「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method for the organic thin film transistor including a stage of forming at least one of a conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer on the substrate through an ink jet process comprises the stage of forming the plurality of separated thin films on the substrate through the single-time ink jet discharge when at least the one of the conductive layer, insulating layer and organic semiconductor layer is formed.例文帳に追加

基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、 該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspection method in which the film quality of an amorphous or polycrystalline oxide semiconductor layer useful as an active layer of a thin-film transistor etc., can be nondestructively and speedily checked, and to provide a method of manufacturing the amorphous or polycrystalline oxide semiconductor layer using the inspection method.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層などとして有用な非晶質又は多結晶性の酸化物半導体層の膜質を、非破壊で迅速に調べることのできる検査方法、及び、その検査方法を活用した非晶質又は多結晶性の酸化物半導体層の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition method, in a nanocrystal silicon thin film, which suppresses the formation of an incubation layer at the initial stage of film deposition, and can obtain a film with satisfactory crystallinity from the initial stage of the film deposition, to provide a nanocrystal silicon thin film obtainable by the film deposition method, and to provide a film deposition system which deposits the thin film.例文帳に追加

ナノ結晶シリコン薄膜において、成膜初期におけるインキュベーション層の生成を抑制し、成膜初期から結晶性の良い膜を得ることができる成膜方法と、該成膜方法により得られるナノ結晶シリコン薄膜、並びに該薄膜を成膜する成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode forming method which can form an electrode capable of preventing degradation of the characteristics of an organic layer in contact therewith by a simple method, to provide a thin film transistor having excellent characteristics provided with the electrode formed by the electrode forming method, and to provide a thin film transistor circuit, an electronic device and an electronic apparatus provided with the thin film transistor.例文帳に追加

接触する有機層の特性が低下するのを防止し得る電極を、簡易な方法で形成することができる電極形成方法、かかる電極形成方法により形成された電極を備え、特性に優れる薄膜トランジスタ、および、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal oxide thin film pattern by applying a photosensitive metal-organic material precursor solution onto a substrate without using a photosensitive prepolymer resin and directly patterning a coating film layer of the applied solution by a nanoimprint system and to provide the metal oxide thin film pattern patterned directly by this forming method and a method for producing an LED element including a photonic crystal layer by using this forming method.例文帳に追加

本発明は、感光性プレポリマーレジンを使用せずに、感光性金属有機物前駆体溶液を基板に塗布して、ナノインプリント方式で直接パターニングする金属酸化薄膜パターンの形成方法、当該形成方法によって直接パターニングされた金属酸化薄膜パターン、および、当該形成方法によって光結晶層を含むＬＥＤ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Regarding the method for producing a metal-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an organic ruthenium complex is subjected to a chemical vapor deposition process, so as to produce a ruthenium-containing thin film, and then, an organic metal complex is formed on the ruthenium-containing thin film by a CVD process, so as to deposit a metal-containing thin film.例文帳に追加

本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体をＣＶＤ法により金属含有の薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした金属含有薄膜の製造法によって解決される。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-piece element arrayed substrate, in which the thin-piece elements are arranged in the single layer on the substrate, includes a process of carrying the thin-piece elements with an inclined flow of liquid using element carrying liquid, a process of integrating the thin-piece elements, and a process of arraying the integrated thin-piece elements on the substrate.例文帳に追加

薄片状素子を基板に単層で配列させる薄片状素子配列化基板の製造方法において、素子搬送液体を用いて液体傾斜流で該薄片状素子を搬送する工程と、該薄片状素子を集積化する工程と集積した薄片状素子を基板上に配列させる工程とを有する薄片状素子配列化基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a phosphor for a collision excitation type EL realizing novel full color light emission using as the base material a chemically extremely stable compound or composite oxide, a manufacturing method of a thin film of the phosphor, a thin film EL device using a thin film of the phosphor for a light emitting layer, a thin film EL display using the thin film EL device, and an EL lamp.例文帳に追加

化学的に極めて安定な化合物もしくは複合酸化物を母体材料とする新規なフルカラーの発光が実現できる衝突励起型ＥＬ用蛍光体、該蛍光体薄膜の製造方法、該蛍光体薄膜を発光層に用いる薄膜ＥＬ素子及び該薄膜ＥＬ素子を用いる薄膜ＥＬディスプレイ、ＥＬランプを提供することを課題とする。 - 特許庁

This method of thin layer analysis comprises: a process for performing oblique etching or oblique grinding for the analysis specimen having a thin-layer laminated structure to expose the measurement layer; a process for exciting characteristic X rays from the exposed measurement layer by electron beam irradiation; a process for detecting only the characteristic X rays from the measurement layer; and a process for determining the element composition from the detected X rays.例文帳に追加

本発明は、薄層の積層構造を有する分析試料に斜めエッチングまたは斜め研磨を行なって、測定層を露出させる工程；電子線照射によって、露出させた測定層から特性Ｘ線を励起させる工程；測定層からの特性Ｘ線のみを検出する工程；および検出した特性Ｘ線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information recording medium wherein a metal reflection layer can be laminated on the upper surface of a polysilane layer while keeping sure information recording capability by a prescribed light absorption even if the polysilane layer has an extra thin thickness, and to provide a method of manufacturing the information recording medium.例文帳に追加

たとえポリシラン層が極薄であっても、所定の光吸収による確実な情報記録能を保持しつつポリシラン層の上面に金属反射層を堆積できるようにした情報記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a composition for a light absorbing layer of a thin film solar cell, capable of improving crystallinity of the light absorbing layer, and facilitating preparing a more stable aqueous solution of the composition for the light absorbing layer.例文帳に追加

光吸収層の結晶性を向上させ、より安定した光吸収層用組成物の水溶液を簡単に作製することを可能とした薄膜太陽電池の光吸収層用組成物の製造方法を提供すること - 特許庁

In this method of manufacturing a thin film transistor, the surface of the semiconductor layer of a channel section 19 is formed in a predetermined recessed and projecting surface at the time of performing channel etching for removing a prescribed ohmic layer 14 and its diffusion layer by plasma etching.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、所定のオーミック層１４およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャンネルエッチングを行うとき、チャネル部１９の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることとした。 - 特許庁

On the electrode 2, a hole injection layer 3 consisting of CuPc (copper phthalocyanine), a plasma thin film consisting of CF_x formed by a plasma CVD method, a hole carrier layer 4 consisting of NPB, and a light emitting layer 5 are sequentially formed.例文帳に追加

ホール注入電極２上には、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）からなるホール注入層３、プラズマＣＶＤ法により形成されたＣＦ_ｘからなるプラズマ薄膜８、ＮＰＢからなるホール輸送層４、および発光層５が順に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayered ceramic electronic component, capable of improving a breakdown strength failure, improving the coverage of an electrode cover layer and improving lamination property even when a dielectric layer and an electrode layer are made thin in thickness.例文帳に追加

誘電体層および電極層を薄層化した場合であっても、耐圧不良の改善および電極被覆層の被覆率の向上を実現でき、かつ、積層性を向上できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor including an oxide semiconductor layer as a channel formation region, the oxide semiconductor layer is heated under a nitrogen atmosphere to lower its resistance, thereby forming a low-resistance oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a lens, having superior appearance and superior adhesion of coating layer, when manufacturing the lens that has a coating layer made of a photocurable coating agent laid on a primary coat layer of the lens having a thin center part.例文帳に追加

プライマーコート層を有する中心部の厚みが薄いレンズの該プライマーコート層上に、光硬化性コーティング剤よりなるコート層を有するレンズを製造するに際し、コート層の密着性がよく、外観に優れたレンズを製造する方法を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a thin-film electronic component, a dielectric layer 16 having first through holes 16a, 16b is formed on a base material 10, and a first conductive layer 31 for covering at least one part of the dielectric layer is formed.例文帳に追加

本発明に係る薄膜電子部品の製造方法は、第１の貫通孔１６ａ、１６ｂを有する誘電体層１６を基材１０上に設け、その誘電体層の少なくとも一部を覆う第１の導電層３１を設ける。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin, dislocation density can be reduced and an undislocated strained Si layer can be formed.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化、かつ、転位密度の低減化を図ることができ、しかも、無転位の歪Ｓｉ層を形成することができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A preferable manufacturing method for the switched-connection element is when forming an antiferromagnetic thin film layer, to heat a substrate up to a specified temperature preset so as to form the regular phase of the Mn-Ir alloy, and to apply annealing treatment to it after the antiferromagnetic thin film layer has been formed.例文帳に追加

上記交換結合素子の好適な製造方法としては、反強磁性薄膜層を形成する際に、基板を、Mn-Ir合金の規則相を形成するために予め定めた所定の基板温度となるように加熱し、かつ反強磁性薄膜層の形成後に、アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a thin film solar cell, and its fabricating method, in which the transparent electrode layer in a solar cell formed on one side of a substrate can be patterned without causing any damage on a thin film semiconductor layer and surface efficiency of the solar cell is enhanced while reducing the cost of fabrication process.例文帳に追加

基板片面形成型太陽電池における透明電極層のレーザパターニングを薄膜半導体層の損傷なしに可能とし、太陽電池の面積効率の向上および製造プロセスの低コスト化を図った薄膜太陽電池とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that can enhance the driving characteristics of the thin film transistor by forming an uneven structure in a semiconductor layer (polycrystalline silicon layer) pattern to increase the channel length at an edge of a channel region, a flat panel display device, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体層（多結晶シリコーン層）パターンに凹凸構造を形成してチャネル領域縁でのチャネル長さを増加させることによってＴＦＴの駆動特性を向上させることができる薄膜トランジスタ、平板表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of measuring the adhesive strength between a thin resin layer and a substrate so that the estimate and result in a reliability test or development coincide with each other in the measurement of the adhesive force (adhesive strength) between the thin resin layer and the substrate by reducing obscurity and removing the stage due to the giving of marks.例文帳に追加

薄い樹脂層と下地の間の接着力（接着強度）を、曖昧さが少なく、なおかつ点数付けによる段階を取り払い、信頼性試験や現像における予測と結果が一致する薄い樹脂層と下地の間の接着強度を測定する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING METAL THIN-FILM LAYER ON CONDUCTIVE ITO FILM OR ON GLASS SUBSTRATE SURFACE AS BASE SUBSTRATE OF ITO FILM, AND METAL THIN-FILM LAYER ON CONDUCTIVE ITO FILM OR ON GLASS SUBSTRATE SURFACE AS BASE SUBSTRATE OF THE ITO FILM例文帳に追加

導電性ＩＴＯ膜上、あるいは導電性ＩＴＯ膜の下地基板とするガラス基板表面上への金属薄膜層の形成方法、および該方法による導電性ＩＴＯ膜上、あるいは導電性ＩＴＯ膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層 - 特許庁

Further, this manufacturing method of the diffuse reflecting plate includes a process for pressing the transferring laminate to the application base plate so as to bring contact with the bonding surface of the thin film layer, a process for peeling off the temporary support and a process for forming a reflecting film on the rugged surface of the thin film layer.例文帳に追加

さらに、この転写用積層体を適用基板に薄膜層の接着面が接するように押し当てる工程、前記仮支持体を剥がす工程及び薄膜層の凹凸表面に反射膜を形成する工程を含むことを特徴とする拡散反射板の製造方法。 - 特許庁

This method keeps a combination between the motif and the donor substrate, and peels off a portion of the thin layer which locates in each motif from the donor substrate by generating fracture in the frangible region and a thickness of the thin layer, then gives energy in order to make the peeled portion be the structure.例文帳に追加

この方法は、モチーフとドナー基板との間の結合を保持し、脆弱領域内と薄い層の厚み内とにおいて破断を起こさせて各モチーフに位置する薄い層の部分をドナー基板から剥離させ、この剥離された部分を構造体とするために、エネルギを与えることを特徴とする。 - 特許庁

A wetting agent is injected into the deepest part of an asbestos layer, by inserting an injection needle or a thin pipe up to the deepest part of the asbestos layer, by using a supply device with the injection needle or the thin pipe as a supply port of the wetting agent, in addition to a conventional method for applying the wetting agent to a surface.例文帳に追加

湿潤剤を表面に塗布する従来の方法に加えて、注射針もしくは細いパイプを湿潤剤の供給口とする供給装置を用いてアスベスト層の最深部まで注射針もしくは細いパイプを差し込み、アスベスト層の最深部に湿潤剤を注入する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor which can keep residual stress inside a protection layer within an appropriate range while at the same time securing a long-time reliability by achieving a high adhesiveness with a layer immediately below, and also to provide its manufacturing method and a wiring board having a high reliability using the thin-film capacitor.例文帳に追加

保護層の内部に残留応力を適正範囲内にするとともに直下の層との密着性を確保させた長期信頼性を確保する薄膜コンデンサとその製造方法を提供するとともに、この薄膜コンデンサを用いた高信頼性の配線基板を提供する。 - 特許庁

This method for hydrocarbon mixture separation using a zeolite- based separation membrane is characterized in that the zeolite-based separation membrane is provided with a zeolite thin film layer on the surface part of a porous substrate, the zeolite thin film layer has pores characteristic of zeolite crystal and pores with ≤10 nm pore diameter in a grain boundary.例文帳に追加

本発明で用いるゼオライト系分離膜は、ゼオライト薄膜層が多孔質支持体の表層部に形成され、前記ゼオライト薄膜層が、ゼオライト結晶固有の細孔を有すると共に、結晶粒界に細孔径が１０ｎｍ以下の細孔を有することを特徴とする。 - 特許庁

Since the transparent coated layer 12 can readily be formed into a film by a vacuum thin film-forming method such as a deposition polymerization method or a physical deposition method and is suitable for mass production of the lure, cost reduction of the lure production can be performed.例文帳に追加

透明被膜層１２は蒸着重合法や物理的蒸着法といった真空薄膜形成方法で容易に成膜でき、ルアーの大量生産にも適するので、製造の低コスト化が図れる。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the oxide thin film to form the oxide thin film (for example, interlayer 2) on the oriented metal substrate 1, having a process of cutting the oxide layer 1b of the surface of the oriented metal substrate 1 just before oxide thin film formation.例文帳に追加

配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板１の表面の酸化層１ｂを切削する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

As an embodiment of a method for manufacturing the semiconductor device, the thin film circuit is installed on the substrate, and a composition containing a conductive material having flowability is stuck on the substrate and thin film circuit to form the conductive layer electrically connected to the thin film circuit.例文帳に追加

また、本発明の半導体装置の作製方法の一は、基板上に薄膜回路部を設置し、基板上及び薄膜回路部上に、流動性を有する導電性材料を含む組成物を付着させ、薄膜回路部と電気的に接続する導電層を形成する。 - 特許庁

To provide a production method of a positive stagger-type thin film transistor which can form a gate insulating film having good dielectric strength on an active layer composed of a polysilicon thin film by leveling the surface of the polysilicon thin film featuring high mobility of a carrier.例文帳に追加

キャリアのモビリティの高いポリシリコン薄膜表面を平坦化することにより、このポリシリコン薄膜からなる活性層上に良好な絶縁耐圧を有するゲート絶縁膜を形成することが可能な正スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとものである。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor in which a leakage current property and electrical characteristics as a thin-film transistor can be improved by reducing the amount of a metal catalyst remaining in a semiconductor layer, to provide a manufacturing method thereof, and to provide an organic electroluminescent display equipped with the thin-film transistor.例文帳に追加

半導体層に残存する金属触媒の量を減少させて、漏洩電流特性及び薄膜トランジスタの電気的特性を向上させることができる薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film solar cell, in which an effective area of a transparent electrode layer is increased to increase the output of the thin film solar cell, and an insulation property at a second through-hole is secured to reduce a defect rate in manufacturing the thin film solar cell.例文帳に追加

本発明は、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させるとともに、第２の貫通孔における絶縁性を確保して薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming the laminated film wherein the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 are formed by laminating the base 1 with a sputtering process, the layer 4 of the oxide is formed by exposing the metal thin film 3 to an oxygen gas atmosphere after this film is formed.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板１上に金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属薄膜３の成膜後、該金属薄膜３を酸素ガス雰囲気に晒すことによりこの酸化物層４を形成する。 - 特許庁

After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.例文帳に追加

基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁

To provide a thin film evaluation method capable of evaluating the thickness and/or the optical constant of a thin film in a sample with a smaller dispersion than hitherto, even when using a sample wherein the thin film is formed on a transparent polymer film having a layer functioning as an optical film.例文帳に追加

光学膜として作用する層を有する透明高分子フィルム上に薄膜が成膜された試料を用いた場合であっても、試料中の薄膜の膜厚および／または光学定数を従来よりも少ないばらつきで評価することが可能な薄膜評価方法を提供する。 - 特許庁

According to the method, at least one thin film solar cell is formed on a transparent substrate, wherein each of the thin film solar cells includes at least an anode, a photoelectric conversion layer, and a cathode, while a portion of a surface of the anode is exposed from each of the thin film solar cells.例文帳に追加

その方法に従って、透明基板上に少なくとも１つの薄膜太陽電池を形成し、そのうち、薄膜太陽電池がアノード、光電変換層およびカソードを少なくとも含むとともに、アノードの一表面の一部が薄膜太陽電池から露出される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film device substrate which is capable of forming a thin-film device having good characteristics on a final substrate and rapidly removing a supporting substrate from the rear surface side of the final substrate without giving damage to the final substrate and the thin-film device layer.例文帳に追加

最終基板上に特性の良好な薄膜デバイスを形成可能で、かつ最終基板や薄膜デバイス層に対して損傷を与えることなく、短時間で最終基板の裏面側から支持基板を除去することが可能な薄膜デバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method whereby a very thin ultrafine-particle film with a thickness of a nanometer order can be formed; a thin ultrafine-particle film wherein ultrafine particles are strongly bonded to each other can be formed by giving novel active surfaces to the particles; and thin ultrafine-particle films with various layer constructions are enabled.例文帳に追加

ナノメートルオーダーの極薄の超微粒子膜を形成することができ、また、材料微粒子の表面を新しい活性なものにして、強固な微粒子間接合の超微粒子薄膜を形成することができ、さらに、超微粒子薄膜の各種の層構成を採ることを可能にする - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor wafer, when manufacturing a semiconductor wafer having a thin film on one main surface of a substrate, a sacrificial layer is provided on the other surface of the substrate before forming the thin film, and processing with an acid or alkali solution is performed, to substantially dissolve and eliminate the sacrificial layer after forming the thin film.例文帳に追加

本発明による半導体ウエハの製造方法は、基板の一方の主面に薄膜を有する半導体ウエハを製造するにあたり、前記薄膜を形成する前に、前記基板の他方の主面に犠牲層を設け、前記薄膜を形成した後に、酸またはアルカリ溶液で処理して前記犠牲層を実質的に溶解・除去することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method includes an oxide film forming process for forming an oxide film 12 which is a protective film over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a metal thin film forming process for forming a metal thin film 13 on the oxide film 12, and an ion preventing layer forming process for forming an ion preventing layer 14 of the metal having an ion preventing function on the metal thin film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上の全面に保護膜である酸化膜１２を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１２上に金属薄膜１３を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜１３上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層１４を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film transistor comprises a step for providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing a plasma in contact with the amorphous silicon layer 114, and converting the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114 through a crystallizing process.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

In the forming method of the liquid crystal alignment layer, the conjugated system polymer consisting of polysilanes is pressurization molded, a thin film wherein the conjugated system polymer is aligned is formed on a substrate by a rubbing transfer method and the alignment thin film is further irradiated with UV light or visible light.例文帳に追加

共役系高分子がポリシラン類であって、これを加圧成型し、摩擦転写法により、基板上に共役系高分子が配向した薄膜を形成し、さらにこの配向薄膜に紫外光または可視光を照射する液晶配向膜の作成方法。 - 特許庁

To provide a method of forming a tantalum oxide capacitor which can enhance the property of step coverage of a tantalum oxide thin film, and can enhance the electric property of a capacitor by depositing a tantalum oxide and applying an atomic layer thin film deposition method.例文帳に追加

原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。 - 特許庁