「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、シリコン基板上にＢＯＸ層９及びＳＯＩ層１０が積層されたＳＯＩ基板に形成される半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device is the one formed on an SOI substrate wherein a BOX layer 9 and an SOI layer 10 are laminated on a silicon substrate. - 特許庁

Ｓｉ基板１２には、ＡｌＮ圧電薄膜１４の中央部に対応する部分に、空洞２０が形成される。例文帳に追加

A cavity 20 is formed to the Si substrate 12 at a part corresponding to the center part of the AlN piezoelectric thin film 14. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、静電気が印加された場合に放電効率の良いサイリスタやＳＣＲの形成を可能にする。例文帳に追加

To form a thyristor or SCR whose discharging efficiency is satisfactory when static electricity is impressed in a semiconductor device using an SOI substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板のＳＯＩ層内に形成され、リークの影響を最小限に抑えた抵抗素子等を有する半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device having a resistive element formed in the SOI layer of an SOI substrate to minimize the impact of leakage. - 特許庁

Ｎｉ金属粒子分散型のＡｇ−Ｎｉ系合金摺動接点素材及びクラッド複合材ならびにそれを使用した直流小型モータ例文帳に追加

Ni METAL GRAIN DISPERSION TYPE Ag-Ni ALLOY SLIDE CONTACT MATERIAL AND CLAD COMPOSITE MATERIAL, AND SMALL DC MOTOR USING THEM - 特許庁

ＳＯＩ基板に形成された１トランジスタ／１セル構造のメモリセルを持つ、高速読み出しが可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device permitting high-speed readout, which includes a memory cell of one transistor/one cell structure formed on an SOI substrate. - 特許庁

コンピュータ・システム１０には、デュアル・モードで動作するビデオ・カードと、ＤＶＩ規格のコネクタ３７が実装されている。例文帳に追加

A video card acting in a dual mode, and the connector 37 of DVI standard are mounted in a computer system 10. - 特許庁

そして、同閉弁タイミングがゲートに入る場合、吸気ポート噴射用インジェクタのみによる燃料噴射に切り換える。例文帳に追加

Then, when the valve opening timing enters the gate, the fuel injection is switched to the one by an intake port injection injector only. - 特許庁

投射型ディスプレイ・スクリーン（１０）は、駆動電圧（２２）が印加されない場合、極めて散乱した状態となる液晶材料（１６）を含む。例文帳に追加

A projection type display screen includes the liquid crystal material 16 which attains an extremely scattered state when there is no impression of driving voltage 22. - 特許庁

光量が所定のしきい値より小さい場合、記録処理部２０ｄは音声記録モードによる動作を開始し、音声データのみを記録する。例文帳に追加

If the amount of light is smaller than the predetermined value, the recording processing section 20d starts operation in a sound recording mode, and records only sound data. - 特許庁

この差動伝送はデジタル信号を伝送するものであってもよく、例えばＤＶＩ規格に基づく伝送である。例文帳に追加

The differential transmission may be performed by transmitting digital signals, for example, the transmission based on DVI (Digital Visual Interface) standards. - 特許庁

ＳＯＩ基板であっても容易に識別コードを検出することができる半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate from which an identification code can be detected readily, even if the substrate is an SOI substrate. - 特許庁

本発明の半導体装置では、Ｓｉ基板１０内において、ソース・ドレイン部２０に挟まれる領域にＳｉＧｅ層２５が埋め込まれている。例文帳に追加

In the semiconductor device, an SiGe layer 25 is buried in a region sandwiched by a source/drain 20 within an Si substrate 10. - 特許庁

基板表面が平坦化されると同時に水素終端化されるＳｉ基板表面の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing method of an Si substrate surface capable of flattening the substrate surface and simultaneously hydrogen-terminating it. - 特許庁

当該ＳＯＩ基板の作製においては、当該半導体層の膜厚の標準偏差をσとし、３σが１．５ｎｍ以下である。例文帳に追加

In the manufacture of the SOI substrate, the standard deviation of the film thickness of the semiconductor layer is σ and 3σ is 1.5 nm or less. - 特許庁

Ｓｉ基板２上にバンプ８を介して実装される半導体基板４には、ＨＥＭＴ１６が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor substrate 4 mounted on the Si substrate 2 via bumps 8, a HEMT 16 is formed. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、ゲッタリング層を形成する工程を用いずに、酸化膜の品質を向上させる。例文帳に追加

To improve the quality of an oxide film without using a process for forming a gettering layer in a semiconductor device using a SOI substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板を使い分けることなく、互いに異なる膜厚を持つ半導体層を絶縁体上に形成する。例文帳に追加

To form semiconductor layers having mutually different film thicknesses on an insulator without using an SOI substrate differently. - 特許庁

ＳＯＩ基板の素子形成領域４に素子が作り込まれた半導体装置は、重金属等の不純物汚染に強く、素子特性が向上する。例文帳に追加

The semiconductor device having devices formed in the device forming region 4 of its SOI substrate is resistant to contamination by impurities such as heavy metal, and its device properties are improved. - 特許庁

また、ユーザに指定された倍率がしきい値より大きい場合、切替指示部１２６は第１速度制御部１２２に移動部１１０の制御を指示する。例文帳に追加

Also, if the scale factor designated by the user is larger than the threshold, the section 126 instructs the section 122 to control the moving section 110. - 特許庁

入力電圧Ｖｉｎを読み込み、電動機トルク指令値Ｔｓ、昇圧デューティー値およびｑ軸アシスト電流Ｉｑｆを算出する。例文帳に追加

An input voltage Vin is read, and an electric motor torque directive value Ts, a boosting duty value, and a q-axis assist current Iqf are calculated. - 特許庁

メモリ部のキャパシタとロジック部の第１層目の配線がＳｉ基板から同一の高さで形成する。例文帳に追加

The capacitor of a memory part is formed in the same height with the first wiring layer of a logic part from a silicon substrate. - 特許庁

中空型半導体装置１は、素子部２とその裏面側（下方）に設けられた開口部１０とを有するＳｉ基板３を具備する。例文帳に追加

A hollow type semiconductor apparatus 1 is provided with a Si substrate 3 comprising the element part 2 and an opening part 10 provided on the rear surface side (lower part). - 特許庁

高抵抗Ｓｉ基板上に、多結晶ダイヤモンド薄膜からなる厚さが５μｍ以下の電子線透過膜２を気相合成する。例文帳に追加

An electron beam transmission membrane 2 with ≤5 μm thickness comprising a polycrystalline diamond thin film is synthesized in a vapor phase on a highly resistant Si substrate. - 特許庁

シリコン層の欠陥を検査・評価して高品質のＳＯＩ基板を得、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To obtain high-quality SOI substrates by inspecting and evaluating defects in silicon layers and to improve yields in manufacturing semiconductor devices. - 特許庁

ノイズ検出器５１は、クロック同期処理後のＩＱ信号の位相誤差を用いて、受信信号に含まれる受信ノイズを検出する。例文帳に追加

A noise detector 51 detects reception noise included in a received signal by using a phase error of an IQ signal after a clock synchronization process. - 特許庁

次に、開口面を介してＳｉＧｅ層をエッチングすることにより、Ｓｉ層５とＳｉ基板１との間に空洞部２１を形成する。例文帳に追加

Then, a cavity 21 is formed between the Si layer 5 and the Si substrate 1 by etching the SiGe layer via the opening surface. - 特許庁

大判ガラス基板上に単結晶半導体層を大面積に設けることにより、大型のＳＯＩ基板を得る。例文帳に追加

To obtain a large-scale SOI substrate by providing a single-crystal semiconductor layer in a large area over a large-sized glass substrate. - 特許庁

その後、空洞部２５の内部に面するＳｉ基板１の上面及びＳｉ層５の下面をそれぞれ熱酸化してＢＯＸ層３１を形成する。例文帳に追加

After that, the upper surface of the Si substrate 1 facing the inside of the cavity 25 and the lower surface of the Si layer 5 are thermally oxidized to form a BOX layer 31. - 特許庁

安価なＳｉ基板を用いてその上に良質なＺｎＯ膜を配向させ、その上方にＩｎxＧａyＡｌzＮ系の半導体発光素子を作製する。例文帳に追加

To provide an InxGayAlzN system semiconductor light-emitting element over a ZnO film of good quality orientated on an Si substrate of low cost. - 特許庁

Ｓｉ基板１上に、ＰＭＯＳトランジスタ２のチャネルに対し圧縮応力を導入する圧縮窒化膜１３を形成する。例文帳に追加

A compressive nitride film 13 for inducing compressive stress to a channel of a PMOS transistor 2 is formed on a Si substrate 1. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いれば、例えばエッチホールの壁面のみにメッキを施した半導体装置を形成することも容易である。例文帳に追加

A semiconductor device in which only the wall surface of an etched hole is plated can be easily formed by the use of a SOI substrate. - 特許庁

テレビジョン受像機において、複数の映像を同時に表示しているときに、ユーザによるＨＤＭＩ機器の操作の手間を低減する。例文帳に追加

To provide a television receiver capable of reducing the trouble of a user for operating a HDMI device while displaying a plurality of video images simultaneously. - 特許庁

ＳＯＩ基板に不純物が混入するのを防ぐことができる、半導体装置の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which prevents impurities from entering an SOI substrate. - 特許庁

導電構造を形成する場合、金属含有前駆物質ガスおよびスカベンジャーガスが少なくとも一時点の間に同時に流れる。例文帳に追加

When the conductive structure is formed, a precursor substance containing a metal and a scavenger gas flow simultaneously at least momentarily. - 特許庁

Ｓｉ基板１２６には、テーパー状の側面形状を有する窪みが形成され、該窪みの底面に薄膜半導体チップ１５０が貼り付けられる。例文帳に追加

A hollow having a tapered side surface shape is formed in a Si substrate 126, and a thin film semiconductor chip 150 is stuck on a bottom surface of the hollow. - 特許庁

このゲージ部３１は、支持基板、埋め込み絶縁膜、及び半導体層が順次積層されているＳＯＩ基板を用いて形成されている。例文帳に追加

The gauge unit 31 is formed employing an SOI (silicon on insulator) substrate formed of a supporting substrate, an embedded insulating film and a semiconductor layer which are laminated sequentially. - 特許庁

これにより、半導体構成体３のＳＯＩ基板６のシリコン基板７の下面はグランド電位とされている。例文帳に追加

Consequently, the bottom surface of the silicon substrate 7 of the SOI substrate 6 of the semiconductor configuration 3 is set to the grounding potential. - 特許庁

キー操作を受け付けない動作モードに設定されているときにキー操作が行われた場合、キー操作が無効であることを判別可能とする。例文帳に追加

To discriminate that a key operation is invalid when the key operation is performed when an operation mode is set in the one to accept no key operation. - 特許庁

レンズ素材が軟化していない場合、金型２の上型と第一の胴型の間に隙間が出来るため、プレス量は設定値に満たない。例文帳に追加

When a lens material is not softened, the press amount does not reach its set value because a clearance appears between the upper mold and the first body mold of a mold 2. - 特許庁

次に、溝ｈ２を介してＳｉＧｅ層をエッチングすることによって、Ｓｉ層１３とＳｉ基板１との間に空洞部２５を形成する。例文帳に追加

The SiGe layer is etched via the groove h2, thereby forming a cavity part 25 between the Si layer 13 and the Si substrate 1. - 特許庁

Ｓｉ基板領域の不純物の一部をＳｉ／ＳｉＯ_２界面に移動させ，これを不純物パイルアップとして構成する。例文帳に追加

A part of impurities in an Si substrate region is shifted to an Si/SiO2 interface and arranged to be an impurity pile up. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、集積度の犠牲を小さくして効率的に基板の電気的浮遊効果を抑制できるようにする。例文帳に追加

To enable a semiconductor device using an SOI substrate to efficiently suppress electric floatation effect of a substrate with less sacrifice in integration. - 特許庁

Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。例文帳に追加

To provide a semiconductor element in which an Sb-based crystal of high quality is grown on an Si substrate. - 特許庁

ＨＶＩＣを構成する半導体装置において、チップ面積を小さくでき、かつ、ＳＯＩ基板を用いなくてもよい構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure that reduces a chip area and eliminates the need of an SOI substrate in a semiconductor device for composing an HVIC. - 特許庁