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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > voltage nodeに関連した英語例文

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voltage nodeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1098



例文

Output currents of the voltage converting circuit CNV1 are supplied to a current source I1 and a capacity C1 through a connection node ND11.例文帳に追加

電圧変換回路CNV1の出力電流は、接続ノードND11を介して、電流源I1と容量C1とに供給される。 - 特許庁

The voltage of a node between the resistors 31, 33 is impressed to a substrate of a PMOS 33-1a constituting the inverter 33-1.例文帳に追加

分圧抵抗31及び32の接続点の電圧は、インバータ33−1を構成するPMOS33−1aの基板(サブストレート)に印加される。 - 特許庁

As the voltage VB drops, a current I60 for compensation corresponding to the drop is outputted from a transient response improving unit 60 to the node NA.例文帳に追加

電圧VBが低下すると、その低下分に応じた補償用の電流I60が過渡応答改善部60からノードNAに出力される。 - 特許庁

The output node temporarily holds a voltage state within the delay insertion gate, correcting any distortion in the duty cycle of the input signals.例文帳に追加

出力ノードは、遅延挿入ゲートの中の電圧状態を一時的に保持し、入力信号のデューティ・サイクルのひずみがあればそれを補正する。 - 特許庁

例文

To the control electrode node 6c of a clamp element 5, a bias voltage VC for turning the clamp element into the boundary region of ON/OFF states is applied.例文帳に追加

クランプ素子(5)の制御電極ノード(6c)にこのクランプ素子がオン/オフ状態の境界領域となるバイアス電圧VCを印加する。 - 特許庁


例文

To achieve a high speed charge-discharge operation of a level up shifter an output node and a low input voltage, and prevent the unstable propagation.例文帳に追加

レベルアップシフタにおいて出力ノードにおける充放電動作の高速化、入力電圧の低電圧化、並びに不定伝播を防止する。 - 特許庁

A data status on a single node to fix the voltage level can be passed through one or more cascade connected latch stage and additional circuit.例文帳に追加

電圧レベルを固定する単一のノード上のデータ状態が、1つ以上のカスケード接続されたラッチ段および追加の回路を通され得る。 - 特許庁

As a voltage of a node N1A is kept constant independent of channel modulation, a desired current I_EL flows to the light emitting diode OLED.例文帳に追加

ノードN1Aの電圧はチャネル変調によらず一定に保持されることから、発光ダイオードOLEDには所望の電流I_ELが流れる。 - 特許庁

The P channel MOS TR 3 is connected at its gate terminal to the node N1 and receives the cell plate voltage VCP_H at its drain terminal.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタ3は、そのゲート端子がノードN1に接続され、セルプレート電圧VCP_Hをソース端子およびドレイン端子に受ける。 - 特許庁

例文

The P channel MOS TR 2 is connected at its source terminal and drain terminal to the node N1 and receives the cell plate voltage VCP_L at its gate terminal.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタ2は、そのソース端子およびドレイン端子がノードN1に接続され、セルプレート電圧VCP_Lをゲート端子に受ける。 - 特許庁

例文

Then the level shifter is activated and increases the internal node voltage to the output power high level, ensuring that the output pull-up (P12) is completely off.例文帳に追加

レベルシフタはアクティブになり、内部ノードの電圧を出力パワーハイレベルに上昇させ、出力プルアップ(P12)が完全にオフされるようにする。 - 特許庁

In writing data, a first driver connects electrically a first shared node to one side of first and second voltage in accordance with write data.例文帳に追加

データ書込時に、第1のドライバは、書込データに応じて第1の共有ノードと第1および第2の電圧の一方とを電気的に接続する。 - 特許庁

The final stage circuit is provided with an output stage transistor MP31 whose gate is connected to the node N1 and which controls the voltage of an output terminal OUT.例文帳に追加

最終段回路は、ゲートがノードN1に接続され、出力端子OUTの電圧を制御する出力段トランジスタMP31を備える。 - 特許庁

Supply of reference voltage Vref from a reference voltage generating circuit 11 is stopped to a node A on peripheral power source wiring CPL, while P channel MOS transistors P1, P2 are turned on and applying voltage is supplied to an external pin PIN.例文帳に追加

周辺電源配線CPL上のノードAには、参照電圧発生回路11からの参照電圧Vrefの供給が途絶えるとともに、PチャネルMOSトランジスタP1,P2がオンして外部ピンPINへの印加電圧が供給される。 - 特許庁

The high-breakdown voltage P-type FETs 60-1 to 60-z are connected between the power supply NVDD3 and an power supply output node NVDD2, to respectively supply a voltage VDD3, according to the output signals "L" from the high-voltage inverters 50-1 to 50-z.例文帳に追加

高耐圧P型FET60−1〜60−zは、電源NVDD3と電源出力ノードNVDD2間に接続され、それぞれ、高圧インバータ50−1〜50−zからの出力信号“L”に応じて電圧VDD3を供給する。 - 特許庁

This pull-down circuit includes a pull-down transistor (21), having the same threshold voltage characteristics as a memory cell transistor pulling down the voltage level of the driver power supply node, and a gate control circuit (30) for adjusting at least the gate voltage of the pull-down transistor.例文帳に追加

このプルダウン回路は、ドライバ電源ノードの電圧レベルをプルダウンするメモリセルトランジスタと同じしきい値特性を有するプルダウントランジスタ(21)と、このプルダウントランジスタ21のゲート電圧を少なくとも調整するゲート制御回路(30)を含む。 - 特許庁

When disconnecting the fuse F3, while applying a high voltage Vhh for fuse disconnection to an external terminal V2, a transistor N6 is turned to an on-state and a ground voltage GND is applied to a node V5.例文帳に追加

ヒューズF3の切断時には、外部端子V2にヒューズ切断用の高電圧Vhhを印加しながら、トランジスタN6をオン状態に制御してノードV5に接地電圧GNDを印加する。 - 特許庁

The gate of the NMOS transistor M9 of the first pumping part 220 of the first boosted voltage generating unit 200 is connected to a node N3 of the third pumping part 320 of the second boosted voltage generating unit 300.例文帳に追加

第1昇圧電圧発生部200の第1ポンピング部220のNMOSトランジスタM9のゲートを第2昇圧電圧発生部300の第3ポンピング部320のノードN3に接続する。 - 特許庁

A half bus circuit 224 of this output buffer blocks an output voltage passing through a final output stage, resulting in destruction of an output buffer 200, when an output voltage applied to an output node exceeds a supply vltage.例文帳に追加

ハーフパス回路224は、出力ノードに印加される出力電圧が供給電圧を越えると出力電圧が最終出力段を通って出力バッファ200を破壊させるのをブロックする。 - 特許庁

Since the amplifying part 20 is driven by a boosted voltage VCP generated in a boosting part 50, the signals V2 outputted from the node N2 to the output part 30 become higher than the power supply voltage VDD.例文帳に追加

増幅部20は、昇圧部50で生成された昇圧電圧VCPで駆動されるので、ノードN2から出力部30に出力される信号V2は、電源電圧VDDよりも高くなる。 - 特許庁

Similarly, n type transistors 11b and 11c for determining a VL voltage level are each connected to a VL power source and the output node, and signal voltage is independently applied to gates L1 and L2.例文帳に追加

同様に、VL電圧レベルを決定するn型トランジスタ11b、11cはそれぞれVL電源と出力ノードとに接続されており、ゲートL1、L2に独立して信号電圧が印加される。 - 特許庁

The first transistors (Q21, Q41) connect the gates to a first bit line (BL) and apply a predetermined voltage (H level) to the second node (N2) in response to the voltage of the first bit line at the write-in of data.例文帳に追加

第1トランジスタ(Q21、Q41)は、第1ビット線(BL)にゲートを接続し、データ書き込み時の第1ビット線の電圧に応答して所定の電圧(Hレベル)を第2ノード(N2)に印加する。 - 特許庁

In the resistance part 106, a reference gradation voltage is applied to a reference gradation voltage application node among a plurality of nodes interconnected via a signal path having a resistance component.例文帳に追加

そして、抵抗部106では、抵抗成分を有する信号経路を介して互いに接続された複数のノードのうち、基準階調電圧印加ノードに対して基準階調電圧が印加される。 - 特許庁

A variable capacitor 6, whose capacitance is changed by an input voltage, is connected to an output of the amplifier 1, and a prescribed control voltage is applied from an output node 9 to the variable capacitor 6.例文帳に追加

増幅器1の出力側には、入力電圧によって容量が変化するバリキャップ6が接続され、このバリキャップ6には出力ノード9から所定の制御電圧aが印加される。 - 特許庁

To provide a voltage tranforming circuit and a semiconductor integrated circuit which can charge an output node with a high speed to enable high speed voltage transformation, while a power consumption is not increased.例文帳に追加

出力ノードを高速に充電して高速な電圧変換を可能とし、しかも消費電力が増大しない電圧変換回路及び半導体集積回路を提供することを特徴とする。 - 特許庁

The detector activates the second power supply ON signal when detected that an internal node of the internal circuit is set to an initial state by that the internal power supply voltage exceeds a first voltage.例文帳に追加

検知部は、内部電源電圧が第1電圧を超えることにより、内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを検出したときに第2電源オン信号を活性化する。 - 特許庁

In a write period, a transistor 213 is turned on and a data signal X-j is supplied and the voltage of the node B is changed by as much as the voltage meeting the current to be passed to an OLED element 230.例文帳に追加

書込期間では、トランジスタ213をオンさせるとともに、データ信号X−jを供給して、ノードBの電圧を、OLED素子230に流す電流に応じた分だけ電圧変化させる。 - 特許庁

Then, a transistor 15 is turned ON, a power supply voltage VCC2 is charged into an electrostatic capacitor 16 and an inverse bias capacitance of a diode 17, and the potential of a node X is set to the power supply voltage VCC2.例文帳に追加

そして、トランジスタ15がONし、静電容量16、ダイオード17の逆バイアス容量に電源電圧VCC2の電荷が充電され、ノードXの電位は電源電圧VCC2となる。 - 特許庁

An input diode 16 is provided in a direction where an anode is on the side of a reference voltage terminal 106, between a node N1, between the reverse flow preventing transistor 12 and the main transistor 10, and a reference voltage terminal 106.例文帳に追加

入力ダイオード16は、逆流防止トランジスタ12とメイントランジスタ10の接続点N1と基準電圧端子106との間に、アノードが基準電圧端子106側となる向きで設けられる。 - 特許庁

A switch element contact-connects the control terminal Ga to the second voltage line in a first contact state and contact-connects the signal node Na to the second voltage line in a second contact state.例文帳に追加

スイッチ部品は、第1接点状態において制御端子Gaを第2電圧ラインに接点接続し、第2接点状態において信号ノードNaを第2電圧ラインに接点接続する。 - 特許庁

A first inverter circuit 5 is provided for supplying electric charges to the output node A when power supply voltage is instantaneously interrupted and falls to a predetermined voltage or lower, and inverting the output of the power-on reset circuit.例文帳に追加

そして、瞬断して電源電圧が所定電圧以下になると出力ノードAに電荷を供給して、パワーオンリセット回路の出力を反転させる第1の反転回路5を設ける。 - 特許庁

A number of switchably conductive devices such as FETs each characterized by a different threshold voltage are connected in parallel between a transmission line node such as an output pad and a voltage source.例文帳に追加

それぞれ異なる閾値電圧によって特徴づけられるFET等の多数の切り換え可能な導電性デバイスが、出力パッド等の伝送線路ノードと電圧源の間に並列に接続される。 - 特許庁

The gate terminal level of a first load transistor connected to an external resistor, whose impedance is specified is controlled, so that the voltage of the connection node becomes 1/2 the drive power supply voltage of an output buffer circuit.例文帳に追加

インピーダンス指定の外部抵抗に接続される第1の負荷トランジスタのゲート端子レベルを、それらの接続ノードが出力バッファ回路の駆動電源電圧の1/2になるように制御する。 - 特許庁

When the FET for high voltage drive is turned off, the FET drive circuit for high voltage drive is connected to the reflux diode and the node of a wiring pattern for earth.例文帳に追加

高電圧駆動用FETをオフするとき、高電圧駆動用FET駆動回路はトランジスタで高電圧駆動用FETのゲートを還流ダイオードと接地用配線パターンの接続点に接続する。 - 特許庁

One end of the electromagnet coil 151 is common in the respective electromagnets, and this common node R is controlled so as to maintain intermediate voltage Vc by an intermediate voltage maintaining circuit 451.例文帳に追加

そして、電磁石巻線151の一端は、各電磁石において共通となっており、この共通ノードRは、中間電圧維持回路451により、中間電圧Vcを維持するように制御されている。 - 特許庁

The regulator includes many switching circuits responding to a corresponding pulse width modulation signal to make switching of input voltage and passing thereof through an output inductor via a phase node to generate output voltage.例文帳に追加

レギュレータは多数のスイッチング回路を含んでおり、対応するパルス幅変調信号に応答して、入力電圧をスイッチングし位相ノードを経由させて出力インダクタを通させ、出力電圧を発生する。 - 特許庁

A comparator circuit (490) is activated in response to a clock signalck) which stipulates an internal signal output timing and compares the voltage on the first power source node (300) with reference voltage (Vref).例文帳に追加

比較回路(490)は、内部信号出力タイミングを規定するクロック信号(φck)に応答して活性化されて、第1の電源ノード(300)上の電圧と基準電圧(Vref)とを比較する。 - 特許庁

The amplifier part 20 is driven on a boosted voltage VCP that is generated by a booster part 50, so that a signal V2 outputted from a node N2 to the output part 30 becomes higher than the power supply voltage VDD.例文帳に追加

増幅部20は、昇圧部50で生成された昇圧電圧VCPで駆動されるので、ノードN2から出力部30に出力される信号V2は、電源電圧VDDよりも高くなる。 - 特許庁

Resistors R1, R2 are connected in series between a node VRTin receiving a high level reference voltage VRT and a node VRBin receiving a low level reference voltage VRB independently of n series resistors (r) used to produce a reference voltage for each sub analog/digital converter 9 so as to generate a DC bias voltage VRT1 to bias an AC component of an external analog input signal VA.例文帳に追加

各サブA/Dコンバータ9のリファレンス電圧を発生するn個の直列抵抗rとは独立に高電位側リファレンス電圧VRTを受けるノードVRTinと低電位側リファレンス電圧VRBを受けるノードVRBinとの間に直列抵抗R1,R2を直列に接続することにより、外部アナログ入力信号VAの交流成分をバイアスする直流バイアス電圧VRT1を生成する。 - 特許庁

This memory device comprises memory cells (10) provided with memory structure being switchable for a memory state, and a programming circuit (40) in which first voltage is applied to a first node of the memory structure and second voltage is applied to a second node so that the first voltage and the second voltage are made inverse polarity each other, and which performs writing for the memory cell (10).例文帳に追加

メモリ装置であって、記憶状態のスイッチングが可能な記憶構造を備える記憶セル(10)と、第1の電圧及び第2の電圧が逆極性になるようにして、前記記憶構造の第1のノードに前記第1の電圧を印加し、前記記憶構造の第2のノードに前記第2の電圧を印加して、前記記憶セル(10)に書き込みを施すプログラミング回路(40)が含まれている、メモリ装置。 - 特許庁

The first capacitor and the first resistor generate a ripple voltage signal, made to relate to the switch output voltage, so as to supply the ripple voltage signal, namely, which is the ripple voltage signal having the magnitude being a function of a capacitance value of the second capacitor, to the feedback voltage node for the use in the fixed on-time/minimum off-time feedback control scheme.例文帳に追加

それら第1のキャパシタおよび第1の抵抗器は上記スイッチ出力電圧に関連づけられたリプル電圧信号を発生してそのリプル電圧信号、すなわち第2のキャパシタの容量値の関数である大きさを備えるリプル電圧信号を固定オン時間・最小オフ時間饋還制御スキーム用に饋還電圧ノードに供給する。 - 特許庁

The current driving circuit which supplies a signal current to a node of a circuit to be driven through a signal line is provided with a precharging means of supplying a precharging voltage to the node through the signal line, and the precharging means has a supply means of supplying the precharging voltage to the node and signal line prior to supply of the signal current.例文帳に追加

駆動対象回路のノードに信号線を介して信号電流を供給する電流駆動回路において、前記信号線を介して前記ノードにプリチャージ電圧を供給するプリチャージ手段を設け、前記プリチャージ手段は、前記信号電流の供給に先立って前記ノード及び前記信号線に前記プリチャージ電圧を供給する供給手段を有する。 - 特許庁

The current drive circuit which supplies a signal current to a node of a circuit driven through a signal line is provided with a precharging means of supplying a precharging voltage to the node through the signal line, and the precharging means has a supply means of supplying the precharging voltage to the node and the signal line prior to the supply of the signal current.例文帳に追加

駆動対象回路のノードに信号線を介して信号電流を供給する電流駆動回路において、前記信号線を介して前記ノードにプリチャージ電圧を供給するプリチャージ手段を設け、前記プリチャージ手段は、前記信号電流の供給に先立って前記ノード及び前記信号線に前記プリチャージ電圧を供給する供給手段を有する。 - 特許庁

A first current controller feeds a current to an output node in response to a first logic level of a first signal and buffers an input voltage to provide an output on the output node in response to a second logic level of the first signal.例文帳に追加

第1電流制御部は、第1信号の第1論理レベルに応答して電流を出力ノードに供給し、第1信号の第2論理レベルに応答して入力電圧をバッファリングして出力ノードに出力する。 - 特許庁

An N-type MOS Tr 112A is connected between the node 106A of the signal line and a ground voltage Vss, the S is connected to the node 106A of the signal line, and the D is connected to the Vss together with the G electrode and the substrate.例文帳に追加

信号線のノード106Aと接地電圧Vssの間にはN型MOSTr112Aが接続され、そのSは信号線のノード106Aに、DはG電極及び基板と共にVssに接続されている。 - 特許庁

The electric charge converted by the photoelectric conversion element PD1 is accumulated in a storage node P1 (capacitative element C1), and a voltage value according to the accumulated electric charge of the storage node P1 (capacitive element C1) is output as a sensor detection signal.例文帳に追加

光電変換素子PD1によって変換された電荷は蓄積ノードP1(容量素子C1)に蓄積され、蓄積ノードP1(容量素子C1)の蓄積電荷に応じた電圧値がセンサ検出信号として出力される。 - 特許庁

To provide an oscillator that suppresses frequency variations of a clock signal caused by voltage changes of a signal at each node by bringing maximum and minimum voltages at a node as a connection point to an inverter to optimum voltages.例文帳に追加

インバータとの接続点であるノードの最高電圧及び最低電圧が最適な電圧になるようにし、各ノードの信号の電圧の変化によって生じるクロック信号の周波数のずれを抑えることのできる発振器を提供する。 - 特許庁

A signal processing circuit includes: a circuit having a first node, to which a power supply voltage is selectively supplied and to which a first high power supply potential is selectively given; and a nonvolatile memory circuit holding the potential of the first node.例文帳に追加

信号処理回路は、電源電圧が選択的に供給され、第1の高電源電位が選択的に与えられる第1のノードを有する回路と、第1のノードの電位を保持する不揮発性の記憶回路とを有する。 - 特許庁

A flyback voltage detecting circuit 20 is equipped with a load resistance RL connected between the power supply VBAT and a detection node Nd, and a transistor MS connected between the detection node Nd and the power supply GND.例文帳に追加

フライバック電圧検出回路20は、電源VBATと検出用ノードNdとの間に接続された負荷抵抗RLと、検出用ノードNdと電源GNDとの間に接続されたトランジスタMSとを具備している。 - 特許庁

例文

The detector has a return current zeroized node, electrically combined with the output and the reference of the AC voltage source, a ground node separately coupled electrically with the ground, a positive ion current sensor, and a negative ion current sensor.例文帳に追加

検出回路は、AC電圧源の出力と基準とに電気的に結合されている戻り電流ゼロ化ノードと、別個に接地に電気的に結合されている接地ノードと、正イオン電流センサと、負イオン電流センサとを含む。 - 特許庁




  
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