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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > thin layer methodの意味・解説 > thin layer methodに関連した英語例文

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thin layer methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2066



例文

To provide a thin film deposition system and a thin film deposition method capable of suppressing the effect of the plasma heat, to provide an electro-optic apparatus provided with a light emitting layer suppressed in thermal degradation, to provide a method for manufacturing the electro-optic apparatus, and to provide an electronic apparatus provided with the electro-optic apparatus.例文帳に追加

プラズマの熱の影響を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法と、熱劣化が抑制された発光層を備える電気光学装置及びその製造方法と、当該電気光学装置を備える電子機器を提供する。 - 特許庁

When depositing a second insulating layer 9 by sputtering method on a 2nd wiring layer 8 in which a wiring form or the like is formed, a 2nd insulating narrow recessed part 9a of thin film thickness is formed on a 2nd wiring narrow recessed part 8a according to nature of the sputtering method.例文帳に追加

配線形状などが形成された第2配線層8の上に、スパッタリング法により第2絶縁層9を成膜すると、第2配線狭凹部8aにはスパッタリング法の性質により膜厚の薄い第2絶縁狭凹部9aが形成される。 - 特許庁

To provide a method, in which an optical crosslinking resin layer can be uniformly made into a thin film in a shorter time even when the optical crosslinking resin layer has a large thickness or when an optical dissolution rate is slow, in a method of forming a conductive pattern by a subtractive manner.例文帳に追加

サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、光架橋性樹脂層の厚みが大きい場合や光溶解速度が遅い場合にも、より短時間で光架橋性樹脂層を均一に薄膜化できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide the forming method of a photosensitive layer by which the occurrence of a whitening phenomenon on a surface is eliminated in the case of forming the photosensitive layer by an immersing/coating method on the outer peripheral surface of an extremely thin cylindrical base body such as a nickel seamless belt.例文帳に追加

ニッケルシームレスベルトのような極めて薄肉の円筒状基体の外周面に浸漬コーティング法によって感光層を形成する場合に、その表面に白化現象を生じさせないような感光層形成方法を提供することである。 - 特許庁

例文

The method grows a GeSi1-X/Ge epitaxial layer on a Si substrate by the ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) method to finally form a ZnSe thin film on a Ge buffer layer.例文帳に追加

本発明の方法においては、超高真空化学気相成長法(UHVCVD)を用いることによりSi基板上にGeSi1−X/Geエピタキシャル層を成長させ、最終的にGeバッファ層上にZnSe薄膜が形成される。 - 特許庁


例文

To provide a method for manufacturing a thin-film magnetic head, capable of especially filling a space between a shield layer and a metal layer by a simpler and more proper method, and of improving heat releasing effects more than conventional ones.例文帳に追加

特にシールド層と金属層間を従来に比べてより簡単で且つ適切な方法で埋めることができるとともに、放熱効果も従来より向上させることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element forming a cathode with little damage on a thin-film structure layer containing a luminescent layer, and an organic electroluminescent element of high luminescent brightness and long luminescent life manufactured in the above method.例文帳に追加

発光層を含む薄膜構成層へのダメージを少なく陰極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及びその製造方法で製造した発光輝度が高く、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。 - 特許庁

In a static electricity destruction coping method of the thin substrate fixing jig, a GND connection electrode is brought into contact with the conductive weak adhesive layer when the thin substrate is peeled off for suppressing static electricity generated, when the thin substrate is brought into contact with the thin substrate fixing jig where the conductive weak adhesive layer is formed on one face of the plate or when they are peeled.例文帳に追加

本発明の薄型基板用固定治具の静電気破壊対処方法は、平板の片面に導電性弱粘着性層を形成した薄型基板用固定治具から薄型基板を接触あるいは剥離する際発生する静電気を抑制するために、薄型基板を剥離する際に前記導電性弱粘着性層にGND接続用電極を接触させることを特徴とする - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体1上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がRFスパッタ源4によるRFスパッタ法により形成され、活物質層がDCパルススパッタ源5によるDCパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

例文

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.例文帳に追加

薄膜20上に、蒸着膜30を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層40を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

The method of processing a silicon wafer according to the present invention comprises steps of forming a thin film layer having different thicknesses on a silicon wafer, exposing the silicon wafer selectively by removing the thin film layer having different thicknesses successively and forming a plurality of U-shaped grooves each having a different depth corresponding to the thin film layer having different thicknesses by etching the exposed silicon wafer.例文帳に追加

本発明に係るシリコンウェーハの加工方法は、シリコンウェーハに相異なる厚みを持つ薄膜層を形成する工程と、相異なる厚みの前記薄膜層を順次に除去して選択的にシリコンウェーハを露出する工程と、露出されたシリコンウェーハを食刻することにより、相異なる厚みを持つ前記薄膜層に対応して相異なる深さを有する複数のU溝を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for rapidly manufacturing a metal composite hose containing a metal thin film layer and a resin layer provided on its inner or outer periphery (particularly preferably on the outer periphery) or particularly a metal composite corrugated hose of a high quality.例文帳に追加

金属薄膜層とその内周又は外周(特に好ましくは外周)に設けた樹脂層とを含む金属複合ホース、特に金属複合コルゲートホースの迅速かつ高品質な製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, simplification of the steps and reduction of loss of the materials are achieved by selectively forming a gate electrode layer of the thin-film transistor and a pixel electrode layer by using the same steps and the same material by a liquid drop discharge method.例文帳に追加

また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 - 特許庁

To provide a shielding film for printed wiring board and its manufacturing method capable of preventing a metal thin-film layer and an adhesive layer from peeling, even if come gas is produced from adhesive and if water contained in the film is evaporated.例文帳に追加

接着剤からガスが発生したり、フィルムに含まれる水分が蒸発したりしても、金属薄膜層と接着剤層とが剥離しないプリント配線板用シールドフィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an oxide superconductor with a reactive layer prevented from being formed between a polycrystal thin film and an oxide superconducting layer, and the oxide superconductor obtained by the same.例文帳に追加

多結晶薄膜と酸化物超電導層との界面に反応層が形成されることを抑止した酸化物超電導導体の製造方法、およびこれによって得られた酸化物超電導導体を提供する。 - 特許庁

A method is for manufacturing a bottom gate type thin-film transistor 1, in which a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, a semiconductor active layer 13, a source electrode 14, and a drain electrode 15 are successively formed on an insulating substrate 10.例文帳に追加

絶縁基板10上に、ゲート電極11、ゲート絶縁層12、半導体活性層13、ソース電極14、及びドレイン電極15を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ1の製造方法である。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor having an oxide semiconductor as a semiconductor layer including a channel formation region includes; forming an oxide insulating film to come into contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a polyimide resin composite film which has a high bonding strength between a polyimide layer and a metal layer, and has no warpage and the like as a thin metal film is laminated after imidation, and a method for stably and easily manufacturing it.例文帳に追加

ポリイミド層と金属層が高い密着強度を持ち、かつイミド化後に金属薄膜を積層するので、そり等がないポリイミド樹脂複合フィルムとそれを安定的かつ容易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate having an SiGe layer for making thin the SiGe layer, and relaxing its distortion, and reducing its threading-dislocation density.例文帳に追加

SiGe層を有する半導体基板の製造方法において、SiGe層の薄層化を図り、しかも、歪みが緩和され、かつ、貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of obtaining a buffer layer of high quality which is adaptive to a large-sized substrate, reduces the consumption of a material solution, and has superior film thickness uniformity in film deposition of a buffer layer for a chalcopyrite thin film solar cell.例文帳に追加

カルコパイライト型薄膜太陽電池のバッファ層成膜において、大型基板に対応し、原料溶液使用量の低減化、膜厚均一性に優れた高品質なバッファ層を得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently providing an IC chip with a protective layer that is unique and has high shape accuracy by a simple operation in order to prevent the cracking of an IC chip in a thin layer IC circuit of the IC card, etc.例文帳に追加

ICカードなどの薄層IC回路におけるICチップの割れを防ぐ目的で、該ICチップに、簡単な操作により、均一で形状精度の良い保護層を効率よく設ける方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the ultra-thin segment, a laminated structure having at least one non-glass layer on a glass substrate is treated with a hydrofluoric acid aqueous solution to dissolve and remove the glass substrate and thereafter the non-glass layer is cut.例文帳に追加

ガラス基体上に非ガラス層を少なくとも1層有する積層構造物をフッ酸水溶液で処理して該ガラス基体を溶解除去した後、該非ガラス層を切断する超薄切片の製造方法である。 - 特許庁

To provide a shielding film for printed wiring board and a manufacturing method therefor, capable of preventing a metal thin-film layer and an adhesive layer from peeling, even if gas is produced from adhesive and if water contained in the film is evaporated.例文帳に追加

接着剤からガスが発生したり、フィルムに含まれる水分が蒸発したりしても、金属薄膜層と接着剤層とが剥離しないプリント配線板用シールドフィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ultraviolet LED element with high emission efficiency which comprises a GaN based compound semiconductor thin film layer wherein a GaN layer which absorbs ultraviolet light is removed, and its manufacturing method for manufacturing with high yield.例文帳に追加

紫外光を吸収するGaN層を除去したGaN系化合物半導体薄膜層からなる発光効率の高い紫外LED素子及び、高い歩留まりで製造できるその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which enables desired ion injection even if a polysilicon layer is thin or narrow when the polysilicon layer is used as a mask for ion injection.例文帳に追加

イオン注入用のマスクとしてポリシリコン層を用いる際、ポリシリコン層の厚さが薄かったりポリシリコン層の幅が狭い場合においても、所望のイオン注入を行うことができる、半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical magnetic recording medium capable of improving an SNR and achieving a thin film and high density of a magnetic recording layer by improving a segregation structure in the magnetic recording layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁気記録層内の偏析構造を向上させ、これにより、SNRを向上して磁気記録層の薄膜化、高密度化を図ることが可能な、垂直磁気記録媒体、および、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method in which an oxidized layer of the oriented metal substrate surface is surely removed, and an oxide thin film of the interlayer and a superconductive layer or the like are epitaxially formed by maintaining biaxial orientation of the oriented metal substrate.例文帳に追加

配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の2軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent thin film transistor with an improved resolution by forming a semiconductor layer of the thin film transistor from a transparent material to improve opening rate and relax a design rule of a display, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層を透明物質で形成して開口率を向上させてディスプレイのデザインルールを緩和させて、解像度を向上させることができる透明薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a wafer with a thin film in which film thickness distribution of a micro thin film (SOI layer) that affects a device can be measured conveniently at a low cost over the entire wafer surface with a sufficient spatial resolution.例文帳に追加

本発明は、デバイスに影響するミクロな薄膜(SOI層)膜厚分布のウェーハ全面に渡る測定を、低コストかつ簡便に、十分な空間分解能で行うことができる薄膜付ウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

In the method, a piezoelectric thin film 4 is laminated on a support substrate on which a conductive sacrificing layer is formed, and a meander electrode 20 turning to an open state due to over-current is formed to a wiring to form an upper surface polarizing electrode 14 on the piezoelectric thin film 4.例文帳に追加

導電性犠牲層を形成した支持基板に圧電薄膜4を積層するとともに、過電流によりオープンになるミアンダ電極20を配線に設けて圧電薄膜4に上面分極電極14を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor as a transparent electronic element, which can employ a low-temperature process when a channel layer of the thin-film transistor is formed, has excellent interface characteristics with a gate insulating film, and is economical; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜トランジスタのチャネル層を形成するに際して、低温工程が可能であり、ゲート絶縁膜との界面特性が良好であり、且つ経済的な透明電子素子の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin-film transistor and its manufacturing method, the gate insulating film uses a resin film, to which a thin-film layer composed of an organic matter or an inorganic matter is formed, as the gate insulating film.例文帳に追加

また、前記ゲート絶縁膜が、有機物もしくは無機物からなる薄膜層を形成した樹脂フィルムをゲート絶縁膜として用いたことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタおよびその製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of improving the crystallinity of an organic thin film by locally coating the organic film used as an active layer of an organic thin-film transistor with an organic solvent or locally heat-treating it using a laser.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの活性層として使用される有機薄膜に有機溶媒の局所的な塗布やレーザーを用いた局所的な熱処理を行い、有機薄膜の結晶度を局所的に向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film solar cell capable of increasing the input of high-frequency power to enhance a film deposition rate of a photoelectric conversion layer, and increasing photoelectric conversion efficiency of the thin film solar cell up to a high value.例文帳に追加

高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inorganic thin-film transfer material which can form a functional fine particle film capable of providing a sufficient film strength by burying and transferring a functional fine particle layer on the surface of an article, and to provide a manufacturing method of the inorganic thin-film transfer material.例文帳に追加

物品の表面に機能性微粒子層を埋没、転写させることにより十分な膜強度が得られる機能性微粒子膜を形成することができる無機薄膜転写材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stuck wafer in which even formation of a blister due to an air bubble on a sticking interface is suppressed even when an active layer is thin and when an oxide film is thin.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層が薄い場合や酸化膜が薄い場合においても、貼り合わせ界面の気泡によるブリスターの発生についても抑制することのできる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

After the formation of an aluminum oxide thin film 8 having adhesive properties on the metallic bonding film composed of MCrAlY, a ceramic layer 10 is formed on the aluminum oxide thin film by a physical vapor deposition method, and its structure is formed into the columnar one.例文帳に追加

前記のMCrAlYから成る金属結合膜上に接着性を有する酸化アルミニウム薄膜を形成した後、物理的蒸着法により前記酸化アルミニウム薄膜上にセラミック層を形成し柱状構造にする。 - 特許庁

To keep manufacturing costs of a thin-film solar cell lower than before, and obtain a method of manufacturing the thin-film solar cell that does not cause decrease of the efficiency of photoelectric conversion in a photoelectric conversion layer, which is formed under the interlayer.例文帳に追加

従来に比して薄膜太陽電池の製造コストを抑えるとともに、中間層の下に形成される光電変換層の光電変換効率の低下を引き起こさない薄膜太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

A laminated film 5 is made by gluing a film 2 to be repeeled to a transparent thin film 4, and a moisture-resistant film 7 is made, by placing a moisture-resistant layer 6 on the side of the transparent thin film 4 of the laminated film 5 by a vacuum deposition method.例文帳に追加

再剥離フィルム2を透明薄膜フィルム4に貼り合わせて貼合せフィルム5とし、この貼合せフィルム5の透明薄膜フィルム4側に真空堆積法により防湿層6を設けて耐湿性フィルム7とする。 - 特許庁

A fourth product is formed by forming a multi-layered film 6a by alternately forming BaS thin film and Al_2O_3 thin film on the surface of the lower ZnS layer 5 of the third product by a sputtering method in atmospheric gas containing oxygen.例文帳に追加

前記第3生成物の前記下部ZnS層5の表面に、酸素を含む雰囲気ガス中でスパッタ法によってBaS薄膜とAl_2S_3薄膜とを交互に形成して多層膜6aを形成し、第4生成物を生成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板120上に薄膜素子(被転写層110)を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子130を、導電性を有する第二転写基板120と接続する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

プラスチック基板11等の基板上にアモルファスシリコン層13を形成する工程と、アモルファスシリコン層13をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層13を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method also includes steps of: forming a semiconductor layer 42 of a thin film transistor; forming a gate insulating film 2 on the semiconductor layer 42; forming an amorphous silicon layer 34A on the gate insulating films 2; and crystallizing the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer 34A with light to form a capacity electrode layer 34 made of polycrystalline silicon.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層42を形成する工程と、半導体層42上にゲート絶縁膜2を形成する工程と、ゲート絶縁膜2上に非晶質シリコン層34Aを形成する工程と、非晶質シリコン層34Aに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層34を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

WATER-SOLUBLE ADHESIVE THIN LAYER COMPOSITE SOLID FIBER MESH SHEET, AND CONCRETE SURFACE FINISHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

水溶性接着材薄層複合立体繊維網目シート、及びこの水溶性接着材薄層複合立体繊維網目シートを用いたコンクリート表面仕上げ処理方法 - 特許庁

To provide a mask vapor deposition method by which a desired thin film pattern can be formed even if a deposition layer sticks while a mask for vapor deposition is repeatedly used.例文帳に追加

蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに堆積層が付着した場合でも、所望の薄膜パターンを形成することができるマスク蒸着法を提供すること。 - 特許庁

To provide a hard coat film, which has a thin triacetylcellulose (TAC) layer and high surface hardness and develops a few curling during processing, and its method of manufacturing.例文帳に追加

薄いTAC層を有するハードコートフィルムにおいて、表面硬度が大きく工程中でのカールの少ないハードコートフィルムとその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor which includes an accurate gate insulation layer having a good insulation property, and has a superior adhesiveness between a substrate and a gate electrode, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

緻密で絶縁性の良好なゲート絶縁層を有し、基板とゲート電極との密着性が良好な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic material which has small particle size, high crystallinity and little variation in the particle size and is suited for forming a thin dielectric layer.例文帳に追加

粒径が小さく、結晶性が高く、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material for a thin film medium which records information by using the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のGe−Sb−Te系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a method for producing a polarizing laminated film having a thin polarizer layer without giving rise to the problem that the ends of a base film are folded inside.例文帳に追加

基材フィルムの端部が折れ込んでしまう不具合を招くことなく、薄型の偏光子層を有する偏光性積層フィルムを製造する方法を提供する。 - 特許庁




  
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