「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ合金と同等以上の溶接割れ感受性と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｏ−Ｓｉ合金と同等以上の耐摩耗性を兼ね備えた高硬度肉盛合金粉末を提供すること。例文帳に追加

To provide high-hardness hardfacing alloy powder that combines weld crack susceptibility equivalent to or more than that of a Co-Cr-W alloy and wear resistance equivalent to or more than that of a Co-Cr-Mo-Si alloy. - 特許庁

締付トルクを負荷電流に換算する場合、起動電流が定常に落ち着くまで制御開始出来ず、ソフトスタートで起動すると、作業性が著しく低下する。例文帳に追加

The formation of a fixed relation between a speed lowering ratio (Rb) for peak rotational speed (Vm) at the time of starting tightening and tightening torque is utilized and tightening target torque (Tb) is set by the speed lowering ratio (Rb) for peak rotational speed (Vm). - 特許庁

移動機の目標通信品質を低く設定しても下り送信電力の増加が要求される場合、基地局制御装置は故障移動機からの呼接続要求を拒否する。例文帳に追加

When increase in the outgoing transmission power is requested, even when the target communication quality of the mobile units is selected lower, the base station controller rejects a call connection request from the faulty mobile unit. - 特許庁

停電情報を受信した各直流機器１０２では、現在時刻が動作時間帯である場合、切替部を閉状態のままにして、分散電源から動作部への直流電力供給が行われる。例文帳に追加

In each DC device 102 having received the power failure information, when the current time is an operation time zone, DC power is fed from a distributed power supply to an operation section with a switching section in a closed state. - 特許庁

始動時に整合回路部５によるインピーダンス整合の調整をする場合、基準電圧変更部７１で基準電圧を下げることにより、制御部７による間欠発振を利用して無電極放電灯１の始動を繰り返す。例文帳に追加

When the impedance matching by the matching circuit part 5 is adjusted during start, a reference voltage is lowered by a reference voltage changing part 71, whereby the start of the electrodeless discharge lamp 1 is repeated using the intermittent oscillation caused by the control part 7. - 特許庁

ＳＯＩ基板の製造方法は、ＳＯＩ層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する。例文帳に追加

In a method of manufacturing the SOI substrate, a first semiconductor substrate 11 that becomes the SOI layer is overlapped to a second one 12 via an oxide film 11a to form a laminate 13. - 特許庁

基板浮遊効果による寄生バイポーラ、および支持基板バイアスによるしきい値電圧の変動を防止しつつ、寄生容量の低減を可能とするＳＯＩ基板を用いた半導体装置の構造およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a structure of a semiconductor device by using a SOI substrate whose parasitic capacitance is reduced while a fluctuation of parasitic bipolar by a substrate floating effect and a threshold voltage by a support substrate bias is prevented and to provide a manufacturing method of the structure. - 特許庁

入力処理ルーチン１１２は、対応するイベントが入力されているかどうかをチェックし（図３（ａ）参照）、イベントが入力されていれば、簡易ＯＳ１２１のイベントキューＩＱにキューイングする（図３（ａ）−２参照）。例文帳に追加

An input processing routine 112 checks whether a corresponding event is inputted or not (Figure (a)), and queues the event in an event queue IQ of a simplified OS 121 when the event is inputted (Figure (a)-2). - 特許庁

覆工板の上に橋型クレーン等の軌道を設置する場合、該軌道をトラック等の車両が容易に横切ることが可能で、かつ、容易に撤去することができるようにした覆工板上走路を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a traveling path on a covering plate capable of easily crossing a vehicle such as a truck on a track when the track of a bridge crane is installed on the covering plate and being easily removed. - 特許庁

瞬時流量の期間中平均で流量無しと判断される場合、期間中差分から流量変動の有無を判断し、流量変動が有る場合は期間中平均による流量無しが所定回数に達すると流量無しと確定する。例文帳に追加

When there is flow fluctuation, if no flow from the in-period average reaches the predetermined number of times, no flow is determined. - 特許庁

省電力動作モード時、外部インターフェース部に接続された外部記憶装置の接続を検出した場合、該記憶装置のファイルの有無により起動部を変更する。例文帳に追加

In the case where connection of an external storage device connected to an external interface unit is detected during the power saving operation mode, an activation unit is changed in accordance with presence/absence of a file in the storage device. - 特許庁

選択部５０３は、受付部５０２によって操作者の操作入力が受け付けられた場合、記憶部５０１に記憶されている動作データのうち、ギミックを進出させるための動作データを選択する。例文帳に追加

A selecting part 503 selects operation data for moving the gimmick outward, out of operation data stored in the storage part 501 when the operation input of an operator is received by the receiving part 502. - 特許庁

ロータが逆方向に回転している場合、キャッチ始動シーケンサ１２６は、モータ駆動システム１１０を制御して、回転速度を減速し、次いでロータの順方向の回転を開始させる。例文帳に追加

In the case that the rotor is rotated in a reverse direction, the catch start sequencer 126 controls the motor drive system 110 to decelerate a speed of rotation, then to start rotation in a forward direction of the rotor. - 特許庁

給紙手段により記録媒体の給紙を実行してから所定時間経過しても記録媒体が検知されない場合、給紙手段を動作させて記録媒体の搬送を補助する補助動作を実行する。例文帳に追加

When a recording medium is not detected even after an elapse of prescribed time since the paper feeding of the recording medium is executed by a paper feeding means, the paper feeding means is operated to execute an assisting operation for assisting conveying of the recording medium. - 特許庁

自動両面印刷し、表（おもて）面が白紙記録データであり、裏面の記録データを記録するとき場合、記録時間が短縮され、また記録媒体の自動反転に要するエネルギーを使わないようにすることを目的とする。例文帳に追加

To reduce the time period for recording and to save energy for automatic flipping of a recording medium in the case where automatic perfecting printing is carried out, data of the front face are blank recording data, and recording data of the rear face is recorded. - 特許庁

清掃動作を実施する命令がキャリッジ２０に伝達された場合、キャリッジ２０は突当部材２５に向かって（矢印Ｂ方向下流に）清掃領域に移動する。例文帳に追加

When an instruction for performing cleaning operation is transmitted to a carriage 20, the carriage 20 moves to a cleaning region toward a bumper member 25 (downstream in the direction of arrow B). - 特許庁

移動局を一斉に呼出すページング処理を行う場合、基地局制御装置におけるページング手順において移動局ＩＤを検索するプロセス量を削減する。例文帳に追加

To reduce a process quantity required to retrieve a mobile station ID in a paging procedure by a base station controller in the case of conducting paging processing to simultaneously call mobile stations. - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。例文帳に追加

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method. - 特許庁

このエラー確認手段によりエラーフレームが存在しないと判定された場合、切り替え手段は、規格に定められた動作から通信継続動作に切り替える。例文帳に追加

When the error checking means determines that no error frame exists, a switching means switches an operation predetermined by the standard to a communication continuation operation. - 特許庁

遠隔地から装置のリモート電源ＯＮを行った場合、既知の終了プロセスのアプリケーションのみを起動するため、安全にリモート電源ＯＦＦを行うことができるリモート起動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a remote starting method for remotely and surely turning off a power source to start the application of only known finish process when the power source of a device is remotely turned on from a remote place. - 特許庁

音声制御手段は、演出状態を切り替える場合、切り替えを実行するための特別図柄１９２の変動表示の開始時から、切り替え前の短変動用音声データの再生を開始する。例文帳に追加

A sound control means starts the reproduction of short variation sound data before switching from the start of a variable display of special symbols 192 for carrying out switching when switching the rendering state. - 特許庁

Ｓｉ基板上にエピタキシャル積層された誘電体薄膜を有し、しかも、特性ばらつきや駆動力の低下がない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is equipped with a dielectric thin film that is epitaxially laminated on an Si substrate, varies less in characteristics, and is hardly reduced in a driving force. - 特許庁

同一ＳＯＩ基板上で完全空乏型デバイスと部分空乏型デバイスを自己整合的に作り分けることにより製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which the fabrication process is simplified by fabricating a full depletion device and a partial depletion device separately on an SOI substrate by self alignment. - 特許庁

また、ホームサーバ１００は、災害報知情報を災害報知情報送信装置２０から受信した場合、記憶されている動作情報に基づいて、端末装置を動作させる制御情報を生成して送信する。例文帳に追加

Also, when receiving the disaster report information from a disaster report information transmitting device 20, the home server 100 generates and transmits control information for operating terminal equipment based on the stored operation information. - 特許庁

ＳＯＩ基板１２の半導体層１５に所定濃度で不純物が導入された電流経路１６が設けられ、その四方の端部に高濃度ｎ型領域１７が形成されている。例文帳に追加

A current path 16 into which impurities are introduced at a predetermined concentration is provided on a semiconductor layer 15 of the SOI substrate 12, and high concentration n-type regions 17 are formed at four corners thereof. - 特許庁

ＳＯＩ基板のシリコン層に開口部を設け、これを介して絶縁層を選択エッチングにより開口部より大きな空洞を形成し、ポリシリコンを堆積して空洞を埋める。例文帳に追加

An opening is provided at a silicon layer of an SOI substrate, a void which is larger than the opening is formed by selective etching of an insulating layer through the opening, and the void is buried by depositing polysilicon. - 特許庁

LSI2の動作を検証する場合、共通処理プログラム展開手段111が、書き込み装置４を用いて、共通処理プログラムをLSI2のメモリ上に展開し、起動する。例文帳に追加

In verification of an operation of the LSI 2, a common processing program development means 111 develops a common processing program on the memory of the LSI 2 by using a writing device 4 for starting the program. - 特許庁

そして判断手段により関連性を有すると判断した場合、記憶部に記憶した道路の属性、複数の道路間の接続状態及び記憶部に記憶した補正値に基づき経路のコストを算出する。例文帳に追加

When the determining means determines that they have the relevance, the route cost is calculated based on the attribute associated with the road stored in the memory section, the connection state between the two or more roads and a correction value stored in the memory section. - 特許庁

そして、変更される用紙属性と同一属性となる給紙段が前記記憶手段に記憶されていると判断した場合、給紙段に設定される用紙属性と同一となる他の給紙段の存在を表示する（Ｓ７０６）。例文帳に追加

When it is determined that the paper feeding stage having the same attribute as the paper attribute to be changed is stored in the storage means, presence of the other paper feeding stage having the same paper attribute as the paper attribute to be set in the paper feeding stage is displayed (S706). - 特許庁

光走査ミラー１は、ＳＯＩ基板２００からなる半導体部１００と、半導体部１００の上面、下面に接合されたガラス基板を用いてなる上部保護基板１１０及び下部保護基板１２０を有している。例文帳に追加

An optical scanning mirror 1 has: a semiconductor part 100 composed of an SOI substrate 200; and an upper part protection substrate 110 and a lower part protection substrate 120 which are made of a glass substrate and bonded on the upper face and the lower face of the semiconductor part 100, respectively. - 特許庁

高圧キュービクルの点検や改修時に、遮断器を抜き取って負荷ケーブルを離した場合、キュービクル内の負荷側導体に大きな誘導電圧が発生する。例文帳に追加

To solve a problem that a large induction voltage is generated in a load side conductor within a cubicle when a circuit breaker is drawn out and a load cable is separated during inspection or modification of a high voltage cubicle. - 特許庁

プロセスユニットを脱着した場合、機構部が露出し、更には修理交換等のため上方に離脱できるよう端部駆動伝達部の上部フレームが開口しているため、駆動伝達ギアは露出している。例文帳に追加

To easily prevent contamination by a foreign matter at a low cost, and to make a feeding roller easily replacable at the time of being worn out by covering an opening section of the upper frame on the end part side driving part of the mechanism part with a sheet shape member. - 特許庁

簡単な構造で、走行振動によりリザーバ内の空気と作動液とが混ざり合い気泡が発生することを抑制することができる車両用液圧マスタシリンダのリザーバを提供する。例文帳に追加

To provide a reservoir of a hydraulic master cylinder for a vehicle capable of suppressing generation of bubbles due to mixing of air in the reservoir and working fluid through vibration of traveling by a simple structure. - 特許庁

移動体に固定された磁石３のＸ座標を検出する場合、切替回路６のスイッチをａ側に接続し、ホールセンサ列Ｙを駆動回路４に、ホールセンサ列Ｘを検出回路に５に接続する。例文帳に追加

When detecting the X coordinates of a magnet 3 fixed to a mobile unit, the switch of a switching circuit 6 is connected to a side (a), and a row of Hall sensors Y and a row of Hall sensors X are connected to a drive circuit 4 and a detection circuit 5, respectively. - 特許庁

電源スイッチ１１が押下されていなかった場合、起動管理ブロック１２は、ＣＰＵ５へ起動中断指示を伝送し、プログラムの読み出しを中止させる。例文帳に追加

When the power switch 11 is not pressed, the activation management block 12 transmits an activation interception instruction to the CPU 5 and stops reading the program. - 特許庁

これに対して、現在時刻が動作時間帯ではない場合、切替部が閉状態から開状態に切り替わり、分散電源から動作部への直流電力供給が停止される。例文帳に追加

On the contrary, when the current time is not in the operation time zone, the switching section is switched form a closed state to an opened state, and DC power feeding from the distributed power supply to the operation section is stopped. - 特許庁

第２の端末装置は、所定の送信実行条件が成立した場合、記憶されている作動状況情報をサーバシステムへ送信し、且つ、その作動状況情報を消去する（５３）。例文帳に追加

When a predetermined transmission execution condition is formed in the second terminal apparatus 40, an operation state information transmission part (53) transmits the stored operation state information to the server system SS and erases the operation state information. - 特許庁

たとえば、介護者（１５）が部屋（１４）を離れる場合、局所的な音生成装置（１０）が非活動化され、かつ／または遠隔の音生成装置（２０）が活動化される。例文帳に追加

For example, when the caregiver (15) leaves the room (14), the local sound producing device (10) is deactivated and/or the remote sound producing device (20) is activated. - 特許庁

開口３ａの内周面にサイドウォールを形成した後、ＳｉＮ膜３およびサイドウォールをマスクとして、Ｓｉ基板１に溝６を形成する。例文帳に追加

After a sidewall is formed on the inner peripheral surface of the opening 3a, a groove 6 is formed on the Si substrate 1 with the SiN film 3 and the sidewall as a mask. - 特許庁

可動イオンの侵入による素子特性劣化を確実に防止し、小型で製造コストの低いＳＯＩ基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which surely prevents element characteristics from being deteriorated due to an invasion of a movable ion and which uses an SOI substrate having a small size and a low manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いてなる半導体装置において、支持基板の電位を固定することができ、しかも微細化に頼ることなくトランジスタの特性向上を図った半導体装置と、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device employing an SOI substrate in which the potential of a supporting substrate can be fixed and the characteristics of a transistor can be enhanced without relying upon scaling-down, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

プリシフト失敗時の復帰をスムーズなものとするとともに、同期噛合い機構の劣化を抑制できるツインクラッチ式の自動変速機の制御装置及び制御方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a control system and a control method for a twin-clutch type automatic-transmission, which enables smooth return at failure in a pre-shift, and which can suppress deterioration of a synchromesh mechanism. - 特許庁

そして、この溝Ｈを介してＳｉＧｅ層をエッチングすることにより、Ｓｉ層５とＳｉ基板１との間に空洞部２５を形成し、空洞部２５を埋め込むようにＳｉＯ_2膜を形成する。例文帳に追加

The SiGe layer is etched through the groove H to form a cavity portion 25 between the Si layer 5 and Si substrate 1, and an SiO_2 film is formed so as to fill the cavity portion 25. - 特許庁

また、前記ベースバンド信号Ｉ_1 ，Ｑ_1 から低域通過フィルタ６、１６によって抽出した直流成分を差動入力信号端子付直交変調ＩＣ３の差動入力信号端子ＩＮ、ＱＮに入力する。例文帳に追加

A DC component abstracted from the signals I1, Q1 by low-pass filters 6, 16 is inputted into terminals IN, QN of the modulation IC 3. - 特許庁

次に、ボロンドープ酸化膜３Ｄ´及び同ボロンドープ酸化膜３Ｄ´から所定層厚のＳｉ層２Ａ（メンブレン層２Ａ）を除き、ボンドウェハ２を研削除去して、ＳＯＩ基板４を得る。例文帳に追加

Next, the bond wafer 2 is cut and removed, excluding the boron-doped oxide film 3D' and an Si layer 2A (membrane layer 2A) with a specified thickness from that boron-doped oxide film 3D', whereby an SOI substrate 4 is obtained. - 特許庁