1153万例文収録!

「voltage node」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > voltage nodeに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

voltage nodeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1098



例文

The reference voltage generator provides a reference voltage, corresponding to an intermediate value between a maximum voltage and a minimum voltage of the filtered pulse width modulated signal, to a reference node of the load to reduce a DC component of the filtered amplified pulse width modulated signal.例文帳に追加

基準電圧発生器はフィルタリングされたパルス幅変調信号の最大電圧と最小電圧との中間値に相応する基準電圧を負荷の基準ノードに提供して、フィルタリングされたパルス幅変調信号のDC成分を減少させる。 - 特許庁

During a period when a high voltage is applied based on the voltage of the detection node A, the first switch SW11 is turned on and the second switch SW12 is turned off, and during a period when a low voltage is applied to the detection node A, the first switch SW11 is turned off and the second switch SW12 is turned on.例文帳に追加

そして、検出ノードAの電圧に基づいて高電圧が印加される期間には、第1スイッチSW11をオン、第2スイッチSW12をオフとし、検出ノードAに低い電圧が印加される期間には、第1スイッチSW11がオフ、第2スイッチSW12がオンされるように構成する。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory device, voltage of an odd number (or even number) sense node out of sense nodes of a page buffer is varied according to a state of a corresponding memory cell during a first sense period, while voltage of an even number (or odd number) sense node is fixed at a predetermined voltage.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体メモリ装置によると、ページバッファの感知ノードのうちの奇数(又は偶数)感知ノードの電圧は、第1感知区間の間、対応するメモリセルの状態によって変わる一方、偶数(又は奇数)感知ノードの電圧は、第1感知区間の間、特定電圧に固定される。 - 特許庁

The voltage supply circuit 70 receives a test mode signal TE of a H level and supplies the threshold value voltage of the N channel MOS transistor 73 to the node 38 connected to a cell Vcc line of a memory cell MC 11, and receives a test mode signal TE of a L level, and supplies external power source voltage to the node 38.例文帳に追加

電圧供給回路70は、Hレベルのテストモード信号TEを受けてメモリセルMC11のセルVcc線に接続されたノード38にNチャネルMOSトランジスタ73のしきい値電圧を供給し、Lレベルのテストモード信号TEを受けてノード38に外部電源電圧を供給する。 - 特許庁

例文

A resistance load circuit 103 provided between the second node and a third node obtains output voltage Vref that is not varied by variation in a potential Vdd and a change in temperature.例文帳に追加

第2のノードと第3のノードとの間に設けられた抵抗性負荷回路103によって、電位Vddの変動や温度の変動によって変動しない出力電圧Vrefが得られる。 - 特許庁


例文

When the positive voltage charge pump 200 is deactivated, the decouple capacity CDEC1 is cut off from an output node Nout+ by the P-channel MOS transistor 108 before the potential of the output node Nout+ is lowered.例文帳に追加

正電圧チャージポンプ200が非活性化される際に、出力ノードNout+の電位が降下する前に、PチャネルMOSトランジスタ108によってデカップル容量C_DEC1は出力ノードNout+から切り離される。 - 特許庁

Then, by applying data voltage Vdata to a data line X which is coupled in capacitance to the node N1, data writing is conducted to capacitors C1 and C2 connected to the node N1 using the offset level as a reference.例文帳に追加

つぎに、ノードN1と容量結合したデータ線Xにデータ電圧Vdataを供給することにより、ノードN1に接続されたキャパシタC1,C2に対して、オフセットレベルを基準としたデータの書き込みを行う。 - 特許庁

The delay circuit suppresses variation of the output node of the inverter circuit corresponding to an odd-stage downstream inverter circuit until the voltage of the output node or the output signal of the downstream inverter circuit is inverted in logic.例文帳に追加

遅延回路において、出力ノードの電圧または奇数段下流のインバータ回路の出力信号が論理反転するまで、この対応のインバータ回路の出力ノードの変化を抑制する。 - 特許庁

Then, by applying data voltage Vdata to a data line X which is coupled in capacitance to the node N1, data writing is conducted to capacitors C1 and C2 connected to the node N1 using the offset level as a reference.例文帳に追加

つぎに、ノードN1と容量結合したデータ線Xにデータ電圧Vdataを供給することにより、ノードN1に接続されたキャパシタC1,C2に対して、オフセットレベルを基準としたデータの書き込みを行う。 - 特許庁

例文

An MOS capacitor (6) is provided in an internal node (ND7) for sampling an input signal (IN) of a small amplitude, and signal voltage of the internal node is selectively boosted by a charge pump operation of the MOS capacitor.例文帳に追加

小振幅の入力信号(IN)がサンプリングされる内部ノード(ND7)にMOS容量(6)を設け、このMOS容量のチャージポンプ動作により、内部ノードの信号電圧を選択的に昇圧する。 - 特許庁

例文

When the SRAM array 22 is in an active mode, the source voltage is supplied to a SRAM array lower supply node V_SS-ARRAY and a word line driver lower supply node V_SS-WL.例文帳に追加

SRAMアレイ22がアクティブ・モードであるとき、SRAMアレイ・ロアー供給ノードV_SS−ARRAYに、及びワードライン・ドライバ・ロアー供給ノードV_SS−WLに、ソース電圧が供給される。 - 特許庁

In each group, the other ends of the bit lines are electrically coupled via a short-circuit node Ns and a bit line driver BDVb is provided for driving the voltage of the short-circuit node Ns.例文帳に追加

各グループにおいて、各ビット線の他端側は、短絡ノードNsを介して電気的に結合されるとともに、短絡ノードNsの電圧を駆動するためのビット線ドライバBDVbが設けられる。 - 特許庁

When an AC adapter 3 is disconnected to stop power supply to a power node NP of a ROM writer 10A, an analog switch 30 controlled by voltage of the power node NP comes into an off-state.例文帳に追加

ACアダプタ3が外されてROM書込装置10Aの電源ノードNPへの電源供給が停止されると、この電源ノードNPの電圧で制御されるアナログスイッチ30がオフ状態となる。 - 特許庁

Another control unit 100-500 makes the node of the control unit as the missing node and does not record it when the matter of the abnormality of the power source voltage is informed from the control unit in which communication is stopped.例文帳に追加

他の制御ユニット100〜500は、通信が途絶した制御ユニットから電源電圧異常の旨が通知されていた場合には、当該制御ユニットのノードをミッシングノードとして記録しない。 - 特許庁

Next, substituting the relation of the dependence of the information memory node voltage of the SER in the same information memory node area Sc for the first formula from the measurement result, a second formula is led (S3).例文帳に追加

そして、測定結果から同一情報記憶ノード面積ScにおけるSERの情報記憶ノード電圧依存性の関係を第1の数式に代入して第2の数式を導出する(S3)。 - 特許庁

Since gates of the PMOSs 31, 33 are directly connected to the node N34 by a signal line, the rising time of the voltage of the node N34 is shortened, thereby reducing the consumed current of the whole output circuit.例文帳に追加

PMOS31及び33のゲートは、信号線により直接、ノードN34に接続されているので、ノードN34の電圧の立ち上がり時間が速くなり、出力回路全体の消費電流を減少できる。 - 特許庁

When a switch 1120 is turned on by a transmission signal EXE, charges are injected from an output node 1135 to the capacitor 1121, and control voltage VC on an output node 1135 is lowered.例文帳に追加

そして、伝達信号EXEによってスイッチ1120がオンされると、出力ノード1135からキャパシタ1121へ電荷が注入され、出力ノード1135上の制御電圧VCが低下する。 - 特許庁

In the delay circuit, a transistor Qp1 is connected between a supply terminal of a power supply voltage VCC and a connecting node MON, and a transistor Qn1 and a transistor Qni1 are connected between the connecting node MON and a ground.例文帳に追加

トランジスタQp1は電源電圧VCCの供給端子と接続ノードMONの間に接続され、接続ノードMONと接地間にトランジスタQn1とトランジスタQni1が接続される。 - 特許庁

Low reset noise is achieved by parametrically changing the voltage dependent capacitance of a charge detection node in such a manner that during reset the charge detection node capacitance is low while during sensing and integration cycles the charge detection node capacitance is high.例文帳に追加

低いリセットノイズは、電荷検出ノードの電圧依存キャパシタンスをパラメーター的に変化させることによって達成され、その結果、リセットされる間、電荷検出ノードキャパシタンスは低くなり、その代わりに、感知及び集積サイクルの間、電荷検出ノードキャパシタンスは高くなる。 - 特許庁

Low reset noise is achieved by parametrically changing the voltage dependent capacitance of the charge detection node in such a manner that during reset the charge detection node capacitance is low while during sensing and integration cycles the charge detection node capacitance is high.例文帳に追加

低いリセットノイズは、電荷検出ノードの電圧依存キャパシタンスをパラメーター的に変化させることによって達成され、その結果、リセットされる間、電荷検出ノードキャパシタンスは低くなり、その代わりに、感知及び集積サイクルの間、電荷検出ノードキャパシタンスは高くなる。 - 特許庁

The voltage V1 of a node N1 between the resistance R1 and the diode D1 is input into an operational amplifier 21 through a resistance R2 and voltage V2 of a node N2 between the resistance R1 and the counter electrode 3 is input into an operational amplifier 22 through a resistance R3.例文帳に追加

抵抗R1とダイオードD1との間のノードN1の電圧V1は抵抗R2を介してオペアンプ21に入力され、抵抗R1と対向電極3との間のノードN2の電圧V2は抵抗R3を介してオペアンプ22に入力される。 - 特許庁

The power source circuit 11 built in a liquid crystal panel 10 includes a first switch 12 for changing over the continuity between a voltage input point and a node P and a second switch 13 for changing over the continuity between a voltage output point and the node P.例文帳に追加

液晶パネル10に内蔵された電源回路11は、電圧入力点と節点Pとの間の導通状態を切り替える第1のスイッチ12と、電圧出力点と節点Pとの間の導通状態を切り替える第2のスイッチ13とを含む。 - 特許庁

To provide a tri-state CMOS output buffer that has an output node and a protection circuit for preventing an integrated circuit from being destroyed, when a bus voltage exceeds a power supply reference voltage.例文帳に追加

バス電圧が電源参照電圧を越えた時に、集積回路の破壊を防ぐ保護回路及び出力ノードを有する3状態CMOS出力バッファを提供する。 - 特許庁

In a reading operation, the gate of the selection transistor receives a read control voltage, and a desired voltage is generated in the connection node by resistance division between the selection transistor and the resistance variable element.例文帳に追加

読み出し動作時に、選択トランジスタのゲートは、読み出し制御電圧を受け、選択トランジスタと抵抗変化素子との抵抗分割により、接続ノードに所望の電圧が生成される。 - 特許庁

A load current generation part 11 included in the high-voltage circuit part 1 is constituted of serially connected PMOS transistors QP1 and QP2 between a high power supply voltage VP and the node N1.例文帳に追加

高電圧回路部1内の負荷電流発生部11は高電源電圧VP,ノードN1間に直列接続されたPMOSトランジスタQP1及びQP2より構成される。 - 特許庁

A source follower transistor is installed in the gate voltage or the output node of the MOS transistor for discharge and therefore the temperature dependent property of output voltage can also be eliminated.例文帳に追加

また、放電用MOSトランジスタのゲート電圧または出力ノードにソースフォロワトランジスタを設けることにより、この出力電圧の温度依存性をもなくすことが可能となる。 - 特許庁

When the light-emitting efficiency of a light-emitting element 450 falls and its threshold voltages rise, the voltage of a node N2 also rises, and the voltage between gate and source of a transistor 430 rises.例文帳に追加

発光素子450の発光効率が低下しそのしきい値電圧が上昇するとノードN2の電圧も上昇し、トランジスタ430のゲート・ソース間電圧が上昇する。 - 特許庁

In the work (2), the convergency of simulation is secured by adding a dummy voltage source (temporary voltage source) to the floating node group detected in the work (1).例文帳に追加

次に、作業(2)は、浮きノード群の検出作業によって検出された浮きノード群にダミーの電圧源(仮電圧源)を付加することにより、シミュレーションにおける収束性を確保する。 - 特許庁

Between the first resistor 136 and the first output current source circuit 124, a first voltage reference output node N3 is disposed for generating a first reference voltage Vref1.例文帳に追加

第1の抵抗器136と第1の出力電流源回路124との間に、第1の基準電圧Vref1を生成する第1の電圧基準出力ノードN3が配置される。 - 特許庁

A negative power supply voltage VPP is outputted as an output signal Output in a short time by turning ON a transistor 8 in a short time with the voltage generated at the node (e).例文帳に追加

このノードeに発生した電圧によって短時間でトランジスタ8をONさせるとこにより、負電源電圧V_PPを短時間で出力信号Outputとして出力させる。 - 特許庁

In each word line driver WDV, an output node NA is pre-charged to power source voltage Vcc before row selecting operation, and separated from the power source voltage Vcc at the time of row selecting operation.例文帳に追加

各ワード線ドライバWDVにおいて、出力ノードNAは、行選択動作前に電源電圧Vccへプリチャージされ、行選択動作時に電源電圧Vccと切離される。 - 特許庁

NMOSes 24 and 23 connected in series to the node N20 and a ground potential GND, and a bias voltage VB is supplied to the gate of the NMOS 23 from a bias voltage generation part 10.例文帳に追加

ノードN20と接地電位GNDにはNMOS24,23が直列に接続され、NMOS23のゲートにバイアス電圧生成部10からバイアス電圧VBが与えられる。 - 特許庁

When the potential of the input signal exceeds the potential level of a limit voltage, current is supplied to a resistor 1 and the potential level of a node N1 is controlled not to exceed the limit voltage.例文帳に追加

入力信号の電位がリミット電圧の電位レベルを超える場合には、抵抗1に電流を供給させてノードN1の電位レベルがリミット電圧を超えないように制御する。 - 特許庁

The class AB buffer amplifier has a comparator unit for comparing the input voltage with the output voltage on the output node, to generate the first and second signals from the comparison result.例文帳に追加

AB級バッファ増幅器は、入力電圧および出力ノードの出力電圧を比較し、その比較結果を第1および第2信号として発生させる比較部をさらに具備する。 - 特許庁

Consequently, reduction in the resistance values of the transistors 27, 28 accompanying rise in the power source voltage VDD can be suppressed, and reduction of amplitude ΔV of voltage 27 of the node 27 can be suppressed.例文帳に追加

したがって、電源電圧VDDの上昇に伴うトランジスタ27,28の抵抗値の低下を抑制でき、ノードN27の電圧V27の振幅ΔVの低下を抑制できる。 - 特許庁

To handle a sudden increase in current consumed by peripheral circuits in a step-down power supply device which reduces external power voltage (VCC) supplied from the outside to internal power voltage (VDD) equal to reference voltage, and supplies the internal supply voltage (VDD) to a load (305) via a step-down voltage node.例文帳に追加

外部から供給される外部電源電圧(VCC)を基準電圧に等しい内部電源電圧(VDD)に降圧し、該内部電源電圧(VDD)を降圧電圧ノードを介して負荷(305)に供給する降圧電源装置において、周辺回路の急激な消費電流の増加に対処する。 - 特許庁

The voltage converter is provided with a plurality of voltage converting units 12A-12C for changing voltage individually, an output node T4 to which the output of the plurality of voltage converting units 12A-12C are commonly connected, and a connection changing unit 19 for separating and linking the input of the plurality of voltage converting units 12A-12C.例文帳に追加

電圧変換装置は、各々が単独で電圧変換可能な複数の電圧変換部12A〜12Cと、複数の電圧変換部12A〜12Cの出力が共通に接続される出力ノードT4と、複数の電圧変換部12A〜12Cの入力を分離および連結が可能な接続変更部19とを備える。 - 特許庁

When the voltage VH at a power supply node is increased, a controller 30 carries out control so as to switch the respective control modes of first and second rotating electrical machines MG1, MG2 from rectangular wave voltage control mode to non-rectangular wave voltage control mode.例文帳に追加

制御装置30は、電源ノードの電圧VHが増大すると第1、第2の回転電機MG1,MG2の各々の制御モードを、矩形波電圧制御モードから非矩形波電圧制御モードに切換える制御を実行する。 - 特許庁

A buck switching type voltage regulator composed in the form of an integrated circuit (IC) receives an input voltage so as to generate a switch output voltage in a switch output node by using a fixed on-time/minimum off-time feedback control scheme.例文帳に追加

集積回路(IC)の形に構成したバックスイッチング型電圧調整器は入力電圧を受けて、固定オン時間・最小オフ時間饋還制御スキームを用いてスイッチ出力ノードにスイッチ出力電圧を生ずる。 - 特許庁

When the high potential power supply voltage HVDD exceeds a threshold voltage, a p-channel MOS transistor of the latch circuit 23 is turned on, and the high potential power supply voltage HVDD is applied through a connecting node PG to a gate terminal of a transistor P41.例文帳に追加

高電位電源電圧HVDDがスレッショルド電圧を超えると、ラッチ回路23のpチャンネルMOSトランジスタがオンして、接続ノードPGを介してトランジスタP41のゲート端子に高電位電源電圧HVDDを印加する。 - 特許庁

Voltage of a node N2 generated in circuit networks 24-26 by the control current IC is compared with the control voltage VC by the operational amplifier 22 and an NMOS 23 is controlled so that current according to the control voltage VC flows.例文帳に追加

演算増幅器22で、制御電流ICによって回路網24〜26で生ずるノードN2の電圧と制御電圧VCとが比較され、この制御電圧VCに応じた電流が流れるようにNMOS23が制御される。 - 特許庁

The CPU 33 calculates, when the power supply voltage Vcc is reduced, a set value corresponding to the power supply voltage Vcc, and determines the ON/OFF states of the switches 11-15 based on the voltage of the node Na and the calculated set value.例文帳に追加

CPU33は、電源電圧Vccが低下した場合に、電源電圧Vccに対応した設定値を算出し、ノードNaの電圧と算出した設定値とに基づいて、スイッチ11〜15のオン/オフ状態を判断する。 - 特許庁

The internal voltage generation circuit 2 is also provided with a first switch 35, by which an output node for the second voltage can be brought into conduction to a predetermined potential, and a control circuit 17 setting the first switch in a turn-on condition for a predetermined time in response to turn-on of the first voltage.例文帳に追加

第2電圧の出力ノードを所定電位に導通可能にする第1スイッチ(15)と、第1電圧の投入に応答して第1スイッチを所定期間オン状態にする制御回路(17)とを有する。 - 特許庁

Namely, potential V3 of a node C between the transistors P3 and P11 becomes voltage which falls off by voltage Vgs1 between sources and rises for voltage Vgs2 between gate and source of the transistor P11.例文帳に追加

すなわち、トランジスタP3,P11間のノードCの電位V3は、第1入力信号IPからトランジスタN12のゲート・ソース間電圧Vgs1分低下し、トランジスタP11のゲート・ソース間電圧Vgs2分上昇した電圧になる。 - 特許庁

Voltage equal to power supply voltage VDD is applied to both terminals of the composite capacitor 5, where the dielectric capacitors 17, 19 are connected in series, and voltage at a node 5a is detected to restore data.例文帳に追加

強誘電体コンデンサ17,19を直列に接続した合成コンデンサ5の両端に電源電圧VDDに等しい電圧を印加し、このとき接続ノード5aに生ずる電圧を検出してデータを復元するようにしている。 - 特許庁

A constant voltage generating circuit 30 is constituted of a Wilkinson type current mirror circuit, a node N 32 on this negative feedback loop is used for a voltage source outputting a constant voltage S32 and connected to a bias supply line 35.例文帳に追加

定電圧生成回路30をウイルソン型カレントミラー回路で構成し、この負帰還ループ上のノードN32を、定電圧S32を出力する電圧源として使用し、このノードN32をバイアス供給配線35に接続している。 - 特許庁

The regulating equipment has a linear amplifier 14 that operates so as to receive the reference signal Vref, and supplying electric currents to the output node Vo can be carried out, if the reference signal Vref shows that the current voltage level at the output node Vo is lower than the desired voltage level at the output node Vo.例文帳に追加

前記調整装置は、前記基準信号Vrefを受け取るように動作する線形増幅器14を有し、前記出力ノードVoにおける現在の電圧レベルが前記出力ノードVoにおける所望の電圧レベルよりも低いことを基準信号Vrefが示す場合に、前記出力ノードVoに電流を供給可能である。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit is provided with an electrically programmable fuse element 11 arranged between a voltage node for a program and a latch node, a latch circuit 15 for latching the voltage of the latch node and a current source 16 for controlling the scale of the operating currents of the latch circuit, and for deciding whether or not the fuse element has been already programmed.例文帳に追加

半導体集積回路は、プログラム用電圧ノードとラッチノードとの間に設けられた電気的にプログラム可能なヒューズ素子11と、前記ラッチノードの電圧をラッチするラッチ回路15と、前記ラッチ回路の動作電流の大きさを制御して、前記ヒューズ素子がプログラム済みか否かを判定する抵抗判別値を制御する電流源16とを具備する。 - 特許庁

The buck switching regulator includes an amplifier comparing a feedback voltage to a reference voltage and generating an output voltage on an output terminal, a first capacitor and a first resistor connected in series between the switch output node and the output terminal of the amplifier, and a second capacitor coupled between the DC output voltage node and the output terminal of the amplifier.例文帳に追加

このバックスイッチング型電圧調整器は、饋還電圧を基準電圧を比較して出力端子に出力電圧を生ずる増幅器と、上記スイッチ出力ノードと上記増幅器の出力端子との間に直列接続で挿入した第1のキャパシタおよび第1の抵抗器と、DC出力電圧ノード・増幅器出力端子間に接続した第2のキャパシタとを含む。 - 特許庁

例文

Inverters 9-11 and NAND 12-14 activate selectively P channel MOS transistors 15-17 in accordance with levels of plural voltages, a voltage dropping means 40 supplies a current in accordance with a level of the external power source voltage VCC to a power source node 18 from a VCC power source node, and drops the external power source voltage to the level the internal power source voltage VCCS1.例文帳に追加

そして、インバータ9〜11、およびNAND12〜14は、複数の電圧のレベルに応じてPチャネルMOSトランジスタ15〜17を選択的に活性化し、降圧手段40は、外部電源電圧VCCのレベルに応じた電流をVCC電源ノードから電源ノード18へ供給して外部電源電圧VCCを内部電源電圧VCCS1に降圧する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS