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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface typeに関連した英語例文

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surface typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14065



例文

The surfaces of an n-type region 5 consisting of the n-type semiconductor 2 and a p-type region 7 consisting of the p-type semiconductor are polished into flat surfaces, and then a thermal oxide film 9 serving as a field oxide film is formed to complete a surface side element structure 10 of a MOSFET.例文帳に追加

n型半導体2よりなるn型領域5およびp型半導体よりなるp型領域7の表面を研磨して平坦にした後、フィールド酸化膜となる熱酸化膜9を形成し、MOSFETの表面側の素子構造10を形成する。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

n型InP基板11の下面に、n型InP基板11側から順番に、n型多層反射層12(第1の反射層)、吸収層13、p型位相調整層14およびアノード電極15(第2の反射層)が形成されている。 - 特許庁

A n^--type SiC layer 2 and a p^+-type SiC layer 3 are formed sequentially on a n^+-type SiC substrate 1 whose main surface has an off angle θ, a guard ring 6 is formed around the device and a plurality of ohmic electrodes 4a are provided on the p^+-type SiC layer 3.例文帳に追加

主面がオフ角θを有するn^+型SiC基板1上に、n^-型SiC層2、p^+型SiC層3が順次形成され、素子周辺にガードリング6が形成されると共に、p^+型SiC層3上に、複数のオーミック電極4aが設けられている。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a second conductivity type semiconductor region 12 in a part of the surface layer of a first conductivity type semiconductor 11 and growing an epitaxial growth layer 13 of a first conductivity type, second conductivity type or intrinsic semiconductor thereon.例文帳に追加

第1導電型半導体11の表層の一部に第2導電型の半導体領域12を形成し、それらの上に、第1,第2導電型または真性の半導体からなる結晶成長層13を結晶成長させる工程を含む。 - 特許庁

例文

In a semiconductor integrated circuit device, an n-channel transistor 1, a p-channel transistor 2, and an MOS type varactor element 3 are provided on the surface of a p-type substrate PSub.例文帳に追加

半導体集積回路装置において、P型基板PSubの表面にNチャネルトランジスタ1、Pチャネルトランジスタ2及びMOS型バラクタ素子3を設ける。 - 特許庁


例文

Ends of the N-type pattern 3 and the P-type pattern 4 are joined to each other on the surface of the substrate 10, and a protrusion 5 serving as a discharge electrode is formed at the joined section.例文帳に追加

基板10の表面上にてN型パターン3とP型パターン4の端部同士を接合させ、この接合部分に、放電電極となる突出部5を形成する。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion regions (body region 2) are regularly formed on, for example, on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域1とするたとえばn形の半導体層の表面側に規則的にp形の拡散領域(ボディ領域2)が複数個形成されている。 - 特許庁

To enable an attaching device for a board to be optionally selected as either of a suspender type and a supporter type, for use by improving a technique of detachably attaching the board to a wall surface.例文帳に追加

壁面に対してボード類を着脱可能に取り付ける技術を改良して、吊り具形式にでも支え具形式にでも、任意に選択して使用できるようにする。 - 特許庁

A low concentration layer 102 composed of low concentration n-type SiC is formed on one surface of a high concentration layer 101 composed of high concentration n-type SiC.例文帳に追加

高濃度のn型SiCからなる高濃度層101の一方の表面上には、低濃度のn型SiCからなる低濃度層102が形成されている。 - 特許庁

例文

A mold material 5 integrally covers a substrate 1, a connector 2 mounted on the substrate 1, insertion type electronic parts 31, 32, a surface-mounted type electronic part 41, and a bare chip 42.例文帳に追加

モールド材5は、基板1と、基板1に実装されたコネクタ2、挿入型電子部品31,32、表面実装型電子部品41、ベアチップ42とを一体で被覆している。 - 特許庁

例文

The information on the type of the card, which is used for identifying the type of the card, is stored on the side surface of the card by using a printed bar code or formed projections and depressions.例文帳に追加

カードの種類を特定する券種情報が印刷したバーコードまたは形成した凹凸でカードの側面に入っているようにした券種情報入りカード。 - 特許庁

A planar input unit 4 is a pressure-sensitive-type or a capacitance-type unit, with an indicator sheet 7 which has instruction indicators 8 being secured to the surface of the planar input unit.例文帳に追加

平面型入力装置4は感圧式や静電容量式のものであり、その表面には指示表示8が形成された表示シート7が固定されている。 - 特許庁

A backside of a P type silicon substrate 1 is used as a common anode, and a plurality of N+ type zones 2 for formation of PN junctions 4 are formed in parallel in the vicinity of a main surface of the substrate 1.例文帳に追加

P型シリコン基板の裏面を共通のアノードとして、シリコン基板の主面付近にPN接合を形成するN^+ 型領域を複数並列して設けた。 - 特許庁

The second conductivity type polymer layer 5 is formed by making an aqueous dispersion containing a conductive polymer adhere to the surface of the first conductivity type polymer layer 4 and then drying.例文帳に追加

第二の導電性高分子層5は、第一の導電性高分子層4の表面に導電性高分子を含む分散水溶液を付着させ、乾燥して形成される。 - 特許庁

To provide an ink penetration type name seal constituted so as to be correctly and simply attached by a user and suitable for a surface-of-seal order receiving type distribution form.例文帳に追加

ネーム印をユーザー自身で間違いなく簡単に組み付けられるようにして、印面受注方式の流通形態に好適なインク浸透式のネーム印を提供する。 - 特許庁

A ring-shaped projection part 3 having a flat part 4 is provided on the under surface of a whole outer peripheral edge of a cup-type base metal 2 having a diameter of 15-30 cm in the cup-type rotating grinding wheel.例文帳に追加

直径15cm〜30cmのカップ型の台金2の全外周縁下面に平坦部4を具備したリング状凸部3が設けられている。 - 特許庁

The projection type video display device is a device for projecting video light onto an installation surface with an ultra short focus such as a projection type video device 100.例文帳に追加

本発明に係る投写型映像表示装置は、映像光を設置面へ投写させる超短焦点の投写型映像表示装置100を一例とする。 - 特許庁

By providing the slit even to the handkerchief type cloth napkin with a fixing region, the fixing region can effectively be utilized even in a case that either one of the surface and back of the handkerchief type cloth napkin is used.例文帳に追加

固定用部位付きハンカチ型布ナプキンでも、切り口を設けることにより、表面裏面のどちらを使用する場合も固定用部位を有効利用できる。 - 特許庁

An antistatic film is formed on the surface of the transmission type screen 6 of the rear transmission type display device and the screen 6 is supported by a screen frame 11 through rubber packing 23, for example.例文帳に追加

背面透過型表示装置の透過型スクリーン6には表面に帯電防止膜が形成され、例えばゴムパッキン23、23を介してスクリーンフレーム11に支持されている。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板10の第1面11に、n型クラッド層21,活性層22,p型クラッド層23,p側コンタクト層24およびp側電極30をこの順に積層する。 - 特許庁

In a guard ring region 3, second diffusion layers 3a, 3b, 3c of a second conductivity type are provided in the main surface of a semiconductor substrate 5 of a first conductivity type.例文帳に追加

ガードリング領域3において、第1導電型の半導体基板5の主面に、ガードリングとなる第2導電型の第2拡散層3a、3b、3cが設けられている。 - 特許庁

A contact layer 1 made of a p-type impurity region and an emitter layer 4 made of an n-type impurity region are formed on the main surface of the body layer 2.例文帳に追加

また、ボディ層2の主表面には、P型不純物領域からなるコンタクト層1と、N型不純物領域からなるエミッタ層4とが形成されている。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 constitutes a drift part, and the n-type silicon substrate 1 and an ohmic electrode (not illustrated) on the rear surface of the n-type silicon substrate 1 constitute a lower electrode.例文帳に追加

強電界ドリフト層6がドリフト部を構成し、n形シリコン基板1とn形シリコン基板1の裏面のオーミック電極(図示せず)とで下部電極を構成している。 - 特許庁

The n-type impurity layer 50 and the p-type impurity layer 60 are formed to surround the ONO film 30 and the gate electrode in the plan view of the surface of substrate 20S.例文帳に追加

基板表面20Sの平面視においてONO膜30及びゲート電極を囲むようにn型不純物層50及びn型不純物層60が形成されている。 - 特許庁

A surface acoustic wave filter 100 comprises a first longitudinal mode type filter 107 and a second longitudinal mode type filter 113 formed on a piezoelectric substrate 101.例文帳に追加

弾性表面波フィルタ100は、圧電基板101上に形成される第1の縦モード型フィルタ107と、第2の縦モード型フィルタ113とにより構成される。 - 特許庁

The stamp unit comprises a seal material type/size display unit for displaying the type of the stamp unit (stencil stamp unit, a porous resin stamp unit, or a dummy stamp unit) and its seal surface size.例文帳に追加

スタンプユニットにスタンプユニットの種類(孔版スタンプユニット、多孔性樹脂スタンプユニット、ダミースタンプユニット)とその印面サイズを表示する印材タイプ/サイズ表示部を設ける。 - 特許庁

In this ultrasonic inspection method, ethyl alcohol 50 is dropped onto a chip type electronic component 30 which is an inspection object, to thereby remove air from the surface of the chip type electronic component 30.例文帳に追加

この超音波検査方法では、検査対象物であるチップ型電子部品30にエチルアルコール50を滴下し、チップ型電子部品30の表面から空気を除去する。 - 特許庁

A multi-core fiber terminal 100 includes: an SM (Single Mode) type multi-core fiber 10 having a plurality of SM type cores 11; and a graded-index lens array 20 melt-secured to the end surface 10a of the multi-core fiber.例文帳に追加

マルチコアファイバ端末100は、複数のSM型コア11を有するSM型マルチコアファイバ10と、マルチコアファイバ端面10aに融着固定された屈折率分布型レンズアレイ20を備える。 - 特許庁

The game machine includes panel type image display means 19 on the front surface side of a game machine main body 1 and reel type rotary display means 21 on the lower side of the image display means 19 respectively.例文帳に追加

遊技機本体1の前面側にパネル式の画像表示手段19を、画像表示手段19の下側にリール式の回転表示手段21を夫々備える。 - 特許庁

When the component transport shuttle unit 50 is arranged so that the unit 50 may be extended backward by removing the transport rail unit 56, the tray type electronic component supply device 61 or 62 becomes a left or right front- or rear-surface end connecting type.例文帳に追加

搬送レールユニット56を除去し部品搬送シャトルユニット50を後方に延び出すように配置すると前後面の左端又は右端連結型が出来上がる。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser comprises an N-type lower DBR 106 formed on a substrate, an active region 108, and a P-type upper DBR formed on the active region 108.例文帳に追加

基板上に形成されたN型の下部DBR106と、活性領域108と、活性領域108上に形成されたP型の上部DBRとを含む。 - 特許庁

A P-type body region 5 is formed in an epitaxial layer 3, and an N+ type source region 9 which contacts the body region 5 is formed in a surface layer portion of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

エピタキシャル層3にP型のボディ領域5を形成し、エピタキシャル層3の表層部にボディ領域5に接するN^+型のソース領域9を形成する。 - 特許庁

To fabricate a high performance silicon carbide power device enabling preferable diffusion from a deep p-type implant region to a surface of a silicon carbide surrounding a shallow n-type implant region.例文帳に追加

深いp型注入領域から浅いn型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への好ましい拡散が可能な高性能炭化シリコン・パワーデバイスを製造する。 - 特許庁

The elastic layer 20 may be formed on one surface or both surfaces of the ribbon type vibration plate 1, and may be formed only at both side edges of the ribbon type vibration plate.例文帳に追加

弾性層20は、リボン型振動板1の一面または両面に形成されていてもよく、リボン型振動板の両側縁部のみに形成されていてもよい。 - 特許庁

A film type search coil 1 includes an insulation film 2 and a loop-type coil 3 that is fixed to the surface of the insulation film 2 and both ends of which are electrically open.例文帳に追加

フィルム型サーチコイル1は、絶縁フィルム2と、絶縁フィルム2の表面に固着し、両端を電気的に開放状態としたループ状のコイル3とを備える。 - 特許庁

A bar-like n-type semiconductor core 13 is formed on a substrate 11, then, a cylindrical p-type semiconductor layer 14a covering a surface of the semiconductor core 13 is formed.例文帳に追加

基板11上に棒状のn型の半導体コア13を形成した後、半導体コア13の表面を覆う筒状のp型の半導体層14aを形成する。 - 特許庁

Monogram is display by printing with colored paint on outer face of the container body 12 composing at least the surface of the positive electrode of flat battery such as of coin type and button type.例文帳に追加

コイン型、ボタン型等の偏平型電池10の少なくともプラス極面を構成する容器本体12の外面に、有色塗料の印刷によりモノグラム表示を行う。 - 特許庁

A reversely conductive (P-type) P+W layer 4 is formed the surface of an n-type epitaxial layer 2, and the DMOS transistor 70 is formed in the (P+W) layer 4.例文帳に追加

N型のエピタキシャル層2の表面に逆導電型(P型)のP+W層4を形成し、当該P+W層4内にDMOSトランジスタ70を形成する。 - 特許庁

This device is equipped with a resonator-type filter 1 which has a plurality of interdigital electrodes formed in the direction of propagation of surface acoustic waves and a resonator-type filter 2.例文帳に追加

弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された複数のくし型電極部を有する共振子型フィルタ1と共振子型フィルタ2とを備えている。 - 特許庁

The p-type ohmic electrode is constituted such that the bottom-face that contacts the surface of the p-type boron-phosphide-based semiconductor layer is made of a film of a lanthanoide element or its alloy.例文帳に追加

p形リン化硼素系半導体層の表面に接触する底面部をランタノイド元素またはその合金の膜としてp形オーミック電極を構成する。 - 特許庁

OIL SEPARATION METHOD OF MIXTURE OF WATER/HEAVY OIL TYPE EMULSION AND HEAVY OIL/WATER TYPE EMULSION, OIL SEPARATION APPARATUS THEREOF AND SURFACE ACTIVE AGENT FOR OIL SEPARATION例文帳に追加

(水/重質油型乳濁物質)及び(重質油/水型乳濁物質)の混合物の油水分離方法、油水分離装置、及び油水分離用界面活性剤 - 特許庁

In the capacitor element forming region 20 of a semiconductor device 1, an N-type well 22 is formed as a conductive layer on the surface layer of a P-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体装置1の容量素子形成領域20において、P型の半導体基板10の表層には、導電層としてN型ウエル22が形成されている。 - 特許庁

Various insertion mounting type electronic components can be formed into surface-mounting type electronic components by changing the upper and lower claws 11, 12 or the machining unit, etc.例文帳に追加

上つめ11及び下つめ12の交換や加工ユニットの交換等で、各種の挿入実装用電子部品を表面実装用電子部品化することが可能である。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

SOI基板上に形成された低不純物濃度のp型活性層3の表面から絶縁層2に到達する深さでn型ドレイン層6が形成されている。 - 特許庁

A p-type channel well region 3 is formed in the surface layer part of an n-type epitaxial layer 2 on an n+-substrate 1 and a V-shaped groove 4 is formed in the region 3.例文帳に追加

n^+ 型基板1の上のn型エピタキシャル層2の表層部にはチャネルpウエル領域3が形成され、pウエル領域3にはV字型溝4が形成されている。 - 特許庁

The conversion module 1 relays a surface-mount type semiconductor package 4 mounting a flash memory over board to convert to a DIP type package.例文帳に追加

本発明の変換モジュール1は、フラッシュメモリーを搭載した表面実装タイプの半導体パッケージ4を基板中継し、DIPタイプのパッケージに変換するものとした。 - 特許庁

Therefore, the P-type contact layer 43 can be enlarged in area, and a contact surface between the P-type contact layer 43 and the P-side electrode 70 can be enlarged in area.例文帳に追加

よって、p型コンタクト層43の面積を広くすることができ、p型コンタクト層43とp側電極70との接触面積を広くすることができる。 - 特許庁

Also, in the varactor element 14, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and the gate insulating film 6 and the p-type polysilicon layer 5 are formed on the N well 2.例文帳に追加

また、バラクタ素子14においては、P型基板1の表面にNウエル2を形成し、その上にゲート絶縁膜6及びP型ポリシリコン層5を設ける。 - 特許庁

On the major surface of a semiconductor substrate 101, a parallel pn layer is formed by arranging an N type drift region 104 and a P type column region 106 alternately.例文帳に追加

半導体基板101の主面には、N型ドリフト領域104およびP型コラム領域106が交互に配置された並列pn層が形成される。 - 特許庁

例文

To provide a folding type board tidily foldable in any direction at both surface sides by elaborating a hinge structure, and an automobile including the folding type board.例文帳に追加

ヒンジ構造に工夫を凝らし、両面側のいずれの方向にもきちんと折り畳み可能な折り畳み型ボード及びこの折り畳み型ボードを備えた自動車を提供する。 - 特許庁




  
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