「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

上記スイッチ３０がオンの場合、切換えスイッチ２９は、両出し、自動、停止の各マーカモードに切換える。例文帳に追加

When the switch 30 is on, the selector switch 29 switches the mode of the markers either to a both marker projecting mode, to an automatic mode or to a stop mode. - 特許庁

Ｓｉ基板１０上に絶縁層１１を介してＳｉＧｅ層を備えた半導体基板の製造方法である。例文帳に追加

There is disclosed the manufacturing method of the semiconductor substrate having a SiGe layer formed on a Si substrate 10 with an insulating layer 11 interposed. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いたトーションバーによる揺動部を有するマイクロ構造体において、トーションバーの位置を精度良く測定できるようにする。例文帳に追加

To precisely measure the position of a torsion bar in a micro structure having a rocking part by a torsion bar using an SOI substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板等の基板及びこれを備える半導体装置を製造するための好適な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate such as an SOI substrate, and to provide a preferred method for manufacturing a semiconductor device that includes the substrate. - 特許庁

被エッチング物は例えばＳｉ基板１などの半導体、導電体は例えばＡｌ膜５３などの金属膜である。例文帳に追加

The etched product is a semiconductor such as an Si substrate 1 and the conductor is a metallic film such as an Al film 53. - 特許庁

複数の可搬式操作装置を１台のロボット制御装置に同時接続した場合、教示機能が有効な可搬式操作装置を識別できない。例文帳に追加

To solve a problem wherein when a plurality of portable operation devices are simultaneously connected to one robot control device, a portable operation device with effective teaching function cannot be identified. - 特許庁

合力が付着力を上回る場合には、気泡モデルが移動するため隣接節点ｉ９が電着液に接すると判定される。例文帳に追加

In the case where the resultant force exceeds the adhesive force, the air bubble model moves, thereby determining that the adjacent nodal point i9 is in contact with the electrodeposition liquid. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、ゲート電圧に依存したリーク電流の発生を抑制する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device employing an SOI substrate in which generation of a leak current dependent on the gate voltage is controlled. - 特許庁

マイクロミラー素子１は絶縁層を挟んで二つの導体層を積層したＳＯＩ基板を用いて製造される。例文帳に追加

A micro mirror element 1 is manufactured by using the SOI substrate on which two conductive layers are laminated interposing an insulation layer in-between. - 特許庁

Ｉ／Ｑミキサ３は同相用ミキサとしてのＩミキサ１１ａと直交用ミキサとしてのＱミキサ１１ｂから構成されている。例文帳に追加

The I/Q mixer 3 is constituted of an I mixer 11a as an in-phase mixer and a Q mixer 11b as a quadrature mixer. - 特許庁

ＳＯＩ基板に形成されたＭＯＳＦＥＴについて、トランジスタの駆動力の低下を防ぐとともに短チャネル効果を抑制する。例文帳に追加

To prevent the deterioration of the driving power of a transistor and suppress a short channel effect as to an MOSFET formed on an SOI substrate. - 特許庁

制御装置１０９は電流Ｉ２１ａ，Ｉ２１ｂの差に基づいた電流Ｉ９６を傾角駆動装置１０６のコイル１１６ａに印加する。例文帳に追加

A controller 109 applies an electric current I96 which is based on the difference between the electric currents I21a and I21b to a coil 116a of an inclination drive device 106. - 特許庁

凍結防止をする場合、起動コイル５と保持コイル６に起磁力が等しく逆方向の電圧を印加させる。例文帳に追加

At the time of preventing freezing, voltages whose magnetomotive forces are equal and whose directions are opposite are impressed to the start coil 5 and the holding coil 6. - 特許庁

ＵＳＢインターフェースを備えたプリンタ装置において、主電源から電力供給がなされない場合、記録動作を行うことができない。例文帳に追加

To solve the problem of a printer having a USB interface that recording operation cannot be performed when no power is supplied from a main power supply. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に形成されて寄生容量や寄生抵抗が小さく、高速動作が可能な横型のヘテロバイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a lateral hetero bipolar transistor that is formed on an SOI substrate, has a small amount of parasitic capacitance and resistance, and can be operated at high speed. - 特許庁

この製造方法を用いて、ＳＯＩ基板、太陽電池の製造方法等で用いられた基体上に半導体層を成長させる。例文帳に追加

The semiconductor layer is grown on a base body using this production method, which base body is used in the production method of a SOI substrate or a solar battery, or the like. - 特許庁

前記シーケンス回路は、暗水量運転回数の積算が設定回数ｎｓより大きいと判断した場合、強制停止シーケンスを起動する。例文帳に追加

When determined that the integration of the number of under-rated water amount operations is greater than the set number of times ns, the sequence circuit starts a forcibly stopping sequence. - 特許庁

そして、空洞部２５の内部に面するＳｉ基板１の上面及びＳｉ層５の下面をそれぞれ熱酸化してＳｉＯ_2膜２７を形成する。例文帳に追加

Then, the upper surface of the Si substrate 1 facing the inside of the cavity 25 and the lower surface of the Si layer 5 are thermally oxidized to form an SiO_2 film 27. - 特許庁

ハイパスフィルタ５２，５０によって、ｄｑ軸上の実電流ｉｄ，ｉｑから脈動成分が抽出される。例文帳に追加

High-pass filters 52, 50 extract ripple components from real currents id, iq on dq axes. - 特許庁

事業者は、下記の変動が生じ、インベントリに大きな影響を与える場合、基準年排出量を再計算しなければならない。例文帳に追加

Companies are required to recalculate base year emissions when the following changes occur and have a significant impact on the inventory:  - 経済産業省

新しいアジア域内ハブは、2010年に完成稼働予定で、かつてない高水準のサービスを提供する体制を整えている。例文帳に追加

The new Asian hub, which will be equipped with facilities to provide unprecedented levels of services, is scheduled to be completed and start operating in 2010. - 経済産業省

また、アジア域内における銀行の活動をみても、欧米の銀行の方が域内の銀行よりも活発に投資を拡大している41。例文帳に追加

In addition, even in the activities involving Asian banks, European and American banks are more actively expanding investments. - 経済産業省

ADB（2008）では、アジア域内における「ヒト」の移動の活発化は、受入れ国・送出国双方にとって、有効であるとしている73。例文帳に追加

In the ADB (2008), the activation of the movement of people in Asia is considered to be effective for both receiving and sending countries. - 経済産業省

欧州の例にかんがみても、今後、アジア域内での経済的統合の進捗に併せて、域内での「ヒト」の移動は活性化することが考えられる。例文帳に追加

In view of the European example, it is believed that the movement of people across Asia will be activated in accordance with the progress of economic integration in Asia. - 経済産業省

六　事業協同組合、事業協同小組合、商工組合、協同組合連合会その他の特別の法律により設立された組合及びその連合会であって、政令で定めるもの例文帳に追加

(vi) Business cooperatives, small business cooperatives, commercial and industrial partnerships, federation of cooperatives, and other partnerships and federations thereof established by special Acts, and which are specified by Cabinet Orders  - 日本法令外国語訳データベースシステム

八　事業協同組合、事業協同小組合、商工組合、協同組合連合会その他の特別の法律により設立された組合及びその連合会であって、政令で定めるもの例文帳に追加

(viii) a business cooperative, small business cooperative, commercial association, federation of cooperatives and other cooperatives and federations thereof established under special acts, which are specified by a Cabinet Order.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

柔道(特に現代柔道)、合気道が世に出、全国に普及して以降、これらと区別するため、日本古来の柔術を「古流柔術」という表現を用いて区別するようになった。例文帳に追加

From when judo (especially, the modern judo) and aikido emerged and became popular nationwide, the jujutsu handed down from its origin began to be called 'koryu jujutsu' to make a distinction between itself and the two.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合同委員会が設立された場合，共同開催で五輪を招致する機会を得るため，同委員会はまず日本オリンピック委員会や国際オリンピック委員会と話し合わなければならない。例文帳に追加

If the joint committee is set up, it will have to first talk with the Japanese Olympic Committee (JOC) and the International Olympic Committee (IOC) in order to have a chance to bid on cohosting the Olympics.  - 浜島書店 Catch a Wave

単結晶半導体上に非単結晶半導体層を形成し、レーザビームを照射することにより、非単結晶半導体層を結晶化させて、ＳＯＩ基板を作製する。例文帳に追加

A non-single-crystal semiconductor layer is formed on the single-crystal semiconductor and irradiated with laser beams to be crystallized, thus manufacturing the SOI substrate. - 特許庁

半導体基板を分割し、かつ当該半導体基板から分離した半導体層をガラス基板など耐熱温度が低い基板に接合させることで、ＳＯＩ基板を作製する。例文帳に追加

To manufacture an SOI substrate by dividing a semiconductor substrate and joining a semiconductor layer separated from the semiconductor substrate to a glass substrate with a low heat resistant temperature, and to reproduce the semiconductor substrate after separation. - 特許庁

Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, of good forward characteristics and reverse characteristics which operates as a Schottky barrier diode, with a wide band gap semiconductor layer formed on an Si substrate. - 特許庁

Ｓｉ基板１の上に形成される窒化物半導体層８の結晶性を向上させた半導体素子を、さらには導電性をも向上させることができる半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element for improving the crystallinity of a nitride semiconductor layer 8 formed on an Si substrate 1, and further, to provide a semiconductor element for improving the conductivity. - 特許庁

本発明は、このような問題を解決し、順方向電圧（Ｖｆ）の低い窒化物半導体素子を実現したＳｉ基板の上に窒化物半導体素子構造を有する窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element that has a nitride semiconductor element structure on an Si board to offer the nitride semiconductor element showing a lower forward direction voltage (Vf), and to provide a manufacturing method for the nitride semiconductor element. - 特許庁

半導体装置１００は、半導体基板１２０と、半導体基板１２０の上に設けられた絶縁層１３０と、絶縁層１３０の上に設けられたＳＯＩ層１４０とからなるＳＯＩ基板１１０を含む。例文帳に追加

The semiconductor device 100 includes: an SOI substrate 110, comprising a semiconductor substrate 120, an insulating layer 130 provided on the semiconductor substrate 120, and an SOI layer 140 provided on the insulating layer 130. - 特許庁

Ｓｉ基板上に、絶縁層により分離された互いに組成の異なる半導体層を二層形成し、各半導体層上に所望特性の半導体装置を形成する。例文帳に追加

Two semiconductor layers of different compositions which are separated by an insulation layer are formed on an Si substrate, and a semiconductor device of desired characteristic is formed on each semiconductor layer. - 特許庁

化合物半導体をＳｉ基板の上方にエピタキシ成長して形成した半導体積層構造において、１×１０^7Ωｃｍ以上の高い抵抗率を持った半絶縁性の化合物半導体層を実現することを目的とする。例文帳に追加

To achieve a half-insulative compound semiconductor layer having a resistivity of 1×10^7 Ω.cm or larger in a semiconductor laminated structure that is formed by performing the epitaxy growth of compound semiconductors on an Si wafer. - 特許庁

Ｓｉ基板上の絶縁層と、別の半導体基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を用いて接合し、ＳｉＧｅ層側の半導体基板を研磨等により除去する。例文帳に追加

An insulation layer on a Si substrate and an SiGe layer on another semiconductor substrate are bonded, by using a semiconductor lamination technique, and the semiconductor substrate on the SiGe layer side is removed by polishing, or the like. - 特許庁

Ｓｉ基板から平坦な剥離面を備えた高品質の回路・素子形成領域を得るための半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、半導体複合装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for obtaining a circuit and element formation region of high quality having a flat separated surface from an Si substrate, and to provide the semiconductor device and a semiconductor composite device. - 特許庁

車載の負荷が作動中に駆動スリップが発生した場合、強電ユニット内の昇圧コンバータへの電流流れ込みによる過電流の発生を抑制することができる電動車両の負荷制御装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a load controller of an electric vehicle for inhibiting an overcurrent generated by a current flowing in a voltage boosting converter in a heavy electric unit if a drive slip occurs while a vehicle load is operated. - 特許庁

自動走行車において、車速制御をすべくブレーキ制御を行う際に、エンジンブレーキが効いている場合、急減速になることがないエンジン駆動式自動走行車の車速制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vehicle speed controller of an engine drive type automatic traveling vehicle capable of preventing the vehicle from being suddenly decelerated when an engine brake is applied while a brake control is performed for controlling a vehicle speed in an automatic traveling vehicle. - 特許庁

起動時実施機構は、要求されたキーが無効である、又は見当たらない場合、起動プロセスを中止させ、不適切にインストールされた画像が動作するのを防ぐ。例文帳に追加

A boot-time enforcement mechanism prevents an improperly installed image from operating by halting the boot process if a determined key is invalid or missing. - 特許庁

半導体装置の閾値電圧のばらつきの抑制と電流駆動力の低減の回避との両方を達成することを可能にするＳＯＩ基板上の半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing semiconductor device on an SOI substrate for achieving both control of fluctuation in the threshold voltage of semiconductor device and elimination of reduction in current driving force. - 特許庁

ただし、ＰＭ排出量がＰＭ許容量を超える場合、吸気同期噴射制御に代えて、噴射燃料の一部が吸気非同期噴射の対象とされ残りの燃料が吸気同期噴射の対象とされる処理が実行される。例文帳に追加

In this case, when the PM emission exceeds a PM allowable amount, in place of the intake synchronous injection control, treatment is performed to target a part of injection fuel for intake asynchronous injection and to target the remaining fuel for the intake synchronous injection. - 特許庁

キンクの発生や、動作耐圧の低下を防止するとともに、動作特性にばらつきを生じないＳＯＩ基板上に形成される半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device formed on an SOI substrate that prevents the generation of kink and a decrease in an operating withstand voltage, and prevents variations in operating characteristics. - 特許庁

ガラス台座には、少なくとも半導体式圧力センサの使用温度範囲において、温度変化に対するその線膨張係数の変化量がＳＯＩ基板の同変化量とほぼ同等である材質を用いている。例文帳に追加

A material having a variation of a linear expansion coefficient with respect to temperature variation equivalent to that of an SOI substrate at least in a use temperature range of this semiconductor type pressure sensor is used for a glass pedestal. - 特許庁