「write」に関連した英語例文の一覧と使い方(176ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, preceding data are not erased through overwrite for example to accurately determine a write succession point.例文帳に追加

これによって、例えば以前のデータを上書き消去しないようにして、書き継ぎポイントを正確に決定することができる。 - 特許庁

When the next wrote-in command is received, the wrote-in holding data are written in a memory cell corresponding to the write-in holding address.例文帳に追加

次の書き込みコマンドを受けたとき、書き込み保持データは、書き込み保持アドレスに対応するメモリセルに書き込まれる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, WRITE-DRIVING METHOD AND ERASING-DRIVING METHOD, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法と、書込み駆動方法および消去駆動方法ならびに液晶表示装置 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a memory cell array 21 in which a plurality of memory elements 1 are arrayed, and a write state machine 32.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のメモリ素子１を配列したメモリセルアレイ２１と、ライトステートマシーン３２とを備える。 - 特許庁

The memory 6 performs reading by a clock with which a write clock is subjected to frequency division into 24/25 and obtains an output vide signal.例文帳に追加

バッファメモリ６は、書き込みクロックを２４／２５に分周したクロックにより読み出して出力映像信号を得る。 - 特許庁

A read circuit 12 and a write circuit 13 are provided for each of 16 memory cells MCi for composing one column.例文帳に追加

１カラムを構成する１６個のメモリセルＭＣｉ毎に、読み出し回路１２、及び書き込み回路１３が設けられている。 - 特許庁

To reliably write an image in a display medium which displays the image according to irradiation with light.例文帳に追加

光の照射に応じて画像の表示を行う表示媒体において、画像の書き込みを確実に行えるようにする。 - 特許庁

Then, a process (S160) of irradiating laser beams through the transferred phase modulation pattern to write a grating into the optical fiber is performed.例文帳に追加

そして、転写された位相変調パターンを通してレーザを照射して光ファイバにグレーティングを書き込む（Ｓ１６０）。 - 特許庁

The device carried out data read-out and write-in in interleaver or deinterleaver continuously.例文帳に追加

本発明による装置は、インタリーバ又はデインタリーバにおけるデータの読み出し及び書き込みを連続的に行う装置である。 - 特許庁

To provide a multivalued nonvolatile semiconductor storage device that reduces data read time and data write time.例文帳に追加

データ読出時間およびデータ書込み時間を短縮することが可能な多値不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In addition, a second signal is also asserted and write of changed data value in the main memory 36 is forced by the local bus slave device.例文帳に追加

プロセッサ・インターフェース・バス上で第１信号をアサートし、スレーブ・デバイスがデータ・トランザクションを処理していることを示す。 - 特許庁

To provide a DMA transfer control system capable of improving a transfer rate of continuous write data and read data.例文帳に追加

連続するライトデータ及びリードデータの転送レートを向上させることができるＤＭＡ転送制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a write power calibrating apparatus and a method associated with the same in order to solve various problems in the conventional technology.例文帳に追加

従来の技術による諸問題を解決するための書き込みパワー校正装置及び関連方法を提供する。 - 特許庁

To improve reliability of a write operation of a nonvolatile semiconductor memory device by reducing an influence of deterioration of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の劣化に伴う影響を緩和し、不揮発性半導体記憶装置の書き込み動作の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which can write, erase and read data at a low voltage and at a high speed.例文帳に追加

低電圧で高速なデータの書き込み、消去、読み出しを可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In case you can not attend, you will please write to me to that effect. 例文帳に追加

御出席無之時は左様お申越し被下度候｛ごしゅっせきこれなきときはさようおもうしこしくだされたくそうろう｝ - 斎藤和英大辞典

Of the purchase turnover above, write the amount of direct imports by your company carrying out customs in its own name. 例文帳に追加

上記の仕入高のうち、自社名義で通関手続を行って、直接輸入した金額を記入してください。 - 経済産業省

(1) When indirectly invested in by a domestic company alone, write the name of the principal foreign investor of the domestic company. 例文帳に追加

(1) 国内法人からの間接出資のみの場合は、国内法人の外国側筆頭出資者名を記入してください。 - 経済産業省

Of the sales turnover above, write the amount of goods directly exported by yourcompany carrying out customs procedures in its own name. 例文帳に追加

上記の売上高のうち、自社名義で通関手続を行って直接輸出した金額を記入してください。 - 経済産業省

To make a memory cell to be easily multi-valued by narrowing a distribution width of threshold after the write-in of data in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体装置のデータ書き込み後のしきい値の分布幅を狭くして、メモリセルの多値化を容易にする。 - 特許庁

Because the failure of a self-write register and a self-connection bus can be detected, reliability is improved and an operating ratio is increased.例文帳に追加

自己のライトレジスタおよび自己の連絡バスの故障を検出できるので、信頼性が上がり、稼動率が高くなる。 - 特許庁

People think genius a fine thing if it enables a man to write an exciting poem, or paint a picture. 例文帳に追加

人々は、天才によって刺激的な詩を書いたり絵を描いたりできる場合は天才をすばらしいことと思います。 - John Stuart Mill『自由について』

He also said that he intends to devote himself to his work as a comedian but he will write novels in his spare time.例文帳に追加

彼はまた，お笑い芸人としての自身の仕事に専念するつもりだが，空き時間で小説を書いていくと話した。 - 浜島書店 Catch a Wave

I could write an entire other essay on the unhealthy roots of this part of our cultural inheritance, 例文帳に追加

ぼくたちの文化的伝承のこの部分の不健全な根っこについては、全く別のエッセイを書くことだってできる。 - Eric S. Raymond『ノウアスフィアの開墾』

“For this is the covenant that I will make with the house of Israel. After those days,” says the Lord; “I will put my laws into their mind, I will also write them on their heart. I will be their God, and they will be my people. 例文帳に追加

「これこそ，わたしがイスラエルの家と結ぶ契約だ。 それらの日々ののちに」と，主は言われる。 - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 8:10』

He said, ‘A hundred batos of oil.’ He said to him, ‘Take your bill, and sit down quickly and write fifty.’ 例文帳に追加

彼は言った，『油百バトスです』。管理人は彼に言った，『自分の証書を取りなさい。早く座って，五十と書きなさい』。 - 電網聖書『ルカによる福音書 16:6』

The control circuit 1 perform read/write of data with a unit of n memory cells 3 (n is an integer ≥2) in the first storage area 2A, and performs read/write of data with a unit of one memory cell 3 in the second storage area 2B.例文帳に追加

制御回路１は、第１記憶領域２Ａ中のｎ個（ｎは２以上の整数）のメモリセル３を単位としてデータの読み書きを実行し、また、第２記憶領域２Ｂ中の１個のメモリセル３を単位としてデータの読み書きを実行する。 - 特許庁

And when an interruption signal is outputted from the timer 17, the CPU 12 gives an instruction to stop the present write-in processing of data to the non-volatile memory 16 to a data transfer control circuit 15 which stops write-in processing of data.例文帳に追加

そして、タイマー１７から割り込み信号が出力された場合、ＣＰＵ１２は、現在進行中の不揮発性メモリ１６へのデータの書き込み処理を中止する命令をデータ転送制御回路１５に与えてデータの書き込み処理を中止する。 - 特許庁

This display is constituted so that a first voltage V_COM (102) is applied to the common electrode in the case of the write-in mode, and a second voltage V_SM (104) different from the first voltage is applied to the common electrode in the case of the non-write-in mode.例文帳に追加

このディスプレイは、書き込みモードのとき第１の電圧Ｖ_ＣＯＭ（１０２）を共通電極に印加し、非書き込みモードのとき第１の電圧と異なる第２の電圧Ｖ_ＳＭ（１０４）を共通電極に印加するように構成されている。 - 特許庁

An operational information acquisition means 12 of the monitored apparatus 1 acquires operational information about each component to write it to an operational information IC tag 19, and an environmental information acquisition means 14 acquires environmental information to write it to the operational information IC tag 19.例文帳に追加

監視対象装置１の稼働情報取得手段１２が各部品の稼働情報を取得して稼働情報ＩＣタグ１９にライトし、環境情報取得手段１４が環境情報を取得して稼働情報ＩＣタグ１９にライトする。 - 特許庁

In response to a write request from a host computer 2 to a disk cache device 1, a write cache control means 32 writes data in a cache block of a cache storage means 10 and registers this cache block in a dirty link and stores time information of a time counting means 33.例文帳に追加

ディスクキャッシュ装置１は、ホストコンピュータ２からライト要求があると、ライトキャッシュ制御手段３２が、データをキャッシュ記憶手段１０のキャッシュブロックに書き込み、このキャッシュブロックをダーティリンクに登録し、計時手段３３の時間情報を格納する。 - 特許庁

An IC chip 13 which can write and read out lens identification information by transmitting and receiving a prescribed write signal and read signal through two-way communication with a signal transmitter-receiver is embedded into a lens body 12 in molding the lens 11.例文帳に追加

信号送受信装置との双方向通信により所定の書込信号・読取信号を送受信することでレンズ識別情報を書き込み・読み出しできるＩＣチップ１３をレンズ１１の成形時にレンズ本体１２内に埋設した。 - 特許庁

When a write-in command is written in a non-volatile memory cell array 10 (S10), an internal boosting circuit 30 immediately starts boosting (S11), at the same time as the boosting is finished (S12 to S13), write-in is performed for the memory cell array of (S14).例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイ１０ヘの書き込みコマンドが書き込まれると（Ｓ１０）、内部昇圧回路３０は直ちに昇圧を開始し（Ｓ１１）、昇圧完了（Ｓ１２から１３）とともに不揮発性メモリセルアレイ１０ヘの書き込みを行う（Ｓ１４）。 - 特許庁

In this case, a nonvolatile memory managing section 22b writes servo write mode identifying information corresponding to the detected servo mark on a servo write mode identifying information storing section 23b of a nonvolatile memory 23 in accordance with an instruction from the servo mark search control section 22d.例文帳に追加

この場合に、不揮発メモリ管理部２２ｂは、サーボマークサーチ制御部２２ｄからの指示に応じて、不揮発メモリ２３のサーボライト方式識別情報記憶部２３ｂに、検出したサーボマークに対応するサーボライト方式識別情報を書き込む。 - 特許庁

Write-in is performed by applying voltage to a plurality of memory cells and write, a threshold value of the plurality of memory cells is set to voltage PV or more, after that, erasing is performed en bloc for the plurality of memory cells, the threshold value of the plurality of memory cells is set to voltage EV or less.例文帳に追加

複数のメモリセルに電圧を印加して書き込みを行い、複数のメモリセルの閾値を電圧ＰＶ以上に設定し、その後、複数のメモリセルに対して一括して消去を行い、複数のメモリセルの閾値を電圧ＥＶ以下に設定する。 - 特許庁

When a write-in error is caused during writing of a data block, an erase-pattern of the prescribed standard length setting interval of blocks is set to block length of a data block in which a write-in error is caused, after the erase-pattern is written, the data block is written again.例文帳に追加

データブロックの書き込み中に書込エラーが発生した場合、ブロックの空き間隔を設定する所定規格長のイレーズパターンを書込エラーを起こしたデータブロックのブロック長に設定してイレーズパターンを書き込んだ後に、データブロックを再度書き込む。 - 特許庁

As a result, when even a bit which is determined to have passed verification by a certain cause in the course of the write-in processing of "01", if it is determined to be failed by this operation, a write-in voltage is applied again, and the bit can be made to have a prescribed threshold voltage.例文帳に追加

これにより、“０１”書き込み処理、書き込みベリファイ処理の途中に、何らかの原因でベリファイパスと判定されたビットでも、この動作でフェイルと判定されれば再び書き込み電圧が印加され、所定のしきい電圧にすることができる。 - 特許庁

The magnetic heads 1-1, 1-2 are provided in the same number per track as the number of logical sectors n (n=2 in the case of Fig. 1), the write data is divided to n data and the magnetic heads 1-1, 1-2 simultaneously write the divided data to the logical sectors 9-1, 9-2.例文帳に追加

磁気ヘッド１−１，１−２をトラック当たり論理セクタ数ｎ（図１の場合ｎ＝２）と同数設け、書込データをｎ分割し、磁気ヘッド１−１，１−２は分割データを論理セクタ９−１，９−２に同時にそれぞれ書き込む。 - 特許庁

To provide a magnetic head in which the operation of a write head is prevented from damaging reading characteristics of a read head by avoiding the problem of damaging an MR element caused by charging of the lower or upper shield layer of the read head or charging of the lower magnetic pole of the write head.例文帳に追加

リードヘッドの下部シールド層や上部シールド層、ライトヘッドの下部磁極が帯電することによってＭＲ素子を損傷させる問題を回避し、ライトヘッドの動作がリードヘッドのリード特性を阻害することを防止した磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A communication path through the RFID is established between the logic device and an RFID terminal, the write data are transmitted to the logic device from the RFID terminal through the communication path, and the write data are stored in a data storage part inside the logic device.例文帳に追加

論理デバイスとＲＦＩＤ端末間にＲＦＩＤを経由する通信経路を確立し、ＲＦＩＤ端末より、その通信経路を介して書込みデータを論理デバイスへ送信して、その書込みデータを論理デバイス内のデータ格納部に格納する。 - 特許庁

At the time of the re-write processing of a picture, the re-write processing of the picture to the display 10 is inhibited when the supply voltage value of the power source part 15 detected by the circuit 20 is not higher than the lowest reference voltage necessary for re-writing the picture.例文帳に追加

この画像書換え処理に際して、回路２０で検出された電源部１５の供給電圧値が画像の書換えに最低限必要な基準電圧以下である場合はディスプレイ１０への画像書換え処理が禁止される。 - 特許庁

Circuit buildup data generated by each user are entered via a corresponding write pad and write terminal to each split circuit area and the basic elements in each circuit area are connected to build up a desired circuit.例文帳に追加

分割された回路領域ごとに対応する書込用パッドおよび書込用端子を介して、それぞれユーザによって生成された回路構築用データが入力され、回路領域内の基本素子の接続が行われて所望の回路が構築される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory including flip-flop type memory cells such as 1-port SRAM or 2-port SRAM in which read and write operations are simultaneously performed, wherein a static noise margin and a write level are simultaneously improved.例文帳に追加

１ポートＳＲＡＭや、読出しおよび書込みの動作が同時に行なわれる２ポートＳＲＡＭのようなフリップフロップ型メモリセルを備えた半導体記憶装置において、スタティックノイズマージンの改善と書き込みレベルの改善とを同時に実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method and device for examining a read after write(RAW) having an error tolerance with which real readout data can be compared with real write data, and the number of compared errors between two data can be counted when data are reread from a medium.例文帳に追加

媒体からデータを読返す際に、実際の読出データを実際の書込データと比較でき、２つの間の比較誤りの数を数えることのできる、誤り公差を有するリードアフタライト（ＲＡＷ）検査のための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element for improving element mass production capability, and for preventing the excessive shift of a threshold voltage in an E/W cycling(Erase/Write cycling) and bake process, and for improving the reliability of the element.例文帳に追加

素子量産能力を向上させることができ、Ｅ／Ｗサイクリング(Erase/Write cycling)及びベーク工程の際にしきい値電圧の過度なシフトを防止することができて素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁