「substrate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device has such an interconnection structure that an insulation film 2 is formed on a substrate 1 and then an interconnection film 3 made of ordinary temperature superconductive material, chief of which is Cu, Nb3Sn, V3Ga, V3le, BiCa, CuO, and Sr, is formed on the insulation film 2 and then another insulation film 4 is formed on the interconnection film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上にＣｕ、Ｎｂ_3Ｓｎ、Ｖ_3Ｇａ、Ｖ_3Ｇｅ、ＢｉＣａ、ＣｕＯ、Ｓｒを主成分とする常温超電導材料からなる配線膜３が形成され、その上に絶縁膜４が形成された配線構造を有する。 - 特許庁

To provide a halftone mask having a structure of a light shielding film and a translucent film layered on a transparent substrate, in which admissibility for an alignment error is increased by patterning a first layer (light shielding film) by using indispensable pattern data if great importance is placed on the first layer and by patterning a second layer by using redundant pattern data including errors of superposition.例文帳に追加

透明基板上に遮光膜と半透過膜とが積層した構造を備えるハーフトーンマスクにおいて、アライメント装置によって第１層目と第２層目とのアライメントを行った際に発生する、第１層目と第２層目との間にアライメント誤差により必要なパターンが得られなくなるという問題を解決する。 - 特許庁

In this way, the generation of unintended side reaction (cutting reaction and cross-linking reaction) by the light irradiation of the light source 15 on the raw material monomer 21 or the high polymer film on the substrate W can be effectively prevented, and an organic thin film, e.g., with a three-dimensional structure can be deposited at high quality and high precision.例文帳に追加

これにより、原料モノマー２１あるいは基板Ｗ上の高分子膜に光源１５の光照射による意図しない副反応（切断反応や架橋反応）が生じるのを効果的に防止でき、例えば３次元構造の有機薄膜を良質かつ高精度に形成することが可能となる。 - 特許庁

This electronic device packaging substrate includes coaxial multilayer structure that is composed of a center conductive part 1, a cylindrical dielectric layer 2 that is formed around the center conductive part 1, and a cylindrical conductive layer that is formed around the cylindrical dielectric layer 2, and an insulation layer where a plurality of coaxial multilayer structures are mutually embedded at intervals.例文帳に追加

中心導電部１とその中心導電部１の周囲に形成された筒状誘電体層２とその筒状誘電体層の周囲に形成された筒状導電層から構成された同軸多層構造と、同軸多層構造が互いに間隔を置いて複数埋め込まれる絶縁層とを含む。 - 特許庁

This surface panel mounting structure is constituted by attaching a lattice-like frame member 11 on a ceiling or a substrate surface 10 of wall and attaching each of rectangular surface panels 13 into each frame 11d of the frame member 11 to attach at least one surface panel among the surface panels 13 removably.例文帳に追加

天井又は壁の下地面１０に格子状の枠材１１が取り付けられ、この枠材１１の各枠１１ｄ内に、矩形状表面パネル１３がそれぞれ取り付けられ、この表面パネル１３の内の少なくとも１枚を、取り外し可能に取り付けるための表面パネルの取付構造である。 - 特許庁

The first and second piezoelectric films 103, 104 are formed continuously by sputtering at mutually different substrate temps., such that, e.g. their polarization directions are mutually reverse, as shown by arrow marks A, B on the drawing, thus forming a piezoelectric element having a thin-film bimorph structure.例文帳に追加

上記第１圧電体薄膜１０３、および第２圧電体薄膜１０４は、それぞれ互いに異なる基板温度でスパッタリングされることによって連続的に形成され、例えば同図に矢印Ａ，Ｂで示すように分極方向が互いに逆方向になり、薄膜バイモルフ構造の圧電素子が構成されている。 - 特許庁

A light-emitting element of a refractive index waveguide-type includes: a substrate 1 transparent to a light-emitting wavelength; a first conductivity-type clad layer 4 showing the same conductivity type as the substrate formed on the substrate; and an active layer structure 5 formed on the first conductivity-type clad layer.例文帳に追加

発光波長に対して透明な基板１、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第１導電型クラッド層４、および該第１導電型クラッド層上に形成された活性層構造５を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第１導電型クラッド層の間に第１導電型低屈折率層３が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率ｎ_sub、前記第１導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分ｎ_clad1、および前記第１導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率ｎ_LIL1が以下の関係式（式１）を満足することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

In the liquid crystal display element having the ferroelectric liquid crystal interposed between two alignment substrates each having a substrate, an electrode layer and an alignment layer in this order, at least one of the two alignment layers is so constituted as to form a columnar alignment layer having a column structure wherein plate-like molecules are stacked while the normal direction of the plate-like molecules faces in a fixed direction of the substrate.例文帳に追加

本発明は、基材、電極層および配向層をこの順に有する２枚の配向基板間に強誘電性液晶を挟持してなる液晶表示素子であって、上記２枚の配向層のうち少なくとも一方は、板状分子が、上記板状分子の法線方向が基板の一定方向を向いて積み重なったカラム構造を有するカラムナー配向層であることを特徴とする液晶表示素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

In the method of producing a green sheet for the fuel electrode substrate of a fuel electrode supporting type solid oxide fuel cell having a structure of porous fuel electrode substrate and constituted of compact solid electrolyte consisting of an oxygen ion conductor and a porous air electrode, a kneaded material principally comprising stabilized zirconia powder and/or doped ceria powder, nickel oxide powder, and fine spherical particles of resin is extrusion molded.例文帳に追加

多孔質燃料極基板を構造体とし、酸素イオン伝導体からなる緻密質固体電解質と多孔質空気極で構成された燃料極支持型固体酸化物形燃料電池セルの燃料極基板用グリーンシートの製造方法において、安定化ジルコニア粉末および／またはドープセリア粉末、酸化ニッケル粉末、および樹脂球状微粒子を主成分とする混練物を押出成形することを特徴とする燃料極基板用グリーンシートの製造方法。 - 特許庁

In the semiconductor device including such a structure as an electrode 16 is laid on a substrate 10, a through hole 11 penetrating the electrode 16 and the substrate 10 is formed in the laying direction thereof and a conductive member 24 is inserted into the through hole 11 wherein the through hole 11 has a plurality of small through hole 11a in a region for forming one electrode 16.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板１０上に電極１６が積層された構成を含む半導体装置であって、電極１６及び基板１０の積層方向には、これら電極１６及び基板１０を貫通する貫通孔１１が形成され、その貫通孔１１内部には導電部材２４が挿通されるとともに、該貫通孔１１が一つの電極１６の形成領域内において複数の小貫通孔１１ａを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

In the organic thin-film transistor, a unimolecular film is formed on the surface of each of the substrate and the source and the drain electrodes; the end of the unimolecular film bonded to the surface of the substrate and the ends of the unimolecular films, bonded to the surface of the source and drain electrodes, have the same chemical structure.例文帳に追加

ゲート電極及び絶縁膜を備えた基板上に、ソース電極及びドレイン電極が形成され、その上に有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタであって、該基板、該ソース電極及びドレイン電極のそれぞれの表面に単分子膜が形成され、かつ該基板上に結合した単分子膜の末端と、該ソース電極及びドレイン電極の表面に結合した単分子膜の末端とが同一の化学構造を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The invention relates to the pressure sensitive adhesive sheet for adhering wafers 1 having a pressure sensitive adhesive layer 12 on a substrate film 11, wherein the substrate film 11 has a single layer or multilayer structure and at least a layer 11A contacting with the pressure sensitive adhesive layer comprises dispersed particles which are dispersed in the base resin, especially the distance between dispersed particles in the layer 11A containing the particles is ≤20 μm.例文帳に追加

基材フィルム１１上に粘着剤層１２を有するウエハ貼着用粘着シート１において、基材フィルム１１は単層または多層構造を有し、そのうちの少なくとも粘着剤層に接する層１１Ａはベース樹脂中に分散された分散粒子を含む層からなるウエハ貼着用粘着シート、特に上記の分散粒子を含む層１１Ａにおいて、分散粒子の粒子間隔が２０μｍ以下である上記構成のウエハ貼着用粘着シート。 - 特許庁

This mounting structure for a semiconductor element 3 comprises an insulating substrate 1, where a plurality of circuit conductors 2 stick on a top surface and a semiconductor element 3 having a plurality of terminals 4 on a bottom surface thereof, and is constituted by joining the terminal 4 on the bottom surface of the semiconductor element to the circuit conductor 2 on the top surface of the insulating substrate with a conductive bonding agent 5.例文帳に追加

上面に複数個の回路導体2 が被着されている絶縁基板1 と、下面に複数個の端子4 を有する半導体素子3 とから成り、前記半導体素子下面の端子4と絶縁基板上面の回路導体2 とを導電性接着剤5 にて接合してなる半導体素子3の実装構造体であって、前記絶縁基板1 の弾性率をＧ_1 、絶縁基板1 の厚みをＤ_1 、半導体素子3 の弾性率をＧ_2 、半導体素子3 の厚みをＤ_2 とした下記式を満足するように構成する。 - 特許庁

In a multilayer wiring substrate having a first multilayer wiring structure 10 including first wirings 13 and 16 and first via wirings 12 and 15 formed on a first side where a semiconductor chip is packaged, and a second multilayer wiring structure 30 including second wirings 32 and 35 and second via wirings 34PG and 34S, the second wirings are formed to be thicker than the first wirings.例文帳に追加

半導体チップが実装される第１の側に形成された、第１の配線１３，１６と第１のビア配線１２，１５を含む第１の多層配線構造１０と、前記第１の側と反対側の第２の側に形成された、第２の配線３２，３５と第２のビア配線３４ＰＧ，３４Ｓを含む第２の多層配線構造３０とを有する、多層配線基板であって、前記第２の配線は、前記第１の配線より厚くなるよう形成されていることを特徴とする多層配線基板。 - 特許庁

By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor for further improving life characteristics and yields in mass production to further improve reliability when putting an element into practical applications by forming device structure on a substrate made of a nitride semiconductor, and to provide a nitride semiconductor element with improved element characteristics such as life characteristics with a nitride semiconductor obtained by a method for growing the nitride semiconductor as a substrate.例文帳に追加

窒化物半導体を基板とした場合、この基板上にデバイス構造を形成してなる素子の実用化に際しての信頼性をより向上させるために、寿命特性のさらなる向上と、量産する際の歩留まりの向上が可能となるような窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に、本発明の窒化物半導体の成長方法により得られる窒化物半導体を基板とし、寿命特性など素子特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。 - 特許庁

The thin film capacitor comprises a lower electrode layer formed on a substrate, a dielectric thin film formed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer formed on the dielectric thin film wherein the dielectric thin film has the perovskite structure deficient of oxygen represented by (BaSr)TiO_(3-x) (0≤x≤1) and containing a donor dopant.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極層と、該下部電極層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された上部電極層とからなる薄膜コンデンサにおいて、該誘電体薄膜は（ＢａＳｒ）ＴｉＯ_(3-x)（ただし０≦ｘ≦１）で表される酸素が欠損したペロブスカイト構造であり、ドナードーパントを含有させた。 - 特許庁

The variable display structure 100 includes an image pattern formation layer (image pattern formation medium) 1 arranging a linear band 11 obtained to divide three images in a prescribed rule, a shading pattern arrangement layer 2 arranging a shading band 21 shielding the linear band 11 by mutually spacing regular intervals, and a substantially transparent substrate 3.例文帳に追加

可変表示構造１００は、３種類の像を分割して得られる線状帯１１が所定の規則で配列した像パターン形成層（像パターン形成媒体）１と、線状帯１１を遮る遮光帯２１を互いに一定の間隔を開けて配列させた遮光パターン配列層２と、実質的に透明な透明基板３とを有している。 - 特許庁

The cell culture substrate is composed of a double-crosslinked polymer gel produced by the irradiation of a polymer hydrogel composed of a polymer of a water-soluble organic monomer and a water-swelling clay mineral and having a three-dimensional network structure and is reversibly changeable between hydrophilic nature and hydrophobic nature by the change of external environment.例文帳に追加

水溶性有機モノマーの重合体と、水膨潤性粘土鉱物とから構成される三次元網目構造を有する高分子ヒドロゲルに放射線を照射してなる二重架橋型高分子ゲルからなり、かつ、外部環境変化にともない親水性と疎水性とが可逆的に変化することを特徴とする細胞培養基材。 - 特許庁

The method for producing a solid oxide sintered film having a laminate structure comprises an electrodeposition process for adhering solid oxide particles on the surface of the solid oxide sintered film as a substrate in a film-like shape by a migration electrodeposition method and a burning process for burning the solid oxide sintered film having the solid oxide particle film obtained in the electrodeposition process on the surface.例文帳に追加

基材としての固体酸化物焼結膜の表面上に固体酸化物粒子を泳動電着法により膜状に付着させる電着工程と、該電着工程で得られた固体酸化物粒子膜を表面に有する固体酸化物焼結膜を焼成する焼成工程とからなる積層構造の固体酸化物焼結膜の製造方法。 - 特許庁

The liquid crystal display device which consists of a pair of substrates having alignment controlling films formed thereon and wherein the alignment controlling layers are opposed to each other in contact with a liquid crystal layer and sandwiching the liquid crystal layer, has a layer structure containing a water-absorbing organic substance between at least one substrate and the alignment controlling layer formed thereon.例文帳に追加

配向制御膜を形成した一対の基板と、該配向制御膜が液晶層に接して相対向し液晶層を挟持して成る液晶表示装置において、少なくとも一方の基板とその基板上に形成された配向制御膜との間に、吸水性有機物質を含む層構造を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

Especially, the array substrate comprises a pixel electrode PE applying an electric field to a pixel region of the liquid crystal layer, a ridge like structure TL controlling the inclination of the electric field applied by the pixel electrode PE so that the pixel region is alignment-divided and an inclination compensating protrusion CL formed as a base for bulging the outer edge of the pixel electrode PE.例文帳に追加

特に、アレイ基板は液晶層の画素領域に電界を印加する画素電極ＰＥ、画素領域が配向分割されるように画素電極ＰＥから印加される電界の傾きを制御する畝状構造体ＴＬ、および画素電極ＰＥの外縁を隆起させる下地として形成される傾き補正用突起ＣＬを含む。 - 特許庁

An electronic component 1 has a structure in which a flexible substrate 3 formed with each first through electrode 10 is laminated via an adhesive 4 on the surface, formed with each package electrode 11, of the glass package 2 whose surface is formed with each package electrode 11 while each package electrode 11 and each first through electrode 10 are electrically connected to each other.例文帳に追加

表面にパッケージ電極１１が形成されたガラスパッケージ２のパッケージ電極１１が形成された表面に、第１貫通電極１０が形成されたフレキシブル基板３を接着材４を介して貼り合わされた構造を備えており、パッケージ電極１１と第１貫通電極１０とが電気的に接続する構造を有する電子部品１とした。 - 特許庁

In the light emitting element having a first electrode, a dielectric layer, an emitter layer and a second electrode layered sequentially on a substrate, the dielectric layer is formed of a dielectric composed of a crystalline material with perovskite structure where the lattice constant of a c-axis is greater than the lattice constant of an a-axis obtained by X-ray diffraction.例文帳に追加

基板の上に、第１電極と、誘電体層と、発光体層と、第２電極とが順次積層された発光素子であって、前記誘電体層は、ペロブスカイト構造の結晶体からなる誘電体で構成され、且つ、前記結晶体は、Ｘ線回折法で求めたａ軸の格子定数よりｃ軸の格子定数が大きい。 - 特許庁

The image display medium is obtained by forming a photosensitive layer containing at least a photochromic compound, an electron accepting compound and an infrared absorbing dye on a supporting substrate, wherein the photochromic compound is a fulgide compound and the electron accepting compound is a Lewis acid compound in which the number of carbon atoms in a long chain structure except the Lewis acid moiety is ≥12.例文帳に追加

少なくともフォトクロミック化合物、電子受容性化合物及び赤外吸収色素を含む感光層を支持基板上に形成した画像表示媒体であって、該フォトクロミック化合物がフルギド系化合物であり、該電子受容性化合物がルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が１２以上である。 - 特許庁

To obtain a precursor suitable for the production of a flexographic printing plate by direct exposure to heat or light and giving high flexibility, high speed and high image quality by providing a structure with no substrate between a photopolymer layer and a recording layer.例文帳に追加

熱または光に対する直接露出によりフレキソ印刷版を製造するために適しており且つ高い柔軟性、高い速度および高い像品質により特徴づけられる改良された材料並びにフォトマスクを製造するために湿潤処理を必要とせず且つ該直接露呈時に破片を発生しない簡便な材料を提供すること。 - 特許庁

The electrodes 11, 12 for detection comprise electrode metal films 111, 121 formed on an insulation substrate 13, and atomization layers 112, 122 atomizing the surface thereof, and obtain a surface structure which is hard to generate exfoliation of a particulate substance PM by performing atomization treatment after adhering a low melting point metal component to a main metal component.例文帳に追加

検出用電極１１、１２は、絶縁基板１３上に形成した電極金属膜１１１、１２１と、その表面を微粒化した微粒化層１１２、１２２からなり、主金属成分に低融点金属成分を付着させて微粒化処理することにより、微粒子状物質ＰＭの剥離が生じにくい表面構造とする。 - 特許庁

In the multi-layer structure 10, a first polystyrene surface layer 1 is formed on a polystyrene substrate layer 3 through an adhesive layer 2 comprising a polystyrene resin, a polypropylene resin, and a compatibilizer, and a second surface layer 5 of a polypropylene resin the melting point of which is higher than that of the first surface layer is formed through an adhesive layer 4.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂からなる基材層３に、ポリスチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂及び相溶化剤からなる接着層２を介して、ポリエチレン系樹脂からなる第一の表面層１が形成され、接着層４を介して、第一の表面層よりも高融点のポリプロピレン系樹脂からなる第二の表面層５が形成された多層構造体１０。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor capable of operating stably by equalizing the capacitance of respective capacitive elements even when the capacitive elements provided on a substrate and having a recessed spatial structure employing a ferroelectric or a high dielectric as a capacitance insulating film have different heights.例文帳に追加

基板の上に設けられた強誘電体又は高誘電体を容量絶縁膜とする凹型の立体構造を有する容量素子においてそれぞれの高さが異なっている場合においても、それぞれの容量素子の容量を等しくすることにより、動作が安定な信頼性が高い半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a solar cell of high photoelectric conversion efficiency at low cost without deteriorating a back passivation effect and a back electric field effect in a process of forming a backside structure when the solar cell is manufactured using a sheet-like silicon substrate whose either surface is at least rugged and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

少なくとも一方の面が表面に凹凸を有する凹凸面であるシート状シリコン基板を用いた太陽電池を作製する際に、裏面構造の形成過程において裏面パッシベーション効果と裏面電界効果を損なうことがなく、低コストで光電変換効率の高い太陽電池およびその製造方法を提供する - 特許庁

The mesoporous material thin film is one formed on a substrate and having a porous structure composed of honeycomb-packed tubular mesopores with substantially uniform diameters, the tubular mesopores being unidirectionally aligned in the film plane, wherein the thin film is made discontinuous by a plurality of grooves with substantially uniform widths of below 100 nm.例文帳に追加

実質的に均一な径のチューブ状メソ細孔がハニカムパッキングした細孔構造を有し、かつチューブ状細孔が膜面内において一方向に配向制御されている、基板上に形成されたメソポーラス材料の薄膜であって、薄膜が、１００ナノメートル未満の実質的に均一な幅の複数の溝で分断されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrode board for a liquid crystal display which can be easily manufactured, by simplifying as much as possible a structure of an electrode board advantageous in the accuracy of the whole display, in the manufacture of the electrode board for the liquid crystal display using a plastic substrate and forming switching elements and a transparent electrode for driving pixels on the same board.例文帳に追加

プラスチック基板を用い、スイッチング素子と画素駆動用透明電極とを同一基板上に形成した液晶表示装置用電極板の製造にて、表示装置全体としての精度面で有利となる構造の電極板をできるだけ単純な構造のものとし、容易に製造することのできる液晶表示装置用電極板を提案すること。 - 特許庁

The inkjet recording medium is manufactured by providing a lower layer and an upper layer on an air-permeable substrate and performing cast processing, and the inkjet recording medium has the lower layer formed of a coating composition comprising a water absorbing inorganic pigment, a latex, boric acid or its salt and a cationic resin having a five-membered heterocyclic structure.例文帳に追加

透気性の支持体上に下層と上層を設け、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体において、前記下層が、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩、及び五員複素環構造を有するカチオン性樹脂を含有する塗工組成物から形成されることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The optical element 10 has the structure obtained by successively laminating the ruthenium lower electrode 14 which is formed by a pulse laser deposition process, a thin lithium niobate film 16 which is the electro-optic effect material heteroepitaxially grown thereon and an upper electrode 20 which consists of a metallic material on the hexagonal sapphire substrate 12 having a composition of Al_2O_3.例文帳に追加

光学素子１０は、Ａｌ_２Ｏ_３の組成を有する六方晶のサファイア基板１２上に、パルスレーザデポジション法によって形成したルテニウム下部電極１４，その上にヘテロエピタキシャル形成した電気光学効果物質であるニオブ酸リチウム薄膜１６，金属材料による上部電極２０，を順に積層した構造をとっている。 - 特許庁

The control gate electrode 6 is formed in the laminated structure of an n-type polysilicon film 21a and a p-type polysilicon film 19a, and the p-type polysilicon film 19a is formed in the region sandwiched by the adjacent floating gate electrodes 4 to fill the region lower than the location at least on the principal front surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

そのコントロールゲート電極６は、ｎ型ポリシリコン膜２１ａとｐ型ポリシリコン膜１９ａとの積層構造とされ、ｐ型ポリシリコン膜１９ａは、隣接するフローティングゲート電極４によって挟まれた領域において、少なくとも半導体基板１の主表面の位置から下方の領域を充填するように形成されている。 - 特許庁

A metal layer 18 for sealing and a metal layer 19 for electrical connection are formed on a surface insulating film 16 by etching back a part formed at a region E3 for junction in a multilayer insulating film, comprising a surface insulating film 16 and a multilayer structure section 41 formed at the side of the main surface of an SOI semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板であるＳＯＩ基板１０の主表面側に形成された表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる多層絶縁膜のうち接合用領域部Ｅ３に形成されている部位をエッチバックし、表面絶縁膜１６上に封止用金属層１８および電気接続用金属層１９を形成する。 - 特許庁

In the translucent or transparent optical sheet that transmits light, a substrate layer 1, a light diffusing layer 2 that diffuses light and a prism layer 3 that aligns light through a prism structure are disposed in the order from the lower surface as an incident surface of transmission light to the upper surface as the opposite surface.例文帳に追加

光を透過させる半透明又は透明の光学シートにおいて、透過光の入光面たる下面からその反対面たる上面にかけて順に、基材層１と、光を拡散させる光拡散層２と、光をプリズム構造によって整光させるプリズム層３とを具備してなり、各層が密着して一体化成形されてなること。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell comprises a gas dispersing layer formed with a water repellent carbon layer containing carbon black and a solvent soluble fluorine-contained polymer having no ion exchanging group in substance (preferably a polymer having a fluorine-contained aliphatic cyclic structure) arranged adjoining to the catalyst layer on the surface of a substrate made of carbon paper or carbon cloth.例文帳に追加

カーボンペーパー又はカーボンクロスからなる基材の表面にカーボンブラックと実質上イオン交換基を有しない溶媒可溶性含フッ素重合体（好ましくは含フッ素脂肪族環構造を有する重合体）を含む撥水性カーボン層が形成されたガス拡散層を触媒層に隣接して配置した固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

A photoreceptor layer of the electrophotographic photoreceptor for wet development provided with the photoreceptor layer on a conductive substrate and the image forming apparatus for wet development provided with such electrophotographic photoreceptor for wet development contains a stilbene derivative having an ethenyl structure at a molecular terminal expressed by general formula (1) as a hole transport agent.例文帳に追加

導電性基体上に感光体層を設けた湿式現像用電子写真感光体およびそのような湿式現像用電子写真感光体を備えた湿式現像用画像形成装置であって、感光体層が、正孔輸送剤として、下記一般式（１）で表される分子末端にエテニル構造を有するスチルベン誘導体を含有する。 - 特許庁

To provide a heat-insulating waterproof structure in which a heat insulating layer is arranged between a substrate and a waterproof sheet, and which can prevent the occurrence of problems such as the separation and fracture of the waterproof sheet by preventing the waterproof sheet from being lifted near a boundary between a flat portion and a rising portion by the heat shrinkage of the heat insulating layer.例文帳に追加

下地と防水シートとの間に断熱層を配置する断熱防水構造において、断熱層の熱収縮によって平場部と立ち上り部との境界付近で防水シートに浮きが発生するのを防止することができて、防水シートの剥がれや破断といった問題を防止することができる断熱防水構造を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted in a structure that an intrinsic base region 15 of a first semiconductor element is formed in a semiconductor substrate and thereafter, an insulating film 32 having an aperture 33ca is formed on one part of an emitter formation region on the region 15 and an emitter electrode 24 and a protective film 35 of the first semiconductor element are formed on the film 32 having the aperture 33ca.例文帳に追加

第１の半導体素子の真性ベース領域１５を形成後、真性ベース領域１５上の一部のエミッタ形成領域に開口部３３ｃａを有する絶縁膜３２を形成し、当該開口部３３ｃａを有する絶縁膜３２に第１の半導体素子のエミッタ電極２４の形成および保護膜３５の形成を行う。 - 特許庁

To provide a light emitting element having such a structure as a light emitting part is covered with a reflective metal layer pasted to an element substrate through other bonding metal layer in which diffusion of components from the bonding metal layer to the reflective metal layer can be prevented effectively and lowering of reflectivity due to diffusion is retarded.例文帳に追加

発光層部を反射金属層で覆い、さらに、その反射金属層を、別の結合用金属層を介して素子基板と貼り合せた構造を有する発光素子において、結合用金属層から反射金属層への成分拡散を効果的に防止でき、ひいては、該拡散による反射率低下などの不良を生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer 100, insulating layers 106 and 106A, and a gate electrode 107 are successively formed on a source electrode 102 and a drain electrode 103 arranged on a substrate 101, where the semiconductor layer 100 is a laminated structure composed of an amorphous silicon layer 104 and a polycrystalline silicon layer 105 formed on the silicon layer 104.例文帳に追加

基板１０１上に配置されたソース電極１０２及びドレイン電極１０３の上に半導体層１００、絶縁層１０６，１０６Ａ及びゲート電極１０７を順に形成すると共に、半導体層１００を、アモルフアスシリコン層１０４と、アモルフアスシリコン層１０４の上に配された多結晶シリコン層１０５とから成る積層構造とする。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁