「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｓｉ基板１の上に、下部酸化膜２を形成し、その上にＳｉＧｅ半導体薄膜３を形成する。例文帳に追加

The method for forming the dot unit comprises steps forming a lower oxide film 2 on an Si substrate 1, and forming an SiGe semiconductor thin film 3 on the film 2. - 特許庁

Ｓｉ基板１５０、ＢＯＸ層１５１、及び半導体層１５２を積層したいわゆるＳＯＩ構造となっている。例文帳に追加

An Si substrate 150, a BOX layer 151, and a semiconductor layer 152 are laminated as an SOI structure. - 特許庁

そして、残存した半導体基板１を選択研磨して（Ｓ１９）、種々のＳＯＩ層９が形成されたＳＯＩ基板１０を作製する。例文帳に追加

Thereafter, remaining portion of the semiconductor substrate 1 is selectively polished (S19) and SOI substrate 10 with various SOI layers 9 is produced. - 特許庁

本発明は、抗ピリング性に優れると同時に、かつ、風合い、吸水・速乾性に優れた編地を提供せんとするものである。例文帳に追加

To provide a knit fabric having excellent anti-pilling property and good feeling, water absorption and quick-drying property. - 特許庁

発光ダイオード２０は、Ｓｉ基板２１と、この上にエピタキシャル成長によって形成された半導体層で形成される。例文帳に追加

A light-emitting diode 20 includes an Si substrate 21 and a semiconductor layer formed thereon by epitaxial growth. - 特許庁

埋め込み層を有するＳＯＩ基板を従来に比して安価に、そして寸法を小さくすることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of reducing the size of an SOI substrate with a buried layer at lower cost than conventional devices. - 特許庁

半導体装置１は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板２にＬＤＭＯＳＦＥＴ（Lateral DoubleDiffused MOSFET：横型２重拡散ＭＯＳＦＥＴ）３ａが形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 1, an LDMOSFET (lateral double-diffused MOSFET) 3a is formed on an SOI (silicon-on-insulator) substrate 2. - 特許庁

Ｓｉ基板を成長基板として用いたIII 族窒化物半導体からなるＨＥＭＴの製造方法において、ウェハの反りを低減すること。例文帳に追加

To reduce warpage of a wafer in a method of manufacturing an HEMT using an Si substrate as a growth substrate and composed of a group-III nitride semiconductor. - 特許庁

平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an SOI substrate including a semiconductor film with planarity and high crystallinity. - 特許庁

プロセッサが動作停止状態に移行した場合、キャッシュデータの一貫性を保持しつつ、キャッシュメモリの消費電力を削減できる。例文帳に追加

To reduce the power consumption of cache memories while maintaining the consistency of cache data if a processor makes transition to an operation stop state. - 特許庁

２次特性とＩ／Ｑミスマッチとの両校正動作を行うテスト信号発生回路のチップ占有面積の増大を軽減する。例文帳に追加

To reduce expansion of a chip occupancy area in a test signal generating circuit which calibrates both secondary characteristics and I/Q mismatching. - 特許庁

ファンネル粘度の計測、特にＡＰＩ規格に準じた手順によるファンネル粘度の計測を自動処理する。例文帳に追加

To automatically process the measurement of funnel viscosity, especially the measurement of funnel viscosity due to a process corresponding to an API standard. - 特許庁

ＳＯＩ基板に形成されたＭＯＳトランジスタの高耐圧化、低消費電流、かつ高速動作を実現する。例文帳に追加

To increase a breakdown voltage, reduce a consumption current, and increase a speed of operation of an MOS transistor formed on an SOI substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板における半導体領域１２は、水平方向と比べて高さ方向に大きいチャネル部１３を有する。例文帳に追加

A semiconductor region 12 in an SOI substrate has a channel portion 13 which is large in the height direction as compared with the horizontal direction. - 特許庁

全てのマーカについて検証が済んだ場合、基本行列を算出し、撮像装置の運動を表す並進ベクトル及び回転行列を算出する。例文帳に追加

When the verification is finished for all markers, the basic matrix is calculated and parallel vector and rotation vector indicating the motion of photographing device are calculated. - 特許庁

この場合、基板（２５）と膜との間の熱膨張率差に起因する応力が基板（２５）の摺動によって分散される。例文帳に追加

In this case, stress caused by the difference between thermal expansion coefficients of the substrate (25) and the film is dispersed by sliding of the substrate (25). - 特許庁

そして、切断起点領域８ａ及び８ｂに沿ってＳｉ基板１０及びダイヤモンド薄膜１２を切断する。例文帳に追加

Next, the Si substrate 10 and the diamond thin film 12 are cut along the dicing start regions 8a and 8b. - 特許庁

単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced. - 特許庁

ＳＯＩ基板を使用する場合に発生する浮動体効果を除去するＳＲＡＭセル及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an SRAM memory cell in which a floating effect occurring when an SOI substrate is used and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

安価なＳｉ基板上に良好な半導体素子が得られるＡｌＮ基板を短時間で作成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of preparing an AlN substrate, which enables to prepare a good semiconductor element on an inexpensive Si substrate, in a short time. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に形成され、オン耐圧を向上させた高耐圧横型半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a high breakdown voltage lateral semiconductor device which is formed on an SOI substrate and improved in ON-state breakdown voltage. - 特許庁

仮想割込みを受信すると、仮想ＧＩＱは、関連仮想プロセッサの動作状態を検査することができる。例文帳に追加

Upon receiving a virtual interrupt, the virtual GIQ may examine the operating states of the associated virtual processors. - 特許庁

ベルトにずれが発生した場合、規制板２２の規制部２２ｂはベルトのずれを受け、規制板２２はベルトのずれ方向に移動する。例文帳に追加

When the belt shifts, a control part 22b of a control plate 22 receives the shift of the belt and the control plate 22 moves in the shifting direction of the belt. - 特許庁

被研磨物である半導体ウエハ等を負圧により吸引保持する場合、吸引による当該ウエハ等の変形による破損を防止する。例文帳に追加

To prevent fracture of wafer and the like due to deformation thereof by sucking when semiconductor wafer and the like as a work piece to be polished is sucked and held by negative pressure. - 特許庁

ドーバント材料が酸化しやすい場合、金属材料層とドーバント埋め込み構造の間に半導体材料層を設ける。例文帳に追加

A semiconductor layer 15 is thinly covered just on the rearranged structure 12 and disposed for avoiding oxidation to prevent the electric conduction from deteriorating due to oxidation of the dopant material. - 特許庁

制御手段５は、照合手段４での照合が所定の条件に合致していない場合、機器を動作させないよう構成する。例文帳に追加

The control means 5 never operates the appliance when the collation is not matched to the predetermined condition. - 特許庁

特許文献１に記載のＳＯＩ基板においては、絶縁膜の熱伝導率が高くても、厚い支持基板によって放熱が妨げられてしまう。例文帳に追加

To effectively dissipate the heat produced in a silicon layer to the outside of an SOI substrate through a substrate insulating film and a support substrate. - 特許庁

電導度方式でない場合、経時補充量設定値と処理補充量設定値を増減しないようにする。例文帳に追加

When a replenishment system is not an electric conductivity system, the set value of the time lapse replenishment rate and the set value of the processing replenishment rate are not increased nor decreased. - 特許庁

キャリッジが紙送り可能範囲に位置するとき、噛み歯４０がプラテンギヤ７に噛み合い、記録媒体搬送手段が駆動される。例文帳に追加

When a carriage is in a position of range capable of feeding a sheet, a meshing gear 40 is in mesh with a platen gear 7 to drive the recording medium transfer means. - 特許庁

そして、空洞部内を埋め込むようにＳｉ基板１の上方全面にａ−Ｓｉ層を形成する。例文帳に追加

Then, an a-Si layer is formed on the upper, the entire surface of the Si substrate 1 so that the inside of the cavity section is embedded therewith. - 特許庁

振動ミラー基板は、２枚のＳｉ基板２０６、２０７を酸化膜等の絶縁膜を介して接合して構成される。例文帳に追加

An oscillating mirror substrate is constituted by joining two Si substrates 206, 207 via an insulating film such as an oxide film. - 特許庁

アナログボタンが、元の位置と隣接する位置に移動された場合、キャラクタは、剣の構えを変えるように制御される。例文帳に追加

When the analog button is moved to a location adjacent to the original location, the character is controlled so as to change the posture of a sword. - 特許庁

運転者によって緊急ブレーキ操作が実行された場合、吸入弁６６を開弁状態とし、ポンプ７０を作動状態とする。例文帳に追加

When an emergency brake is operated by a driver, a suction valve 66 is made in a valve opening condition, and a pump 70 is made in the operating condition. - 特許庁

さらにこのようにしても所定時間経過して温度が低下しない場合、機構駆動用電源回路１２Ｃに電源供給の停止を指示する。例文帳に追加

Furthermore, when the temperature does not decrease even after a lapse of a prescribed time, stop of power supply is instructed to a power consumption circuit 12C for mechanism drive. - 特許庁

ＨＤＭＩ規格の高速差動伝送路に接続されるサージ吸収素子ＳＡ１は、インダクタ部１０及びサージ吸収部２０を備える。例文帳に追加

The surge absorption SA1 connected to an HDMI standard high speed differential transmitting path is provided with an inductor section 10 and a surge absorption section 20. - 特許庁

従来に比べて低温の熱処理で基板同士を接合してＳＯＩ基板を得ることができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique wherein an SOI substrate can be obtained by bonding substrates to each other by thermal treatment at a temperature which is low as compared with the conventional case. - 特許庁

この場合、急激な排圧の変動に対してＥＧＲバルブ７の応答が遅れることがなく、速やかに追従させることができる。例文帳に追加

In this case, the response of the EGR valve 7 can be quickly followed without delay for the sharp fluctuation in the exhaust pressure. - 特許庁

さらにエアバッグ展開などによる自動緊急通報発信処理を行うための信号を入力した場合、緊急通報連絡処理を開始する。例文帳に追加

Further, when a signal for performing an automatic emergency report transmitting processing by expansion of airbag is inputted, the emergency report connecting processing is started. - 特許庁

部分ＳＯＩ基板にＮＡＮＤセルユニットを形成する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device where a NAND cell unit is built on a partial SOI substrate and its manufacturing method. - 特許庁

本発明は、ディスクのサイズが変更された場合、キャンセル部の動作タイミングを変更しなくとも良いようにすること、を目的とする。例文帳に追加

To make it unnecessary to vary an operation timing for a cancel part when the disk size is varied. - 特許庁

この場合、記録素子の駆動に伴って発生させられる熱に対応させて、所定の箇所にあらかじめ熱が発生させられる。例文帳に追加

Heat is generated previously at a specified position in correspondence with heat being generated as the recording element is driven. - 特許庁

水田作業機において、作業装置を田面から大きく上昇駆動した場合、機体の旋回が円滑に行えるように構成する。例文帳に追加

To provide a working machine for a paddy field with which a machine body is smoothly revolved when an operation apparatus is largely raised and driven from the surface of a paddy field. - 特許庁

ＳＯＩ基板上で、動作速度低減の問題なく、消費電力の小さな連想記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a content-addressable memory of small power consumption without any problem of reduction of an operation speed on an SOI board. - 特許庁

この構成の場合、起動時に大当りカウンタが計測値から基準値まで両バックアップデータに基づいて加算される。例文帳に追加

In such an arrangement, the big win counter gets additions based on both backup data from the measured values to the reference values. - 特許庁

ＩＱベース時間領域の測定値は、自動的に生成及び表示されるか、外部デバイス１６０に伝送される。例文帳に追加

The measurement values of the IQ based time domain traces are automatically generated and displayed or transmitted to an external device 160. - 特許庁