 特許庁

A member for plasma display panels includes a grid partition wall, comprising a main partition wall extending parallel to an address electrode on an insulating substrate and an auxiliary partition wall extending perpendicular to the main partition wall, wherein, at an intersection of the main partition wall and the auxiliary partition wall, a columnar strengthening structure whose height is smaller than that of the intersection part of the main partition is provided.例文帳に追加

絶縁基板上にアドレス電極と平行して延びる主隔壁および該主隔壁と直行する方向に延びる補助隔壁からなる格子状隔壁を有するプラズマディスプレイパネル用部材であって、該主隔壁と該補助隔壁の交差部分に該交差部分の主隔壁よりも高さの低い柱状の補強構造物を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用部材。 - 特許庁

The nitride semiconductor containing boron has a multilayer structure in which first nitride semiconductor layers 12 and 14 with a boron composition of less than 0.05 and second nitride semiconductor layers 13 with a thickness of less than 10 nm and a boron composition of ≤0.05 and <0.5 are alternately laminated on a substrate 11, and the second nitride semiconductor layers 13 are sandwiched between the first nitride semiconductor layers 12 and 14.例文帳に追加

ホウ素を含有する窒化物半導体であって、基板１１上に、ホウ素の組成が０．０５未満の第１の窒化物半導体層１２，１４と、厚さが１０ｎｍ未満で、ホウ素の組成が０．０５以上０．５未満の第２の窒化物半導体層１３とを交互に積層し、第２の窒化物半導体層１３を第１の窒化物半導体層１２，１４で挟んだ多層構造を有する。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with a color filter 16 and a dispersion member 17 on a lamination structure in which an organic EL layer 12, a common upper electrode (a cathode) 13, and a transparent image receiving layer 15 are laminated on a glass substrate 11 equipped with a TFT and a divided lower electrode, and is sealed as a barrier film 20 is provided through an adhesive layer 18.例文帳に追加

ＴＦＴ及び分割下部電極が設けられたガラス基板１１の上に有機ＥＬ層１２、共通上部電極（陰極）１３、及び透明受像層１５が積層された積層構造の上に、さらにカラーフィルタ１６及び散乱部材１７を備え、接着層１８を介してバリアフィルム２０を設けることにより封止された有機ＥＬ表示装置である。 - 特許庁

A thin film transistor for a liquid crystal display device comprises: a gate electrode 11 formed on a substrate; a gate insulation film 12 formed of a high dielectric constant insulating material having structure in which functional group, metal oxide (Me), silicon (Si) and oxygen (O) are bonded on the gate electrode 11; and a source electrode 16a and a drain electrode 16b formed on the gate insulation film 12.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 - 特許庁

The LED structure comprises: a substrate 200; emission epitaxial structures 204, 210, and 212; a first conductive contact layer 214; a second conductive contact layer 216; a transparent insulation layer 218; a first reflective layer 226; a second reflective layer 230; a first barrier layer 228; a second barrier layer 232; a first conductive electrode 234; and a second conductive electrode 236.例文帳に追加

ＬＥＤ構造は、基板２００と、発光エピタキシャル構造２０４，２１０，２１２と、第１の導電型接触層２１４と、第２の導電型接触層２１６と、透明絶縁層２１８と、第１の反射層２２６と、第２の反射層２３０と、第１の障壁層２２８と、第２の障壁層２３２と、第１の導電型電極２３４と、第２の導電型電極２３６とを備える。 - 特許庁

In the imprint mold structure and the like, a dummy pattern is formed radially extending from at least any of an inner circumferential edge and an outer circumferential edge of a pattern forming area on a magnetic recording medium substrate, at least at any of an inner circumferential edge and an outer circumferential edge of the concavo-convex patterns in a data area and a servo area based on the center.例文帳に追加

中心を基準としたデータ領域の凹凸部及びサーボ領域の凹凸部の内周端、及び外周端の少なくともいずれかには、前記磁気記録媒体の基板におけるパターン形成予定領域の内周端、及び外周端の少なくともいずれかに対して延長されたダミーパターンが形成されたことを特徴とするインプリント用モールド構造体等である。 - 特許庁

The gate switch is equipped with: at least two etalons 102, 103 formed of a dielectric crystal with a cubic crystal structure and a quadratic electro-optic effect, and arranged on a substrate 101; a mirror 203 making incident light continuously incident on at least two etalons 102, 103; and a switching signal transmission portion to apply identical voltages to the dielectric crystal on the etalons.例文帳に追加

立方晶構造かつ２次の電気光学効果を有する１つの誘電体結晶で形成された基板１０１に配された少なくとも２つのエタロン１０２，１０３と、入射光を少なくとも２つのエタロンに連続して入射させるミラー２０３と、エタロンにおいて誘電体結晶に同一の電圧を印加するスイッチング信号発信部とを備える。 - 特許庁

In the magnetic disk having at least a magnetic layer, a carbon-based protective layer, and a lubricating layer sequentially formed on a substrate, the lubricating layer contains a lubricant compound for the magnetic disk including a compound which has a perfluoropolyether main chain in a structure thereof, an aromatic group located at a position except each end of a molecule thereof, and a polar group at each end of the molecule.例文帳に追加

基板上に少なくとも磁性層と炭素系保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ分子の末端を除く位置に芳香族基を有するとともに、分子の末端には極性基を有する化合物からなる磁気ディスク用潤滑剤化合物を含有する。 - 特許庁

For the organic electronic device, having an organic LED element 4 and non-linear elements 1, 3 controlling the current flowing into the above on a substrate 100, the non-linear element has a structure of holding a metal layer 103 between organic layers 102, 104, and constructed so that a part of current flows between the organic layers 102, 104, through the metal layer 103.例文帳に追加

基板１００上に、有機ＬＥＤ素子４と、これに流れる電流を制御する非線型素子１及び３を有する有機電子デバイスにおいて、この非線型素子が、金属層１０３を有機層１０２，１０４で挟持した構造を有し、一部の電流がこの金属層１０３を通して有機層１０２，１０４の間を流れるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

In a structure wherein a counter electrode having rectangular flat pattern and a comb-shaped transparent pixel electrode which are formed by using a transparent material are superposed on one substrate via an insulating film in one pixel region, a notch or a slit is incorporated in the counter electrode so that a source electrode of an opaque material transmitting potential from a thin film transistor to the transparent pixel electrode does not overlap with the counter electrode.例文帳に追加

１画素領域の一方の基板に透明材料で構成した平面パターンが矩形の対向電極と櫛歯状の透明の画素電極が絶縁膜を介して重なる構造において、薄膜トランジスタから透明の画素電極に電位を伝える不透明材料のソース電極が対向電極と重ならないように、対向電極に切り欠きあるいはスリットいれる。 - 特許庁

In the method of manufacturing iron oxide, iron oxide having an optional iron/oxygen composition ratio is formed into dot-like, line-like, two dimensional shaped or three dimensional structure by irradiating a substrate which is composed of an iron compound or on which the iron compound is formed, at an optional position and in an optional shape, with an electron beam while controlling the irradiation condition and the irradiation time.例文帳に追加

鉄化合物からなる基板ないしは鉄化合が形成されてなる基板に、任意の位置、任意の形状に電子ビームを照射し、照射条件、照射時間をコントロールすることによって、任意の鉄酸素組成比の鉄酸化物をドット状、線状、二次元形状あるいは三次元構造に生成させることを特徴とする、前記（４）項に記載の鉄酸化物の製造方法。 - 特許庁

The method includes a process of forming a resin layer (2) containing copolymers on a substrate (1), a process of irradiating a specified region of the resin layer with IR rays, visible rays, UV rays or ionization radiation (3), and a process of subjecting the resin layer after irradiation to thermal annealing treatment to develop a micro phase separation structure in the part (6) not irradiated in the resin layer.例文帳に追加

基板（１）上に、共重合ポリマーを含む樹脂層（２）を形成する工程と、前記樹脂層の所定の領域に赤外線、可視光線、紫外線または電離放射線（３）を照射する工程と、前記照射後の樹脂層に熱アニール処理を施して、前記樹脂層の未照射部（６）にミクロ相分離構造を発現させる工程とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

The display panel 2 is formed by joining a transparent panel 12 in which reflecting structure 30 having a first surface 31 reflecting the light emitted from a light emitting element 14 to the emission side D1 and a second surface 32 reflecting the emitted light to the light emitting element 14 side to a substrate 15 on which a luminescent layer 11 containing a plurality of light emitting elements 14 is formed.例文帳に追加

複数の発光素子１４を含む発光層１１が形成された基板１５に対し、発光素子１４からの出力光を射出側Ｄ１に反射する第１の面３１および出力光を発光素子１４の側に反射する第２の面３２を備えた反射構造３０が形成された透明パネル１２を接合した表示パネル２を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the hollow structure 50 comprises process of covering a plurality of concave portions 11 having different shapes by forming a flexible material layer 20 on the substrate 10 in which a plurality of concave portions 11 are formed, and the process of plastically deforming the flexible material layer 20 by expanding gas in a plurality of concave portions 11 covered by the flexible material layer 20.例文帳に追加

中空構造体５０の製造方法は、形状が異なる複数の凹部１１が形成されている基板１０上に、可塑性材料層２０を形成することにより、複数の凹部１１を覆う工程と、可塑性材料層２０で覆われた複数の凹部１１内の気体を膨張させることにより、可塑性材料層２０を塑性変形させる工程を有する。 - 特許庁

To provide a reconfigurableintegrated circuit, which is capable of flexibly setting the rate of fundamental tile having logic function and the rate of fundamental tile having input and output function, in the reconfigurable integrated circuit of a structure, in which a circuit block having switch matrix, function block and routing wiring, is employed as a fundamental tile while the fundamental tiles are arranged on the substrate in the shape of array.例文帳に追加

スイッチマトリックス、機能ブロック、およびルーティング配線を有する回路ブロックを基本タイルとし、この基本タイルを基板上にアレイ状に配置した構造の再構成可能集積回路において、ロジック機能を有する基本タイルの割合と、入出力機能を有する基本タイルの割合を柔軟に設定することができる再構成可能集積回路を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.例文帳に追加

互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。 - 特許庁