「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

A rainwater storage structure 10 is comprised of a water tank formed by arranging an impervious sheet layer 12 at an internal surface of a recess on the ground, a weight layer 16 arranged at the lower part of the water tank and a multistory structure 14 on the weight layer 16 and an upper layer member 18 formed on the multistory structure.例文帳に追加

地面凹部内面に遮水シート層１２が配設されて形成される貯水槽、貯水槽の下部に設けられた錘層１６、錘層１６の上に形成された立体構造体１４及び立体構造体の上に形成された上層材１８を有する雨水貯留構造体１０とする。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

As for this plasma display panel 1 in which a first dielectric layer 7 to cover a display electrode 6 composed of a scanning electrode 4 and a sustaining electrode 5 and/or a second dielectric layer 12 to cover a data electrode 11 are made as a multi-layered structure, the upper layer of the multi-layered structure does not cover the edge of the lower layer.例文帳に追加

走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６を覆う第一誘電体層７および／または、データ電極１１を覆う第二誘電体層１２が、多層構造であるプラズマディスプレイパネル１において、多層構造の上層が、下層のエッジを覆わないように構成する。 - 特許庁

The cover material is a laminate material 7 comprising a base material 1 made of an easily moldable synthetic resin layer, a synthetic resin- made print supporter 2 disposed on the upper surface via an adhesive layer 4 and a sealant layer 3 disposed on the lower surface via an adhesive layer 5 wherein fine embossment is given to the laminate material 7.例文帳に追加

基材１が易成形性を有する合成樹脂層からなり、その上面にある接着層４を介して合成樹脂層からなる印刷支持体２を設け、同じく下面にある接着層５を介してシーラント層３を設けた積層材料７に微細なエンボス１０を施したことを特徴とする蓋材である。 - 特許庁

With a resist mask RM1 as an etching mask, a polysilicon layer 12, a silicon nitride film 5, a polysilicon layer 10, and a silicon oxide film 4 are removed selectively by dry etching, and the upper layer section of an SOI layer 3 is removed by a prescribed thickness for forming the trench 21 for separation at a portion corresponding to an opening OP1.例文帳に追加

レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、ポリシリコン層１２、シリコン窒化膜５、ポリシリコン層１０およびシリコン酸化膜４をドライエッチングにより選択的に除去し、さらにＳＯＩ層３の上層部を所定厚さ除去して、開口部ＯＰ１に対応する部分に分離用トレンチ２１を形成する。 - 特許庁

In a rice cooking pot 1, a primer layer 3 is formed on an inside surface of base metal 2 (happens to be plural layer), and an NEWPFA resin (end group processed perfluoroalkoxy resin) coating layer 4 is formed on an upper surface of the primer layer 3 (two layers inclusing second coating when necessary) in a range of a film thickness of 10 to l00 μm.例文帳に追加

炊飯釜１は、素地金属２（複層のこともある）の内表面にプライマ層３が形成され、該プライマ層３（場合によっては中塗を含めて二層）の上面にＮＥＷＰＦＡ樹脂（末端基処理済パーフルオロアルコキシ樹脂）コーテイング層４が、膜厚１０μｍ〜１００μｍの範囲で形成されている。 - 特許庁

The floor material made from vinyl chloride comprising the waterproof layer having a vinyl chloride resin layer integrally at the upper part, and the surface layer provided integrally on the vinyl chloride resin layer, and suitable for construction to a concrete-based backing, can remarkably shorten the construction period and excels in preventing the odor development.例文帳に追加

塩化ビニル樹脂層を上部に一体化して有する防水層、及びこの塩化ビニル樹脂層の上に一体化して設けられた表面層からなる、コンクリート系下地への施工に適した塩化ビニル製床材は、工期を著しく短縮することが可能で且つ臭気発生の防止にきわめて優れている。 - 特許庁

The three-dimensional semiconductor capacitor comprises a lower electrode 22 formed on a lower structure 21, a buffer layer 23 formed on the surface of the lower electrode 22 and containing a group-V oxide, a dielectric layer 24 formed on the buffer layer 23, and an upper electrode 25 formed the dielectric layer 24.例文帳に追加

また、本発明の３次元半導体キャパシタは、下部構造体２１上に形成された下部電極２２と、下部電極２２の表面に形成され、かつ、Ｖ族酸化物を含むバッファ層２３と、バッファ層２３上に形成された誘電体層２４と、誘電体層２４上に形成された上部電極２５と、を備える。 - 特許庁

The fluidization-resisting construction method against ground liquefaction relates to the foundation footing 1 supported on a pile foundation 2 in the ground 3, and a drain 25 is formed between a liquefaction layer 27 forming a lower layer in the ground 3 and a non-liquefaction layer 28 forming an upper layer.例文帳に追加

地盤３中にあって杭基礎２に支持される基礎フーチング１に関する、地盤液状化による流動化対策の工法であって、前記地盤３のうち下層をなす液状化層２７と上層をなす非液状化層２８中との間にドレーン２５を設けることを特徴とする流動化対策工法。 - 特許庁

The original plate of the lithographic printing plate has an organic compound layer, which is treated with an aqueous solution containing an organic acid or alkaline metal ions, and an image recording layer developable with the dampening water and/or the ink as an upper layer of the organic compound layer, on a substrate for the lithographic printing plate obtained by anodizing an aluminum plate.例文帳に追加

アルミニウム板に陽極酸化処理を施して得られる平版印刷版用支持体上に、有機化合物層を有し、該有機化合物層を、有機酸またはアルカリ金属イオンを含む水溶液で処理し、その上層に、湿し水および／またはインキで現像可能な画像記録層を有する平版印刷版原版。 - 特許庁

The extension structure of an intrusion path that makes intrusion of a corrosion-causing substance delay is provided between the part of a fuse wiring 1 that is positioned at the periphery of a fuse opening 3 and a via hole 2 that electrically connects its end to the wiring layer in the upper layer or lower layer close to a fuse wiring layer.例文帳に追加

ヒューズ配線１において、ヒューズ開口部３の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続するビアホール２までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長構造を設けた。 - 特許庁

A lower electrode 31 contacting the insulating layer 21, a piezoelectric film 41, and an upper electrode 51 are provided in this order from the insulating layer 21 side on regions corresponding to the plurality of recesses 12 on the insulating layer 21 of the base 10 respectively, thereby configuring a vibration detecting layer 40 to form a diaphragm having a uniform thickness.例文帳に追加

ベース部１０の絶縁層２１上において複数の凹部１２にそれぞれ対応する領域には、絶縁層２１側から順に、絶縁層２１に接する下部電極３１、圧電膜４１、および、上部電極５１が設けられて振動検出層４０が構成され、均一な厚さのダイアフラム部が形成される。 - 特許庁

This magnetic memory device has a TMR element 18 provided with an upper magnetic layer 17 which is magnetized perpendicularly to a film face direction of the layer 17 and a lower magnetic layer on both sides of a nonmagnetic layer 16, and a bit line 21 and metallic wiring 19 respectively provided above and below the TMR element 18 so that the line 21 and the wiring 19 may interest each other.例文帳に追加

膜面方向に垂直な方向に磁化される上磁性層１７、下磁性層１５が非磁性層１６の両側に設けられたＴＭＲ素子１８と、ＴＭＲ素子１８の上方、下方にそれぞれ位置し、互いが交差するように設けられたビット線２１、メタル配線１９とを有する。 - 特許庁

The photo-detector composed of an avalanche photodiode (APD) having an embedded mesa structure is composed of a first embedded layer 110a wherein an embedded layer around a first mesa 109 formed on a substrate 101 is low resistance, and a second embedded layer 110b of high resistance formed on an upper part of the first embedded layer.例文帳に追加

埋込みメサ型構造を有するアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）からなる受光素子は、基板１０１上に形成された第１メサ１０９の周囲の埋込み層が低抵抗の第１埋込み層１１０ａとその上部に形成された高抵抗の第２埋込み層１１０ｂとで構成されている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device including two kinds of resistors comprises a lower electrode, a first resistance layer exhibiting at least two resistance patterns formed on the lower electrode, a second resistance layer having threshold switching characteristics formed on the first resistance layer, and an upper electrode formed on the second resistance layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されて２種以上の抵抗パターンを示す第１抵抗層と、第１抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第２抵抗層と、第２抵抗層上に形成された上部電極と、を備える二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

The junction FET 1 includes a n^- layer 11 in a drift region of the junction FET 1, formed on the main face of n^+ substrate 12 of silicon carbide, a p^+ layer 9 in a gate region, joined and formed onto the n^- layer 11 in the drift region, and a gate electrode 14 provided on the upper layer of the n^+ substrate 12.例文帳に追加

接合ＦＥＴ１は、炭化珪素からなるｎ^＋基板１２の主面に形成された接合ＦＥＴ１のドリフト領域のｎ^−層１１と、ドリフト領域のｎ^−層１１に接合して形成されたゲート領域のｐ^＋層９と、ｎ^＋基板１２の上層に設けられたゲート電極１４と、を有している。 - 特許庁

In the absorber made by covering a mixed layer of a fiber and an absorptive polymer with an upper layer sheet and a lower layer sheet, the absorbent polymer is formed of a liquid permeable high absorbency polymer and a high absorbency polymer featuring a large absorption quantity is applied to the top face of the lower layer sheet.例文帳に追加

繊維と吸水性ポリマーとの混合層を上層シートと下層シートにより被覆して成る吸収体において、前記吸水性ポリマーを通液性のよい高吸水性ポリマーで構成すると共に、前記下層シートの上面に吸収量のよい高吸水性ポリマーを塗設して吸収体を作製する。 - 特許庁

This liquid crystal display device is produced by forming scanning lines, gate electrodes 3a, signal lines 7 and thin film transistors on a transparent first substrate, forming color filters 9R, 9G, 9B as an upper layer all over the substrate including the aforementioned elements, forming an overcoat layer 10 on the color filters, and arranging pixel electrodes 11 and COM electrodes in the same layer on the overcoat layer.例文帳に追加

透明な第１の基板の上に走査線、ゲート電極３ａ、信号線７，薄膜トランジスタを形成し、これらを含む全体の上層にカラーフィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂを設け、カラーフィルタ上にオーバーコート層１０を形成し、このオーバーコート層上に画素電極１１とＣＯＭ電極を同じ層に配置する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having at least one magnetic recording layer containing magnetic particles on a supporting body, a lubricant- contg. layer containing each ≤100 μl/m2 of diacetone alcohol and/or ethylene glycol diacetate and/or 1-acetoxy-2-methoxyethene is formed as an upper layer on the face where the magnetic recording layer is formed.例文帳に追加

支持体上に少なくとも一層の磁性粒子を含む磁気記録層を有する磁気記録媒体において、該磁気記録層側の上層にジアセトンアルコールおよび／またはエチレングリコールジアセテートおよび／または１−アセトキシ−２−メトキシエタンを各１００μｌ／ｍ^2 以下の量含む滑り剤含有層を有する透明磁気記録媒体。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board (10) is arranged such that an external pad 41 is formed on a substantially flat part of the second conductor layer 35 in a built-up layer 30, and an internal pad 43 is formed on the upper surface part of a field via 36 produced by filling a via hole formed in the second conductor layer 35 of the built-up layer 30 with copper plating.例文帳に追加

多層プリント配線板１０では、エクスターナルパッド４１はビルドアップ層３０の第２の導体層３５の略平坦な部分に形成され、インターナルパッド４３はビルドアップ層３０の第２の導体層３５に形成されたビアホールを銅めっきで充填したフィルドビア３６の上面部分に形成されている。 - 特許庁

The substrate includes a resin layer 100, wiring layers 101-107 buried in the upper surface of the resin layer 100, and semi-cured vias 108, 109 having a sintering temperature equal to or lower than the softening temperature of the resin layer 100, and having one end in contact with the wiring layers 102, 106 and the other end exposed from the lower surface of the resin layer 100.例文帳に追加

樹脂層１００と、樹脂層１００の上面に埋設された配線層１０１〜１０７と、樹脂層１００の軟化温度以下の焼結温度を有し、配線層１０２，１０６に一端が接触し且つ樹脂層１００の下面から他端が露出した半硬化状態のビア１０８，１０９とを備える。 - 特許庁

The upper magnetic pole of the ID head has a structure wherein a third magnetic layer 11 consisting of the CoNiFe plated film or the like is laminated by adopting a first magnetic layer 13 consisting of the CoNiFe film, the CoNiFeX film or the like film-formed by the physical vapor growth method and a second magnetic layer 14 consisting of a NiFe layer or the like as the seed layers.例文帳に追加

ＩＤヘッドの上磁極を、物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜などの第１の磁性層１３、ＮｉＦｅ層などの第２の磁性層１４をシードレイヤーとし、ＣｏＮｉＦｅめっき膜などからなる第３の磁性層１１を積層する構造とする。 - 特許庁

The process of forming the piezoelectric element 54 includes the process of forming a lower electrode 4 above the diaphragm, the process of forming an orientation layer 7 above the lower electrode, the process of forming a piezoelectric layer 5 above the orientation layer, and the process of forming an upper electrode 6 above the piezoelectric layer.例文帳に追加

前記圧電素子５４を形成する工程は、前記振動板の上方に下部電極４を形成する工程と、前記下部電極の上方に配向層７を形成する工程と、前記配向層の上方に圧電体層５を形成する工程と、前記圧電体層の上方に上部電極６を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The elastic pavement body 10 is formed by laminating an upper layer elastic layer 2 containing a urethane binder, rubber chips and/or rubber powder, and aggregate, on a lower layer elastic layer 1 containing an asphalt-based binder including asphalt and an ethylene vinylacetate copolymer (EVA), rubber chips and/or rubber powder, and aggregate.例文帳に追加

アスファルトおよびエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を含むアスファルト系バインダーと、ゴムチップおよび／またはゴム粉末と、骨材とを含有する下層弾性層１と、ウレタンバインダーと、ゴムチップおよび／またはゴム粉末と、骨材とを含有する上層弾性層２とが積層されてなる弾性舗装体１０である。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes a substrate 10, a lower electrode 20 formed above the substrate 10, the piezoelectric layer 30 formed above the lower electrode 20, an upper electrode 40 formed above the piezoelectric layer 30, a protection layer 60 formed on the lateral sides of the piezoelectric layer 30, and a self-organized monomolecular film 70 formed on the side of each of the protection layer 60 not facing the piezoelectric layer 30.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された下部電極２０と、下部電極２０の上方に形成された圧電体層３０と、圧電体層３０の上方に形成された上部電極４０と、圧電体層３０の側面に形成された保護層６０と、保護層６０の圧電体層３０と反対側の面に形成された自己組織化単分子膜７０と、を含む。 - 特許庁

In the multi-layer butt weld joint of a steel plate having a thickness of 50 mm or more, at least one weld layer among weld layers between surface weld layer and rear surface weld layer has a toughness superior than that of the other weld layers by being imparted with tempering effect when its upper layer is welded, and functions as a breakage resistant layer suppressing or stopping the propagation of brittle crack.例文帳に追加

板厚５０ｍｍ以上の鋼板の多層盛突合せ溶接継手において、表面溶接層と裏面溶接層間の溶接層のうち、少なくとも一つの溶接層が、その上層の溶接層の溶接の際に焼戻し効果を付与されて他の溶接層より優れた靭性を有し、脆性き裂の伝播を抑制又は止める破壊抵抗層として機能する多層盛突合せ溶接継手とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a plurality of integrated photosensors arranged on the same substrate, each composed of at least a lower electrode layer 103, a semiconductor layer 105 and an upper electrode 107, comprises a step of forming an insulation film 108 on the surface of the electrode layer or the semiconductor layer and a step of scribing at least the electrode layer or the semiconductor layer, starting from the insulation film 108.例文帳に追加

少なくとも下部電極層１０３と、半導体層１０５と、上部電極層１０７とからなる光起電力素子を同一基板上に複数配列してなる集積型光起電力素子の製造方法において、電極層または半導体層の表面に絶縁膜１０８を形成する工程と、絶縁膜１０８側から少なくとも電極層または半導体層をスクライブする工程とを有する。 - 特許庁

The optical waveguide has the wettability changing layer which varies in wettability through the operation of a light catalyst accompanying energy irradiation so that the angle of contact with liquid decreases and contains no light catalyst, a core layer which is patterned on the wettability changing layer, and an upper clad layer which is so formed on the wettability changing layer as to cover the core layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により液体との接触角が低下するように濡れ性が変化し、かつ光触媒を含まない濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層上にパターン状に形成されたコア層と、前記コア層を覆うように濡れ性変化層上に形成された上部クラッド層とを有することを特徴とする光導波路を提供する。 - 特許庁

The capacitor is formed by forming a lower metal layer of at least one kind of valve metal selected from aluminum, tantalum, niobium, tungsten, vanadium, bismuth, titanium, zirconium or hafnium, a dielectric layer composed of an oxide of valve metal in the lower metal layer, an intermediate layer of solid state electrolyte, and an upper metal layer of electrode metal sequentially on an underlying wiring layer in a circuit board.例文帳に追加

回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも１種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting display device capable of protecting a pixel zone and minimizing contact resistance between an upper electrode and an upper electrode power source line by effectively removing an organic layer outside the pixel zone upon connecting the upper electrode with the upper electrode power source line and improving light-emitting characteristics of an organic light-emitting element, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when the auxiliary capacitor upper electrode 81b is exposed to the PE atmosphere during the process, the presence of the Mo layer 18b_2 on the surface of the auxiliary capacitor upper electrode 18b prevents damages on the auxiliary capacitor upper electrode 18b, which reduces short circuits between the auxiliary capacitor upper electrode 18b and the auxiliary capacitor electrode 18a.例文帳に追加

途中で補助容量上電極１８ｂが露出してＰＥ雰囲気に曝されても、補助容量上電極１８ｂの表面にはＭｏ層１８ｂ_２が存在しているために補助容量上電極１８ｂはダメージを受けず、補助容量上電極１８ｂと補助容量電極１８ａとの間の短絡が少なくなる。 - 特許庁

The bias magnetic layer 13 has a film thickness thicker than that of the laminate 2, and at least either of the upper and lower shield electrode layers 3 and 4 has an auxiliary shield layer 3b which shields level difference parts 16a and 16b formed by the laminate and the bias magnetic layer.例文帳に追加

バイアス磁性層１３は積層体２より大きな膜厚を有し、上部及び下部シールド電極層３，４の少なくとも一方は、積層体とバイアス磁性層とによって形成される段差部１６ａ，１６ｂを埋める補助シールド層３ｂを有している。 - 特許庁

An upper insulation layer 15 is provided between a ferroelectric layer 14 and a gate electrode 16, reducing leakage current path from the ferroelectric layer 14 to the gate electrode 16, so that leakage current is reduced significantly, to improve the retention property of the memory device.例文帳に追加

強誘電体層１４とゲート電極１６間に上部絶縁層１５を設けることにより、強誘電体層１４からゲート電極１６へのリーク電流経路を低減し、リーク電流を大幅に低減することにより、メモリ素子のリテンション特性を改善する。 - 特許庁

A gate control type field emission structure comprises an emitter electrode (46), an electric insulating layer (48) to form the upper layer, and one or two or more electron emitting elements (52) installed in one or two or more aperture portions extended penetrating this insulating layer.例文帳に追加

ゲート制御式電界放出構造が、エミッタ電極（４６）、上層をなす電気的絶縁性層（４８）、この絶縁性層を貫通して延在する１または２以上の開口部分内に設置された１または２以上の電子放出性素子（５２）を有する。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of preventing certainly short circuit between a lower electrode layer and an upper electrode layer without degrading productivity, even in the case a liquid object is filled and a functional layer is formed in a region surrounded by a barrier rib.例文帳に追加

隔壁で囲まれた領域内に液状物を充填して機能層を形成する場合でも、生産性を低下させることなく、下部電極層と上部電極層との短絡を確実に防止できる発光装置、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The microstructure is manufactured through the steps of forming the lower electrode over the substrate, forming a sacrificial layer over the lower electrode, forming the upper electrode over the sacrificial layer, and removing the sacrificial layer by etching to form the space.例文帳に追加

前記微小構造体は、前記基板上に前記下部電極を形成し、前記下部電極上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に上部電極を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記空間部分を形成することによって作製される。 - 特許庁

The conduction layer 9 is separated from the electrode 6 by the second insulating layer 10, is jointed from the upper face of the semiconductor substrate at a position where the insulating layer 5 is not formed and a part is formed to exist in a position sandwiched by the electrode 6 and the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで導電層９は、電極６とは第２絶縁層１０によって隔絶され、半導体基板上面とは絶縁層５の非形成位置で接合され、その一部は電極６と半導体基板の間に挟まれた位置に存在するように形成される。 - 特許庁

Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加

まず、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第１のメッキレジスト膜１１の開口部１２内における下地金属層６の上面に再配線７を形成する。 - 特許庁

This light emitting element includes a light transmissive lower electrode formed on the resin base material, a light emitting layer, and an upper electrode, and the light emitting element includes a layer comprising at least silicon oxynitride film between the light emitting layer and the resin base material.例文帳に追加

樹脂基材上に形成された光透過性を有する下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子であって、該発光層と該樹脂基材の間に少なくとも酸窒化珪素膜からなる層を有することを特徴とする発光素子。 - 特許庁

A through-opening part 77 reaching an interconnection formed from the upper layer of the semiconductor wafer 31 side to the lowermost layer semiconductor wafer 45 is formed, and exposing the interconnection formed on the lowermost layer semiconductor wafer 45 forms an electrode pad part 78.例文帳に追加

また、上層の半導体ウェハ３１側から最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線に達する貫通開口部７７を形成し、最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線を露出させることにより電極パッド部７８を形成する。 - 特許庁

Since the write operation by the main pole layer 12 is carried out in the upper main pole layer 12B mainly at the medium outflow side, the expansion of the recording pattern due to the skew is suppressed as compared with the case the saturated flux density of the whole main pole layer 12 is larger.例文帳に追加

主磁極層１２による書き込みは、主に媒体流出側の上部主磁極層１２Ｂにおいて行われるため、主磁極層１２全体の飽和磁束密度が大きい場合と比較して、スキューに起因する記録パターンの拡大が抑制される。 - 特許庁

This sheet for ink jet recording has a constitution wherein an adhesive layer containing a hydrophilic resin, an intermediate layer constituted mainly of polyvinyl acetal and an upper layer containing a non-dyeing pigment as the main pigment are provided, in the order of shorter distance to the base, on the base having transparency.例文帳に追加

透明性を有する基材上に、該基材に近い順に、親水性樹脂を含有する接着層、ポリビニルアセタールを主成分とする中間層および主顔料として非染着性顔料を含有する上層が設けられているインクジェット記録用シート。 - 特許庁

Each conductive plug 15 of the cross-sectional form of almost a rectangle is connected between each upper Al wiring layer 14 and each lower Al wiring layer 13, but the plug 15 is formed in such a way that the half length of the plug 15 squeezes out from the layer 13.例文帳に追加

横断面形状が概略長方形の導電性プラグ１５は上層Ａｌ配線層１４と下層Ａｌ配線層１３間に接続されるが、導電性プラグ１５は下層Ａｌ配線層１３から半分の長さがはみ出すように形成される。 - 特許庁

A light-reflecting layer 4 defining reflective display regions 31 and transmissive display regions 32 is formed in pixel regions 3, and a thickness- adjusting layer 6 having an opening 61 in regions corresponding to the transmissive display regions 32 is formed at the upper layer side.例文帳に追加

画素領域３には、反射表示領域３１および透過表示領域３２を規定する光反射層４が形成され、その上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっている層厚調整層６が形成されている。 - 特許庁

When the cork layer 1a and a core sheet 1b are respectively used as upper and lower layers to be laminated integrally, the cork layer 1a mixed with a resin binder and sheetlike rubber cloth are superposed one upon another to be vulcanized and molded to form a coating film 1c on the surface of the cork layer 1a.例文帳に追加

コルク層１ａを上層とし、芯板１ｂを下層として積層一体化させるとき、樹脂バインダーを混合したコルク層１ａと、板状ゴム生地とを重ね合わせて加硫形成し、前記コルク層１ａの表面に皮膜１ｃを形成せしめる。 - 特許庁