「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type buried layer 108 is formed at a part of a boundary between the p-type semiconductor substrate 106 and the n^--epitaxial layer 110 whereat at least the p-type well 114 is superposed when it is seen from the upper surface thereof.例文帳に追加

Ｐ型半導体基体１０６とＮ^−型エピタキシャル層１１０との境界の、上面から見て少なくともＰ型ウェル１１４と重なり合う部分にはＮ型埋め込み層１０８が形成されている。 - 特許庁

The optical parts are provided with a substrate 11 on which a core 12 and a clad layer 13 formed surrounding the core 12 are laminated, and the outer peripheral end of the upper face of the clad layer 13 is fringed with a conductor thin film 15.例文帳に追加

コア１２とコア１２の周囲を囲むように形成されたクラッド層１３とが積層された基板１１を備え、クラッド層１３の上面の外周端が導電体薄膜１５で縁取られている光部品。 - 特許庁

A heat conductive wedge-shaped stripping member 60 having a strip layer 70 formed on the upper face is inserted into a molten layer 74 on the lower face of the asphalt pavement 22 to strip the asphalt pavement 22 from the steel plate 12.例文帳に追加

そして、熱伝導性を有し、剥離層７０が上面に形成された楔状の剥離部材６０を、アスファルト舗装体２２下面の溶融した層７４に挿入して鋼板１２からアスファルト舗装体２２を剥す。 - 特許庁

An anode electrode film 20 is subjected to ohmic junction to a surface n+ region 16 formed on the surface layer above the upper-part n- layer 14, while being under to the p-region 15 as well at a part (not shown).例文帳に追加

アノード電極膜２０は、上部ｎ^- 層１４上の表面層に形成された表面ｎ^+ 領域１６に対してオーミック接合しており、また図示していない部分でｐ領域１５ともオーミック接合している。 - 特許庁

The laminated patterns 3 of the eaves structure are obtd. by executing patterning by the process of preventing the contact of the substrate surface with the water or the aq. soln. after successively depositing a lower layer resist 2 and an upper layer resist 4 on the substrate 1 having the large ruggedness.例文帳に追加

凹凸の大きい基板１に下層レジスト２、上層レジスト４を順次成膜した後、基板表面が水あるいは水溶液に接触しないプロセスによりパターニングして庇構造の積層パターン３を得る。 - 特許庁

An upper layer part of the sacrifice layer is etched to form recessed parts 58 of a width the same as the width of the ribbon member at intervals same as the intervals of the ribbon members, and projecting parts 60 of a width the same as the interval of the ribbon members are also formed.例文帳に追加

犠牲層の上層部をエッチングして、リボン部材の幅と同じ幅の凹部５８をリボン部材の間隔と同じ間隔で形成すると共に、リボン部材の間隔と同じ幅の凸部６０を形成する。 - 特許庁

A trench-type capacitor 1 is formed by stacking a lower electrode 3 (first electrode), a dielectric layer 4, an upper electrode 5 (second electrode), an insulation layer 6, and pad electrodes 7a and 7b in this order on a substrate 2.例文帳に追加

トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３（第１電極）、誘電体層４、上部電極５（第２電極）、絶縁層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。 - 特許庁

The gate insulating film comprises a first gate insulating film 30 as a lower layer and a second gate insulating film 32 as an upper layer having a higher etching rate than that of the first gate insulating film in order from the ground side.例文帳に追加

このゲート絶縁膜は、下地側から下層の第１ゲート絶縁膜３０と第１ゲート絶縁膜のエッチングレートより大なるエッチングレートを有する上層の第２ゲート絶縁膜３２から成る窒化シリコン膜である。 - 特許庁

A first disk substrate 1 made of a polycarbonate resin and having a chucking center hole 5 as well as an information recording layer 2 and a reflecting layer 3 on the upper face and having light transmitting property is formed into a business card size.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂から作成されチャッキング用中心孔５を有すると共に上面に情報記録層２及び反射層３を有しかつ光透過性を具備した第１ディスク基板１を名刺型に形成する。 - 特許庁

Then, the hole is filled with a conductive film 96 which is substantially on the same level with the upper surface of the lower electrode seed layer and formed through an electroplating process in which the lower electrode seed layer is used.例文帳に追加

次いで、ホール内部を、下部電極用シード層の上部表面と実質的に同一なレベル上の導電膜９６を下部電極用シード層を用いた電気メッキ工程を行って形成することにより充填する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device forming an upper layer bump on a lower layer bump without a grinding process, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は研削工程を経ることなく下層バンプ上に上層バンプを形成できる半導体素子及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

On a defective electroluminescent element 2b out of the plurality of electroluminescent elements 2, a covering organic layer 14 is formed between the organic lamination layer 13 and the upper common electrode 15.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス表示装置１では、複数のエレクトロルミネッセンス素子２のうちの不良のエレクトロルミネッセンス素子２ｂにおいて、有機積層体１３と上部共通電極１５との間に被覆有機層１４が設けられている。 - 特許庁

The coated metal sheet contains at least a metal sheet, a non-chromium type substrate coating film arranged on the metal sheet, a non-chromium type primer layer arranged on the substrate coating film and the upper coating film arranged on the primer layer.例文帳に追加

金属板と、該金属板上に配置された非クロム系下地塗膜と、該下地塗膜上に配置された非クロム系プライマー層と、該プライマー層上に配置された上層塗膜とを少なくとも含む塗装金属板。 - 特許庁

An emitter mesa (upper emitter layer) 6a and a base mesa 4a in a lower layer of a base electrode 8 are etched to be formed while including projecting areas (protruding portions) Pa, Pb and Pc in a terminal portion of an approximately rectangular area.例文帳に追加

エミッタメサ（上部エミッタ層）６ａおよびベース電極８の下層のベースメサ４ａを、略矩形状の領域の端部に、突起領域（飛び出た部分）Ｐａ、ＰｂおよびＰｃを有する形状となるようエッチングする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a three-dimensional semiconductor circuit, a conductive layer possessing a doped polysilicon layer at its upper part is formed, patterned, and annealed for the formation of the first single grain polysilicon terminal 16 of a semiconductor device.例文帳に追加

三次元半導体回路の製造方法は、ドープ・ポリシリコンを上側に有する導電層（１３）を設け、パターニングし、アニールすることによって、半導体素子の第１単粒子ポリシリコン端子（１６）を形成する。 - 特許庁

After forming an HSG film on the surface of a storage node exposed at the upper part of an insulation layer, by annealing the storage node at a crystallization temperature, the crystal state of a storage node surface layer is stabilized.例文帳に追加

絶縁層上部に露出したストレージノードの表面上にＨＳＧ膜を形成した後、ストレージノードを結晶化温度でアニーリングすることによりストレージノード表面層の結晶状態を安定化させる。 - 特許庁

To provide an electron emitting device which can make a metal layer arranged at the upper side of an electron-emitting means turn into an alloy layer surely containing cesium, when cesium atoms are emitted from a cesium source through heating.例文帳に追加

加熱によってセシウム源からセシウム原子を放出させたとき、電子放出手段の上方に配設された金属層を確実にセシウムを含む合金層とするができる電子放出装置を提供する。 - 特許庁

A conductive region 38, extending in the y-direction, is formed in the current constriction layer 32, and a conductive region 44, extending in the x-direction, is formed in the current constricting layer 40 of the upper DBR 18.例文帳に追加

電流狭窄層３２には、ｙ方向に延在する導電領域３８が形成され、上部ＤＢＲ１８の電流狭窄層４０には、ｘ方向に延在する導電領域４４が形成されている。 - 特許庁

In addition, the optical axis 6 of the polarizing layer 4 and the optical axis 7 of the light-shielding layer 5 are in parallel with each other and the visual angle control element is arranged so as to be in a slant angle of 45°C from upper right to lower left viewed from the front.例文帳に追加

また、偏光層４の光軸６および偏光層５の光軸７は互いに平行で、且つ視角制御素子を正面から見て右上−左下の斜め４５°の方向になるように配置されている。 - 特許庁

When the woodmeal board is molded by thermally pressing a formed mixture of woodmeal and a heat-curable resin, a porous material (nonwoven fabric) 6 is placed on a lower forming layer 5 and an upper forming layer 7 is formed on the porous material 6.例文帳に追加

木粉と熱硬化性樹脂との混合体をフォーミングしたものを熱圧して木粉ボードを成形するに際し、下フォーミング層５の上に、多孔質材（不織布）６を載せ、その上に上フォーミング層７を形成する。 - 特許庁

Since an ultraviolet lamp 27 is disposed on the upper stream side of a filter layer 21 in a treatment vessel 17, when the filter layer 21 is back-washed, the ultraviolet lamp 27 is simultaneously washed with a fluid for the back washing.例文帳に追加

紫外線ランプ２７を、処理槽１７内における濾過層２１の上流側に設けたので、濾過層２１を逆洗する際に、紫外線ランプ２７を同時に逆洗用の流体によって洗浄する。 - 特許庁

In the phase shift multilayer film 2, the layer 2a of the substrate 1 side (the lower side) is formed of the metal silicide compound relatively rich in metal, and the layer 2b of the upper side is formed of the metal silicide compound relatively poor in metal.例文帳に追加

位相シフト多層膜２のうちの基板１側（下側）の層２ａは相対的に金属リッチ組成の金属シリサイド化合物、上側の層２ｂは金属組成が相対的に低い金属シリサイド化合物である。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor element which makes it possible to easily form an episilicon layer while preventing the loss and crystal lattice collapse of a substrate due to etching in spacer formation when an upper-layer source/drain area is formed.例文帳に追加

上層ソース／ドレイン形成の際、スペーサ形成時のエッチングによる基板の損失及び結晶格子崩壊を防止してエピシリコン層を容易に形成しうる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thickness (a) of the core substrate 30 is set to 0.2 mm, the thickness (b) of a first interlayer insulation layer 50A on the upper surface side is set to 0.1 mm, and the thickness (c) of a second interlayer insulation layer 50B on the lower surface side is set to 0.1 mm.例文帳に追加

そして、コア基板３０の厚みａを０．２mmに、上面側の第１層間絶縁層５０Ａの厚みｂを０．１mmに、下面側の第２層間絶縁層５０Ｂの厚みｃを０．１mmに設定してある。 - 特許庁

A wiring 40 and a plating post 42 are covered with a resin insulation layer 46, the plating post and the resin insulation layer 46 are polished, and they are connected to an upper wiring 140 with the plating post 42 in between.例文帳に追加

配線４０及びめっきポスト４２を樹脂絶縁層４６で覆い、該めっきポスト及び樹脂絶縁層４６を研磨した上に、該めっきポスト４２を介して上層の配線１４０との接続を行っている。 - 特許庁

The lower layer 31 including MoSi_2 as a main component also has a function for preventing moisture or oxygen passing the upper layer 32 from invading the multilayered film 20, and is excellent from the viewpoint of oxidation resistance.例文帳に追加

このようにＭｏＳｉ_２を主成分とする下部層３１は、上部層３２を通過した水分や酸素が多層膜２０に侵入することを阻止する機能も有し、耐酸化性の観点でも優れたものとなっている。 - 特許庁

An input electrode pattern 7 and an output electrode pattern 8 are formed on the upper face of the insulating layer 18 (Fig. 1 (d)), and in addition, the insulating layer 18 is arranged on the patterns 7 and 8 by covering them (Fig. 1 (e)).例文帳に追加

絶縁層１８の上面に入力電極パターン７及び出力電極パターン８を形成し（図１（ｄ））、さらにこれらパターン７，８の上方にこれらを覆って絶縁層１８を設ける（図１（ｅ））。 - 特許庁

If the objective optical characteristics are judged as out of the allowance, the step S5 is then carried change the film thickness of the upper layer than the layer having the changed film thickness so as to obtain desired optical characteristics.例文帳に追加

目的とする光学特性が許容範囲に入っていないと判断された場合は、ステップＳ５に移行し、膜厚を変更した層より上層の膜厚を変更して所望の光学特性が得られるようにする。 - 特許庁

A fitting portion is formed on the lower end face of the first connecting column positioned at the lowermost level, and a thick covering layer 3a thicker than the covering layer on the lower portion of the base pillar 1 is formed on the upper portion of the base pillar 1 to be fitted with the fitting portion.例文帳に追加

最下位置の第１接続柱４ａの下端面に嵌合部を設け、その嵌合部と嵌合する台柱１の上側部分に、下側部分よりも厚みの大きい厚肉被覆層３ａを設ける。 - 特許庁

A conductive member 6 is formed on the substrate 1 and partitions 4 each having an upper part of a conductive layer part 4-1 and a bottom part of an insulating layer part 4-2 on the substrate 1 side are formed on the conductive member 6.例文帳に追加

基板１上に導電部材６を形成し、導電部材６上に、上部が導電性層部分４−１であり、基板１側の底部が絶縁性層部分４−２である隔壁４を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic head which has improved resistance properties against an external electric field noise by making a deformity part not to occur in a lower magnetic pole when forming the lower magnetic pole in a same shape with a lower shield layer and an upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層と同形に下部磁極を形成する際に、下部磁極に変形部が生じないようにして、外部の電界ノイズに対する耐性を向上させた磁気ヘッドとして提供する。 - 特許庁

In the lateral electric field type liquid crystal display device, a comb teeth end part (D part) of a pixel electrode 206 integrated with a source electrode is opened in the vicinity of a contact hole 212 between an upper layer common electrode 210 and a lower layer common signal wire 202.例文帳に追加

上層の共通電極２１０と下層の共通信号配線２０２間のコンタクトホール２１２の周辺において、ソース電極と一体化した画素電極２０６の櫛歯終端部（Ｄ部）は開放している。 - 特許庁

Since an inclined belt layer 24 is disposed only on an upper shoulder part side of a spiral belt layer 22, a part of low rigidity of the tread is brought into contact with the ground when a two-wheeler travels, and the ride comfort and the vibration absorption property are improved.例文帳に追加

スパイラルベルト層２２の上部ショルダー部側にのみ傾斜ベルト層２４を配置したので、直進走行時にはトレッドの剛性の低い部分が接地し、乗り心地性及び振動吸収性が向上する。 - 特許庁

The ground surface 1 is covered with a vegetation bedrock layer 4; the whole surface or periphery of the bedrock layer 4 is covered with an upper side wire net 5 whose mesh has a diameter of 16 mm or less; and the wire net 5 is fixed from above by means of an anchor pin 6.例文帳に追加

地盤面１を植生基盤層４で被覆し、該植生基盤層４の表面全体または周囲を径１６mm以下の網目の上側金網５で被覆し、その上からアンカーピン６で固定する。 - 特許庁

The resin film comprising a polyester resin is composed of an upper layer part with a double refractive index of 0.040-0.070 and a thickness of 1-4 μm and a lower layer part with a double refractive index of 0.035 or below and a thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂からなる樹脂皮膜が、複屈折率が０．０４０〜０．０７０である厚さ１〜４μｍの上層部と、複屈折率が０．０３５以下である厚さ１０〜２５μｍの下層部からなる。 - 特許庁

A GaN(gallium nitride) based semiconductor layer 15 containing an MQW(multiple quantum well) luminous layer 7 is subjected to the epitaxial growth on the upper surface of the sapphire substrate 1 and the side surface 101 and the bottom surface 102 of the step part 100.例文帳に追加

サファイア基板１の上面上ならびに段差部１００の側面１０１上および底面１０２上に、ＭＱＷ発光層７を含むＧａＮ系半導体層１５をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The TFT elements are connected in series, whereby the radiation detector is improved in OFF-state characteristics and capable of having redundancies to failures, such as a short circuit occurring between an upper and a lower member through the intermediary of an gate insulating layer or a short circuit in a semiconductor layer.例文帳に追加

ＴＦＴ素子を直列に接続することで、ＯＦＦ特性の改善を図り、また、ゲート絶縁層を介した上下間ショート、半導体層内のショートなどの不良に対しても冗長性を持たせる。 - 特許庁

In the fifth configuration example, the height of a resin coat 72 is higher than the height of an LED chip 61, and a cross-sectional shape of a mask 81 is formed so that its lower layer side is narrower than its upper layer side.例文帳に追加

この第５の構成例は、樹脂コート７２の高さがLEDチップ６１よりも高く形成され、マスク８１の断面形状が上層側よりも下層側の方が狭くなるように成形されている点が特徴である。 - 特許庁

A contact portion 13c (14d), which constructively connects between a polycrystalline silicon layer 13 and a fuse wiring portion 14, is located along the side portion 13a and a part of the upper surface portion 13b of the polycrystalline silicon layer 13.例文帳に追加

多結晶シリコン層１３とヒューズ配線部１４とを構造的に接続する接触部１３ｃ（１４ｄ）が、多結晶シリコン層１３の側面部１３ａおよび上面部１３ｂの一部上に沿って設けられている。 - 特許庁

This spoon-like eating implement includes a handle part and a dish-like recess part, wherein the dish-like recess part has a double-layer structure, and an upper layer part of the dish-like recess part is vertically movable by the pressure of a fluid or a mechanical element.例文帳に追加

柄部と皿状凹部を備えており、皿状凹部が二層構造となっており、皿状凹部の上層部が流動体の圧力または機械的要素によって上下に移動可能であるスプーン様喫食器具。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

To provide a measuring material for measuring a coefficient of absorption and an index of absorption of extreme UV light of a resist, a resist lower layer, a resist upper layer, a hard mask material, an antistatic material and the like; and to provide a measurement method.例文帳に追加

レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、ハードマスク材料、及び耐電防止材料等の極端紫外光の吸収係数や吸収率を測定するための測定材料と測定方法を提供する。 - 特許庁

This building plate 1 is constituted by providing a lower side paint layer 3 and an upper side paint layer 4 sequentially on a design surface 201 of an original plate 2 forming many protrusions 21, 22 and having the recessed and protruded pattern 203.例文帳に追加

建築板１は，多数の凸部２１，２２を形成してなる凹凸模様２０３を有する原板２の意匠表面２０１に，下側塗料層３及び上側塗料層４を順次設けてなるものである。 - 特許庁

In this structure, an FPC 10 is applied onto the upper surface of a base material 1 via an adhesive 2, and an insulating protection layer 4 is formed on a conductor layer 3 formed in a prescribed pattern by applying a thermoplastic resin.例文帳に追加

ＦＰＣ１０は、ベース材１の上面に接着剤２を介して貼着され、所定のパターンに形成された導体層３の上に熱可塑性樹脂の塗布により絶縁保護層４が形成された構造となっている。 - 特許庁

The lower resist layer 103 is composed of a resist material, which is not resolved by developer employed in a next process and which is provided with an ashing speed higher than that of the resist material constituting the upper resist layer 104.例文帳に追加

下層レジスト層１０３は、次工程で用いられる現像液には溶解しないレジスト材料であって、アッシング速度が上層レジスト層１０４を構成するレジスト材料のそれよりも速いレジスト材料でなる。 - 特許庁