「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

An anode side electrode 6 jointed to the P-type area 4 is formed from the exposed surface of the P-type area 4 to the upper face of the second insulating layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域４の露出表面から第２絶縁層１０の上面にかけて、Ｐ型領域４と接合したアノード側電極６を形成する。 - 特許庁

According to the oxide semiconductor element, a p-type polycrystalline thin film 2, made of ZnO, is formed on the upper surface of an n-type single-crystal substrate 1 made of ZnO.例文帳に追加

この酸化物半導体素子では、ＺｎＯからなるｎ型の単結晶基板１の上面に、ＺｎＯからなるｐ型の多結晶薄膜２が形成されている。 - 特許庁

To provide a discrete type crystal oscillator coping with miniaturization and low cost, and a general-purpose surface mounted crystal resonator suitable for the discrete type crystal oscillator.例文帳に追加

小型化及び低価格化に対応したディスクリート型水晶発振器と該ディスクリート型水晶発振器に好適な汎用の表面実装型水晶振動子とを提供する。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

A first heat conductor 7 exposed on a side surface of the nitride semiconductor laminate structure portion is formed between the n^--type GaN layer 4 and p-type GaN layer 5.例文帳に追加

ｎ^−型ＧａＮ層４とｐ型ＧａＮ層５との間には、窒化物半導体積層構造部２の側面から露出する第１熱伝導体７が形成されている。 - 特許庁

OIL-SOLUBLE ACYLIMINO DIBASIC ACID ESTER-TYPE SURFACE-ACTIVATING COMPOUND, COSMETIC BASE COMPOSITION CONTAINING THE SAME, AND OIL-INSOLUBLE POWDER-DISPERSED TYPE OILY COSMETIC例文帳に追加

油溶性アシルイミノ二塩基酸エステル型界面活性化合物並びにそれを含有する化粧料基剤組成物及び油不溶性粉体分散型油性化粧料 - 特許庁

An amplification transistor for pixels with low intensity or low sensitivity is configured as an embedded channel-type transistor, and an amplification transistor for other pixels is configured as a surface-mounted channel-type transistor.例文帳に追加

強度が弱い、又は感度の低い画素の増幅トランジスタを埋め込みチャネル型トランジスタとして、他の画素の増幅トランジスタを表面チャネル型トランジスタとする。 - 特許庁

A first electrode 2 is arranged to one principal surface 17 of a semiconductor region 1 for light emission including a p-type semiconductor layer 13, an active layer 14, and an n-type semiconductor layer 15.例文帳に追加

ｐ型半導体層１３、活性層１４、ｎ型半導体層１５を含む発光用半導体領域１の一方の主面１７に第１の電極２を配置する。 - 特許庁

The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.例文帳に追加

ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

To provide an opening and closing device of a sliding type door, capable of suppressing shaking during opening and closing and smoothly sliding a separation type sliding door covering a surface of storage furniture.例文帳に追加

収納家具の表面を覆う、離間式スライディング扉において、開閉時の揺動を抑えて、円滑にスライドさせことができる引き戸式扉の開閉装置を提供する。 - 特許庁

To prevent detection errors and to realize accurate temperature detection even when the surface color of a fixing roller is different by every machine type or every machine of the same machine type.例文帳に追加

機種ごと、あるいは同機種の機械ごとに、定着ローラの表面色が異なる場合においても、検出誤差を防止し、精度の高い温度検出を可能とする。 - 特許庁

To perform autonomous vehicle control by easily estimating a white line type even if the white line type of a road surface cannot be recognized due to a scrape, a stain and the like.例文帳に追加

擦れや汚れ等のために路面の白線種別を認識できない場合でも、その白線種別を容易に推定して、自律的な車両制御を行えるようにする。 - 特許庁

To provide overall print having a respectable appearance, when print ing the substrate surface of a card-type CD, and to satisfy functions required of the card-type CD.例文帳に追加

カード形ＣＤの基板表面に印刷を施す際に、外観上見苦しくない全面印刷を可能とし、且つカード形ＣＤに要求される機能を満たすようにする。 - 特許庁

To provide a projector where a reflection type polarized light splitting element is arranged on the emitting surface side of a transmission type liquid crystal panel and the contrast characteristic of which is improved further.例文帳に追加

透過型液晶パネルの出射面側に反射型偏光分離素子を配置したプロジェクタであってさらにコントラスト特性が向上されたプロジェクタを提供する。 - 特許庁

To provide a vertical type grinding machine which can improve the accuracy of the flat rotational motion of a workpiece, particularly a vertical type surface grinding machine having a mechanism for moving the workpiece by a planetary motion.例文帳に追加

ワークの回転平面精度が向上される立型研削盤、特に、ワークを遊星運動させる機構を備えた平面研削用の立型研削盤を提供すること。 - 特許庁

To provide a wet type image forming device, a printing machine and a wet type image forming method by which a surface fogging, density irregularity and the like are eliminated and a printing difficulty is not caused.例文帳に追加

地かぶりや濃度ムラ等の発生がなく印刷障害を来さない湿式画像形成装置及び印刷機並びに湿式画像形成方法を提供する。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

To use a portable charging type vacuum cleaner similarly to a floor moving type by providing moving wheels in the bottom surface of a charger mount and to improve the usability.例文帳に追加

充電台の下面に移動用車輪を設けることで、持ち運び自在の充電式掃除機を床移動型と同様に使用可能とし、使い勝手を良好にすること。 - 特許庁

In the center of the upper surface of a substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type semiconductor layer 4 are laminated in this order to constitute a light emitting portion 60.例文帳に追加

基板１の上面中央部には、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４がこの順に積層され、発光部６０を構成してある。 - 特許庁

In each p-type epitaxial buried layer 123 at the termination section 5, the p-type horizontal resurf region 130 does not exist, at least on one portion of a surface section, thus making it without overlap.例文帳に追加

終端部５の各ｐ型エピタキシャル埋込層１２３は、表面部の少なくとも一部にｐ型横型リサーフ領域１３０が存在せずオーバーラップがない状態にする。 - 特許庁

From the front surface of the p-type semiconductor region 3 to an interface between the n-type epitaxial layer 2 and the substrate 1, a groove 12 having a lattice-like plane shape is formed.例文帳に追加

ｐ型半導体領域３の表面から、ｎ型エピタキシャル層２と基板１との界面にまで達し、かつ平面形状が格子状をなす溝１２を形成する。 - 特許庁

This invention proposes a combination of applying a heating application type asphalt coating film waterproofing material by spraying quartz sand on a surface of applying an impregnation type waterproofing material to the concrete floor slab.例文帳に追加

コンクリート床版に浸透型防水材を塗布した上に硅砂を撒布し、更に加熱塗布型アスファルト塗膜防水材を塗布する組み合わせを提案している。 - 特許庁

In the first layer, p-type semiconductor region, containing p-type impurities, is formed at a position opposed to at least one part of the gate electrode through the hetero-junction surface.例文帳に追加

第１層には、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域が、へテロ接合面を介してゲート電極の少なくとも一部に対向する位置に形成されている。 - 特許庁

The p-type electrode is bonded onto a retaining substrate 6 and, thereafter, the matrix substrate 1 is separated by laser lift-off method to expose the nitrogen surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ型電極と保持基板６とを貼り合わせた後、レーザリフトオフ法により母材基板１を剥離してｎ型半導体層２の窒素面を露出させる。 - 特許庁

Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、Ｎ型不純物拡散層をＰ型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、ＰＮ接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁

To provide a stainless steel sheet having remarkably improved surface electrical conductivity, and suitable for a solid polymer type fuel cell, a solid oxide type fuel cell interconnector or the like.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池セパレータ、固体酸化物型燃料電池インターコネクターなどに好適な、表面電気伝導性を顕著に改善したステンレス鋼板を提供する。 - 特許庁

A p-type AlGaAs layer 36, a p+-type GaAs layer 38, and an ohmic electrode 40 are laminated in this order on a part of the upper surface of the window layer 34.例文帳に追加

窓層３４の上面の一部に、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層３６と、ｐ^+ 型ＧａＡｓ層３８と、オーミック電極４０とが、この順序で積層されている。 - 特許庁

On the primary surface MS, interlayer insulating layers 11 are located between the interface of the p-type base regions 3 with the n-type emitter regions 4 and ends of contact holes 11a.例文帳に追加

主表面ＭＳにおいてｐ型ベース領域３およびｎ型エミッタ領域４の境界とコンタクトホール１１ａの端部との間に層間絶縁層１１が位置している。 - 特許庁

The microcapsule-type electrophoretic display panel is such that a surface-planarizing layer is disposed, on the microcapsule layer in conventional microcapsule-type electrophoretic display panels.例文帳に追加

マイクロカプセル型電気泳動式表示パネルであって、マイクロカプセル層の上に表面平滑化層を具備してなることを特徴とするマイクロカプセル型電気泳動式表示パネルである。 - 特許庁

A drain electrode 12 is formed on the n-type GaN layer 6 (a leading-out unit 19), and a source electrode 11 is formed on the upper surface of the n-type GaN layer 8.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ層６（引き出し部１９）にはドレイン電極１２が形成され、ｎ型ＧａＮ層８の上面にはソース電極１１が形成されている。 - 特許庁

The submount 4 comprises a silicon substrate 6 having N^+ type conductivity and an epitaxial layer 7 having N^- type conductivity is formed on one surface of the silicon substrate 6.例文帳に追加

サブマウント４は、導電型がＮ^＋型のシリコン基板６を備えており、シリコン基板６の一方表面には導電型がＮ^−型のエピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁

An element isolation LOCOS film 103 is formed around a first element region on a surface of an N type epitaxial layer 102 formed on an N type silicon substrate 101.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１０１上に形成されたＮ型エピタキシャル層１０２も表面に、第１の素子領域を囲んで素子分離ＬＯＣＯＳ膜１０３が形成される。 - 特許庁

The submount 4 comprises a silicon substrate 6 having P type conductivity and an epitaxial layer 7 having P type conductivity is formed on one surface of the silicon substrate 6.例文帳に追加

サブマウント４は、導電型がＰ型のシリコン基板６を備えており、シリコン基板６の一方表面には導電型がＰ型のエピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁

To enable to have a semiconductor package 4 of a surface mounting type on a control board 7 for easy removal by using a socket connector 8 compliant to a DIP type.例文帳に追加

ＤＩＰタイプ対応のソケットコネクタ８を用いて、表面実装タイプの半導体パッケージ４を容易に取外し可能なように制御基板７に搭載できるようにする。 - 特許庁

To perform surface treatment of upper and lower surfaces of a burned object by different atmospheric gases with different oxygen concentrations and nitrogen concentrations, in an open type (normal pressure type) burning furnace.例文帳に追加

開放型（常圧型）の焼成炉において、被焼成物の上面と下面とを酸素濃度と窒素濃度を変えた異なる雰囲気ガスにて表面処理すること。 - 特許庁

A p-type collector area 9 of an IGBT and an n-type cathode region 10 of a reflux diode are alternately formed on a second principal surface 20b of a semiconductor substrate 20.例文帳に追加

ＩＧＢＴのｐ型コレクタ領域９と還流ダイオードのｎ型カソード領域１０は、半導体基板２０の第２主面２０ｂに交互に形成されている。 - 特許庁

A coating layer composed of spinel type composite oxide containing at least one type from Co, Cu, and Mn as well as Ni as metallic element is formed on the surface of the matrix.例文帳に追加

その母材の表面に、金属元素としてＣｏ、Ｃｕ、Ｍｎの少なくとも１種、及びＮｉを含むスピネル型複合酸化物からなる被覆層を形成する。 - 特許庁

The slot is filled with insulting resin (30), and a coil surface is covered with a coating layer such as phenol type epoxy powder paint or a phenol type varnish material.例文帳に追加

スロットには絶縁性樹脂（３０）が充填されており、コイルの表面はコーティング層、例えばフェノール系エポキシ粉体塗料またはフェノール系ワニス材料により被覆されている。 - 特許庁

A diode 100 comprises an n-type drift layer 6 on the surface of a SiC substrate 2, a p-type guard ring area 8, an anode electrode 10 and a cathode electrode 12.例文帳に追加

ダイオード１００は、ＳｉＣ基板２の表面にｎ型のドリフト層６と、ｐ型のガードリング領域８と、アノード電極１０と、カソード電極１２を備えている。 - 特許庁

The element area is formed in a buried n^+ type region 12 formed on the buried insulating film 11 and an n-type semiconductor substrate 13 formed on the upper surface of the region 12.例文帳に追加

また、素子領域は、埋め込み絶縁膜１１上の埋め込みｎ^+ 型領域１２と、その上面に形成されたｎ型半導体基板１３に形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor device 1 includes a substrate 2, and an n-type clad layer 3 to a p-type contact layer 9 formed as nitride semiconductor layers on an upper surface of the substrate 2.例文帳に追加

窒化物半導体装置１は、基板２と、基板２の表面上に形成された窒化物半導体層としてのｎ型クラッド層３〜ｐ型コンタクト層９とを備える。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SURFACE IRRADIATION TYPE SOLID-STATE IMAGING APPARATUS HAVING VERTICAL TYPE OVERFLOW DRAIN STRUCTURE AND ELECTRONIC SHUTTER FUNCTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置の製造方法及び縦型オーバーフロードレイン構造及び電子シャッタ機能を有する表面照射型固体撮像装置並びにその製造方法 - 特許庁

The positive electrode 100 includes a p-type amorphous silicon film 5, a reverse-surface electrode 7, and a current collection electrode 9 formed in order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

正極１００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｐ型非晶質シリコン膜５、裏面電極７および集電極９を含む。 - 特許庁

The surface of a magnesium/aluminum compound oxide catalyst is treated with at least one kind of a coupling agent among a titanate type coupling agent and an aluminum type coupling agent.例文帳に追加

マグネシウム・アルミニウム複合酸化物触媒の表面を、チタネート系カップリング剤およびアルミニウム系カップリング剤の少なくとも１種のカップリング剤によって表面処理した。 - 特許庁

A bottom face contacting with a surface of the p-type boron phosphide semiconductor layer is constituted as a film of a platinum group metal element or its alloy to configure a p-type ohmic electrode structure.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の表面に接触する底面部を白金族金属元素またはその合金の膜としてｐ形オーミック電極構造を構成する。 - 特許庁