「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

内部回路起動タイミングを、ダミー回路を用いて生成する半導体記憶装置に関し、特に精度よく内部回路起動タイミングを生成し、また、ダミーメモリセルに欠陥がある場合、救済可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To to provide a semiconductor memory which can accurately generate internal circuit start timing in particular, and can recover from a defect when a dummy memory cell has a defect, as to the semiconductor memory which generates the internal circuit start timing by using a dummy circuit. - 特許庁

各種電子機器の配線材に使用される同軸ケーブルに張力、振動などの外力が加わった場合、金属箔の亀裂発生を無くす、または低減させることができ、同軸ケーブルの減衰特性に悪影響を及ぼさない同軸ケーブルを提供する。例文帳に追加

To provide a coaxial cable to avoid or to alleviate troubles of a crack of metal foil, and not to adversely affect its attenuation characteristics, in case tensile force or external force such as vibration is added on the coaxial cable used as a wiring material for various electronic equipment. - 特許庁

供給中テーブルＤ１と振動低減テーブルＤ２との加速，減速に伴う各駆動装置の負荷トルクＴ１，Ｔ２の変動が互いにほぼ打ち消し合い、供給中テーブルＤ１およびそれを支持するテーブル支持部材、テーブル支持部材が設置された床の振動，騒音が低減する。例文帳に追加

The fluctuations in load torques T1 and T2 of drive devices that follow acceleration and deceleration of the supply table D1 and vibration reduction table D2 almost cancel each other, resulting in reducing vibration and noise of the supply table D1, a table support member supporting it, and a floor on which the table support member is installed. - 特許庁

バイアス電流制御回路は、第１差動接続が動作しない入力電圧範囲においては、Ｍ９に十分なバイアス電流を供給し、第１差動接続が動作する入力電圧範囲においては、Ｍ９のバイアス電流Ｉ９を減少またはカットする。例文帳に追加

The bias current control circuit feeds a sufficient bias current to the M9 in an input voltage range in which the first differential connection does not operate, and reduces or cuts the bias current I9 of the M9 in an input voltage range in which the first differential connection operates. - 特許庁

ＩＱ復調回路６において、バッファ６６ａ，６６ｂの後段に差動ドライバ６７ａ，６７ｂを設けて、入力されたＩＦ信号をミキサ６３ａ，６３ｂで復調したＩ信号及びＱ信号を差動ドライバ６７ａ，６７ｂで差動Ｉ信号及び差動Ｑ信号に変換して出力する。例文帳に追加

Differential drivers 67a, 67b are placed to a post-stage of buffers 66a, 66b in an IQ demodulation circuit 6, the differential drivers 67a, 67b converts I, Q signals resulting from demodulating a received IF signal by mixers 63a, 63b into a differential I signal and a differential Q signal and provide an output of them. - 特許庁

機能が異なる複数の半導体素子を含み、各半導体素子のゲート絶縁膜とゲート電極との界面の高さが略同じであり、各半導体素子をそれぞれ部分ＳＯＩ基板の適切な領域に配置した半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage apparatus which includes a plurality of semiconductor devices whose functions are different from each other, and in which the height of an interface between a gate insulating film and a gate electrode of each semiconductor device is almost the same, and in which each semiconductor device is arranged in a proper region of each partial SOI substrate. - 特許庁

半導体複合装置１の最下層に例えば半導体基板であるＳｉ基板２を配置し、その上に表面の平坦化が可能な平坦化層３を配し、その上に半導体素子が形成される半導体薄膜層４をボンディングした構成とする。例文帳に追加

For example, an Si substrate 2 as a semiconductor substrate is arranged on the lowermost layer of the semiconductor composite device 1, a flattened layer 3 whose surface can be flattened is disposed thereon, and a semiconductor thin film layer 4 on which a semiconductor element is formed is bonded thereon. - 特許庁

この場合、供給機構には、内輪の回転に従って潤滑剤を掻き込む掻込部(掻込用開口３０)と、掻き込まれた潤滑剤を軸方向に導入する導入部(貯留路３２、導入路３４)と、導入された潤滑剤を軸受内に供給する供給部(供給路３６)とが設けられている。例文帳に追加

Further this case, the feeding mechanism comprises a taking in portion (an opening 30 for taking in) taking the lubricant in according to a revolution of the inner ring, an introducing portion (a reservoir passage 32, an introducing passage 34) introducing lubricant took in axial direction, and a supplying portion (a supplying passage 36) supplying introduced lubricant inside the bearing. - 特許庁

三　協同組合連合会にあつては、その種類に従い、協同組合、協同小組合、火災共済協同組合又は信用協同組合のうちのいずれかを冠する連合会（第九条の九第四項に規定する特定共済組合連合会に該当するものにあつては、その種類に従い、共済協同組合又は共済協同小組合のうちのいずれかを冠する連合会）例文帳に追加

iii) In the case of a federation of cooperatives, "federation" in combination with any one of "cooperatives," "minor cooperatives," "fire mutual aid cooperative," or "credit cooperative" according to its type (if the federation is a provided federation of mutual aid associations provided in Article 9-9(4), "federation" in combination with either "mutual aid cooperatives" or "minor mutual aid cooperative" according to its type  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＳＯＩ基板に、インバータ回路部を構成する高耐圧半導体素子の動作タイミングを制御する制御回路部１５１と、その動作タイミングに応じて高耐圧半導体素子を駆動する駆動信号を出力するとともにインバータ回路部の異常を制御回路部１５１にフィードバックする駆動・異常検出回路部１５２ａ、１５２ｂとを形成して、１チップの集積回路チップ１５０とする。例文帳に追加

There are formed on an SOI substrate a control circuit 151 that controls the operation timing of a breakdown voltage semiconductor element that constitutes an inverter circuit, and drive abnormality detection circuits 152a, 152b that output drive signals for driving the breakdown voltage semiconductor element in accordance with the operation timing, and feed back the abnormality of the inverter circuit to the control circuit 151, thus constituting a one-chip integrated circuit chip 150. - 特許庁

空気入りタイヤ内圧制御装置１００は、自動四輪車１０が制動している、または自動四輪車１０が制動しようとしている制動状態であることを検出するセンサー部１２０と、センサー部１２０によって自動四輪車１０が制動状態であることが検出された場合、気室の内圧を変化させるコントローラ１１０とを備える。例文帳に追加

The pneumatic tire internal pressure control device 100 comprises a sensor section 120 for detecting an automatic four-wheel vehicle being braked or to be braked, and a controller 110 for changing the internal pressure of the air chambers when the sensor section 120 detects that the automatic four-wheel vehicle 10 is being braked. - 特許庁

ｄ軸補正電流設定手段３８を設けて、ｑ軸指令電圧Ｖｑｏが大きい場合、ｑ軸実電流ｉｑｒが小さい場合、電動機回転速度Ｎｍが大きい場合に、電動機８のｄ軸成分であるｄ軸電流を電動機８の界磁を弱めるようにｄ軸電流指令値を補正する。例文帳に追加

A d-axis correction current setting means 38 is provided to for correction, for a d-axis current which is a d-axis component of a motor 8, as to weaken the magnetic field of the motor 8, if a q-axis command voltage Vqo is high, q-axis actual current Iqr is small, and motor rotational speed Nm is high. - 特許庁

もしルートのハードディスクドライブが SCSI接続であった場合、起動ディスクの読み込み順序に誤りが生じ、 システムが ZIPドライブから起動しようとしてしまう場合があります。例文帳に追加

If your root hard disk is a SCSI disk, you might run into a problem with probing order, which will cause the system to attempt to use the ZIP drive as the root device.  - FreeBSD

講道館に統一されている柔道とは異なり、空手には多数の流派が存在し、流派によって教える型や訓練法、試合規則も大きく異なる。例文帳に追加

Unlike Judo, which is united under the Kodokan Judo Institute, karate has many organizations (schools), and the types of kata, practice methods and match rules differ significantly, depending on the organization.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

盛平が「合気道」の名称を用い出したのは昭和23年（1948年）、合気会発足からである（それ以前は「合気武道」「大日本旭流柔術」等と称していた）。例文帳に追加

Morihei began using the name 'aikido' in 1948, since the establishment of Aikikai (prior to which he had used the names 'Aikibudo,' 'Dai Nippon Kyokuryu Jujutsu,' etc.).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

武術としての柔術には、現代柔道、合気道、ブラジリアン柔術等は含まれないが、より明確に分けるために「古流柔術」と呼ぶ事もある（下に記す）。例文帳に追加

Jujutsu as the martial art does not include the modern judo, aikido, Brazilian Jiu-Jitsu and the like, so it is sometimes called 'koryu jujutsu' (the old-style jujutsu, mentioned below) to make a clear distinction between itself and these martial arts.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

所の者はここで昔おこなわれた戦いの話をしてきかせる（前段の漁師の話と同内容、ただし間狂言は前段のシテが語った韻文を口語体で語るのが能の常道である）。例文帳に追加

The Tokoro no mono tells the monk the story of the battle waged here in the past (it is the same story as the one told by the fisherman in the first part, but it is a convention of noh to change the spoken style from the metrical style used by Shite in the first part to a colloquial style in ai kyogen).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

戦国時代(日本)後期に入ると上国家湊安東氏に後嗣がなく断絶の危機を迎えたため、詳細は不明であるが檜山下国家の安東愛季が湊家をも継承して安東家を統合した。例文帳に追加

In the latter Sengoku Period (Japan), as the existence of the Minato Ando clan of Kaminokuni family was threatened by the lack of the heir, Chikasue ANDO of the Hiyama Shimonokuni family succeeded to the reign of the Minato family also, and integrated the two Ando families, although the detail is unkown.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例えば、対比文献に開示された製品が「銅製のもの」である場合、「金属製」の同一の製品についての発明又は実用新案の新規性を喪失させることになる。例文帳に追加

For example, a product “made of copper" disclosed in a reference document takes away the novelty of an invention or utility model for the same product “made of metal."  - 特許庁

同人が(1)の規定に従わない場合，局長又は裁判所は，その手続が同人により放棄されたものとして取り扱い，それに応じてその事件についての決定をすることができる。例文帳に追加

If the person does not comply with subsection (1), the Commissioner or the Court may treat the proceedings as abandoned by the person and determine the matter accordingly. - 特許庁

電子部材が長方形の半導体チップ１である場合、吸着穴１１は半導体チップ１１の４つの角部それぞれに対応する位置に配置される。例文帳に追加

When the electronic member is a rectangular semiconductor chip 1, the sucking holes 11 are arranged in the positions corresponding to the four corners of the semiconductor chip 1. - 特許庁

多孔質膜に、吸着膜として適したグラフト鎖を形成させる場合、競争反応であるモノマーどうしのラジカル重合を抑えることが必要となる。例文帳に追加

To solve a problem that it is necessary to suppress the radical polymerization of monomers that is a competitive reaction when a graft chain suitable as an adsorption film is formed to a porous film. - 特許庁

ＳＯＩ基板に形成されるＣＭＯＳを含む半導体装置であって、高集積化が可能である半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is capable of high integration, being a semiconductor including a CMOS made on a SOI substrate, and its manufacturing method. - 特許庁

層２は、ＳＯＩ基板のＢＯＸ層及びシリコン層と、シリコン層上に選択的に形成された半導体素子と、半導体素子及びシリコン層上に形成された層間絶縁膜とを含む。例文帳に追加

A layer 2 contains a BOX layer and a silicon layer of the SOI substrate, a semiconductor element which is selectively formed on the silicon layer, and an interlayer insulating film which is formed on the semiconductor element and the silicon layer. - 特許庁

そして、そのＣＭＩＳ回路を構成するｎＭＩＳＱｎおよびｐＭＩＳＱｐのゲート電極４Ａ，４Ｂの厚さを、ＳＯＩ基板１の半導体層１Ｃの厚さと同等または若干厚くした。例文帳に追加

The thickness of the gate electrodes 4A, 4B of nMISQn and pMISQp, forming the CMIS circuit, is set almost equal to or a slightly larger than that of the semiconductor layer IC of the SOI substrate 1. - 特許庁

ＳＯＩ基板の一方のシリコンウエハで支持基板を形成し、他方のシリコンウエハで可動体と可動電極４７ａ，４７ｂおよび固定電極５１ａ，５３ａが分離されて形成される。例文帳に追加

A support substrate is formed of one silicon wafer of an SOI substrate, and the movable body, movable electrodes 47a, 47b, and fixed electrodes 51a, 53a are separately formed of the other silicon wafer. - 特許庁

エンジン始動判定部１４１は、ブレーキロック検知部１４３によってブレーキロックスイッチ８０２ａの入力状態が検知されない場合、キックスタータ機構によるエンジンの始動を禁止する。例文帳に追加

The engine start determining part 141 prohibits the start of the engine with a kick starter mechanism when the brake lock detecting part 143 does not detect the input state of a brake lock switch 802a. - 特許庁

Ｓｉ基板上にクラックの発生しない高品質な窒化物系半導体または窒化物系半導体から構成される素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high quality nitride based semiconductor or an element constituted of the nitride based semiconductor not generating cracks on a Si substrate, and to provide the manufacturing method. - 特許庁

化合物半導体層とＳｉ基板との間の電気絶縁性にすぐれ、かつ転位密度の低い高品質の化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a compound semiconductor substrate with superior electrically insulating performance between a compound semiconductor layer and an Si substrate, low dislocation density, and high quality, and a method for manufacturing this substrate. - 特許庁

希薄直接噴射（ＬＤＩ）機能を有する燃焼システムの動作方法７００及びシステムは、ＬＤＩシステムのインジェクタの受動冷却システムを提供する。例文帳に追加

A method 700 and system of operating the combustion system that has lean direct injection (LDI) functionality provide a passive cooling system for the injector of the LDI system. - 特許庁

動画を含む場合、記憶制御部３１５は、記憶部３１１に記憶されているフィールド情報のみを出力水平同期信号の２回に１回の割合で出力する。例文帳に追加

When the input video signal includes the moving picture, the storage control section 115 outputs only the field information stored in the storage section 313 once per two output horizontal synchronizing signals. - 特許庁

結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced even when a single crystal semiconductor substrate in which crystal defects exist is used. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置の製造時にけるプラズマプロセス中に発生する支持基板の表面・裏面の帯電によって生じる半導体素子の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration of a semiconductor device by electrification of the front/rear face of a support substrate which occurs during a plasma process in the manufacture of a semiconductor apparatus using an SOI substrate. - 特許庁

シリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介して半導体層５を形成したＳＯＩ基板２を、素子分離領域６により半導体層５を分離して素子形成領域５ａとする。例文帳に追加

A SOI substrate 2 where a semiconductor layer 5 is formed through a silicon oxide film 4 on a silicon substrate 3, is divided into a semiconductor layer 5 and an element formation region 5a by an element isolation region 6. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に簡略化されたプロセスで半導体装置および基板コンタクトを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacture of a semiconductor device capable of forming a semiconductor device and a substrate contact on an SOI substrate by a simplified process. - 特許庁

無電解めっき液に触媒作用のあるＮｉ９を微量添加し、このめっき液を用いて接続孔７等に銅配線８として銅を無電解めっきで埋め込む。例文帳に追加

A trace amount of catalyzing Ni 9 is added to electroless plating solution and copper is embedded as a copper wiring 8 in a connection hole 7 and the like through electroless plating with the use of the plating solution. - 特許庁

加速した水素イオンの照射量を増やすことなく、低い加熱処理温度で単結晶半導体基板からベース基板に半導体層を転載できるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題の一とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon-on-insulator (SOI) substrate, which can transfer a semiconductor layer from a single-crystal semiconductor substrate to a base substrate at low heat treatment temperature without increasing the irradiation amount of accelerated hydrogen ions. - 特許庁

センサチップをＳＯＩ基板１００上に形成し、ｐＭＯＳトランジスタが形成されるｎ型半導体層とｎＭＯＳトランジスタが形成されるｐ型半導体層とはｐｎ接合により分離する。例文帳に追加

The sensor chip is formed on an SOI substrate 100, and an n-type semiconductor layer formed with a pMOS transistor is separated from a p-type semiconductor layer formed with an MOS transistor, by pn-joining. - 特許庁

表面シリコン層の膜厚の異なる素子を同一ＳＯＩ基板上に形成する半導体装置の製造方法において、各々の表面シリコン層に対して最適な素子分離絶縁膜を形成することを目的とする。例文帳に追加

To form an isolation insulation film optimum for each surface silicon layer in a method of manufacturing a semiconductor device, by which elements having different surface silicon layer film thicknesses are formed on the same SOI substrate. - 特許庁

その後、開口面Ｈを介してＳｉＧｅ層３をエッチングして、Ｓｉ層５とＳｉ基板１との間に空洞部を形成し、空洞部内に熱酸化膜を形成する。例文帳に追加

Finally, the SiGe layer 3 is etched through the opening surface H to form a cavity between the Si layer 5 and the Si substrate 1 and a thermal oxidation film is formed in the cavity. - 特許庁

単結晶半導体層と支持基板との接着不良を低減し、単結晶半導体層と支持基板との接着強度の高いＳＯＩ基板を製造する。例文帳に追加

To manufacture an SOI substrate achieveing high bonding strength between a single-crystal semiconductor layer and a support substrate by reducing adhesion defects between the single-crystal semiconductor layer and the support substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた誘電体分離型半導体装置において、接合分離型装置と比較して高い電圧を印加した場合にも破壊しない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which never breaks even when applied with a high voltage as compared with a junction separation type device, as a dielectric separation type semiconductor device which uses an SOI substrate. - 特許庁

複数の入力がある半導体装置を共通入力で複数個用いる場合、基板上の入力配線を単層配線にできる半導体装置および電子装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and an electronic device wherein input wiring on a board can be made single layer wiring in the case that a plurality of the semiconductor devices having a plurality of inputs are used by common input. - 特許庁

安定したボディ固定動作と共に、高集積化、低寄生容量化や配線容量の低減化を図ることができる、ＳＯＩ基板上に形成される半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device formed on an SOI substrate that has a stable body fixing operation, can achieve high integration, and can achieve reduction in parasitic capacity and wiring capacity. - 特許庁

Ｓｉ基板１上にＡｌ_2 Ｏ_3 結晶層２を成長させ、その上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層４を成長させることにより窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を製造する。例文帳に追加

An Al2O3 crystal layer 2 is grown on an Si substrate 1, and a III-V nitride compound semiconductor layer 4 is grown on this Al2O3 crystal layer 2, so that a III-V nitride compound semiconductor substrate can be manufactured. - 特許庁