「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳＯＩ基板１の表面に対し水平方向に変位する可動部２、可動部２を弾性可動に支持するサスペンション支持体３、ＳＯＩ基板１に固定された固定部４が設けられる。例文帳に追加

The Fabry-Perot tunable filter is provided with a movable part 2 which is displaced horizontally, with respect to the surface of an SOI substrate 1; a suspension support 3 which elastically movably supports the movable part 2; and a fixed part 4 fixed on the SOI substrate 1. - 特許庁

これ以外にも独自に護身術としての合気道の可能性を研究する合気道家や独立会派も複数有り、総合格闘技や空手の中に合気道と共通の技や捌きが見られることから、護身術としての有用性を見出す意見もある。例文帳に追加

There are various other aikido practitioners and independent factions that study the possibilities of aikido as an art of self-defense, and since there are techniques and movements in mixed martial arts and karate that are common to those of aikido, some consider it useful as an art of self-defense.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＳＯＩ基板と絶縁層と第２シリコン層とから成るＳＯＩ基板の上に、まず画素駆動回路を形成し、次に該画素駆動回路側を支持した状態で前記ＳＯＩ基板を除去した後、ここに透明基板を接合し、前記画素駆動回路の上にＭＥＭ光変調部を形成する。例文帳に追加

A pixel driving circuit is formed on an SOI substrate composed of an SOI substrate, an insulation layer and a second silicone layer in the first step, and the SOI substrate is removed in a state that the pixel driving circuit side is supported in the second step, further a transparent substrate is joined and an MEM optical modulation part is formed on the pixel driving circuit. - 特許庁

第一の変速段を形成する第１同期噛合い機構１２１とは異なる同期噛合い機構１２２によって、入力軸１４１から出力軸１４２へトルクを伝達開始させて、第一の変速段を形成する同期噛合い機構１２１と歯車の連結を解放させる。例文帳に追加

The controlling method and device of the automobile are structured so that the start of torque transmission from an input shaft 141 to an output shaft 142 is made by a synchronous meshing mechanism 122 arranged separately from the first synchronous meshing mechanism 121 which constitutes a first shift range, and the synchronous meshing mechanism 121 constituting the first shift range is released from a gear with which the mechanism has been coupled. - 特許庁

MySQL が AMP インストールの一部としてインストールされた場合、起動コマンドも異なる場合があります。例文帳に追加

The start command may also vary if MySQL was installed as part of an AMP installation.  - NetBeans

選択されたウィンドウがこのメッセージに対して選択されていない場合、キーボードベルが鳴らされる。例文帳に追加

If the selected window has not selected for this message, the keyboard bell will be rung. - XFree86

全日本弓道連盟からは独立しており、試合規則も独自に定めている。例文帳に追加

It's independent of the All Nippon Kyudo Federation and has its own regulations for matches.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

「あたり」とは以下の場合（弓道競技規則第36条で規定）、「はずれ」はそれ以外の場合を言う。例文帳に追加

The following are 'hits' (specified in Article 36 of the Kyudo game rules), and others are 'misses.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

1948年に皇武会は「合気会」と改称し、この時から「合気道」の名称を用いだした。例文帳に追加

Kobukai (皇武会) was renamed as 'Aikikai' in 1948, and since then the name 'Aikido' has been used.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道の技は相手の攻撃に対して投げ技・もしくは固め技にて応じるのが基本である。例文帳に追加

The fundamental principle of aikido technique is to respond to the opponent's attack with throws or by grappling.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道の武器術については、師範により下のように見解が分かれている。例文帳に追加

Regarding the art of weaponry in aikido, views differ as described below, depending on the grandmaster.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

それを見た観客の中には合気道をインチキや馴れ合い、あるいは八百長であると批判する意見もある。例文帳に追加

Some audience who see it criticize aikido as bogus, cozy or fixed.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道を一般に普及する上で「健康体操」「レクリエーション」という宣伝も多くなされた。例文帳に追加

In order to promote aikido to the general public, it was often promoted as 'health exercise' and 'recreation.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気会（「合気道」）；1940年～（「財団法人皇武会」→1948年～「財団法人合気会」），植芝盛平例文帳に追加

Aikikai ('Aikido'): 1940 as Kobukai Foundation, 1948 as Aikikai Foundation, Morihei UESHIBA  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

岩間神信合氣修練会（「岩間流合気道」「岩間スタイル」）；2004年～，斉藤仁弘例文帳に追加

Iwama-shinshin-aikishurenkai ('Iwama school aikido,' 'Iwama style'): 2004, Hitohiro SAITO  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

「合気剣・合気杖」など盛平晩年の合気道を伝えているとされており、影響力を持つ。例文帳に追加

He was influential, teaching aikido from the later years of Morihei and including 'aikiken and aikijo.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

平井は大日本武徳会の幹事に就任、合気道部の運営に当たった。例文帳に追加

Hirai was appointed as the manager of Dai Nippon Butoku-kai, and was placed in charge of operating the aikido-bu.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

現代の主流は焼き竹輪であり、ほとんどの場合機械によって自動的に焼き上げられる。例文帳に追加

The main Chikuwa at present is Yakichikuwa and most of them are made by machine and automatically baked.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

大渡の橋で今井兼平の下人に会い、木曾義仲も兼平も既にこの世にないことを知った。例文帳に追加

He met a servant of Kanehira IMAI on the Owatari Bridge and learned that Yoshinaka KISO and Kanehira were already dead.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

安東愛季の配下・南部季賢を内応させるなど、謀略面でも活躍した。例文帳に追加

Sueto was also active in stratagem, such as making Suetaka NANBU who was under the control of Chikasue ANDO betray to the enemy.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

安東氏は愛季の晩年に秋田氏と改姓し、秋田実季の代には湊合戦を鎮圧。例文帳に追加

The Ando clan changed its surname to the Akita clan when Chikasue was in his late life, and in the generation of Sanesue AKITA, the clan suppressed the battle in Minato.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。例文帳に追加

To prepare an SOI substrate having a single crystal semiconductor layer of high surface flatness. - 特許庁

ファイバーＳＯＩ基板及びこれを用いた半導体素子並びにその製造方法例文帳に追加

FIBER SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT EMPLOYING IT AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

単結晶層含有基板、ＳＯＩ基板、半導体装置およびそれらの製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL LAYER CONTAINING SUBSTRATE, SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THEIR MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ＳＯＩ基板を利用する横型の半導体装置において、縦方向で負担する電圧を向上させる。例文帳に追加

To improve a voltage sustained in the vertical direction in a lateral semiconductor device utilizing an SOI substrate. - 特許庁

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部内に熱酸化膜を形成する（ＢＯＸ酸化工程）。例文帳に追加

Thereafter, a thermal oxide film is formed within the cavity with thermal oxidation of the Si substrate 1 (BOX oxidation method). - 特許庁

ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reducing oxygen concentration in a single crystal semiconductor layer of a SOI substrate. - 特許庁

結晶性に優れた結晶質半導体層を有するＳＯＩ基板を提供する。例文帳に追加

To provide an SOI substrate including a crystalline semiconductor layer having improved crystallinity. - 特許庁

Ｓｉ基板１の上には、ゲート絶縁膜３，ゲート電極４，サイドウォール５が設けられている。例文帳に追加

On an Si substrate 1, a gate insulating film 3, a gate electrode 4, and a sidewall 5 are provided. - 特許庁

その後、Ｓｉ基板１を熱酸化して空洞部２５、２７内にそれぞれ熱酸化膜を形成する。例文帳に追加

Thereafter, thermal oxidation of the Si substrate 1 forms a thermally-oxidized film each in the cavities 25 and 27. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いることなく、絶縁体上に形成される半導体層の面積を拡大する。例文帳に追加

To enlarge the area of a semiconductor layer formed on an insulator without using an SOI substrate. - 特許庁

Ｓｉ基板上に形成された窒化物半導体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor formed on a silicon substrate, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

位相誤差検出器１１は、クロック同期処理後のＩＱ信号を用いて位相誤差を検出する。例文帳に追加

A phase error detector 11 detects a phase error by using an IQ signal after the clock synchronization process. - 特許庁

加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。例文帳に追加

Heat treatment is performed, the semiconductor substrate is cleaved, and an SOI substrate is manufactured. - 特許庁

固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、Ｓｉ基板及び半導体基板の製造方法例文帳に追加

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SI SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

Ａｌ−Ｓｉキルド鋼の昇熱と脱硫とを同時に可能な精錬方法を提供する。例文帳に追加

To provide a refining method capable of performing the temerature rising and the desulfurization of an Al-Si killed steel simultaneously. - 特許庁

半導体装置１は、ＳＯＩ基板１０、配線層２０、および素子分離領域３０を備えている。例文帳に追加

This semiconductor device 1 comprises the SOI substrate 10, a wiring layer 20, and an element isolation region 30. - 特許庁

半導体装置及びその製造方法、並びにＳＯＩ基板及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE, SOI SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SOI SUBSTRATE - 特許庁

ウォーキングＩＦ式のアーキテクチャのための同相／直交相（Ｉ／Ｑ）の較正例文帳に追加

IN-PHASE/QUADRATURE (I/Q) CALIBRATION FOR WALKING-IF ARCHITECTURES - 特許庁

ＳＯＩ基体、その熱処理方法、それを有する半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

SOI BASE SUBSTANCE, ITS THERMAL TREATMENT METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SOI BASE SUBSTANCE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＬＳＩ機能モジュール配置装置、配置プログラム、配置方法、および半導体装置製造方法例文帳に追加

LSI FUNCTION MODULE ARRANGEMENT DEVICE, ARRANGEMENT PROGRAM, ARRANGEMENT METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ＳＯＩ基板の形成方法及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法例文帳に追加

SOI SUBSTRATE FORMING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁

ＳＯＩ基板上に形成され、ＥＳＤ耐性の高い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device formed on an SOI substrate and having a high ESD resistance property. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に歪み半導体領域を生成するために、歪み記憶技術が用いられる。例文帳に追加

A strain-memorization technique is used to create strained semiconductor regions on an SOI substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いることなく、ＳＯＩ構造とバルク構造とを同一基板上に形成する。例文帳に追加

To form an SOI structure and a bulk structure on the same substrate without using an SOI substrate. - 特許庁