P rowとは 意味・読み方・使い方

The second transposed Bloom filters tbf(p-1)s, tbf(p-2)s are arranged in order of the words, thereby converted into the second transposed Bloom filter row tBF(p)s.例文帳に追加

そして、第２の転置ブルームフィルタｔｂｆ（ｐ−１）ｓ，ｔｂｆ（ｐ−２）ｓをワードの配列順に並べることで、第２の転置ブルームフィルタ列ｔＢＦ（ｐ）ｓに変換される。 - 特許庁

The even pixel row GE_E is disposed to the odd pixel row GE_O in a vertically downward while shifted by O=(1/8)*P=(1/6)*W.例文帳に追加

偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 - 特許庁

An input data signal of (4p+3) row is converted to four signals of (p+1) row which have a prescribed relation, and the respective signals are assigned to four phase planes.例文帳に追加

４ｐ＋３列の入力データ信号を所定の関係を持つ４つのｐ＋１列の信号に変換し、それぞれを４つの位相平面に割り当てる。 - 特許庁

A noise reduction means 24 subtracts the high frequency noise component N'(p) from a signal D(p, i) of each row of a read image signal of a concerned column.例文帳に追加

ノイズ低減手段２４が、高周波ノイズ成分Ｎ’（ｐ）を当該列の読取画像信号の各行の信号Ｄ（ｐ，ｉ）から差し引く。 - 特許庁

In the case of a Bloom filter row BF(p) in (C), since a fourth bit and an eighth bit in four Bloom filters bf(p-1) to bf(p-4) are referred to, 8 (=4X2) memory accesses are required.例文帳に追加

（Ｃ）において、ブルームフィルタ列ＢＦ（ｐ）の場合は、４個のブルームフィルタｂｆ（ｐ−１）〜ｂｆ（ｐ−４）内の４ビット目と８ビット目を参照するため、８（＝４×２）のメモリアクセスが必要となる。 - 特許庁

The end sections 3a of the plurality of optical fibers belonging to the identical row L1 are arranged at a pitch P.例文帳に追加

同一の列Ｌ１に属する複数の光ファイバ３の終端部３ａはピッチＰで配列されている。 - 特許庁

A data pad row P is formed by arranging a train of data pads 1, 2,..., n in a straight line and a plurality of data latch circuits 21 which latch signals from the data pads is arranged in an area 20 between two straight line 11 and 12 which are drawn through both ends of the pad row P perpendicularly to the row P.例文帳に追加

複数のデータパッド１、２、……、ｎを一直線上に並べてデータパッド列Ｐを形成し、前記データパッド列Ｐの両端上を通り列Ｐに直角な２本の直線１１と１２に挟まれる領域２０内に前記データパッドからの各信号をラッチする複数のデータラッチ回路２１を配置する。 - 特許庁

Through an interconnection 17, the p-type clad layer 11a of the transistor 6 disposed on the other row and the p-type clad layer 11b of the transistor 6 adjacent to the above transistor 6 at one side in the row direction are connected to the high-temperature layer 8 of the transistor 6 disposed on one row.例文帳に追加

また、配線１７により、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。 - 特許庁