「substrate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(196ページ目) - Weblio英語例文検索

The photosensitive resin composition to be used for an interlayer dielectric or a protective film of a substrate for circuit formation includes: (a) a polymer having a structural unit expressed by formula (A); (b) a compound that generates a radical when irradiated with active rays and has a structure expressed by formula (B); and (c) a solvent.例文帳に追加

回路形成用基板の層間絶縁膜又は保護膜用の感光性樹脂組成物であって、（ａ）下記式（Ａ）で表わされる構造単位を有するポリマーと、（ｂ）活性光線照射によりラジカルを発生する化合物で、下記式（Ｂ）で表される構造を含む化合物と、（ｃ）溶媒とを含有してなる感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The optical element for polarizing light comprises a substrate with a main surface which includes a 1st axis and has periodical ruggedness in the direction of the 1st axis, and a lamination structure body which is arranged on the main surface and alternately laminates a 1st dielectric layer and a 2nd dielectric layer differing from the 1st dielectric layer in the refractive index.例文帳に追加

光を偏光させる光学素子が、第１軸を含み、第１軸方向に周期的な凹凸を有する主表面を備えた基板と、主表面上に設けられ、第１誘電体層と、該第１誘電体層とは屈折率の異なる第２誘電体層とが交互に積層された積層構造体とを含む。 - 特許庁

The anode electrode for visible light decomposition of water is obtained by immersing a nano-porous titanium oxide electrode, which is prepared by forming a titanium oxide layer on an ITO substrate or the like and has a fine porous structure, in a mixed solution of a SbCl_3 acetone solution and a Na_2S_2O_3 aqueous solution to deposit antimony sulfide.例文帳に追加

ＩＴＯ基板などの上に酸化チタン層を形成して作成した微細な多孔質構造を有するナノポーラス酸化チタン電極を、ＳｂＣｌ３アセトン溶液とＮａ２Ｓ２Ｏ３水溶液との混合溶液に浸漬して硫化アンチモンを析出させて得られる、水の可視光分解用アノード電極。 - 特許庁

A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3.例文帳に追加

基板５上に下部電極3を設け、同下部電極３を共通にして同下部電極３上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜８、下磁性層９、バリア膜１０及び上磁性層１１からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子２を独立に分離して形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method of the substrate for bonding a circuit pattern 3 which has a surface of high reflection factor, and is formed of a conductive metal plate to a surface of an insulator 2 made of a resin structure having a recess 2a; low cost is realized by high heat dissipation and the circuit pattern as a reflection plate.例文帳に追加

凹部２ａを有する樹脂構造物よりなる絶縁体２の表面に反射率の高い表面を持つ、導電性金属板からなる回路パターン３を貼り付けることを特徴とする基板の製造方法であり、高い放熱性と回路パターンが反射板を兼ねることによる低コストを実現した。 - 特許庁

To provide a CPU device of novel structure capable of reducing the polishing liquid or increasing the polishing rate by preventing the heat, generated by friction during the polishing in the CPU device, from being transferred from a polishing pad to a rotary platen, thereby promoting chemical action of the polishing liquid and a substrate surface incident to temperature rise.例文帳に追加

ＣＭＰ装置において研磨中に摩擦によって発生する熱が研磨パッドから回転定盤に伝わるのを防止して、温度上昇に伴う研磨液と基板表面の化学作用の増進によって、研磨液の削減もしくは研磨レートの増大を可能にできる新規な構造のＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a packaging structure of a semiconductor device arranged to expose only part of leads to the wall face of a package in order to enhance packaging density in which packaging performance and reliability are enhanced by relaxing a stress generated due to difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor device and a packaging substrate.例文帳に追加

本発明は実装密度を向上させるためリードの一部のみをパッケージの壁面に露出させた構成の半導体装置の実装構造に関し、半導体装置と実装基板との熱線膨張率差により発生する応力を緩和することにより、実装性及び信頼性の向上を図ることを課題とする。 - 特許庁

A TFT substrate 1 has a structure such that the protective insulating film 40 of a control capacity portion 42, where a control capacitor is formed and the protective insulating film 40 of an auxiliary capacity portion 43, where an auxiliary capacitor is formed are less in film thickness than a protective insulating film 40 covering a TFT 5 etc.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１は、制御容量が形成される制御容量部４２の保護絶縁膜４０、及び補助容量が形成される補助容量部４３の保護絶縁膜４０の膜厚が、ＴＦＴ５等を覆う保護絶縁膜４０の膜厚に比べて薄く形成された構造を有している。 - 特許庁

The prepreg and the substrate each has a structure comprising at least a resin, dielectric powder dispersed in the resin and a glass cloth, wherein the dielectric constant of the mixture of the resin and the dielectric powder is larger than the dielectric constant of the glass cloth and the glass cloth has ≤60 g/m2 cloth weight and ≥200 cm3/cm2/s air permeability.例文帳に追加

少なくとも樹脂と、この樹脂中に分散されている誘電体粉末と、ガラスクロスとを有し、前記樹脂と誘電体粉末との混合物の誘電率がガラスクロスの誘電率以上であり、前記ガラスクロスが、布重量６０g/m^2 以下、通気率２００cm^3/cm^2/sec以上である構成のプリプレグ、および基板とした。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１１に行列状に配置された複数のメモリセル部１１と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線１２と、埋め込み絶縁膜１６と、埋め込み絶縁膜１６の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線１３とを備えている。 - 特許庁

A protruding electrode 4 formed on an electrode pad 2 of a semiconductor substrate 1 is formed into a structure having a first flat region 14a positioned on an upper surface center portion, a second flat region 14b positioned near an upper surface external periphery so as to surround it, and a first convex region 14c between both the regions 14a, 14b.例文帳に追加

半導体基板１の電極パッド２上に形成する突起電極４を、上面中央部に位置する第１の平坦領域１４ａと、それを囲んで上面外周部近傍に位置する第２の平坦領域１４ｂと、両領域１４ａ，１４ｂの間の第１の凸領域１４ｃとを有する構造とする。 - 特許庁

To provide a molding mold in which cooling structure of a mold, namely a passage of a liquid for temperature conditioning (liquid for cooling) is set as a specific geometry, and thereby a highly precise optical recording medium substrate having thickness variation reduced compared with a conventional molding mold can be molded, and which is excellent in mold cooling capability.例文帳に追加

金型の冷却構造、すなわち温調用液体（冷却用液体）の流路を特定の形態に設定することにより、厚さバラツキが従来の成形金型に比べて低減した高精度の光記録媒体基板を成形することができ、かつ、金型冷却機能に優れた成形金型を提供すること。 - 特許庁

The laminate structure 10 includes a wettability changing layer 12 containing a polyimide and an electrical conductor layer 13 laminated on a substrate 11 in order, wherein the polyimide is obtainable by dehydrating and ring-opening a polyamic acid, wherein the polyamic acid is obtainable by ring-opening and addition-polymerizing a diamine and a tetracarboxylic acid dianhydride, wherein the diamine includes a compound represented by general formula 1.例文帳に追加

積層構造体１０は、基板１１上に、ポリイミドを含む濡れ性変化層１２及び導電体層１３が順次積層されており、ポリイミドは、ポリアミド酸を脱水閉環させて得られ、ポリアミド酸は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物を開環重付加させて得られ、ジアミンは、一般式（１）で表される化合物を含む。 - 特許庁

This polishing pad 10 polishes a film to be polished 22 formed on a substrate 21 while the slurry 41 is being made to flow on it, and consists of a thermoplastic resin layer having the non-foam structure, and contains the solid catalyst 11 for promoting the chemical reaction between the polished film 22 and the chemical substance in the slurry 41.例文帳に追加

基板２１上に形成された被研磨膜２２をスラリ４１を流しながら研磨する研磨パッド１０であって、無発泡構造の熱可塑性の樹脂層からなり、該被研磨膜２２と該スラリ４１の中の化学物質とが反応する化学反応を促進する固体触媒１１を含有するように構成する。 - 特許庁

In order to manufacture the thin film transistor, having a laminated structure provided with a semiconductor thin film 5 composed of polycrystalline silicon, an oxidized film 3 composed of the oxide of silicon and a gate electrode film and a thin-film forming process for forming the semiconductor thin film 5 composed of an amorphous silicon on an insulating substrate 0 is carried out first.例文帳に追加

多結晶シリコンからなる半導体薄膜５と、シリコンの酸化物からなる酸化膜３と、ゲート電極膜とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造する為に、先ず、絶縁性の基板０に非晶質シリコンからなる半導体薄膜５を形成する薄膜形成工程を行なう。 - 特許庁

The photo mask manufacturing apparatus having a carrying arm having a structure allowing the mount to be removably mounted on the arm comprises a heater having a means for heating the mount only for controlling the temperature of the mount directly contacted with a transparent substrate, or a cooler having a cooling means.例文帳に追加

搭載部がアーム部より脱着することが可能な構造の搬送アームを備えたフォトマスク製造用装置であって、透明基板と直接接触する搭載部の温度を制御するための搭載部専用の加熱手段を具備した加熱部、又は冷却手段を具備した冷却部を備えたフォトマスク製造用装置。 - 特許庁

To provide a development processing method of a substrate, with which resist pattern collapse due to thinning of a pattern size and a problem by water repellence of resist, which occurs in relation to technical progress for thinning the pattern size, can be solved and device structure and control are prevented from becoming complicated.例文帳に追加

パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の問題とパターン寸法の微細化のための技術進展に関連して発生するレジストの撥水性による問題とを共に解決することができ、かつ、装置構成や制御が煩雑になることもない基板の現像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a projected electrode for acquiring necessary height of the projected electrode to fill the resin in the gap between a circuit substrate and a semiconductor chip without increase in an amount of solder overhanging on the front surface of a resist layer even when the projected electrode is reduced in size up to a fine structure considering area pad arrangement in fine pitch.例文帳に追加

ファインピッチなエリアパッド配列に対応するために突起電極が微細化しても、レジスト層の表面にオーバーハングする半田量を増加させることなく、回路基板と半導体チップとの間に樹脂を充填するのに必要な突起電極高さを確保できる突起電極形成方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor optical detector 30 is integrated with the mesa part M1 at the opposite side to the optical outgoing window 28A of the mesa part M1, and has a lamination structure including a first conductive type semiconductor layer 31, an optical detection layer 32, and second conductive type semiconductor layers 33 and 34 in sequence from the side of the substrate 10.例文帳に追加

半導体光検出素子３０は、メサ部Ｍ１の光射出窓２８Ａとは反対側にメサ部Ｍ１と一体に形成されると共に、第１導電型半導体層３１、光検出層３２、第２導電型半導体層３３、３４を基板１０側から順に含む積層構造を有する。 - 特許庁

A heat treatment apparatus is provided with a heating container 100 of a hermetically sealed structure consisting of a cylindrical side wall 110, an upper wall 120 and a bottom wall 130; a substrate holding means 500 for holding a wafer W to be housed in the heating container 100; and a lamp unit 200 for heating the wafer W while transmitting the upper wall 120 of the heating container 100.例文帳に追加

円筒状の側壁１１０、上壁１２０、底壁１３０からなる気密構造の加熱容器１００と、加熱容器１００内に収納されるウェハＷを保持する基板保持手段５００と、加熱容器１００の上壁１２０を透過してウェハＷを加熱するランプユニット２００とを備える。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 and a gate insulation film 2 for covering the layer 1 are formed on a substrate 60, a titanium film 34 with crystal structure where the ratio of a crystal orientation (100) plane to a crystal orientation (002) plane is equal to or less than 0.03 is formed on the gate insulation film 2, and further an aluminum film 35 is formed on the titanium film 34.例文帳に追加

基板上６０に、半導体層１、これを覆うゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上に、結晶方位（００２）面に対する結晶方位（１００）面の割合が０．０３以下である結晶構造を有するチタン膜３４を成膜し、更にこのチタン膜３４上にアルミニウム膜３５を成膜する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the solar cell substrate including a synthetic resin sheet as a structural element, the uneven structure is formed on the surface of the synthetic resin sheet by thermally pressurizing a porous material to the synthetic resin sheet and then peeling the porous material.例文帳に追加

合成樹脂シートを構成要素に含む太陽電池基板を製造する方法であって、上記合成樹脂シートに多孔質体を熱圧着し、該多孔質体を剥離することにより、該合成樹脂シート表面に凹凸構造を形成することを特徴とする太陽電池基板の製造方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に溝１４を形成した後に、溝１４の内表面１４ａを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝１４の内表面１４ａの欠陥層１５を除去する。 - 特許庁

The color filter structure for liquid crystal display comprises a plurality of color filters which are mounted on the surface of substrate and are fitted to one another, has regions where respective color filters are superimposed with adjacent color filters and allow the the surface of the superimposed region to be almost even with the surface of respective color filters other than the superimposed region.例文帳に追加

本発明の液晶ディスプレー用カラーフィルター構造は、基板表面に着装され且つ互いに嵌り合う複数のカラーフィルターを含み、各カラーフィルターが隣接するカラーフィルターと重ね合う区域があり、その重ね合う区域の表面が重ね合う区域以外の各カラーフィルター表面とほぼ揃うことを特徴とする。 - 特許庁

In the optical recording medium, which is formed by providing a recording layer, into or from which the writing and reading with laser beams can be done, on a substrate, the recording layer includes chelate coloring matters consisting of two or more different azo-based compounds in structure and metal ion having a valence of two or more so as to be selected from among the azo-based compounds.例文帳に追加

基板上に、レーザーによる書きこみ及び／または読み取り可能な記録層を設けた光学記録媒体であり、該記録層が、構造の異なる２以上のアゾ系化合物と、２価以上の金属イオンとで構成されるキレート色素を含有し、アゾ系化合物から選ばれることを特徴とする光学記録媒体。 - 特許庁

To provide a sheathing material mounting structure which facilitates positioning of sheathing materials in a horizontal direction when a lower corner portion of each sheathing material is fixed in the process of mounting the sheathing materials on a substrate of a building in a staggered manner, and prevents locational deviation of the sheathing material in the horizontal direction.例文帳に追加

外装材を建物の下地材に千鳥状に取り付けて敷設する場合に、各外装材の下側の隅部を固定する際に外装材の横方向位置の位置合わせを容易に行うと共にこの外装材の横方向位置の位置ずれの発生を防止することができる外装材の取付構造を提供する。 - 特許庁

The inventive antenna can be easily constructed using a printed circuit board technology, by forming the ground plane as a coating on one side of a printed circuit board substrate, forming the main conductive plane of the conductive box structure on the other side of the printed circuit board, and interconnecting the two using plated through holes (that is, vias).例文帳に追加

本発明のアンテナは、プリント回路板の技術を使用し、プリント回路板基板の一方の側面上の被覆として接地面を形成し、導電箱構造の主要導電面を、プリント回路板の他の側面上に形成し、めっきされたスルー・ホールを使用して２つを相互接続（すなわちバイアス）して、容易に構築できる。 - 特許庁

By joining a terminal connecting part formed on the back surface of nearly central part of the gyroscope vibrating reed 10 with the top surface of each apical part of each electrode lead 6a to 6f, the structure supported can be achieved, while forming a gap T to avoid contact of the gyroscope vibrating reed 10 with the TAB substrate except junction.例文帳に追加

この各電極リード６ａ〜６ｆの各先端部上面に、ジャイロ振動片１０の略中央部裏面に形成された端子接続部を接合して、ジャイロ振動片１０が接合部以外の部位においてＴＡＢ基板と接触しないように空隙Ｔを形成しながら支持される構造とした。 - 特許庁

In the mounting member 2, an aperture 3 is formed at a side facing an end of the transmission line 14 on the substrate 13, and a coaxial structure (not shown in the figure) is formed, inside of the mounting member 2, by extending a core wire 11 of the coaxial connector 10 so as to reach the aperture 3.例文帳に追加

この取付部材２には、基板１３上の伝送線路１３の先端部と対向する側の側面に開口部３が設けられており、この取付部材２の内部に、同軸コネクタ本体１０の芯線１１が延長して開口部３まで達する同軸構造部（図示せず）が形成されている。 - 特許庁

To increase the recording density of a magnetic recording medium by forming an underlayer having fine crystal particle without thinning the underlayer in the magnetic recording medium having the laminate structure of three thin-film layers, which is provided with at least a nonmagnetic underlayer, a magnetic recording layer and a protective layer formed on a nonmagnetic substrate.例文帳に追加

非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、磁性記録層、保護層が形成された３層以上の薄膜の積層構造を有する磁気記録媒体において、下地層の薄膜化を行うことなく微細な結晶粒子を有する下地層を形成し、それによって、磁気記録媒体の記録密度を高める。 - 特許庁

The method for manufacturing the element includes a process, in which a plurality of ferroelectric capacitors are formed on the semiconductor substrate on which the lower-part interlayer film has been formed, and after the hydrogen preventing spacer is formed on the side wall of the ferroelectric capacitor, the upper-part interlayer film and a plurality of plate lines are formed on the resultant structure.例文帳に追加

この素子の製造方法は下部層間絶縁膜が形成された半導体基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、強誘電体キャパシタの側壁に水素防止スペーサを形成した後に、その結果物上に上部層間絶縁膜及び複数のプレートラインを形成する段階を含む。 - 特許庁

In a vertical type DiMOSFET formed using a SiC wafer, a Si layer 15 is formed on a channel region within the surface of the SiC substrate, the gate insulating film 16 is formed on the Si layer 15, and a laminated structure of the Si layer 15 and the gate insulating film 16 is formed.例文帳に追加

ＳｉＣウェハを用いて形成された縦型のＤｉＭＯＳＦＥＴでは、ＳｉＣ基板１０の表面内におけるチャネル領域上にＳｉ層１５が形成され、このＳｉ層１５上にゲート絶縁膜１６が形成されて、Ｓｉ層１５とゲート絶縁膜１６の積層構造が形成されている。 - 特許庁

To solve such a problem that a silicon active layer of an SOI substrate (SOI layer) is made smaller in thickness than heretofore, following fine structure of transistors, so that, after impurities area introduced into a complete depleted SOI transistor, etc., crystallization of an impurity diffused layer cannot be sufficiently restored even by annealing under heat treatment for example.例文帳に追加

トランジスタの微細化に伴い、ＳＯＩ基板のシリコン活性層（ＳＯＩ層）の厚さが従来よりも薄くなり、完全空乏型ＳＯＩトランジスタ等では、不純物を導入した後、例えば、熱処理によってアニールを行っても、不純物拡散層の結晶状態を充分に回復させることができない。 - 特許庁

A waterproof structure 1 for a building substrate, which includes a waterproof film layer 10 and a water-absorbing swelling layer 20, is characterized in that the water-absorbing swelling layer 20, which comprises water-absorbing particles 24 and an adhesive 22, is provided on the undersurface side of the waterproof film layer.例文帳に追加

防水フィルム層１０及び吸水膨潤層２０を有する建築下地用防水構造体１であって、前記吸水膨潤層２０は、吸水性粒子２４と粘着剤２２を含んで構成され、前記防水フィルム層の下面側に設けられていることを特徴とする建築下地用防水構造体１。 - 特許庁

Figure 3 shows its one example, wherein it shows such structure that a VDD shield wire 2 is arranged on an VSS power wire 10 connected through a plug 9 to the wire 6 arranged within an insulating film 7 on a substrate 8 where a plurality of transistors are arranged, and that a VSS shield wire 1 is arranged on a VSS wire 11.例文帳に追加

図３はその一例で、複数のトランジスタを配置した基板８上の絶縁膜７中に配置した配線６にプラグ９を介して接続したＶ_ＳＳ電源配線１０上にＶ_ＤＤシールド配線２を配置し、Ｖ_ＤＤ電源配線１１上にＶ_ＳＳシールド配線１を配置した構造を示している。 - 特許庁

The bump has a two-layer structure including a first bump layer which is formed on the substrate and made of a bulk body of first conductive metal which is one of gold, copper and nickel, and a second bump layer which is formed on the first bump layer and made of a sintered body of powder of second conductive metal which is one of gold and silver.例文帳に追加

本発明に係るバンプは、基板上に形成され、金、銅、ニッケルのいずれかである第１の導電性金属のバルク体からなる第１バンプ層と、第１バンプ層上に形成され、金、銀のいずれかである第２の導電性金属の粉末の焼結体からなる第２バンプ層とからなる２層構造を有する。 - 特許庁

An optical transmission structure 20 includes: a main substrate 30 having a first through-hole 30a opening at two main surfaces; and a first optical member 40 which is located inside the first through-hole 30a, and which projects from one of openings of the first through-hole 30a and extends around.例文帳に追加

発光伝送構造体２０は、２つの主面で開口する第１貫通孔３０ａを有する主基板３０と、第１貫通孔３０ａの内部に位置し、且つ当該第１貫通孔３０ａの開口の一方から突出しつつ周囲に延在している第１光学部材４０と、を有する。 - 特許庁

In this mounting structure, a semiconductor element 1 is bonded to a substrate in three positions corresponding to three apexes of an imaginary triangle defined based on an outer circumference shape of the semiconductor element 1 through an adhesion part 2 composed of an adhesive (for example, a silicon-based resin such as a silicon resin having an elastic modulus of 1 MPa or less).例文帳に追加

半導体素子１は、当該半導体素子１の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤（例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂など）からなる接着部２により基板に固着されている。 - 特許庁

To provide an inter-layer connection via structure with small signal distortion which is used to connect coplanar transmission lines isolated with a thick insulating film to each other, or to connect the electrode of an active element such as a signal generator or receiver right above a substrate and a coplanar transmission line on the thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜で隔たれたコプレーナ伝送線路同士を接続する場合、あるいは、基板直上の信号発生器または受信器などの能動素子の電極と厚い絶縁膜上のコプレーナ伝送線路を接続する場合に用いる信号の歪みの少ない層間接続ビア構造を提供すること。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device having a memory cell transistor and the peripheral transistor on the same semiconductor substrate 11, metallic silicide layers 28 are formed on both diffusion layers of the memory cell transistor and the peripheral transistor and on the gate electrode of the peripheral transistor, and the contact of the memory cell transistor has a self-alignment contact structure.例文帳に追加

同一半導体基板１１上にメモリセルトランジスタと周辺トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルトランジスタと周辺トランジスタの両拡散層及び周辺トランジスタのゲート電極上に、金属シリサイド層２８が形成され、メモリセルトランジスタのコンタクトがセルフアラインコンタクト構造を有する。 - 特許庁

For example, on viewing the substrate from top, the structure of the contact layer CNT1b and CNT2a is regarded as staggered pattern of contact hole forming the CNT1b, CNT2a allocation, and as wall-like form (continuous form toward Y axis) of the CNT1b, CNT2a.例文帳に追加

このようなコンタクト層ＣＮＴ１ｂ，ＣＮＴ２ａの構造は、例えば、半導体基板を上面から見て、ＣＮＴ１ｂ，ＣＮＴ２ａを形成する各コンタクトホールが千鳥配置となったものや、ＣＮＴ１ｂ，ＣＮＴ２ａのそれぞれを壁状の形状（Ｙ軸方向に連続する形状）にしたものなどが挙げられる。 - 特許庁

When a CF substrate 10 is regenerated, the organic material structures, namely, the alignment layer 7, a columnar spacer 5 and the protrusion structure 6 existing in an upper layer of an ITO transparent electrode 4 to be the inorganic material film are polished and removed by using an abrasive containing cerium oxide and by wet polishing using water.例文帳に追加

ＣＦ基板１０を再生するにあたり、無機材料膜であるＩＴＯ透明電極４より上層に存する有機材料構造物、即ち配向膜７、柱状スペーサ５及び突起構造物６を、酸化セリウムを含有する研磨剤及び水を用いた湿式研磨によって研磨除去する。 - 特許庁

An image formation material comprises a lower layer containing a polymer which has a carboxylic group in a side chain and at least a part of which forms a salt structure together with a univalent basic compound, and an infrared absorbent; and an upper layer of which solubility in alkali aqueous solution is increased by heating; which are sequentially arranged on a substrate.例文帳に追加

支持体上に、カルボン酸基を側鎖に有し、該カルボン酸基の少なくとも一部が一価の塩基性化合物と塩構造を形成しているポリマー及び赤外線吸収剤を含む下層と、熱によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する上層とを、順次備える画像形成材料。 - 特許庁

To provide a light transmissive electromagnetic shield material, including a structure having a mesh-like conductive layer provided on a surface of a glass substrate, the optical transparency for permeable electromagnetic shielding material, given antidazzle effects at low cost and having superior electrical conductivity and superior light transmissivity, and to provide an optical filter for PDP.例文帳に追加

ガラス基板の表面にメッシュ状の導電層が設けられた構成を含む光透過性電磁波シールド材であって、低コストで防眩効果が付与されており、且つ良好な導電性、及び良好な光透過性を有する光透過性電磁波シールド材、及びＰＤＰ用光学フィルタを提供する。 - 特許庁

Moreover, storage capacitances (70) each of which is electrically connected to the TFT and the pixel electrode and shield layers (400) each of which is arranged between the data line and the pixel electrode and interlayer insulator films_(43) which are formed as underlyings of the pixel electrodes are provided on a substrate so that they constitute portions of the layered structure.例文帳に追加

この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。 - 特許庁