「substrate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(201ページ目) - Weblio英語例文検索

As for the deterioration of spherical aberration caused by a difference in thickness between the transparent substrate of the DVD and that of a CD, by dividing an optical surface into a plurality of functional areas, optimal balance is obtained, and the deterioration of spherical aberration with respect to temperature changes is suppressed by a diffraction structure formed in the external optical functional area.例文帳に追加

尚、ＤＶＤの透明基板厚と、ＣＤの透明基板厚とが異なることによる球面収差の劣化については、光学面を複数の機能領域に分割することで、最適なバランスを得ており、又、温度変化に対する球面収差の劣化は、前記外側光学機能領域に設けた回折構造により抑制している。 - 特許庁

The method for manufacturing a polyimide benzooxazole film comprises a first process of forming a polyamic acid by reacting aromatic diamines with a benzooxazole structure and aromatic tetracarboxylic anhydrides, a second process of coating a substrate with a solution containing the polyamic acid and drying it, to obtain a green film, and a third process of heat-treating the green film by the below described two stages.例文帳に追加

ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させてポリアミド酸を得る第１の工程と、ポリアミド酸を含む溶液を支持体上に塗布し乾燥してグリーンフィルムを得る第２の工程と、グリーンフィルムを下記の２段階で熱処理する第３の工程とを含む、ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの製造方法。 - 特許庁

For high performance and low cost, the semiconductor pressure sensor adopts a simple structure where feed-through capacitors 5 are arrayed and soldered for electrical connection to a plurality of lead terminals 4, and thereby omits antinoise parts such as a substrate and an aluminum wire required in a conventional technique to reduce the number of parts, a housing space and manufacturing steps.例文帳に追加

複数のリード端子４に対し、それぞれ貫通コンデンサ５を配置してはんだ付けにより電気的に接続するという簡素な構造を採用したことで、従来技術で必要としていた基板・アルミワイヤ等のノイズ対策部品を不要とし、部品点数・収容スペース・製造工程を削減して高性能・安価な半導体圧力センサとした。 - 特許庁

To provide an active element substrate and a liquid crystal display that can suppress small variation in drain potential during OFF-period of a thin-film transistor due to capacitances, respectively provided at superimposed portions of signal lines and a pixel electrode, while taking a wide process margin, and that can simplify the structure of signal lines, and improve the aperture ratio.例文帳に追加

プロセスマージンを広くとりながら、信号線と画素電極とを重畳配置したことによる容量に起因する、薄膜トランジスタがＯＦＦしている期間のドレイン電位の変動を小さく抑えることができ、かつ、信号線の構造を簡素化すると共に開口率を向上させ得る能動素子基板と液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of ceramic substrates 51 printed with a coil pattern 53 are laid in layers through conductive paste, the coil patterns 53 of respective layers are connected electrically by through holes to form the coils of a plurality of phases as one multilayer structure wherein a powdery magnetic material 52 is admixed with the ceramic substrate in the center of individual coil patterns 53.例文帳に追加

導電性ペーストにより複数個のコイルパターン５３を印刷したセラミック基材５１を積層し、スルーホールにてそれぞれの層の前記コイルパターン５３を電気的に接続して複数相のコイルをひとつの積層構造体として形成し、個々の前記コイルパターン５３中央部のセラミック基材に粉末状の磁性体５２が混合される。 - 特許庁

A negative photoresist is obtained through steps of: providing a photoresist layer containing a polycarbonate resin having a specified structure and a photoacid generator such as diazonaphthoquinone on a substrate; masking the layer with a desired pattern; irradiating the pattern surface with UV rays; and then developing the resist by using a developing solution comprising a tetra-substituted ammonium hydroxide, a low molecular weight alcohol, and a solvent containing water.例文帳に追加

基板上に、特定構造のポリカーボネート樹脂及びジアゾナフトキノンなどの光酸発生剤を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクし、このパターン面に紫外線を照射したのち、テトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る現像液を用いて現像することによりネガ型のフォトレジストを得る。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a P-type silicon substrate 10 possessed of a memory region 4000, an N-type first well 11 located in the memory region 4000, and a P-type second well 12 located in the first well 11, where the source 16 and drain 14 of a nonvolatile memory transistor possessed of a split gate structure are located in the second well 12.例文帳に追加

半導体装置は、メモリ領域４０００を有するＰ型のシリコン基板１０と、メモリ領域４０００中に位置するＮ型の第１ウェル１１と、第１ウェル１１中に位置するＰ型の第２ウェル１２と、を備え、スプリットゲート構造を有する不揮発性メモリトランジスタのソース１６およびドレイン１４は、第２ウェル１２中に位置している。 - 特許庁

At the single crystallization of a non-single crystal thin film, conditions of heat treatment, e.g. laser irradiation, are set such that polycrystalline particles are arranged substantially regularly on an insulating substrate 31 and heat treatment is performed while keeping a surface state where polycrystalline particles are arranged substantially regularly thus forming a single crystal thin film 34 having a structure of advanced crystallization.例文帳に追加

非単結晶薄膜を単結晶化するに際して、レーザー照射などの熱処理の条件を絶縁基板３１上で多結晶粒が略規則的に整列される条件とし、略規則的に整列された多結晶粒の表面状態のままに熱処理することで結晶化が進んだ構造の単結晶薄膜３４が形成される。 - 特許庁

On the rear face of a semiconductor module substrate 2, repair chips 3a, having long leads 10a and repair chips 3b having normal leads 10b, can be overlapped and mounted, and plural electric wirings of structure where a corresponding repair chip 3a or repair chip 3b to each of a plurality of the bare chips can be provided are formed.例文帳に追加

半導体モジュール基板２の裏面に、ロングリード１０ａを有するリペアチップ３ａとノーマルリード１０ｂを有するリペアチップ３ｂとを重ねて搭載することを可能にするとともに、複数のベアチップ１それぞれに対応したリペアチップ３ａおよびリペアチップ３ｂのいずれかを設けることを可能にするような構造の複数の電気配線を設ける。 - 特許庁

In the sealing ring 30 for crack stoppers, namely a laminated structure formed on a semiconductor substrate 11 outside the integrated circuit region 31, first, second, and third dummy metal layers 20, 21, 22 are laminated while sandwiching first, second, and third interlayer insulating films 12, 14, 16, respectively.例文帳に追加

クラックストッパ用シールリング３０は、集積回路領域３１の外の半導体基板１１上に形成された積層構造体であり、第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２が、それぞれ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１６を間に挟んで積層されている。 - 特許庁

The multi-layer film capacitor structure has a bottom electrode layer 16 on a monolithic substrate 12, intermediate pairs of layers of film electrodes 18a, 20a, and 22a and dielectric materials 18b, 20b, and 22b overlying the bottom electrode 16, and a top pair of layers of a film electrode 24a and a film dielectric 24b overlying the intermediate pairs.例文帳に追加

多層膜キャパシタ構造が、モノリシック基板１２上の下部電極層１６、下部電極１６上に敷かれている膜電極１８ａ，２０ａ，２２ａ及び誘電体材料１８ｂ，２０ｂ，２２ｂの対からなる中間層、及び中間層対の上に敷かれている膜電極２４ａ及び膜誘電体２４ｂの対からなる上部層を有する。 - 特許庁

A lower electrode film 12 in the 2-layer structure of Ru/Cr, a piezoelectric film 13 of AlN and an upper electrode film 14 of Ru are formed on a substrate 11, and a first adjustment layer 15 of Ti having a second adjustment layer 16 of SiO_2 thereon is formed in an area facing the lower electrode film 12 on the upper electrode film 14.例文帳に追加

基板１１上に、Ｒｕ／Ｃｒの２層構造の下部電極膜１２、ＡｌＮの圧電膜１３、およびＲｕの上部電極膜１４を備えており、さらに上部電極膜１４上の下部電極膜１２と対向する領域には、ＳｉＯ_２の第２の調整層１６をその上に有するＴｉの第１の調整層１５が設けられている。 - 特許庁

Related to the method for manufacturing a semiconductor storage device having a self-align source structure, a process in which an almost linear element separation region, passing through the source region and the gate region, is formed on a silicon substrate, comprises a process in which the width of element separation region of the source region is formed narrower than that of the gate region.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を有する半導体記憶装置の製造方法において、シリコン基板上にソース領域とゲート領域とを通る略直線状の素子分離領域を形成する分離領域形成工程が、ソース領域の素子分離領域の幅を、ゲート領域の素子分離領域の幅より狭く形成する工程を含む。 - 特許庁

After a layer formed of an electron receiving material and a layer formed of a hall transformation material are laminated on a lower electrode 12 as an anode formed on a substrate 11, a laminated layer structure is heated within a temperature range from a temperature lower than a glass transition temperature of the hall transportation material by 30°C to a temperature higher than that by 200°C.例文帳に追加

基板１１上に形成した陽極である下部電極１２の上に、電子受容材料からなる層と、ホール輸送材料からなる層とを積層形成した後、積層構造体を、ホール輸送材料のガラス転移温度より３０℃低い温度から、ホール輸送材料のガラス転移温度より２００℃高い温度の範囲で加熱する。 - 特許庁

To realize a reflection type liquid crystal display device which has a wide selecting range for selecting the material of a reflection electrode and a structure difficult to exert an influence on alignment of liquid crystals and can be easily manufactured without need of a counter BM and consideration for reduction of a reflection area due to simplification of manufacturing stage and positioning accuracy to a counter substrate.例文帳に追加

対向ＢＭが必要なく工程の簡略化と、対向基板との位置合わせ精度からくる反射面積の低減を考慮する必要が無く、反射電極材料の選択範囲を広げ、液晶の配向に影響を与え難い構造をもち、かつ生産しやすい反射型液晶表示装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

There is provided a ceramic package using the improved lid 31 for improving the structure of the lid 31 covering the upper surface of a package substrate and transferring the heat via the lid 31 in place of realizing transfer of heat by forming a via hole to radiate the heat generated during operation of a chip type element such as a SAW filter.例文帳に追加

本発明はＳＡＷフィルターのようなチップ型素子の動作時に発生する熱を放出するためにバイアホールを形成して熱伝導を図る代わりに、パッケージ基板の上部面に被せるリード３１の構造を改善させ、リード３１を通して熱伝導を行う改善されたリード３１を用いるセラミックパッケージを提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

In the face sheet, a thermoplastic resin sheet substrate material 1 comprises at least (A) 30-70 wt.% of a polylactic acid type resin, (B) 30-70 wt.% of a polyolefin type resin and (C) 3 to 10 wt.% of a modified laminated silicate, wherein all layers are formed in a co-continuous structure.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シート基材１が少なくともポリ乳酸系樹脂とポリオレフィン系樹脂からなり、それぞれが連続層の構造をとる共連続構造であること、（Ａ）ポリ乳酸系樹脂、（Ｂ）ポリオレフィン系樹脂、（Ｃ）変性層状珪酸塩からなり、（Ａ）が３０から７０重量％、（Ｂ）が３０から７０重量％、（Ｃ）が３から１０重量％からなる。 - 特許庁

In this ceiling vibration reducing structure which reduces vibration of a ceiling 1 having such a configuration that a ceiling member 5 is fixed to lower faces of ceiling substrates 3, 4, a wire 12 having an end part fixed to a building skeleton 13 is horizontally stretched in a tensely stretched condition below the ceiling member 5 to connect the wire 12 with the ceiling substrate 3.例文帳に追加

天井下地３，４の下面に天井材５が固定された構成からなる天井１の振動を低減させる天井振動低減構造において、天井材５の下方に、端部が建物躯体１３に固定されたワイヤー１２が緊張した状態で水平に伸張され、ワイヤー１２と天井下地３とが連結されている。 - 特許庁

To prevent a sink mark from its generation by absorbing a shrinking distortion in a resin rib by opening motion of the mold, in interior parts of a car using a laminated structure comprising a foamed resin substrate, a resin rib unified into the back side thereof and a decorative material unified into the front side which are employed in all or in a part, and in a manufacturing method thereof.例文帳に追加

発泡樹脂基材と、その裏面側に一体化される樹脂リブと、その表面側に一体化される加飾材とからなる積層構造体を全体、あるいは一部に採用した自動車用内装部品並びにその製造方法において、樹脂リブの収縮歪みを成形金型の型開動作で吸収し、ヒケを防止する。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

A single crystal film 34 of a structure, in which the crystallization is advanced is made by making setting conditions of heat treatment, such as laser application, as those where polycrystalline grains are drawn up substantially regularly on an insulating substrate 31 when monocrystalizing a non-single crystal film, and heat-treating it, while keeping the surface condition of the polycrystalline grains being substantially aligned as it is.例文帳に追加

非単結晶薄膜を単結晶化するに際して、レーザー照射などの熱処理の条件を絶縁基板３１上で多結晶粒が略規則的に整列される条件とし、略規則的に整列された多結晶粒の表面状態のままに熱処理することで結晶化が進んだ構造の単結晶薄膜３４が形成される。 - 特許庁

To enhance the SNR characteristic of a magnetic recording medium by more uniformizing the grain size of Co alloy forming a magnetic recording layer without damaging other characteristics, in the magnetic recording medium having a thin film laminated structure of three or more layers, wherein at least a non-magnetic base layer, the magnetic recording layer and a protective layer are formed on a non-magnetic substrate.例文帳に追加

非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、磁性記録層、保護層が形成された３層以上の薄膜の積層構造を有する磁気記録媒体において、磁気記録層を形成するＣｏ合金結晶粒子径を、他の特性を犠牲にすることなく、より均一化し、磁気記録媒体のＳＮＲ特性を高める。 - 特許庁

The solid imaging device 3 has a simple matrix structure, a plurality of bottom gate lines 41 arranged in parallel are arranged on a transparent substrate 17, a plurality of top gate lines 41 are arranged orthogonally to the bottom gate lines 41 in the plan view, and double gate transistors 20 are disposed at respective intersections of the bottom gate lines 41 and top gate lines 44.例文帳に追加

この固体撮像デバイス３は単純マトリクス構造であり、互いに平行に配列された複数のボトムゲートライン４１が透明基板１７上に配列され、複数のトップゲートライン４４が平面視してボトムゲートライン４１に対して直交するよう配列され、ボトムゲートライン４１とトップゲートライン４４の各交差部にダブルゲートトランジスタ２０が設けられている。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor with the resin layer on an electrically conductive substrate, the resin layer contains a resin having an organic polymer component, a siloxane condensate component and an electric charge transporting structure component, and the siloxane condensate component is formed using a silane compound having at least an epoxy group or its ring opened group.例文帳に追加

導電性支持体上に樹脂層を有する電子写真感光体において、該樹脂層が有機ポリマー成分、シロキサン縮合体成分及び電荷輸送構造成分を有する樹脂を含有し、該シロキサン縮合体成分が少なくともエポキシ基又はその開環基を有するシラン化合物を用いて形成されることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescence device includes a substrate having thereon a pair of electrodes and at least one organic layer including a light emitting layer containing a light emitting material between the pair of electrodes, wherein the light emitting layer contains at least each of a specific 3,3'-dicarbazolylbiphenyl compound and an iridium complex having a specific structure.例文帳に追加

基板上に、一対の電極と、該電極間に発光材料を含有する発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該発光層が、特定の３，３’−ジカルバゾーリルビフェニル化合物と特定構造を有するイリジウム錯体とを少なくとも一種ずつ含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for cooling electronic component and a semiconductor module which can improve reliability by relaxing stress to be applied to each portion when a plastic substrate is used, and equalizing height of solder between electronic component and cooling component without lowering of cooling property of the cooling component.例文帳に追加

本発明は、プラスチック基板を使用した場合に、各部に作用する応力を緩和できると共に、冷却部品の冷却性能を低下させることなく、電子部品と冷却部品間の半田の高さを均一にすることができ、これによって、信頼性を向上させることが可能な電子部品の冷却構造及び半導体モジュールの提供を課題とする。 - 特許庁

In a third mode, a silicon-on insulator radiation detector has a silicon layer formed on the insulating substrate, the silicon layer has the PNPN structure and a gate layer formed thereon, the gate layer has a PN gate, and latch-up occurs only in response to incident radiation in the radiation detector.例文帳に追加

第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 - 特許庁

The optical element is formed as follows; at least a birefringent layer having a structure fixed while liquid crystalline monomers having polymerizable group on the terminals are homeotropically aligned is formed on the upper surface of the substrate having light transparency and an additive layer formed on the upper surface of the birefringent layer is removed.例文帳に追加

本発明は、光透過性を有する基材上面に、末端に重合性基を有する液晶性モノマーをホメオトロピック配向させた状態で固定化してなる構造を有する複屈折率層を少なくとも形成し、さらに上記複屈折率層上面に形成される添加剤層を除去することにより形成される光学素子である。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display having FETs of asymmetric LDD structure and storage capacitor on the same substrate and its manufacturing method which can avoid reducing the reliability due to injection of carriers at source regions, without separately adding any ion implanting process for forming the storage capacitors.例文帳に追加

同一基板上にＴＦＴと蓄積容量とが形成される液晶表示装置において、蓄積容量形成のためのイオン注入工程を別途追加することなく、かつ、ソース領域でのキャリアの注入による信頼性の低下を防止することができる非対称ＬＤＤ構造のＴＦＴを有する液晶表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate that has an uneven structure on its primary surface; a nitride layer of at least either of polycrystal and non-crystal that is formed on the entire primary surface and in which at least either of a p-type impurity and an n-type impurity is doped; and a nitride semiconductor layer that is provided on the nitride layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 - 特許庁

An electrode structure 300 includes: a plurality of first conductive cells 311 and second conductive cells 321 which are dispose on a substrate being separated from each other; and a plurality of first conductive wires 312 each connected to a neighboring first conductive cell 311 and a plurality of second conductive wires 322 each connected to a neighboring second conductive cell 321.例文帳に追加

電極構造３００は、基板上に配置されて互いに離されている複数の第１の導電セル３１１および第２の導電セル３２１と、隣接した第１の導電セル３１１に接続する複数の第１の導電線３１２および隣接した第２の導電セル３１１に接続する複数の第２の導電線３２２と、を備える。 - 特許庁

Disclosed is an infrared shielding film-coated glass plate comprising a glass substrate and a 200-3,000 nm-thick infrared-shielding film formed thereon and having a structure in which fine ITO particles having an average particle diameter of at most 100 nm are dispersed in a matrix based on silicon oxide and containing at least 2 atom% nitrogen based on the Si atoms.例文帳に追加

酸化ケイ素を主体とし、かつ、Ｓｉに対して２原子％以上の窒素を含むマトリックス中に、平均一次粒子径１００ｎｍ以下のＩＴＯ微粒子が分散している構成の、層厚２００〜３０００ｎｍの赤外線遮蔽層をガラス基板の表面上に有することを特徴とする赤外線遮蔽層付きガラス板。 - 特許庁

To provide an enclosure structure for a portable information processing device, such as portable telephone terminal etc., using a gaseous buffering material as a shock-buffering material used around liquid crystal panel which is weak against shocks or electrical components on substrate so as to reduce the weight and economize the resource of the portable telephone terminal, etc.例文帳に追加

従来から、衝撃に弱い液晶パネル部や基板上の電気部品の周囲に使用されてきた衝撃緩衝材として、気体緩衝材を使用する携帯電話端末等の携帯情報処理装置の筐体構造を提供することを目的とし、さらに、この携帯電話端末等の軽量化・省資源化を新たに提案すること。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium formed by laminating at least the soft magnetic layer, an intermediate layer and a recording layer to be a multilayered film structure wherein Co and Pd are alternately laminated successively on a non-magnetic substrate is characterized in that the soft magnetic layer has ≤100 nm thickness and the intermediate layer consists of Pd, Co and B.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性層、中間層、ＣｏとＰｄを交互に積層した多層膜構造である記録層を順に積層してなる磁気記録媒体であって、前記軟磁性層の厚さが１００ｎｍ以下であり、前記中間層がＰｄとＣｏとＢからなることを特徴と磁気記録媒体である。 - 特許庁

With this structure, in the method of directly detecting glass temperature, since the heat conductive member 15 is interposed between the window glass 12 and the glass temperature sensor 23, the heat conductive member 15 absorbs the stress brought when fitting to the window glass 12 to prevent the stress applying to the circuit substrate 14 and a sensor fitting soldered surface.例文帳に追加

これによれば、ガラス温度を直接検出する方法において、窓ガラス１２とガラス温度センサ２３との間に熱伝導部材１５を介在させたことにより、窓ガラス１２に取り付けた際に発生する応力を熱伝導部材１５が吸収して回路基板１４やセンサ取り付け半田面などに応力を掛けることがない。 - 特許庁

This thermal insulation supporter comprises a thermistor of positive resistance-temperature characteristic having a planar exothermic element, and is characterized by that a fibrous structure or film is used as a substrate constituting the exothermic element, and also the periphery of the exothermic element is coated with a coating material of electrical insulation, and furthermore the periphery of the coating material is covered with a textile fabric.例文帳に追加

本発明の保温サポータは、発熱体が面状の正特性サーミスタからなり、該発熱体を構成する基板として、繊維構造体またはフイルムが用いられており、かつ、その周囲が電気絶縁性被覆物にて被覆され、更に該電気絶縁性被覆物の周囲が繊維布帛にて被覆されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a sealing method of an organic EL element that uses a light-hardened adhesive of a radical system made mainly of acrylic resin, and a sealing device of the organic EL element that can easily establish an interval of a sealing member and a substrate having an organic EL structure integrally on it at a prescribed interval by having both of them held at prescribed positions.例文帳に追加

アクリル樹脂を主成分としたラジカル系の光硬化型接着剤を用いた有機ＥＬ素子の封止方法、および、封止部材と、有機ＥＬ構造体をその上に一体的に有する基板とを所定位置に保持せしめることにより、両者間の間隔を所定の間隔に容易に設定できる有機ＥＬ素子の封止装置を提供すること。 - 特許庁

These methods include stages of: forming a thin film 52 of a microlens constituting substance on a substrate 51, forming a photo register pattern 53 on the thin film 52, forming a thin film constituting substance 54 though an etching process using the photo register pattern 53, and forming the microlens by reflow by thermal processing of the thin film constituting structure 54.例文帳に追加

基板５１上にマイクロレンズ構成物質の薄膜５２を形成する段階と、前記薄膜５２上にフォトレジストパターン５３を形成する段階と、前記フォトレジストパターン５３を用いたエッチング工程を通じて薄膜構造物５４を形成する段階と、前記薄膜構造物５４を熱処理してリフローによってマイクロレンズを形成する段階と、を含む。 - 特許庁

The bump pad structure includes a substrate with an upper layer, a reinforcement pad formed on the upper layer, an intermediate layer formed above the upper layer, an intermediate connection pad formed on the intermediate layer, an outer layer formed above the intermediate layer, and a UBM connected to the intermediate connection pad through an opening formed on the outer layer.例文帳に追加

バンプパッド構造は、上層を有する基板と、上層上に形成された強化パッドと、上層の上方に形成された中間層と、中間層上に形成された中間接続パッドと、中間層の上方に形成された外層と、外層に形成された開口を介し、中間接続パッドに接続されたＵＢＭとを備える。 - 特許庁

In the waterproof structure of a solar battery panel where a solar battery module 2 is mounted onto a panel substrate 1 via a mounting rail 3, a waterproof plate body 4 is provided across the side part of one mounting rail 3 and that of the other mounting rail 3 between the adjacent mounting rails 3 when a plurality of solar battery panels are provided side by side.例文帳に追加

太陽電池モジュール（２）が取付レール（３）を介してパネル基板（１）上に取り付けられた太陽電池パネルの防水構造であって、複数の太陽電池パネルが並設された場合に隣り合う取付レール（３）間において、一方の取付レール（３）の側部から他方の取付レール（３）の側部に渡って防水板体（４）が備えられている。 - 特許庁

The avalanche photodetector has an emitter light absorption layer 102 between a collector layer C and an emitter layer (top contact layer) E formed on a substrate S wherein two avalanche gain structure layers comprising charge layers 103 and 107, amplification layers 104 and 108 and an electron contact layer 105 are formed between the light absorption layer 102 and the collector layer C.例文帳に追加

アバランシェ光検出器は、基板Ｓ上に積層されたコレクター層Ｃとエミッタ層(トップコンタクト層)Ｅ間にエミッタ光吸収層１０２を備え、光吸収層１０２とコレクター層Ｃ間に電荷層１０３，１０７、増幅層１０４、１０８及び電子コンタクト層１０５で構成されたアバランシェ利得構造層が２層設けられている。 - 特許庁