「surface terrace」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a grating bearing member and a grating installation structure by which an indoor floor surface of a building, an outdoor floor surface of a terrace and a surface of a grating can be arranged to be flat.例文帳に追加

建物の屋内の床面、屋外のテラスの床面およびグレーチングの表面をフラットに配置することができるグレーチング支持部材、グレーチング設置構造を提供する。 - 特許庁

A building body 11 is provided with the terrace 26 which is surrounded by a north wall surface 31, a west wall surface, and an east wall surface 33 which cooperatively form the U shape in plan.例文帳に追加

建物本体１１には平面視コ字状をなす北側壁面３１、西側壁面及び東側壁面３３に囲まれたテラス２６が設けられている。 - 特許庁

To produce an m-plane GaN crystal excellent in surface flatness by reducing crystal defects at terrace edges.例文帳に追加

テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたｍ面ＧａＮ結晶を製造すること。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is configured to comprise a terrace 125 provided on the end face of a first conductivity type semiconductor layer 101 in substantially parallel with the surface of the substrate 100, and an inclined end face region provided nearer to the substrate 100 than the terrace 125.例文帳に追加

第１導電型の半導体層１０１の端面に、基板１００面に略平行なテラス１２５と、テラス１２５よりも基板１００側に設けられた、傾斜した端面領域とを含む構成とする。 - 特許庁

A reaction field is specially existed in the vicinity of the step face, and high reaction activity is attained compared with the surface of the flat terrace face only.例文帳に追加

特に、ステップ面の近傍に反応場が存在し、平坦なテラスのみの表面に比べて高い反応活性が得られる。 - 特許庁

To provide an MgO single crystal substrate having an extremely flat terrace surface and a step and free from unevenness caused by a deposit or the like.例文帳に追加

析出物等による凹凸がない極めて平坦なテラス面とステップを持つＭｇＯ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

A slope part 21, a hill part 22; recessed parts 23, a mountain part 24, and a terrace part 25 are formed on the upper surface of the pillow body 12, respectively.例文帳に追加

枕本体１２の上面には、斜面部２１，丘部２２，窪み部２３、山部２４，段丘部２５がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The thin type battery pack has arranged a reinforcing insulation plate 3 extended from a surface of the circuit substrate 2 to a surface of the terrace part 13 and laminated the reinforcing insulation plate 3 on the circuit substrate 2 and the terrace part 13, with which, the reinforcing insulation plate 3 and the circuit substrate 2 are connected to the laminate cell 1.例文帳に追加

薄型バッテリパックは、この回路基板２の表面からテラス部１３の表面に伸びる補強絶縁プレート３を配置して、回路基板２とテラス部１３に補強絶縁プレート３を積層しており、補強絶縁プレート３と回路基板２をラミネート電池１に連結している。 - 特許庁

Same kinds of tiles (10), (10)... laid outside such as a terrace (1) or a garden are laid also on a part of or the whole of an interior wall surface (6) or an interior floor surface (7), thereby continuing the interior tile surface to the exterior tile surface to give a feeling of one united body between the interior and exterior.例文帳に追加

室内の壁面(６)や床面(７)の一部又は全部に、テラス(１)や庭等の外部と同じタイル(10)(10)…を敷いて、これら室内のタイル面を外部のタイル面に連続させることで、外部との一体感を持たせるようにする。 - 特許庁

The epitaxial thin film made of Pt or a Pt alloy includes a surface formed by a step face and a terrace face, and thickness of 0.2-200 nm.例文帳に追加

ステップ面とテラス面とで構成された表面を有し、０．２〜２００ｎｍの厚さである、ＰｔまたはＰｔ合金のエピタキシャル薄膜である。 - 特許庁

To provide a decorative roof structure in which a Japanese style decoration is executed to a roof surface or the like for a terrace and a building can be impressed individually.例文帳に追加

テラスの屋根面等に和風式の装飾を施して、建物を個性的に印象付けることのできる化粧屋根構造を提供する。 - 特許庁

Signs of this process still exist, including a large-scale river terrace with four layers around Aseri, Kyotanba-cho in Funai-gun located on the upper reaches of the Yura-gawa River, and a diluvial upland with high terrace surface at Osadano in the city. 例文帳に追加

また、これらの名残としては、由良川上流域に当たる船井郡京丹波町安栖里（あせり）周辺の4段にもなる大規模な河岸段丘の存在、市内の長田野（おさだの）の高位段丘面を持つ洪積台地の存在などがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method for manufacturing a high quality and high performance single crystal silicon carbide which has a micropipe defect density in the surface of ≤1 piece/cm^2, a broad terrace, and a surface with a high flatness.例文帳に追加

表面のマイクロパイプ欠陥密度が１／ｃｍ^2以下で、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶ＳｉＣの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a single crystal substrate having a composite step-terrace structure comprising a downward step and an upward step on the surface of a single crystal.例文帳に追加

単結晶表面に下り方向段差と上り方向段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The single crystal diamond [111] substrate has a step terrace structure on a surface or a deposited diamond film on a surface of the substrate by a chemical vapor deposition.例文帳に追加

表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of preventing the deterioration of the carrier mobility resulting from the surface unevenness on the surface thereof by controlling the direction and the width of an atomic level step/terrace on the semiconductor substrate surface, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板表面上で原子レベルのステップ／テラスの方向と幅を制御し、その表面上に表面凹凸起因のキャリア移動度劣化を抑制できる半導体基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The terrace type thin-plate substrate 1 which has a non-processed section 2 having a first main surface 11 and a second main surface 12 and a cut section 3 having the first main surface 11 and a cut surface 13 by cutting a surface 31 having a surface perpendicular to a self-polarization direction as the first main surface 11 by using a dicer, is manufactured.例文帳に追加

ダイサーを用いて自発分極方向に垂直な面を第１の主表面１１とする基板３１を切削加工して、第１の主表面１１と第２の主表面１２とを有する非加工部２と、第１の主表面１１と切削面１３とを有する切削加工部３を備えるテラス状薄板基板１を作製する。 - 特許庁

The sapphire single crystal substrate 1 includes approximately parallel and linear steps 2a each having the height of one molecular layer on a main surface, wherein the degree of the slope from a specific crystalline surface of the sapphire of the main surface or the width of a specific terrace 3a formed between the steps 2a takes a value in a specific range and each terrace described in the above has about the same width.例文帳に追加

主面に１分子層の高さを有する略平行な略直線状のステップ２ａを有し、前記主面のサファイヤの特定結晶面からの傾斜の大きさ、又は前記ステップ２ａの相互間に形成された特定のテラス３ａの幅が、所定の範囲内のいずれかの値であり、かつ前記テラスの幅が各々略等しいサファイヤ単結晶基板１。 - 特許庁

To provide a high quality, high performance single crystal of SiC not only little in the generation of micropipe defects and interface defects, but having a wide terrace and high in the flatness of the surface.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。 - 特許庁

One end face of the sleeve 60 for the outer wall of a groove is flush with the end surface of the small diameter surface 54, the other end is externally fit to the intermediate diameter portion 52, and the other end surface contacts with an annular terrace surface 55 formed between the large diameter portion 51 and the intermediate diameter portion 52.例文帳に追加

溝外壁用スリーブ６０は、その一端面が前記小径部５４の一端面と面一とされ、その他端部が前記中径部５２に外嵌されるとともに、その他端面が前記大径部５１と中径部５２との間に形成される環状段丘面５５に当接せしめられている。 - 特許庁

To provide an evaluation method and evaluation apparatus for a semiconductor wafer capable of evaluating the surface structure of a semiconductor wafer having a level difference (step) structure whose flat surface (terrace) is a crystal plane within a short time on a wide range.例文帳に追加

平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの表面構造を、広範囲に短時間で評価できる半導体ウェーハの評価方法および評価装置を提供する。 - 特許庁

Further, a floor surface 44 of the terrace at a location closer to the wall opening is made closer to the sash sill and made substantially the same in height as those of rails 34 and 36 of the sash sill.例文帳に追加

また、前記テラスの前記壁開口部側の床面４４を、前記サッシ下枠に近接させ、且つ、前記サッシ下枠のレール３４、３６の高さに略一致させて配置した。 - 特許庁

To provide a stoneware tile capable of keeping, for a relatively long time, the temperature decline of a tile surface when water is sprinkled in the state that sunlight shines down upon a veranda, a terrace or the like for a long time especially in summer.例文帳に追加

特に夏期のベランダ、テラス等に太陽が長時間照りつけている状態における打ち水時のタイル表面の温度低下を比較的長く保持できるせっ器質タイルの提供。 - 特許庁

The columnar portion 10 has a circumferential wall forming a substantially orthogonal corner, and the receiving portion 40 has a terrace-like bottom surface 41 horizontally protruding inward from the lower side of the circumferential wall.例文帳に追加

柱部１０は、略直交するコーナーを形成する周壁面を有し、受部４０は、周壁面の下辺から内方向に水平に張り出すテラス状の底面４１を有する。 - 特許庁

Even when the tile is utilized on a veranda floor or a terrace floor whose surface temperature is to be elevated to 50°C or higher in summer, the surface temperature is effectively lowered by sprinkling water and the lowered state is maintained for a long time.例文帳に追加

このタイルは、夏場に表面温度が５０℃以上まで上昇するようなベランダ床やテラス床で利用される場合であっても、打ち水により表面温度を効果的に下げ、かつ下げた状態を長く維持することができる。 - 特許庁

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

By further epitaxially growing the crystalline oxide 11 along the surface of the terrace 10b, a crystalline oxide film 12 which continues two-dimensionally on the silicon substrate 10 is formed.例文帳に追加

結晶質酸化物１１をテラス１０ｂの表面に沿ってさらにエピタキシャル成長させることによって、シリコン基板１０上において２次元的に連続する結晶質酸化物膜１２を形成する。 - 特許庁

To make electric contact between an electrode and a substrate on the order of atoms by burying a dopant material in the terrace on a semiconductor substrate and laminating a metal layer on the dopant-buried surface rearranged structure.例文帳に追加

半導体表面のテラス内に埋め込まれた半導体表面上にドーパント材料を埋め込み、表面再配列構造を形成し、半導体結晶と原子オーダで電気的接触をとる。 - 特許庁

Decorative rod materials 9 having a length from the upper section 7 of the roof surface for the terrace formed in a corrugated shape in the horizontal direction to a lower section 8 are fitted into each groove section of the roof surface and the upper and lower sections of the decorative rod materials 9 are fixed onto a roof body 11 by screws.例文帳に追加

左右方向に波状を呈するテラスの屋根面の各溝部に、屋根面の上部７から下部８に亘る長さを有する化粧棒材９を嵌め入れ、該化粧棒材９の上下部分を屋根本体１１にビス固定する。 - 特許庁

A lot of terraces 5 and steps 6 exist on an offcut substrate surface of the Si because different surface reactivities are shown in a P direction 8 of a long stretch of atomic row parallel to a step edge 10 and in an N direction 7 of a short atomic row on the terrace which is perpendicular to the step edge 10 and segmentalized by the step edge 10.例文帳に追加

これは、ステップエッジ１０に平行な長く連なる原子列のＰ方向８と、ステップエッジ１０に垂直でステップエッジ１０により分断された短いテラス上の原子列のＮ方向７について異なった表面反応性を示すためである。 - 特許庁

The stepped exposed surface is contiguously formed of a plurality of terraces TR via level differences STP, and the longitudinal direction of this terrace TR and the longitudinal direction G of the groove in the first GaN-based semiconductor layer 1 cross each other.例文帳に追加

階段状の露出表面は複数のテラスＴＲが段差ＳＴＰを介して連続してなり、このテラスＴＲの長手方向と、第１のＧａＮ系半導体層１の溝の長手方向Ｇとは交差している。 - 特許庁

In the SOI wafer manufacturing method, HCl gas is mixed in reactant gas in a step (f) of forming the silicon epitaxial layer on all the surface of the SOI layer of the SOI wafer having the oxide film at the terrace portion.例文帳に追加

テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の全面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程（ｆ）において、反応ガスにＨＣｌガスを混合することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a method and a device for stably measuring a furnace terrace length in a blast furnace even in the case that measured values obtained by measuring the layer upper surface shape of charged materials include any noise.例文帳に追加

装入物の層上面形状を計測した計測値にノイズが含まれていても、安定してテラス長さを測定することができる高炉のテラス長さの測定方法、及び高炉のテラス長さの測定装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an outdoor space structure which allows to provide moderate lighting, excellent in ventilating properties, and offers shade by constructing a wall surface in outdoors such as a terrace by applying a greening net, and excellent in maintenance properties.例文帳に追加

緑化用ネットを応用してテラスなどの屋外に壁面を構成することで、適度な採光が得られ、通風性に優れ、日陰を提供することができるとともに、メンテナンス性に優れた屋外空間構造を提供する。 - 特許庁

A piezoelectric thin-film device has a structure such that at least a bottom electrode 2, a piezoelectric thin film 3, and a top electrode 4 are stacked in order on a substrate 1, and the surface of the substrate has a continuous step structure 5, with an average terrace width w being larger than 0.5 nm and smaller than 10 nm.例文帳に追加

基板１上に少なくとも下部電極２、圧電薄膜３、上部電極４が順次積層された圧電薄膜素子において、基板表面に連続的なステップ構造５を有し、そのステップ構造５のテラス幅ｗの平均が０．５nm以上、且つ１０nm以下である構造とする。 - 特許庁

The provision of the terrace 125 enables a large space to be secured between a first electrode 104 and a light emitting layer 102 in the direction substantially parallel with the substrate surface, and enables them to bring closer together in the direction of layer thickness.例文帳に追加

テラス１２５を設けたことにより、第１電極１０４と発光層１０２との間隔を、基板面と略平行な方向について大きくとり、層の厚み方向には接近させることができるため、半導体層１１を端面に向かって伝搬した光の多くを反射することができる。 - 特許庁

In the irradiation of laser beams, the same distance is corrected at a terrace region outside the outer periphery of the SOI layer 10d with the outer periphery as a boundary B so that the distance between the condensing lens 30 and the upper surface of the support substrate 10a is reduced by the amount of correction H as compared with the SOI region in the inside.例文帳に追加

このレーザ光の照射に際しては、ＳＯＩ層１０ｄの外周縁を境界Ｂとしてその外側のテラス領域ではその内側のＳＯＩ領域よりも集光レンズ３０と支持基板１０ａの上表面との距離が補正量Ｈだけ縮小されるように同距離を補正する。 - 特許庁

In a structure formed by incorporating a sash 14 on the periphery of a wall opening between the indoor space 8 and the terrace 12, a sash sill 18 is fitted into a lower edge of the wall opening, so that the upper bed of the sash sill 18 is installed substantially at the same height with a floor surface 40 of the indoor space.例文帳に追加

室内空間８とテラス１２との間の壁開口部の周縁に、サッシ１４を組み込んだ構造において、前記サッシのサッシ下枠１８の上端部の高さが前記室内空間の床面４０の高さと略一致するように、前記サッシ下枠を前記壁開口部の下縁に組み込む。 - 特許庁

With the use of a mis-orientated wafer 10 with a plurality of steps 11 and terraces 12 formed by rearranged surface silicon atoms, a MOS field-effect transistor is structured with a very thin crystalline silicon dioxide film 15 which is grown epitaxially on the terrace 12 of the wafer 10 as a gate insulating film.例文帳に追加

表面シリコン原子の再配列によって形成した複数のステップ１１およびテラス１２を有するミスオリエンテーション基板１０を用いて、その基板１０のテラス１２上にエピタキシャル成長させた極薄の結晶質二酸化シリコン膜１５をゲート絶縁膜としてＭＯＳ電界効果型トランジスタを構成する。 - 特許庁