「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A planar memory device and vertically oriented thin body devices are formed on a common semiconductor layer in a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子及びその半導体素子の製造方法において、平面型メモリ素子及び垂直に配向した薄いボディ素子が共通半導体層上に形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-quality, ultra-thin-film interface oxide layer 418 suitable for use as a high-permittivity gate insulating film 424 when manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造において高誘電率ゲート絶縁膜（４２４）として使用するのに適した高品質な超薄膜界面酸化物層（４１８）を形成する方法。 - 特許庁

ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR USING GATE INSULATION LAYER CONTAINING METAL OXIDE NANOPARTICLES IN PHOTOCURABLE TRANSPARENT POLYMER BY SOL-GEL AND PHOTOCURING REACTION, AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

ゾル−ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を含むゲート絶縁層を用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a Cu-Ga-based alloy powder with a low oxygen content for producing a light-absorbing thin film layer of a solar cell and a method for producing a sputtering target material.例文帳に追加

太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor provided with a protective film for simultaneously achieving both protection of a channel layer and restoration of TFT characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

チャネル層の保護と、ＴＦＴ特性の回復の双方を同時に実現することが可能な保護膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a paste composition which can be coated by a coating method as has been used so far, and can form a thin film-like dielectric layer.例文帳に追加

従来と同じ塗工方法を用いて塗布することが可能であり、かつ、薄膜状の誘電体層を形成することが可能なペースト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a reflection mask, a manufacturing method therefor and an aligner which has an absorber layer made sufficiently thin to reduce its influence on a pattern to be transferred onto a wafer.例文帳に追加

吸収体層の厚さを薄くしてウエハ上に転写されるパタンへの影響を小さくできる反射マスクとその製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing an organic thin film transistor having, on a substrate 1, a source electrode 7s, a gate electrode 3, a drain electrode 7d, an insulating film 5, and an organic semiconductor layer is provided.例文帳に追加

基板１上にソース電極７ｓとゲート電極３とドレイン電極７ｄと絶縁膜５と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for efficiently forming a liquid thin film on the surfaces of various structures and a method for forming an antifouling hydrophilic layer efficiently on the surface of a heat resistant structure such as a tile.例文帳に追加

各種構造体表面に液体薄膜を効率的に形成する方法及びタイル等の耐熱性構造体表面に防汚性親水層を効率的に形成する方法の提供。 - 特許庁

To provide a curtain spray apparatus in which a thin film having the stabilized coating film thickness of both sides of a coating liquid layer and the stabilized coating width is obtained, a curtain spray method and a recording medium manufactured by using the method.例文帳に追加

塗布液層の両サイドの塗布膜厚及び塗布幅が安定した薄膜が得られるカーテンスプレー塗布装置、カーテンスプレー塗布方法及びこの方法を使用し製造した記録媒体を提供する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of the thin-film magnetic head which can make an etching speed fast and improve a mask selection ratio without corroding a magnetic layer, and further a device used for the implementation of the method.例文帳に追加

磁性層に腐食を発生させることなく、エッチング速度が速く、対マスク選択比率も向上させることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法、及びその実施に使用する装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a donor sheet to which a semiconductor layer having excellent properties can be imprinted, the donor sheet, and a manufacturing method for an organic thin film transistor with excellent properties and little variation.例文帳に追加

特性の優れた半導体層を転写可能なドナーシートの製造方法、ドナーシート、及び特性が優れ、ばらつきが少ない有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor fabricated by a patterning method having a capability of forming a semiconductor channel layer of a submicron order, and a manufacturing method having mass productivity adaptable to a large area.例文帳に追加

サブミクロンオーダーの半導体チャネル層形成能力をもつパターニング方法により作製された薄膜トランジスタの提供、および大面積化に対応でき量産性のある製造方法を提供する。 - 特許庁

The cell culture scaffold 1 is provided with a biocompatible thin-film layer composed of a biocompatible material formed by a vapor-phase method such as a laser ablation method and having biocompatibility on the surface of a substrate.例文帳に追加

レーザーアブレーション法等の気相法によって形成された生体親和性を備えた生体親和性材料からなる生体親和性薄膜層を基材の表面に備えていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of removing a peripheral part of a laminated film in a thin-film solar cell panel including its base layer by using a laser scribe method.例文帳に追加

レーザースクライブ法を利用することにより、薄膜太陽電池パネルにおける積層膜の周縁部をその下地層を含めて除去する方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin film forming method using an atomic layer evaporation method, which is applied to the formation of a gate insulating film that has a high permittivity, is thermally stable, hard to be crystallized, and superior in film characteristics.例文帳に追加

比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reforming a magnesium oxide thin film formed by the application method to be advantageously used as a protective film for a dielectric layer of an alternated type plasma display panel.例文帳に追加

塗布法により形成した酸化マグネシウム薄膜を、交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有利に用いることができるように改質するための方法を提供する。 - 特許庁

In manufacture, the layer 22 of a thin film formed by a deposition method is worked by a semiconductor process (dry etching), and conductive materials, which are alternately provided between the layers 22, are formed as a film by an electroplating method.例文帳に追加

製造においては、堆積法で成膜した薄膜の圧電体層２２は半導体プロセス（ドライエッチング）で加工し、圧電体層２２間に交互する導電材料は電気メッキ法で成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded silicon wafer, which stops polishing in thin film formation with sufficient accuracy, improves variation in the thickness of an active layer of the bonded silicon wafer, and prevents overetching of an oxygen ion implanted layer in the silicon wafer for the active layer.例文帳に追加

薄膜化の際の研磨ストップを精度よく行い、貼り合わせシリコンウェーハの活性層厚さのばらつきを改善し、活性層用シリコンウェーハ中の酸素イオン注入層がオーバーエッチングされることを防止する貼り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device comprising the horizontal high breakdown voltage element, an SiC thin film layer 20 made of a material which has a wide band gap wider than that of a material of a semiconductor layer 2 by introducing impurities into the semiconductor layer 2 is formed.例文帳に追加

横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法においては、半導体層２に不純物を導入することで半導体層２の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるＳｉＣ薄膜層２０が形成される。 - 特許庁

This manufacturing method of a lower electrode, which is suitable for use in a ferroelectric capacitor on a substrate comprises a process for forming an adhesion layer on the substrate and a process for forming a platinum thin-film layer deposited on the adhesion layer at 300 to 800°C.例文帳に追加

基板上の強誘電性キャパシタにおいて使用するのに適した下部電極の製造方法であって、該基板上に接着層を形成する工程と、該接着層上に３００〜８００℃にて堆積されるプラチナ薄膜層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the molding process of the manufacturing method of the pneumatic tire, the cap rubber layer 11 is formed of a rubber composition containing alumina-containing cylindrical closed cells and a thin film rubber layer 30 containing no alumina-containing cylindrical closed cells is provided on the outer surface of the cap rubber layer 11 before performing a vulcanization process.例文帳に追加

成形工程にて、キャップゴム層１１をアルミナ入り筒状独立気泡を含むゴム組成物により形成するとともに、キャップゴム層１１の外表面に、アルミナ入り筒状独立気泡を含まない薄膜ゴム層３０を設けた後、加硫工程を行う。 - 特許庁

The manufacturing method for a low permeable hose formed by a first process for constituting the cylindrical laminate layer formed by winding the laminate film around a core material, and a second process for forming the thin film resin layer by means of powder fusing coating on an inner circumference by slipping the core material off from the cylindrical laminate layer.例文帳に追加

芯材にラミネートフィルムを巻いて筒状のラミネート層を構成する第１工程と、該筒状のラミネート層から芯材を抜いて、内周面に粉体溶融塗装により薄膜樹脂層を形成する第２工程とからなる低透過ホースの製造方法。 - 特許庁

A optical thin layer device 10 is made by a method in which a SiOx (0≤x≤2) layer 2 and a high refractive index film of 1.4-4 refractive index are laminated in turn on one side of a transparent plastic film 1, a SiOx (0≤x≤2) layer 5 is formed on the other side of the film 1.例文帳に追加

光学薄膜デバイス１０が、透明プラスチックフィルム１の一方の面に、ＳｉＯ_x（０≦ｘ≦２）層２及び屈折率１．４〜４の高屈折率膜が順次積層され、透明プラスチックフィルム１の他面にＳｉＯ_x（０≦ｘ≦２）層５が形成されてなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory.例文帳に追加

非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a metal foil having a filler-containing resin layer having a smooth surface and a thin insulation layer and serving as metal foil with an insulation layer, and to provide a method of manufacturing metal foil having a filler-containing resin layer which enables manufacturing metal foil having a filler-containing resin layer with good reproducibility and a large area.例文帳に追加

本件発明の目的は、表面が平滑で、且つ、薄い絶縁層を備える絶縁層付金属箔としてのフィラー含有樹脂層付金属箔を提供するとともに、このようなフィラー含有樹脂層付金属箔を再現性よく、且つ、広面積に製造可能なフィラー含有樹脂層付金属箔の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The metal thin film with plastic 100 has a support body 1, a first metal layer 2 formed on the support body 1 by a vapor deposition method, a second metal layer 3 formed on the first metal layer 2, and a resin layer 4 comprising an insulating resin composition formed on the second metal layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、支持体１と、該支持体１上に蒸着法により形成された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に形成された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層４とを備える樹脂付き金属薄膜１００を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor in which the oxide semiconductor layer is formed by forming a thin film of the oxide semiconductor or its precursor and then forming a resist pattern on the thin film, and patterning the thin film by removing the thin film outside than the resist pattern, the resist pattern is formed by using an electrostatic attraction type liquid discharging device.例文帳に追加

酸化物半導体またはその前駆体の薄膜を形成したのち、薄膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターン外の薄膜を除去することにより、薄膜のパターニングを行って酸化物半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、前記レジストパターンを、静電吸引方式の液体吐出装置を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film.例文帳に追加

絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。 - 特許庁

To provide a thin film EL element and its manufacturing method in which a highly displaying quality is obtained without yielding a high cost wherein problems that the reduction of light-emitting luminance, unevenness of the luminance and time-changes of the luminance of the thin film EL element occur are solved wherein a multi-layer dielectric layer is formed by solution coating and baking method using lead series dielectric materials.例文帳に追加

溶液塗布焼成法により鉛系誘電体材料を用いて多層誘電体層を形成した薄膜ＥＬ素子の発光輝度の低下や輝度ムラ、発光輝度の経時変化を生じる問題を解決し、高い表示品質が得られる薄膜ＥＬ素子とその製造方法を高コスト化することなく提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a lower electrode layer of a thin-film capacitor which is capable of preventing the surface of the lower electrode layer from becoming roughened so as to make it smooth, restraining dust from adhering to it, and making it undergo resist processing by a simple method in a process of forming the lower electrode of the thin-film capacitor.例文帳に追加

薄膜コンデンサの下部電極層を形成する工程において、簡単な方法で、下部電極層の表面の荒れを防止して平滑化を図ると共に、前記表面上へ塵が付着することを防止しつつ、レジスト加工処理を行なうことのできる薄膜コンデンサにおける下部電極層の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the image display device includes a process of forming a draw-out wiring C on a rear plate 1, and a process of forming a thin-film insulating layer 11 on the draw-out wiring C by a CVD method or a sputtering method.例文帳に追加

本発明の画像表示装置の製造方法は、リアプレート１上に引き出し配線Ｃを形成する工程と、引き出し配線Ｃ上に、ＣＶＤ法もしくはスパッタ法で薄膜絶縁層１１を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a forming method of a plated through-hole for controlling a thickness of a copper layer, which is conducted/connected to the plated through-hole to be thin and uniform, and to provide a manufacturing method of a multilayer wiring board, using the forming method.例文帳に追加

メッキスルーホールに導電接続される銅層の厚みを薄くかつ均一に制御することができるメッキスルーホールの形成方法、及び当該形成方法を利用した多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for a thin-film transistor, a sacrifice layer formed of a metal oxide semiconductor is formed over a conductive layer formed of a metal oxide semiconductor; a metal film is formed over the sacrifice layer; the metal film is processed by dry etching; and the sacrifice layer exposed by the dry etching is subjected to wet etching.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a crack initiation preventive method capable of preventing any large crack initiated at least in a part of bents of a paper container consisting of a laminate in which a polyethylene layer, a paper base material, a polyethylene layer, an aluminum thin film layer, and a polyethylene layer are successively piled up, and formed by bending a blank having a plurality of bents.例文帳に追加

ポリエチレン層と、紙基材と、ポリエチレン層と、アルミニウム薄膜層と、ポリエチレン層とを順次積層させた積層体からなり、複数の折り曲げ部を有するブランクを折り曲げて形成された紙容器の上記折り曲げ部の少なくとも一部に発生する大きなクラックを防止するクラック発生防止方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method contains a process for forming a resin layer 40 in a base plate 10; a process for forming recessed or flat top surfaces 41, 41' in the resin layer 40; a process for curing the resin layer 40; and a process for installing a thin film heater 30 on the top surfaces 41, 41' of the cured resin layer 40.例文帳に追加

本発明では、樹脂層（４０）をベースプレート（１０）に形成する工程と、樹脂層（４０）に凹状化もしくは平坦化した上面（４１，４１′）を構成する工程と、樹脂層（４０）を硬化させる工程と、硬化した樹脂層（４０）の上面（４１，４１′）に薄膜ヒータ（３０）を設ける工程とを含むようにしている。 - 特許庁

In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3.例文帳に追加

ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polishing method and device and a manufacturing method of a thin film magnetic head capable of polishing a substance to be polished so as to be a predetermined residual film thickness when a substrate surface having a insulation layer covering a magnetic substance layer and buried is polished and flattened until the magnetic substance layer is exposed.例文帳に追加

本発明は、磁性体層を被覆して埋め込んだ絶縁層を有する基板表面を、磁性体層が露出するまで研磨して平坦化する際、所定の残膜厚になるように被研磨物を研磨できる研磨方法及び装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an ultra-fine coaxial cable having improved adherence of an insulation-coating layer to a thin-film shield layer and good flex resistance by a very simple method that eliminates disadvantages of the conventional techniques and has a reduced environmental burden.例文帳に追加

本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、非常に簡便で環境負荷の少ない方法で絶縁被覆層と薄膜シールド層の密着性を改善し、優れた耐屈曲性を有する極細同軸線を製造することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic electroluminescent element having a thin-film structure layer containing a luminescent layer between a cathode and an anode, at least a part of the cathode is formed in a plasma jet method.例文帳に追加

陰極と陽極の間に発光層を含む薄膜構成層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、該陰極の少なくとも一部が、プラズマジェット法により形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a thin film solar battery and a method for installing the same capable of improving power generation efficiency by avoiding the reduction of a light quantity to be incident on a thin film photoelectric conversion layer in spite of the presence of surface reflected light, for improving light usability.例文帳に追加

表面反射光があっても、薄膜光電変換層に入射される光量を減少させないようにして、光利用効率を高めて、発電効率を高くすることができる薄膜太陽電池及びその設置方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a battery can and a method for producing the can which has no variation in a bursting pressure applied to a thin portion, imposes no risk of projection of the burst portion even if the thin portion is burst, and allows production using a steel plate that has a plated layer.例文帳に追加

薄肉部の開裂圧力にばらつきがなく、また薄肉部が開裂しても開裂部分が外側にはみ出るおそれがなく、さらにめっき層が形成された鋼板を用いて製造できる電池缶及びその製造方法を提供すること - 特許庁

The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).例文帳に追加

さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第２スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁