「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer with excellent surface smoothness, has a thin film magnetic layer with the thickness of 0.03 to 0.30 μm optimum for short wavelength recording in particular and has an excellent electromagnetic conversion characteristic.例文帳に追加

表面平滑性に非常に優れる磁性層を有し、特に短波長記録に最適な厚み０．０３〜０．３０μｍの薄膜磁性層を有し、電磁変換特性に優れる磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a decoration sheet having a protrusion and recess pattern capable of accurately forming a desired print layer in a recess part of a base material sheet without dividing or transmitting a metal thin film layer.例文帳に追加

基材シート上の凹凸模様の凹部内に所望の印刷層を正確に形成することができ、また金属薄膜層が割れたり透けたりすることがない凹凸模様を有する装飾用シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of effectively suppressing permeation of moisture or oxygen into an organic light-emitting layer via a thin film sealing layer and capable of thinning thickness as a whole, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

本発明は、薄膜封止層を通して有機発光層に水分または酸素が浸透することを効果的に抑制すると共に全体的な厚さを薄型にした有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the thin film field-effect transistor is provided, in which at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, a source electrode, and a drain electrode are formed on a substrate and the source electrode and the drain electrode are provided on the active layer.例文帳に追加

基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of effectively suppressing permeation of moisture or oxygen into an organic light-emitting layer via a thin film sealing layer and capable of thinning thickness as a whole, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、薄膜封止層を通して有機発光層に水分または酸素が浸透するのを効果的に抑制すると共に全体的な厚さを薄型にした有機発光表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

In several aspects of the method, a thin-film oxide layer is superposed on the second silicon layer oxidized and formed by a high-density plasma excitation chemical vapor deposition treatment and the inductively coupled plasma source at a temperature lower than 400°C.例文帳に追加

この方法のいくつかの局面において、薄膜酸化物層は、酸化された第２のシリコン層の上に重なり、４００℃未満の温度で、高密度プラズマ励起化学蒸着処理および誘導結合プラズマソースによって形成される。 - 特許庁

To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor in which a polycrystalline silicon layer which comprises a large size of a crystal grain and a small amount of a residual metal catalyst is manufactured, and characteristics of the polycrystalline silicon layer can be controlled.例文帳に追加

結晶粒の大きさが大きく、残留する金属触媒の量が微量である多結晶シリコン層を製造でき、多結晶シリコン層の特性を制御することができる薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

A method is for manufacturing a bottom gate type thin film transistor 1, in which a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, a semiconductor active layer 13, a source electrode 14, and a drain electrode 15 are successively formed on a flexible plastic substrate 10.例文帳に追加

可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。 - 特許庁

In a film formation method or its film-formed body, a seed layer is formed on the thin film of iridium oxide for crystallization, lead-based Perovskite type oxide is formed on it, and TiOx, PT, PZT, and the like are used as the seed layer.例文帳に追加

酸化イリジウムの薄膜上にシード層を設けて結晶化し、その上に鉛系ペロブスカイト型酸化物を成膜することを特徴とし、シード層として、ＴｉＯx、ＰＴ、ＰＺＴなどを用いる成膜方法ないしその成膜体。 - 特許庁

On the negative electrode collector, a thin-film-like negative electrode active material layer containing germanium (Ge) as a main constituent is formed by a spattering method, or a negative electrode active material layer comprising powder containing germanium as a main constituent is formed.例文帳に追加

そして、負極集電体上に、スパッタ法によりゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分として含む薄膜状の負極活物質層、またはゲルマニウムを主成分として含む粉体からなる負極活物質層を形成する。 - 特許庁

The method for molding the textiles can form the textiles having any pattern and color by adhering the transfer layer to the fiber by sticking the thin film having the transfer layer to the fiber.例文帳に追加

本発明に係る繊維製品の成型方法は、転写層が設けられた薄膜を繊維に貼り合わせて、前記転写層を前記繊維に附着させて、いずれの模様及び色彩を有する繊維製品を形成することができる。 - 特許庁

This method evacuates a gas present in the interface between the surface layer member 1 and the foam 7 by puncturing a thin film part 12 formed in a part of the surface layer member 1 with a needle-like object 41 after the lapse of a specified time since the start of expanding the foamed resin.例文帳に追加

発泡樹脂の発泡開始から所定時間経過後に、表層部材１の一部に形成されている薄膜部12に針状物41を突き刺すことで、表層部材１と発泡体７の界面に存在するガスを抜く。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can prevent a semiconductor substrate of a device having a metal layer bonded to an electrode frame from cracking even when the metal layer to be stacked on the reverse surface of the semiconductor substrate is made thin.例文帳に追加

半導体基板の裏面に積層される金属層の厚みを薄くしても、電極フレームに金属層を接合したデバイスの半導体基板に割れが発生することを防止できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A chemical vapor deposition method comprises providing a thin silicon layer on the surface of an insulation-coated substrate before a tantalum-based barrier layer is formed from a mixture of a vapor-phase reactant comprising a tantalum halide and reducing gas.例文帳に追加

化学気相成長方法は、ハロゲン化タンタル及び還元ガスを含む気相反応物質の混合物からタンタルを基礎とするバリア層を成膜する前に絶縁被覆された基板の表面に薄いシリコンの層を備えることを含む。 - 特許庁

To provide a ceramic laminate, whose withstand voltage can be improved by a method where the thickness of an insulator layer is made uniform and its surface roughness (Ra) is reduced, even if the insulator layer is made thin.例文帳に追加

絶縁体層を薄層化した場合にも絶縁体層の厚みを均一化し且つ表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることにより、セラミック積層体の耐電圧を改善できるセラミック積層体およびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a hydrogen separation membrane having a thin and finely porous layer consisting of ceramic fine particles on the outermost surface layer part of a porous support body and greatly reducing pressure drop, and a manufacturing method of such a hydrogen separation membrane.例文帳に追加

セラミック微粒子から成る薄くて微細な多孔質層を多孔質支持体の最表層部に備え、圧力損失を大幅に低減することができる水素分離膜と、このような水素分離膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the photovoltaic element comprises the steps of forming an extra-thin film made of the amorphous silicon layer or the microcrystal silicon at an initial time of depositing the silicon on the transparent conductive film, and thereafter forming the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

透明導電膜上に、シリコンを堆積する初期にアモルファスシリコン層もしくは微結晶シリコンからなる極薄膜を成膜し、その後に光電変換層を形成する事を特徴とする光起電力素子の作製方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a metal magnetic thin film type magnetic recording medium which can be formed with sufficient adhesiveness by applying a lubricating layer on a protection layer comprising a hard film, which consists primarily of carbon, and is excellent in drive durability.例文帳に追加

炭素を主成分とする硬質膜からなる保護層上に潤滑層を塗布により密着性良く形成することができ、走行耐久性に優れる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A metal thin film layer having smoothness and serving as a catalyst is used in forming a transparent conductive film layer comprising graphene, thereby graphene having favorable quality is formed while a subsequent process of removing a metal thin film is simplified, and a transparent sheet having mass productivity and a method for producing the transparent sheet can be provided.例文帳に追加

グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which can inhibit a magnetic layer from being oxidized even when an oxide is formed on the magnetic layer that includes nonoxide with a sputtering technique suitable for a high-volume production; and to provide an apparatus for forming the thin film, and a laminated film having thereby controlled low RA value.例文帳に追加

量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、ＲＡ値が低く抑えられた積層膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method enabling surely cutting the sliver with a simple means on design, draft is increased at a draft zone (b) set at the front stage of a sliver outlet so as to start can changeover when a thin layer part 12' is provided in a overlap sliver and the thin layer comes at the outlet zone of the sliver outlet of a coiler plate.例文帳に追加

設計上簡単な仕方でスライバの確実な切断を可能にする方法を提供するために、重合スライバ内に薄肉部12′が生じてこの薄肉部がコイラプレートのスライバ排出口の出口区域に来たときにケンス交換が開始するように、スライバ排出口の前段に配置されたドラフトゾーンｂでドラフトを増す。 - 特許庁

In the production method for an electronic circuit board, a thin film substrate conductive layer 2 and a thin film substrate conductive layer 3 formed on an insulation board 1 are selectively etched with the etchant by spraying so as to form a circuit wiring 6A having a stable shape without causing side etch.例文帳に追加

そして本発明の電子回路基板の製造方法では、このエッチング液を用い、スプレー法で、絶縁基板１上に形成されている薄膜下地導電層２及び薄膜下地導電層３を選択的にエッチングし、サイドエッチのない、形状の安定した回路配線６Ａを形成するようにしている。 - 特許庁

To provide a power generation device that can be made larger in piezoelectric constant e_31 than when a piezoelectric layer is formed of an AlN thin film and also made smaller in relative permittivity and larger in piezoelectric constant e_31 than when the piezoelectric layer is formed of a PZT thin film; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて圧電定数ｅ_３１を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて、比誘電率を小さくできるとともに、より圧電定数ｅ_３１を大きくすることが可能な発電デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the image forming method, the nonmagnetic monocomponent toner T is supplied onto a developer carrier 41 while forming a thin layer with a regulation blade 42 made of metal, and an electrostatic latent image on an amorphous silicon photoreceptor as an image carrier 1 is developed to a toner image with the thin layer of the nonmagnetic monocomponent toner.例文帳に追加

画像形成方法は、上記非磁性１成分トナーＴを、現像剤担持体４１上に、金属製の規制ブレード４２を用いて薄層化しながら供給し、次いでこの薄層化した非磁性１成分トナーにより、像担持体１としてのアモルファスシリコン感光体上の静電潜像をトナー像に現像する。 - 特許庁

The buffer layer for the oxide superconductive thin film is formed through such a method wherein a CeO_2 buffer layer 2 of thickness 200 to 2,000 Å is formed on an R plane sapphire board 1 at a deposition speed of 40 to 350 Å/min and at deposition temperature of 630 to 780°C so as to obtain the oxide superconductive thin film having a high critical current density.例文帳に追加

酸化物超伝導薄膜用バッファ層において、Ｒ面サファイア基板１上に、２００Åから２０００Åの膜厚のＣｅＯ_２ バッファ層２を、４０Å／ｍｉｎから３５０Å／ｍｉｎの堆積速度と６３０℃から７８０℃の堆積温度で形成し、高臨界電流密度を得る。 - 特許庁

The manufacturing method of the light diffusing plate includes extrusion-molding the thermoplastic resin sheet while transferring a thin film of at least one layer on at least one side of the thermoplastic resin sheet so that at least one layer of the thin film contains the antistatic agent.例文帳に追加

本発明の製造方法は、このような光拡散板の製造方法であって、熱可塑性樹脂シートを押出成形すると共に、熱可塑性樹脂シートの少なくとも片面に少なくとも１層の薄膜を、前記薄膜のうち少なくとも１層が帯電防止剤を含有するように、転写することを特徴とする。 - 特許庁

In a laminate in which a vapor-deposited thin film layer 2 of an aluminum oxide and a gas barrier coating layer 3 are sequentially laminated on at least one surface of the base film 1 made of a polymer material, the vapor-deposited thin film of the aluminum oxide is formed by a reactive vapor- depositing method of a metal vapor and an oxidative gas.例文帳に追加

高分子材料からなる基材フイルム１の少なくとも一方の面に、酸化アルミニウムの蒸着薄膜層２、ガスバリア性被膜層３を順次積層した積層体において、該酸化アルミニウムの蒸着薄膜が金属蒸気と酸化性ガスとの反応性蒸着法で形成されたものからなることを特徴とする。 - 特許庁

In the thin-film capacitor, the electronic membrane component and a production method therefor, a plurality of dielectric layers are formed on an insulated substrate, while holding both the sides of a dielectric layer in the direction of laminating between electrodes, and each of dielectric layers is composed of an inorganic dielectric layer and an organic dielectric layer.例文帳に追加

絶縁基板上に、誘電体膜の積層方向の両面を電極で挟んだ誘電体層を、複数層形成した薄膜コンデンサであって、前記誘電体層が無機誘電体層と有機誘電体層で構成されている薄膜コンデンサ及び薄膜電子部品とその製造方法。 - 特許庁

To provide a plastic lens excellent in durability, shock resistance and abrasion resistance and a method for producing the plastic lens, with respect to a plastic lens having, on a plastic lens substrate, a primer layer, a hard coat layer and an organic anitreflection layer comprising an organic thin film in order from the surface of the plastic lens substrate.例文帳に追加

プラスチックレンズ基材上に、プラスチックレンズ基材の表面から順に、プライマー層、ハードコート層、有機薄膜で構成される有機系反射防止層を有するプラスチックレンズにおいて、耐久性、耐衝撃性、耐擦傷性に優れたプラスチックレンズおよびプラスチックレンズの製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the polycrystalline silicon thin film comprises a process of forming an amorphous silicon layer 2 on a glass substrate 1, a process of forming an aluminum layer 3 composed of a metal which eutectically reacts with silicon on the amorphous silicon layer 2, and a process of heating a laminated substrate.例文帳に追加

半多結晶シリコン薄膜の製造方法は、ガラス基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２上にシリコンと共晶反応する金属からなるアルミニウム層３を形成する工程と、積層基板を加熱する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a high recording density magnetic recording medium wherein problems of surface roughness and output of a magnetic layer are not generated even when the concentration of a magnetic paint is lowered corresponding to a thin layer magnetic layer by enhancing dilution stability when the magnetic paint is prepared, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁性塗料作製時における希釈安定性を向上することにより、薄層磁性層に対応して磁性塗料濃度を低くしても、磁性層の表面粗さや出力における問題を生ずることがない、高記録密度磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an electrophotographic photoreceptor by which a uniform thick layer free from coating defects can be formed through dip coating, while using a thin coating fluid for forming an electric charge generating layer or a middle layer which cannot attain high concentration, being low dispersibility.例文帳に追加

分散性が低く、高濃度にできない希薄な電荷発生層の形成用塗布液や中間層の形成用塗布液であっても、浸漬塗布により均一で塗布欠陥のない良好な厚い層を形成することができる電子写真感光体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed circuit board whereby a processing time required to thin the thickness of a copper layer to a desired thickness is small and a variation in the thickness of the copper layer after processing is less in the case of applying the processing to a lamination film on at least one side of an insulation film of which the copper layer is laminated.例文帳に追加

絶縁フィルムの少なくとも一方の面に銅層が積層された積層フィルムに対して、銅層を所望の厚さまで薄くする処理を行う際に、処理時間が短く、しかも処理後の銅層の厚さバラツキが小さいプリント配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate holder 300 is arranged facing targets 231, 232, 233 and 244 in the state of holding the plurality of substrates 10 for the magnetic recording disk when forming a thin film such as a base layer, a magnetic layer and a protective layer on the surface of the substrate 10 for the magnetic recording disk by a physical gas phase growth method.例文帳に追加

基板ホルダ３００は、磁気記録ディスク用基板１０の表面に下地層、磁性層、保護層などの薄膜を物理気相成長法により成膜する際に、複数枚の磁気記録ディスク用基板１０を保持した状態でターゲット２３１、２３２、２３３および２４４に対向配置される。 - 特許庁

To provide a method for forming a metallic layer such as copper which has excellent flexibility compatible with COF (chip-on-film) mounting as a metallized polyimide film when the metallic layer is formed on a long-sized conductive substrate such as a polyimide film with metallic thin film layer.例文帳に追加

金属薄膜層付ポリイミドフィルム等の長尺導電性基板に電気めっき法により金属層を形成する際に、金属化ポリイミドフィルムとしてＣＯＦでの実装に対応可能な優れた柔軟性を有する銅等の金属層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent cross leak of reaction gas by reducing low smoothness of a catalyst layer, manufacturing an electrolyte membrane capable of sufficiently covering the unevenness of the catalyst layer as the electrolyte membrane adjoined to the catalyst layer even if it is thin in the method of manufacturing a fuel cell having a membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体を備えた燃料電池の製造方法において、触媒層の低平滑性を緩和して、該触媒層に隣接する電解質膜として、厚さが薄くても触媒層の凹凸を充分に被覆できる電解質膜を作製し、反応ガスのクロスリークを防ぐ。 - 特許庁

To obtain a thin film magnetic head and its manufacturing method which enable track width restricting grooves which is formed, particularly, in an insulating layer to be formed so as to reach surely a lower core layer, and hence enable the magnetic pole layer to be properly grown by plating in the groove and recording characteristics to be improved.例文帳に追加

下部コア層上に形成される絶縁層は、その膜厚が厚く形成されているために、前記絶縁層にトラック幅規制溝を形成する際に、エッチングの制御を適性に行なうことが難しく、前記トラック幅規制溝の下には、絶縁層の一部が残されやすい。 - 特許庁

It is characterized to have a three dimensional shape formed with multi-layer resins including at least the resin layer having the barrier- property to the oxygen gas and the resin layer having the high moisture-proofing property, and the thin film is formed by a plasma furtherance formula CVD method on an entirety of a surface or a part of the surface.例文帳に追加

少なくとも酸素ガスバリア性を有する樹脂層と防湿性の高い樹脂層とを含む多層樹脂物で形成され、表面全体または表面の一部にプラズマ助成式ＣＶＤ法により薄膜を形成させた３次元形状を有することを特徴とする。 - 特許庁

Ni is prevented from being diffused upward by the diffusion stop layer 30, whereby the surface of the land 26 is hardly oxidized, and the gold layer 32 can be made thin through a flash plating method, so that a rigid and fragile layer of Au-Sn alloy or the like is hardly formed on a solder joint surface.例文帳に追加

拡散阻止層３０によりＮｉの上層拡散が阻止され、これによりランド部２６表面が酸化されにくくなる一方で、金層３２をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばＡｕ−Ｓｎ合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。 - 特許庁

After a thin oxide film sidewall 15 is formed on the sidewall of the gate electrode 13 and before a nitride film sidewall 16 is formed on the outside thereof, a silicon epi-layer 18a is formed and then a metal silicide layer 18 is formed from the silicon epi-layer 18a by a salicide method.例文帳に追加

ゲート電極１３の側壁に薄い酸化膜サイドウォール１５を形成した後で、その外側に窒化膜サイドウォール１６を形成するに先だって、シリコンエピ層１８ａの形成を行い、この後、シリコンエピ層１８ａからサリサイド法により金属シリサイド層１８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin and the density of threading dislocation in the SiGe layer incident to lattice mismatch of Si and SiGe can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図ることができ、かつ、ＳｉとＳｉＧｅとの格子不整合により発生するＳｉＧｅ層における貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This ion sensor used for a combustion nozzle of a gas turbine combustor and for the surface of other combustors has a dielectric layer and an electrode layer both formed using thin film coating, and this method enables electric connection to the electrode layer.例文帳に追加

本発明は、ガスタービン燃焼器の燃料ノズルおよび他の燃焼器の表面に使用されるイオンセンサであって、薄膜コーティングを用いて誘電体層および電極層の両方を形成するイオンセンサと、電極層への電気接続を可能にする方法とを提供する。 - 特許庁