「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

This objective is achieved by a fluorine ion type surface treating method which can form a surface film having larger specific volume than the specific volume of the magnesium alloy-basic phase.例文帳に追加

このため、マグネシウム合金母相の比容積よりも大きい比容積を有する表面皮膜を形成させることのできる、フッ素イオン式表面処理法により、解決する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, in which a shallow surface diffusion region is formed on the surface of a HAD region on an N-type photodiode.例文帳に追加

Ｎ型のフォトダイオード上にあるＨＡＤ領域の表面に浅い表面拡散領域が形成されているＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms its upper surface into a flat surface without executing polishing in a process of manufacturing a BGA-type semiconductor device.例文帳に追加

ＢＧＡタイプの半導体装置の製造工程において、研磨を行なうことなく、その上面を平坦面とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting optical device which can substantially reduce the uneven illuminance in the surroundings of a substantial surface light source formed by a wave surface dividing type optical integrator.例文帳に追加

波面分割型オプティカルインテグレータにより形成される実質的な面光源の周辺部における照度むらを実質的に低減することのできる照明光学装置。 - 特許庁

On the surface where the cavity (2) is formed, an electrode (19) is formed around the cavity (2) and connected with the terminal of the surface mounting type IC (3).例文帳に追加

キャビティ（２）が形成された表面において、そのキャビティ（２）の周囲に電極（１９）が形成され、表面実装型ＩＣ（３）の端子が、その電極（１９）に接続される。 - 特許庁

A cap type cooling part 30 is capped over an element mounting surface 10a of a wiring board 10 from a rear surface side of a plurality of semiconductor integrated circuit elements 20.例文帳に追加

キャップ型の冷却部品３０は、複数の半導体集積回路素子２０の背面側から配線基板１０の素子搭載面１０ａにかぶせられている。 - 特許庁

A first lens array and a second lens array are formed on one surface of a sheet type substrate, and a third lens array and a fourth lens array are formed on the other surface.例文帳に追加

シート状の基材の一方の面に、第１のレンズアレイ及び第２のレンズアレイが形成されると共に、他方の面に、第３のレンズアレイ及び第４のレンズアレイが形成される。 - 特許庁

A p^+-type region 5 on a photodiode's surface was consecutively formed from the photodiode surface across a signal charge readout 9 through the charge transfer.例文帳に追加

フォトダイオード部表面のｐ^+型領域５を、フォトダイオード部表面から信号電荷読出し部９の表面に渡って電荷転送部に至るまで連続的に形成した。 - 特許庁

P-type regions 6 are formed on the surface layer between the layer and the layers 4, which are epitaxially grown selectively on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上面における選択的にエピタキシャル成長させたｎ型エピタキシャル層４の間での表層部にｐ型領域６が形成されている。 - 特許庁

Electrons can be emitted from a desirable area of the surface electrode 7 by appropriately selecting the n-type area 8 and the surface electrode 7 for applying of voltage.例文帳に追加

電圧を印加するｎ形領域８と表面電極７とを適宜選択することにより、表面電極７の所望の領域から電子を放出させることができる。 - 特許庁

To provide a surface plasmon resonance phenomenon measuring instrument for realizing a real time multichannel multipoint measurement by a surface plasmon resonance phenomenon (SPR) method in a portable type.例文帳に追加

表面プラズモン共鳴現象（ＳＰＲ）法によるリアルタイム・マルチチャンネル多点計測を携帯型で実現する表面プラズモン共鳴現象測定装置を提供する。 - 特許庁

An outline of the recessed part is formed circular and a flat surface type mounting surface 12 is formed between an outer edge 9 of the recessed part 8 and an outer edge 11 of the disc part 6.例文帳に追加

凹部８の外形は円形に形成されており、凹部８の外縁９と円板部６の外縁１１との間には、平面状の取付面１２が形成されている。 - 特許庁

In the polarized light splitting and synthesizing device, reflection type display panels are respectively arranged on a transmitted light advancing surface side and a reflected light advancing surface side of a polarized light splitting and synthesizing element.例文帳に追加

偏光分離合成装置は、偏光分離合成素子の透過光進行面側と、反射光進行面側に、それぞれ反射型表示パネルを配置する。 - 特許庁

Several cells 11 are provided in the same surface of the high- temperature type fuel cell 10, and shape and size of the cells 11 are formed different in response to the temperature distribution within the surface.例文帳に追加

（１）高温型燃料電池の同一面内に複数のセル１１を設け、面内の温度分布に応じてセル１１の形状、サイズを異ならせた燃料電池１０。 - 特許庁

To provide a tube for the plate bending-type aluminum heat exchanger capable of reducing defective brazing at a joining section of a surface of a sacrificial anode material and a surface of brazing filler metal.例文帳に追加

犠牲陽極材表面とろう材表面の接合部のろう付不良を低減することができる板折り曲げ式のアルミニウム製熱交換器用チューブを提供する。 - 特許庁

To reduce the light unevenness on an irradiating surface in a luminaire of a type called a wall washer for releasing light much to a wall surface side.例文帳に追加

壁面側に多くの光を放出するウォールウォッシャーと呼ばれるタイプの照明器具において、照射面の光ムラを低減することが可能な照明器具を提供する。 - 特許庁

To provide a surface light-emitting body which is low in manufacturing cost, while making the luminance, as well as the durability of a conventional side-light type surface light-emitting body improved.例文帳に追加

従来のサイドライト式面発光体の輝度を向上させると同時に耐久性を向上させながらも製造コストの低い面発光体の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a surface flaw detection method using an eddy-current type sensor capable of reducing the erroneous detection caused by the vibration of a thick steel plate, and to provide a surface flaw detector.例文帳に追加

厚鋼板の振動に起因する誤検出を低減することができる渦流式センサによる表面欠陥検出方法とその装置を提供する。 - 特許庁

A p-well layer 9 and an n-well layer 15 are provided in parallel on the main surface of a p-type silicon substrate 1, and an STI8 is provided selectively to the surface area of the well layer.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主面には、Ｐウエル層９及びＮウエル層１５が並設され、ウエル層の表面部分に選択的にＳＴＩ８が設けられている。 - 特許庁

Three chip type LED's, i.e., a red LED 4, a green LED 5 and a blue LED 6 are arranged on the surface of the silicon substrate 2 which surface is adjacent to the field effect transistors 15, 16, 17.例文帳に追加

この電界効果トランジスタに隣接したシリコン基板２の表面に、３個のチップ状の赤色ＬＥＤ４、緑色ＬＥＤ５、青色ＬＥＤ６を配設する。 - 特許庁

Then surface defects 25 generated in the respective mesa type p-type anode emitter layers 4 by the ultrasonic wave and force of weighting in the wire bonding, are generated at the ends 4C and 4D which are shorter in dimension than ends 4A and 4B of the mesa type p-type anode emitter layers 4 which extend in the first direction.例文帳に追加

よって、ワイヤボンディング時の超音波と加重の力によって各メサ型のｐ型のアノードエミッタ層４に生じる表面欠陥２５は、メサ型のｐ型のアノードエミッタ層４の第１の方向Ｐに延在している端部４Ａ,４Ｂに比べて寸法が短い端部４Ｃ,４Ｄに発生する。 - 特許庁

A battery 3 and a card type apparatus 4 are enclosed in a case 1 while being arranged on one surface thereof at positions facing each other so that they are substantially flush with each other, and a spacing (W) is provided between the battery 3 and the card type apparatus 4 so that the card type apparatus 4 can move to a position where the card type apparatus 4 rides over the battery 3.例文帳に追加

筐体１の一面に、電池３とカード型機器４とを対向する位置で、ほぼ同一面となるよう配置して収納し、その電池３とカード型機器４との間に、当該カード型機器４が電池３を乗り越える位置まで移動できる間隔（Ｗ）を設ける。 - 特許庁

The light emitting element body A has the light emitting part 2 which is formed of an n-type GaN layer 2a and a p-type GaN layer 2b on one surface of a substrate 1 of sapphire and electrodes 3a and 3b which are respectively formed on the n-type GaN layer 2a and the p-type GaN layer 2b.例文帳に追加

発光素子本体Ａは、サファイア基板からなる基板１の一表面側にｎ形ＧａＮ層２ａとｐ形ＧａＮ層２ｂとからなる発光部２が形成され、ｎ形ＧａＮ層２ａおよびｐ形ＧａＮ層２ｂそれぞれに電極３ａ，３ｂが形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method forms the first negative type resist layer having structure serving as the ink flow channel wall on a substrate having an energy generation element, forms the first photodegradable positive type resist layer to cover the first negative type resist layer, and polishes it until exposing a surface of the first negative type resist layer.例文帳に追加

エネルギー発生素子を有する基板の上に、インク流路壁となる構造を有する第一のネガ型レジスト層を形成し、それを被覆するように第一の光崩壊性ポジ型レジスト層を形成した上で、第一のネガ型レジスト層の表面が露出するまで研磨する。 - 特許庁

The trench type MOSFET 10 is formed by laminating a P type highly-doped drain section 1, a P type lightly-doped drain section 2, an N channel body section 3, and a P type source diffusion section 4 in this order and a trench gate electrode 6 is formed in a trench reaching the lightly-doped drain section 2 from a substrate surface.例文帳に追加

本発明のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴ１０は、Ｐ型の高ドープドレイン部１、Ｐ型の低ドープドレイン部２、Ｎ型のチャネルボディ部３、Ｐ型のソース拡散部４がこの順で積層され、トレンチゲート電極６が基板表面から低ドープドレイン部２に達するトレンチに形成される。 - 特許庁

On the top surface of the clad layer 13-1, a p-type layer 15 and an n-type layer 16 are laminated in order, and in the range of an applied voltage used in an operation state, the entire area of the p-type layer 15 and a partial or the entire area of the n-type layer 16 are depleted.例文帳に追加

クラッド層１３−１の上面には、ｐ型層１５とｎ型層１６とが順次積層されており、動作状態で使用する印加電圧範囲において、ｐ型層１５の全領域とｎ型層１６の一部領域または全領域とが空乏化される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has a semiconductor layer 11 in which an n-type clad layer 12, a light active layer 13, and a p-type clad layer 14 are formed on one main surface of an n-type substrate 10 in order, and p-type cap layers 21-23 are formed on the semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。 - 特許庁

A p+ type semiconductor region 13p2 is isolated from an n+ type semiconductor region 13n2 by an element isolating groove 6, and a cobalt silicide film 15 is formed on the surface of a gate electrode 10, p+ type semiconductor regions 13p1 and 13p2, and n+ type semiconductor regions 13n1-13n3.例文帳に追加

ｐ^+型半導体領域１３ｐ２とｎ^+型半導体領域１３ｎ２とを素子分離溝６によって隔て、ゲート電極１０の表面、ｐ^+型半導体領域１３ｐ１，１３ｐ２の表面、およびｎ^+型半導体領域１３ｎ１〜１３ｎ３の表面にコバルトシリサイド膜１５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 includes P^--type drift layers 7 and N^--type resurf layers 8 that are alternately disposed on the silicon substrate 2, an N-type base region 9 formed on the drift layers 7 and the resurf layers 8, and P^+-type source regions 10 formed in surface portions of the base region 9.例文帳に追加

半導体層３は、シリコン基板２の上に、交互に配列されたＰ^-型のドリフト層７およびＮ^-型のリサーフ層８、ドリフト層７およびリサーフ層８の上に形成されたＮ型のベース領域９、ならびにベース領域９の表層部に形成されたＰ^+型のソース領域１０を含んでいる。 - 特許庁

The suction-pad-type hand is built in at least one of a set of gripping jaws constituting the opening/closing-type hand, and a suction pad is exposed to the surface of the gripping jaw, thereby providing both function of the opening/closing-type hand and the suction-pad-type hand for the robot hand.例文帳に追加

前記吸着パッド式ハンドが開閉型ハンドを構成する一組の把持爪の少なくとも一つに内蔵され、前記吸着パッドを把持爪表面に露出させ、ロボットハンドに開閉型ハンドと吸着パッド式ハンドの双方の機能を持たせることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

A tooth surface of the gear type work 3 is polished by engaging the gear type grindstone 2 with the gear type work 3, proportionally rotating the other by rotationally driving either one of them by a motor 7 for rotation and reciprocally moving the gear type grindstone 2 in the axial direction by a motor 8 for oscillation.例文帳に追加

歯車状ワーク３に歯車状砥石２を噛み合わせて、いずれか一方を回転用モータ７によって回転駆動することにより他方を連れ回りさせると共に、揺動用モータ８によって歯車状砥石２を軸方向に往復運動させて歯車状ワーク３の歯面を研磨する。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁

By forming a plurality of p-type semiconductor regions 13 on the main surface side of an n-type semiconductor substrate 10 separately or so as to be partially overlapped, and forming an n-type semiconductor region 17 shallow over the adjacent p-type semiconductor regions 13, the mutually opposing shallow regions of the adjacent p-type semiconductor regions 13 are compensated by an overlap with the n-type semiconductor region 17.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１０の主面側に複数のｐ半導体領域１３を離してまたは一部が重なるように形成し、隣り合うｐ半導体領域１３にまたがってｎ半導体領域１７を浅く形成することによって、隣り合うｐ半導体領域１３の相対峙する浅い領域をｎ半導体領域１７との重なりによって補償する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of suppressing light from the front surface side, which is the surface on the opposite side of a light receiving surface, from entering into a photoelectric conversion element in the backside irradiation type solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、受光面とは反対側の面である表面側からの光の光電変換素子への入射を抑制することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

This type is set so that an upper part more than an under surface 9 expands outward in the radial direction toward the other side from the extending directional one side while forming the under surface 9 into a flat surface.例文帳に追加

このものは、下面９が平坦面に形成されている一方、下面９よりも上方部分が、延び方向一方側から他方側に向かうに従って、径方向外方に拡大するように設定されている。 - 特許庁

A laser beam is emitted toward a reference wafer 30 surface deposited with the foreign matter particles on the surface, using this laser scanning type wafer surface inspection device 1, to obtain laser reflection intensities and a positional data of the foreign matter particles.例文帳に追加

レーザ走査型のウェーハ表面検査装置１を用いて、異物粒子が表面に付着した基準ウェーハ３０表面にレーザ光を照射して、この異物粒子のレーザ光反射強度と位置データを取得する。 - 特許庁

A light receiving element 2 as an end surface light reception type photoelectric converter and a light leak prevention member 4 which covers the end surface of the light receiving element 2 except its light reception surface are formed on an insulating film 5 on a substrate 1.例文帳に追加

端面受光型の光電変換素子としての受光素子２と、受光素子２の受光面を除く端面を覆う漏光防止部材４とが基板１上の絶縁膜５上に形成されている。 - 特許庁

Also, the disk recording device is capable of recording the data to the recording surface of the recording type optical disk coated with a special coating material which develops colors when subjected irradiation with a laser beam on the label surface and forming an image on the label surface.例文帳に追加

また、レーザ光の照射を受けると発色する特殊な塗料が光ディスクのレーベル面に塗布された記録形光ディスクに対しては、記録面にデータを記録でき、レーベル面に画像を形成することができる。 - 特許庁

To improve the appearance of a light guide body by hiding the joints between small surface light sources forming each unit of a large type surface light source such as a multi-image surface and a plurality of liquid crystal screens or the like, to eliminate the presence recognition of the joints.例文帳に追加

マルチ画像面や複数の液晶画面等の大型平面光源の各単位を構成する小さな平面光源間のつなぎ目を隠してつなぎ目の存在認識をなくし、見栄えを良くする。 - 特許庁

A flat heating plate type hot press which makes the surface of a press plate 10 undergo a mirror processing is used for the above heating/pressurizing process, Thereby, the surface of the melamine resin 2 is hardened on mirror-finishing when heating and pressurizing, and simultaneously the decorative sheet 4 adhering to it is also finished into a mirror surface.例文帳に追加

プレス板１０が鏡面加工されていることで、加熱加圧時にメラミン樹脂２の表面が硬化と共に鏡面に仕上がり、この面に接着される化粧紙４も同時に鏡面に仕上がる。 - 特許庁

The metal thin film 11 is preferred to be a metal thin film 11W of double resistive area type having a plurality of surface areas of different resistivity (high resistive surface area RH and low resistive surface areas RL1 and RL2).例文帳に追加

この金属薄膜１１は、望ましくは、抵抗率が異なる複数の面領域（高抵抗面領域ＲＨと低抵抗面領域ＲＬ１,ＲＬ２）をもつ複抵抗領域型の金属薄膜１１Ｗである。 - 特許庁

To provide a three-dimensional solid shape processing method by which parameter values of points projected on a curved surface can be obtained not depending on the type of the curved surface when the points do not accurately get on the curved surface.例文帳に追加

曲面のタイプに依らずに、点が曲面上に正確に乗っていない場合は、その点を曲面上に投影した点のパラメータ値を求めることができる三次元立体形状処理方式を提供する。 - 特許庁

The welding process should be of projection type in which a surface unevenness part 13 is formed on at least either of the joining surface 1A in the neighborhood of the mounting hole in the panel member 1 and the joining surface 2A in the neighborhood of the mounting hole in the reinforcing member 2.例文帳に追加

溶接には、パネル部材１の取付孔近傍の接合面１Ａ又は補強部材２の取付孔近傍の接合面２Ａの少なくとも一方に凹凸部１３を形成してプロジェクション溶接を用いる。 - 特許庁