「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

A concave opening part 9a is formed to the other end side (an interconnection pattern 7a side) of the n-type and the p-type impurity regions 3a, 3b from the upper surface of the insulating layer 6.例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型不純物領域３ａ，３ｂの他端側（配線パターン７ａ側）には絶縁層６の上面から凹状の開口部９ａが形成される。 - 特許庁

In the slot type or groove type optical fiber cable, the density of a material used for an internal surface part of a slot or groove is made ≤0.924 g/cm^3.例文帳に追加

スロット型またはグルーブ型光ファイバケーブルにおいて、スロットまたはグルーブの溝の内面部に用いられる材料の密度を０．９２４ｇ／ｃｍ^^3以下とした光ファイバケーブル。 - 特許庁

Dopant for control to the p-type and dopant for control to the n-type are implanted in predetermined regions of the surface of the second epitaxial layer 32.例文帳に追加

続いて、上記第２エピタキシャル層３２の表層部の所定の領域に、Ｐ型ヘの制御のための不純物およびＮ型ヘの制御のための不純物が注入される。 - 特許庁

This observation device has a constitution, wherein the light intensity distribution generated by the light modulation element of the surface irregular type and a transmission type and an imaging optical system, in a prescribed optical device, is observed.例文帳に追加

所定の光学装置において表面凹凸型で透過型の光変調素子と結像光学系とにより生成される光強度分布を観察する観察装置。 - 特許庁

In an N-type well region 13a, on the other hand, a P-type MOSFET having the surface part of the well region 13a as a channel part is formed.例文帳に追加

一方、上記Ｎ−型ウエル領域１３ａには、このウエル領域１３ａの表面部をチャネル部とするＰ型ＭＯＳＦＥＴを形成する構成となっている。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE MATERIAL, PHOTOSENSITIVE LIQUID AND PHOTOSENSITIVE ELEMENT FOR FORMATION OF REFLECTION LAYER HAVING ROUGH SURFACE, METHOD FOR MANUFACTURING REFLECTION LAYER FOR REFLECTION TYPE LCD USING THE SAME AND REFLECTION LAYER FOR REFLECTION TYPE LCD例文帳に追加

凹凸反射層形成用感光材、感光液、感光性エレメント及びこれを用いた反射型ＬＣＤ用反射層の製造法及び反射型ＬＣＤ用反射層 - 特許庁

The surface layer 116 includes a first surface layer 118 formed so as to include a portion overlapping with the transfer electrode 120, and a second surface layer 117 having no overlap with the transfer gate electrode 120 and adjoining the first surface layer 118, and p-type impurity concentration in the second surface layer 117 is higher than the p-type impurity concentration in the first surface layer 118.例文帳に追加

表面層１１６は、Ｘ軸方向において、転送ゲート電極１２０と重なる部分を含み形成された第１表面層１１８と、転送ゲート電極１２０と重なりを有さず、且つ、第１表面層１１８に隣接する第２表面層１１７とを含んでなり、第２表面層１１７におけるｐ型の不純物濃度が、第１表面層１１８におけるｐ型の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

A p-type guard ring region 9 provided enclosing an outermost peripheral portion of the p type base region 4 is provided to have a longer depth-directional distance from a top surface in the p type base region 4 than the p type base region 4, and is also in contact with the outermost peripheral portion of the p type base region 4.例文帳に追加

ｐ型ベース領域４の最外周部を取り囲むように設けられたｐ−型ガードリング領域９がｐ型ベース領域４よりもｐ型ベース領域４の上面からの深さ方向距離が長くなるように設けられ、且つｐ型ベース領域４の最外周部と接触している。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 403 is formed in a P^--type well region 402, a P^++-type hole storage region 407 is formed at a portion excluding the edge of the N-type photoelectric conversion region 403 and a P-type impurity region 430 is formed on a surface layer of the region including the edge.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域４０２内にＮ型光電変換領域４０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域４０３の端部を除く部分にＰ^++型正孔蓄積領域４０７を、当該端部を含む領域の表層部上にＰ型不純物領域４３０を形成する。 - 特許庁

On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.例文帳に追加

光電変換部２３を形成する第１導電型の空乏層形成領域２４の表面に暗電流成分を抑制する第２導電型の表面蓄積層２５を有し、表面蓄積層２５が空乏層形成領域２６より広く形成されて成る - 特許庁

In this nitride semiconductor substrate having a first main surface and a second main surface, the first main surface has a first region containing an n-type impurity and a second region containing an n-type impurity different from that in the first region.例文帳に追加

第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板において、前記窒化物半導体基板の第１の主面には、ｎ型不純物を含有している第１の領域と、前記第１の領域とは異なるｎ型不純物を含有している第２の領域とを有する。 - 特許庁

To suppress warping and distortion at sintering without providing a supporting projection by supporting a dual-surface use type cutting edge exchange type tip in which the position of a cutting edge is made higher than the position of a retaining surface such that the approximately whole area of a surface is heated in a sintering pan on average.例文帳に追加

切れ刃の位置を保持面の位置よりも高くした両面使用型の刃先交換式チップを、焼結皿で表面のほぼ全域が平均的に加熱されるように支持して焼結時の反りや歪を支持用の突起を設けずに抑制可能となすことを課題としている。 - 特許庁

In this case, since the surface tension of ethyl alcohol 50 is smaller than that of water 15, wraparound of ethyl alcohol 50 on the surface of the chip type electronic component 30 hardly occurs, and the surface of the chip type electronic component 30 is covered with the ethyl alcohol 50 in the state where bubble generation is suppressed.例文帳に追加

このとき、エチルアルコール５０の表面張力は水１５よりも小さいことから、チップ型電子部品３０の表面でのエチルアルコール５０の回り込みは生じにくく、チップ型電子部品３０の表面は、気泡の発生が抑制された状態でエチルアルコール５０によって覆われる。 - 特許庁

When voltage is applied between the m-type regions 8a and the surface electrode 7 by placing the surface electrode 7 on the high-potential side, by the electric field acting on the drift parts 6a, electrons injected from the n-type regions 8a drift in the drift parts 6a and are emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形領域８ａと表面電極７との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部６ａに作用する電界によりｎ形領域８ａから注入された電子がドリフト部６ａをドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

To provide a projection type video display device capable of easily determining the existence of external light reflected onto a projection surface and easily carrying out an operation for adjusting the position of the projection type video display device or the projection surface so that the exterior light is not reflected on the projection surface.例文帳に追加

本発明は、投写面に映り込む外光の有無について容易に判断することができ、投写面に外光が映り込まないように投写型映像表示装置または投写面の位置を調整する作業を簡単に行なうことができる投写型映像表示装置を提供する。 - 特許庁

The surface type antenna system support structure 10 is provided with an antenna system support frame body 50 to which the peripheral edge part of the flexible surface type antenna system 20 is detachably attached, and which is to be fixed to the desired part 40a of the surface of the mobile object 40.例文帳に追加

この発明に従った面型アンテナ装置支持構造体１０は、可撓性を有する面型アンテナ装置２０の周縁部が着脱可能に取り付けられ移動体４０の表面の所望の部分４０ａに固定されるアンテナ装置支持枠体５０を備えたことを特徴としている。 - 特許庁

In the flat surface part 14 of a drum type casing part 12, the cluster block 70, 70a, and 170 is positioned on the inner side of a virtual inner circumferential surface VS along an inner circumferential surface Si of the drum type casing part 12 as the cluster block 60 is completely engaged with the terminal pin 21.例文帳に追加

胴体ケーシング部１２の平面部１４は、クラスタブロック６０がターミナルピン２１に完全に嵌合された状態においてクラスタブロック７０，７０ａ，１７０が胴体ケーシング部１２の内周面Ｓｉに沿った仮想内周面ＶＳよりも内側に位置するように形成される。 - 特許庁

Since the n-type region 13 and the p-type region region 12, which serves as light-receiving parts of the photodiode are formed on the bottom surface and on a side surface of an aperture part, the light-receiving part is formed cylindrically and turned into a state such that opening state is obtained, from the surface of the semiconductor substrate 1 upward.例文帳に追加

フォトダイオードの受光部となるＮ型領域１３およびＰ型領域１２が開口部の底面上および側面上に形成されることによって、受光部が筒状に形成されて、半導体基板１の表面から上方に向かって開口した状態になる。 - 特許庁

The case 12 for the bar code reader 11 is co-used for the straight scan type one in which the bar code is straightly read from a tip end reading port 17 of the tip end surface and the slanted scan type one in which the bar code is slantingly downwardly scanned from a lower surface scanning port (opening 18a) of the lower surface at the tip end.例文帳に追加

バーコードリーダ１１のケース１２を、その先端面の先端読取口１７からバーコードを真直ぐに読取るストレートタイプのものと、先端側下面の下面読取口（開口部１８ａ）からバーコードを斜め下向きに読取る斜め読みタイプのものとに共用する。 - 特許庁

In the compound semiconductor light emitting element provided with a gallium nitride-based compound semiconductor which is formed by successively laminating the n-type layer and p-type layer upon a sapphire substrate in this order and etching the layers so that the electrode forming surface of the n-type layer may be exposed, the surface of the sapphire substrate on the same side as that of the electrode forming surface is exposed.例文帳に追加

サファイア基板上にｎ型層及びｐ型層が順に積層されて、予めｎ型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。 - 特許庁

To adjust the dispersion of an electron emission characteristic when each surface-conductive type electron emission element constituting a multi- electron source provided with the surface-conductive type electron emission element is driven at a constant current by applying a method for equalizing the characteristic by utilizing the memory capability of the electron emission characteristic of the electron emission element, in particular, the surface- conductive type emission element.例文帳に追加

電子放出素子、とりわけ、表面伝導型放出素子の電子放出特性のメモリ性を利用して特性を揃える方法を応用して、表面伝導型電子放出素子を多数個備えたマルチ電子源を構成する各表面伝導型放出素子を定電流駆動時に電子放出特性のバラツキを調整する。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

The rear surface projection type screen includes: a plurality of pixels having a rhombic shape, whose outer edges are inclined to the horizontal direction and the vertical direction of the screen of the rear surface projection type screen, and a lenticular lens sheet diffusing light emitted from a rear surface projection type projector so as to be within a fixed angular range.例文帳に追加

本発明に係る背面投者型スクリーンは、外縁が当該背面投写型スクリーンの画面の水平方向及び垂直方向に対して傾斜した菱形形状を有する複数の画素と、背面投写型プロジェクタより出射された光を一定の角度の範囲内になるように拡散するレンチキュラーレンズシートとを備えた背面投写型スクリーンである。 - 特許庁

A projection type image display device 2 that can project an image onto an installation surface W comprises: plural projection parts 32 for determining a positional relation between the projection type image display device and the installation surface; and positional deviation prevention projection parts 40 that are different from the above-mentioned projection parts and prevent a positional deviation between the projection type image display device and the installation surface.例文帳に追加

設置面Ｗ上に画像を投射可能な投射型画像表示装置２において、前記投射型画像表示装置と前記設置面との位置関係を決定する複数の突起部３２と、前記投射型画像表示装置と前記設置面との位置ズレを防止する、前記突起部とは異なる位置ズレ防止突起部４０とを備える。 - 特許庁

To provide a positive type resist processing liquid composition which prevents a contamination source such as polish waste from attaching to a positive type resist surface, by imparting hydrophilicity to the positive type resist surface in a manufacturing process, including applying resist as a surface protective film of a semiconductor wafer or the like and polishing the peripheral part of the substrate (such as, a beveled part, an edge part and a notch part).例文帳に追加

半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。 - 特許庁

The ridge region where the surface on which the group of surface conduction type electron-emitting elements is formed and the surface in the direction of thickness which is perpendicular to the surface cross are subjected to chamfers of Cl (front), Cr (front), Cl (back), Cr (back).例文帳に追加

この前記表面伝導型電子放出素子群が形成されている領域の面と該面に垂直方向の厚さ方向の面とが交差する稜線領域に面取りＣｌ（表），Ｃｒ（表）Ｃｌ（裏），Ｃｒ（裏）が施されている。 - 特許庁

A roll paper printer 1 has a vacuum type platen member 20 opposite to the ink nozzle surface 13a of an inkjet head 13, and an upstream guide surface 21 and a platen surface 22 that defines the printing position are formed on the guide surface 24 of the platen member 20.例文帳に追加

ロール紙プリンター１は、インクジェットヘッド１３のインクノズル面１３ａに対峙した吸引式のプラテン部材２０を備え、プラテン部材２０のガイド面２４には、上流側ガイド面２１、印刷位置を規定するプラテン面２２が形成されている。 - 特許庁

To provide a throw-away tip and a throw-away type roll cutting tool capable of increasing the accuracy of a rectangular wall surface without forming a projected wall surface due to a failure to cut off the surface on the rectangular wall surface of a cut material to be machined.例文帳に追加

加工される被削材の直角壁面に対して、削り残しによる突型壁面の形成を生じることなく、直角壁面精度を向上させることのできるスローアウェイチップ及びスローアウェイ式転削工具の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave filter of a surface acoustic wave element or a resonator type, in which three or more different surface acoustic resonators having different frequencies are placed in one element in parallel and a surface acoustic wave device using the same.例文帳に追加

一つの素子に周波数の異なる三つ以上の弾性表面波共振子を並列配置して設けた弾性表面波素子や共振子タイプの弾性表面波フィルター、およびそれらを用いた弾性表面波デバイスを提供する。 - 特許庁

A water base honeymoon type adhesive is applied to a front surface (a horizontal surface and an end surface) and a rear surface of the decorative laminate.例文帳に追加

しかし、このような加工方法では溶剤使用による火気の危険性、作業者の溶剤蒸気の吸入による健康上の不安、スプレー塗布時の接着剤のロス、乾燥ラインが必要なため工程が長く広い工場スペースが必要になるなどの課題があつた。 - 特許庁

To provide a gloss restoration method for a floor surface coating material which is capable of rapidly increasing the glossiness of a floor surface by using a polisher or scrubber machine even if the floor surface coating material formed by a photo-curing type resin is used on the floor surface.例文帳に追加

床面上に光硬化型樹脂により形成された床面被覆物を使用しても、ポリッシャーやスクラバーマシンを用いて短時間で床面の光沢度を上昇させることができる床面被覆物の光沢復元方法を提供すること。 - 特許庁

This storage tool 1 for the automobile is constituted of a storage tool main body 5 provided with a folding bag type storage body 4 made of a bottom surface part 10, a front surface part 11, a rear surface part 12 and a pair of side surface parts 13, 13, and the storage tool main body 5 is furnished with water repellency.例文帳に追加

自動車用収納具１は、底面部10と、前面部11と、後面部12と、一対の側面部13，13とからなる折り畳み可能な袋状収納体４を設けた収納具本体５からなり、前記収納具本体５が撥水性を備える。 - 特許庁

An endless belt type screen 10 where plural backgrounds are depicted is constituted of the ceiling surface of photographing space from the upper part of a device main body and a surface opposed to the front surface of the entire device through the photographing space continuously to the ceiling surface, and it can circulate.例文帳に追加

複数の背景が描かれたエンドレスベルト状のスクリーン１０を、装置本体上部から撮影空間の天井面及びそれに連続し撮影空間をおいて装置全体の前面に対向する面とから構成し、循環可能にする。 - 特許庁

This method for adhering the oscillator comprises forming many parallel fine grooves 12 having the thickness of a hair on an adhesive surface 11 of the piezoelectric oscillator, the matching plate or the metal block of a Langevin type oscillator or on an adhesive surface 11 of a support member, coating an adhesive on the adhesive surface 11, and then adhering the adhesive surface to a matching plate.例文帳に追加

圧電体振動子、整合板、ランジュバン型振動子の金属ブロック又は支持部材の接着面１１にヘアーの太さの平行な細溝１２が多数形成され、この接着面１１に接着剤を塗布して、接着する。 - 特許庁

A polyethylene hollow-fiber porous membrane has an outer surface dense type sponge-like anisotropic structure having a minimum pore size layer in its outer surface portion and the outer surface pore size of the porous membrane is below 1 μm, the inner surface pore size thereof is 1 μm or more and the void ratio thereof is 50-below 95%.例文帳に追加

外表面部に最小孔径層を持つ外面緻密型のスポンジ構造状の異方性構造をとり、外表面孔径を１μｍ未満、内表面孔径を１μｍ以上、空孔率を５０％以上９５％未満にする。 - 特許庁

Slits 31 which relatively move a mounting area 14a with the chip type LED 12 mounted with respect to a substrate body 14b of an FPC substrate 14 are formed in parallel to the chip type LED 12 on a light emission surface side and rear surface side of the chip type LED 12 in a periphery of the chip type LED 12 mounted on an FPC substrate 14.例文帳に追加

ＦＰＣ基板１４に実装されているチップ型ＬＥＤ１２の近傍の、チップ型ＬＥＤ１２の光出射面側及び背面側に、チップ型ＬＥＤ１２と平行に、ＦＰＣ基板１４の基板本体１４ｂに対し、チップ型ＬＥＤ１２が実装された実装領域１４ａを相対的に移動させることの可能なスリット３１を設ける。 - 特許庁

Then, the deep p-type implantation region is annealed up to a surface of the silicon carbide surrounding the shallow n-type implantation region at temperature and time sufficient for lateral diffusion without vertically diffusing the embedded deep p-type implantation region up to the silicon carbide substrate surface through the shallow n-type implantation region.例文帳に追加

その後、前記深いｐ型注入領域を前記浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコン表面まで、該埋め込まれた深いｐ型注入領域を該浅いｎ型注入領域を通って炭化シリコン基板表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする。 - 特許庁

The solar cell element is provided with a first conduction type layer 2 formed on the light receiving surface side of a solar cell element substrate 1, a second electrode 4 for conduction type formed on the rear surface side of the solar cell element substrate 1, and a bypass electrode 5 formed so as to contact with the first conduction type layer 2 and the second electrode 4 for conduction type.例文帳に追加

太陽電池素子基板１の受光面側に形成された第１の導電型層２と、太陽電池素子基板１の裏面側に形成された第２の導電型用電極４と、第１の導電型層２および第２の導電型用電極４に接触するように形成されたバイパス電極５を有する太陽電池素子。 - 特許庁

An n-type GaN layer 103 is heated at a temperature above the boiling point of a chloride of an element contained in the n-type GaN layer 103, and then the surface of the n-type GaN layer 103 is processed, by making the radicals in the plasma come into contact with the surface of the n-type GaN layer 103 which touches a metal electrode 104.例文帳に追加

そして、ｎ型ＧａＮ層１０３を、このｎ型ＧａＮ層１０３に含まれる元素の塩化物の沸点以上の温度に加熱すると共に、上記プラズマ中のラジカルを、上記ｎ型ＧａＮ層１０３における金属電極１０４と接する表面に接触させて、このｎ型ＧａＮ層１０３の表面を加工する。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device having an N-type SiC layer 3, which has a hexagonal crystal structure, a P-type SiC region 4 provided on the main plane of the N-type SiC layer 3, and a P-type conductive layer 6 provided on the surface of the P-type SiC region 4, wherein the P-type SiC region 4 includes cubic structure SiC in the part touching the P-type conductive layer 6.例文帳に追加

六方晶構造を有するＮ型ＳｉＣ層３と、Ｎ型ＳｉＣ層３の主面に設けられたＰ型ＳｉＣ領域４と、Ｐ型ＳｉＣ領域４の表面上に設けられたＰ型導電層６と、を備え、Ｐ型ＳｉＣ領域４のうちのＰ型導電層６に接する部分は、立方晶構造のＳｉＣを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁