「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

柔道創始者・嘉納治五郎は植芝盛平の道場を訪れた事があり、その技に魅了された嘉納は望月稔、村重有利、杉野嘉男ら講道館の高段者数名に合気道の修行をさせている。例文帳に追加

Jigoro KANO, the founder of Judo, once visited the dojo of Morihei UESHIBA, and Kano, who was fascinated by the techniques, instructed several high-ranking practitioners from the Kodokan Judo Institute--such as Minoru MOCHIZUKI, Aritoshi MURASHIGE and Yoshio SUGINO--to practice Aikido.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

特に、富木や望月は植芝の高弟となってからも柔道家としての活動もおこなっており、その理念には合気道・柔道双方の影響がみられる。例文帳に追加

Tomiki and Mochizuki, in particular, continued their activities as judo practitioners even after becoming high-caliber disciples of Ueshiba, and their philosophies were reflective of both aikido and judo.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

以後、安東尋季、安東舜季、安東愛季、秋田実季まで5代にわたり下国家檜山安東氏の居城となり、ここを本拠に陸奥国比内、同国阿仁方面に勢力を拡大したと見られる。例文帳に追加

After that, the castle was used by Hirosue ANDO, Kiyosue ANDO, Chikasue ANDO, Sanesuke AKITA as the headquarters of the Hiyama Ando clan of Shimonokuni family during five generations, and it seems that the clan extended its influence toward Hinai as well as Ani in Mutsu Province, using the castle as its stronghold.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

複合半導体基板において、Ｓｉ基板とその上の窒化物系半導体層との応力を低減することにより、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低くするとともに、複合半導体基板の反り量を小さくする。例文帳に追加

To provide a composite semiconductor substrate that lowers defect density in a nitride semiconductor layer and at the same time, an amount of warpage of the composite semiconductor substrate by reducing stress between an Si substrate and a nitride semiconductor layer. - 特許庁

車輌用の集積車輪端システム１４が車輪運動の被動モードと非被動モードの間の転換をなすために車輪の駆動掛合／切り離しをなすためのクラッチを含む。例文帳に追加

An integrated wheel end system 14 for vehicle includes a clutch for drive engaging and disconnecting wheels to convert between driven mode and non-driven mode of wheel movement. - 特許庁

半導体基板の再生に適した方法、半導体基板の再生に適した方法を用いた再生半導体基板の作製方法、及び当該再生半導体基板を用いたＳＯＩ基板の作製方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a suitable method for reclaiming a semiconductor substrate, a method for manufacturing a reclaimed semiconductor substrate using a suitable method for reclaiming a semiconductor substrate, and a method for manufacturing an SOI substrate using the reclaimed semiconductor substrate. - 特許庁

このヘッドを用いた液体吐出記録装置を自動車などの移動体に搭載した場合、記録装置の外部からの衝撃や振動による揺れなどが圧力センサ４３により検知され、即座に記録動作が停止させられる。例文帳に追加

When a liquid ejection recorder employing that head is mounted on a moving body, e.g. an automobile, a swing caused by an impact or vibration from the outside of the recorder is detected by the pressure sensor 43 and recording operation is interrupted instantaneously. - 特許庁

車輪運動の被動モードと非被動モードの間の転換をなすために、車輪の駆動掛合／切り離し（連結／切り離し）をなすクラッチシステムを含む新規な集積車輪端システムを含む車輌用の車台を提供する。例文帳に追加

To provide an under carriage for vehicle including a novel integrated wheel end system including a clutch system for drive engaging, and disconnecting wheels. - 特許庁

直接始動可能な状態で停止処理を開始し、起動気筒に過濃となる燃料を導入させた後、運転を復帰する場合、起動気筒内に所定量の空気を膨張行程の手前の段階であっても噴射させる。例文帳に追加

When the operation is returned after the stopping process is started in the directly startable state and an excessively concentrated fuel is introduced into a start cylinder, a predetermined amount of air is injected into the start cylinder even in the stage of before the expansion stroke. - 特許庁

そして、例えば動画が選択された場合、記録媒体から動画ファイルのみがピックアップされ、動画ファイル名が連続的に並べられて動画再生リストが作成され、フラッシュメモリに格納される。例文帳に追加

Then if the moving image is selected for example, only the moving image files are extracted from the recording medium, moving image filenames are listed in order and a moving image reproduction list is created, and are stored in a flash memory. - 特許庁

直動機構としてのピエゾ素子を所定周期で往復駆動させる場合、曲線Ｃ１２に示すように駆動信号を余弦波とすると、ピエゾ素子の応答遅れによりピエゾ素子の駆動振幅の最大値が減少する。例文帳に追加

When reciprocating and driving a piezoelectric element as a linear motion mechanism at a predetermined cycle, if a drive signal is a cosine wave as shown by a curve C12, the maximum value of the driving amplitude of the piezoelectric element is decreased due to response delay of the piezoelectric element. - 特許庁

状態Ｓ４において、所定時間内での同期引き込みに成功した場合、記録動作状態Ｓ３へ移行するが、所定時間内での同期引き込みに失敗した場合、状態Ｓ５へ移行し、記録動作を停止させる。例文帳に追加

When having succeeded in the pull-in of the synchronization within the specified time in the state S4, it is shifted to the recording operation state S3, but when having failed in the pull-in of the synchronization within the specified time, it is shifted to the state S5 to stop the recording operation. - 特許庁

盛平自身、折りあるごとに、「合気道は適度な運動で血行を改善し、骨格を矯正し、体内の“気”の流れを整えることで身体の“穢れ”をはらう“禊ぎ”である」…等と独自の宗教的表現で、合気道の健康効果について述べている。例文帳に追加

Morihei himself spoke of the health benefits of aikido using unique religious expressions, saying that 'aikido is a "misogi" that removes the "impurities" from the body by improving the blood circulation, correcting the bone structure and adjusting the flow of "qi" in the body through moderate exercise.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

昭和17年（1942年）、戦時下において武道界を統制する政府の外郭団体・大日本武徳会に設置された「合気道部」と、“総合武術”（体術・剣術などを総合的に扱う武術）として制定された「大日本武徳会合気道」がこの名称の初出とされる。例文帳に追加

It is believed that this name first appeared in 1942, in 'Aikido-bu' (aikido division) established in the government extra-departmental organization Dai Nippon Butoku-kai, and that 'Dai Nippon Butoku-kai aikido' was established as a "comprehensive martial arts" (martial arts integrating taijutsu, swordplay, etc).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＳＯＩ基板に形成されたＭＯＳトランジスタを含む半導体集積回路装置において、半導体集積回路装置に入力される電源電圧が高い場合であっても、ＳＯＩ基板のＢＯＸ酸化膜やシリコン層を厚くすることなく、回路動作を安定させる。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device having a MOS transistor formed on a SOI substrate, capable of stabilizing the circuit operation without thickening a BOX oxide film and a silicon layer on the SOI substrate even when a power source voltage applied to the semiconductor integrated circuit device is high. - 特許庁

制御演算部６は、負荷トルクの脈動に追従するような駆動トルクを発生させるためのｑ軸電流指令値ｉｑと、正弦波トルクを発生させるための正弦波電流指令値ｉｓとを生成し、これらの合成値（ｉｑ＋ｉｓ）を駆動回路部７に出力する。例文帳に追加

The control arithmetic section 6 generates a q-axis current command value iq for causing a drive torque following the pulsation of a load torque and a sine wave current command value is for causing a sine wave torque, and outputs a synthetic value (iq+is) to a drive circuit section 7. - 特許庁

圧力発生振動板１１６，加圧液室振動板１１５は上部Ｓｉ基板１０４と、また圧力発生振動板１１８，圧力媒体流路１１７は下部Ｓｉ基板１０５とそれぞれ一体であって、シリコン異方性エッチングにより作成される。例文帳に追加

The pressure generation diaphragm 116 and pressure liquid chamber diaphragm 115 are integral with an upper Si substrate 104, while the pressure generation diaphragm 118 and pressure medium channel 117 are integral with a lower Si substrate 105, which are formed by anisotropically etching silicon. - 特許庁

このレーザダイオード駆動回路によれば、遅延回路ＲＣ１〜ＲＣ３が入力パルス信号ＤＶ１〜ＤＶ３に遅延を与えることによって、増幅度可変オペアンプＡ１,Ａ２,Ａ３が出力する電流制御信号、駆動トランジスタＱ１〜Ｑ３が出力する駆動電流ＩＱ１〜ＩＱ３に遅延を与える。例文帳に追加

In this laser diode driving circuit, delay circuits RC1 to RC3 delay input pulse signals DV1 to DV3 to delay current control signals output by variable gain operational amplifiers A1, A2, and A3 and driving currents IQ1 to IQ3 output by driving transistors Q1 to Q3. - 特許庁

ダイオード１０は、半導体基板１２０と、埋込み絶縁膜１３０と、半導体層１４０を積層したＳＯＩ基板を備えており、その半導体層１４０に裏面部半導体領域１６０、中間部半導体領域１５３及び表面部半導体領域１５４を有している。例文帳に追加

A diode 10 comprises a semiconductor substrate 120, an embedded insulating film 130, the SOI substrate laminating a semiconductor layer 140, a rear surface semiconductor region 160 on the semiconductor layer 140, and an intermediate semiconductor region 153 and a front surface semiconductor region 154. - 特許庁

これにより、非常用駆動信号は、ＳＳＵ２００が主道路側の信号灯器を駆動する場合、黄色灯に対応する半導体リレー２０９へ出力され、従道路側の信号灯器を駆動する場合、赤色灯に対応する半導体リレー２０９へ出力される。例文帳に追加

The emergency drive signal is outputted to the semiconductor relay 209 corresponding to the yellow lamp when an SSU 200 drives a main road-side signal lamp, and outputted to the semiconductor relay 209 corresponding to the red lamp when the SSU drives a driven road-side signal lamp. - 特許庁

しかし，その運動方向は単一平面上（矢状面）のみの運動となっており，リハビリテーションの治療，特に歩行能力の改善を期待する場合，脚伸展運動に加え，股関節の回旋運動を加味した三次元上での運動（らせん運動）が極めて重要となる。例文帳に追加

However, the direction of its exercise is worked only on a single plane (sagittal plane) and, when the treatment of a rehabilitation, especially the improvement in the walking ability, is expected, the three-dimensional exercise (spiral movement) added with the rotary movement of the hip joints as well as the leg extension exercise becomes an extremely important. - 特許庁

同期位置信号に基づいてスレーブ軸を制御する同期制御装置において、スレーブ軸をマスタ軸の動作に同期するように制御する定常動作時から機械を強制停止させる場合、強制停止時用の動作プログラムを用いることなく、マスタ軸とスレーブ軸の同期は解除し、かつ、スレーブ軸同士の同期を維持したまま機械を停止させることができる同期制御装置を得る。例文帳に追加

To provide a synchronization control device for releasing the synchronization between master shafts and slave shafts and stopping machineries while maintaining the synchronization among the slave shafts without using operational programs for forced outage when forcibly stopping the machineries from a normal operation in which the slave shafts are controlled to be synchronized with operations of the master shafts in the synchronization control device for controlling the slave shafts based on synchronous position signals. - 特許庁

分析部６４は、活動量算出部６２で算出された活動量を用いて、平日の平均活動量と休日の平均活動量とを比較し、平日の平均活動量が休日の平均活動量を超える場合、休日の指導をすべきと判定し、平日の平均活動量が休日の平均活動量未満である場合、平日の指導をすべきと判定する。例文帳に追加

The analysis part 64 determines that the advice should be given for holidays if the average amount of activity in a weekday exceeds the average amount of activity in a holiday, and determines that the advice should be given for weekdays if the average amount of activity in a weekday is less than the average amount of activity in a holiday. - 特許庁

半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a semiconductor wafer 1; an Al-Si metal layer 2 which is patterned on the wafer 1 and provides a plurality of concaves 9 on the top surface; an oxide film 11 which is formed at the section to which the layer 2 and the wafer 1 are exposed; and Ni plated film 3 and Au plated film 4 which are formed to fill the concaves 9 through the film 11 on the layer 2. - 特許庁

Ｓｉ基板１１に搭載される第１コリメートレンズ２１および第２コリメートレンズ２３は、Ｓｉ基板１１とは少なくとも１ヶ所で固定されるとともに、少なくとも１ヶ所でＳｉ基板１１に対し移動自由度をもって担持される。例文帳に追加

A first collimating lens 21 and a second collimating lens 23 mounted on an Si substrate 11 are fixed at least to one point of the Si substrate 11 and are carried at least at one point with a degree of freedom of movement to the Si substrate 11 . - 特許庁

定電流電源４により、水銀電極３とＳｉ基板１との間に一定電流を印加すると、Ｓｉ基板１のダメージ層内の捕獲中心に電荷がトラップされて、Ｓｉ基板１の表面付近における伝導帯のポテンシャルが上昇する。例文帳に追加

When a constant current is fed from a constant-current source 4 to between the electrode 3 and substrate 1, charges are trapped at a trap center within the damaged layer of the substrate 1 and a potential of a conduction band in the vicinity of the surface of the substrate 1 is increased. - 特許庁

上層Ｓｉ基板１２、ＳｉＯ_２膜層１４、下層Ｓｉ基板１６からなるＳＯＩ基板にＳｉＯ_２膜２２およびＰｏｌｙ−Ｓｉ２６からなる素子分離用絶縁膜を形成すると同時に埋め込みＳｉＯ_２２４を埋め込んだサブコンタクト用のホールを形成する。例文帳に追加

On an SOI substrate consisting of an upper layer Si substrate 12, an SiO_2 film layer 14, and a lower layer Si substrate 16, an insulating film for device isolation composed of an SiO_2 film 22 and a Poly-Si 26 is formed and, at the same time, a hole for subcontact filled with padding SiO_2 24 is formed thereon. - 特許庁

ＳＯＩ基板４の素子形成領域に半導体構造６〜１２を形成し、ＳＯＩ基板４の表面において素子形成領域を一巡する素子分離領域に対応する開口１６を有する酸化シリコン膜１４をＳＯＩ基板４の表面に形成する。例文帳に追加

Semiconductor structures 6 to 12 are formed in an element forming region on an SOI substrate 4, on the surface of which a silicon oxide film 14 is formed, the film 14 having an opening 16 corresponding to an element isolation region circling the element forming region on the surface of the SOI substrate 4. - 特許庁

工業用の油及び油脂。潤滑剤。塵埃吸収剤，塵埃湿潤剤及び塵埃吸着剤。燃料(原動機用燃料を含む)及びイルミナント。ろうそく，灯心例文帳に追加

Industrial oils and greases; lubricants; dust absorbing, wetting and binding compositions; fuels (including motor spirit) and illuminants; candles, wicks.  - 特許庁

第4類 工業用の油及び油脂。潤滑剤。塵埃吸収剤，塵埃湿潤剤及び塵埃吸着剤。燃料(原動機用燃料を含む)及びイルミナント。ろうそく，灯心例文帳に追加

Class 4 Industrial oils and greases; lubricants; dust absorbing, wetting and binding compositions; fuels (including motor spirit) and illuminants; candles, wicks. - 特許庁

工業用の油及び油脂。潤滑剤。塵埃吸収剤，塵埃湿潤剤及び塵埃吸着剤。燃料 (原動機用燃料を含む)及びイルミナント。ろうそく，灯芯例文帳に追加

Industrial oils and greases; lubricants; dust absorbing, wetting and binding compositions; fuels (including motor spirit) and illuminants; candles, wicks.  - 特許庁

4 工業用の油及び油脂。潤滑剤。塵埃吸収剤、塵埃湿潤剤及び塵埃吸着剤。燃料(原動機用燃料を含む)及びイルミナント。ろうそく、灯芯例文帳に追加

4 Industrial oils and greases; lubricants; dust absorbing wetting and binding compositions; fuels (including motor spirit) and illuminants; candles wicks - 特許庁

半導体集積回路装置は、Ｓｉ基板１１と、Ｓｉ基板１１の上に形成された多層配線層１２と、多層配線層１２の上に形成された絶縁層１３とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit device comprises an Si substrate 11, a multilayer wiring layer 12 formed on the Si substrate 11, an insulation film 13 formed on the multilayer wiring layer 12. - 特許庁

その後、Ｓｉ基板１１をベッセル３０から取り出して、Ｓｉ基板１１上に、ゲート絶縁膜１６，ゲート電極１８などを有する半導体装置を形成する。例文帳に追加

Then, the Si substrate 11 is removed from the vessel 30, and a semiconductor device having a gate insulating film 16, gate electrodes 18, and the like is formed on the Si substrate 11. - 特許庁

半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。例文帳に追加

A semiconductor pressure sensor 1 has as SOI substrate 2 on which a diaphragm 3 is formed, and four piezo resistance elements R1-R4 provided on the SOI substrate 2. - 特許庁

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。例文帳に追加

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8. - 特許庁

そして、最後に、熱処理後のＳＯＩ基板のシリコン膜１２の表面層（ゲッタリング層）を除去して最終的なＳＯＩ膜１３とし、半導体基板（ＳＯＩ基板）を得る。例文帳に追加

A surface layer (gettering layer) of the silicon film 12 of the SOI substrate after the heat treatment is removed as a final SOI film 13, thus obtaining the semiconductor substrate (SOI substrate). - 特許庁

Ｓｉ基板上のＧａＮ系半導体層の活性化アニールにおいて、Ｓｉ基板の昇華等を抑制しつつアニール処理することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of performing an annealing treatment while suppressing sublimation or the like of an Si substrate during activation annealing of a GaN-based semiconductor on the Si substrate. - 特許庁

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層ＳＧを備えた半導体基板であって、前記Ｓｉ基板表面に、他の領域よりも不純物濃度を高くした高濃度領域１ａをパターン状に形成した領域を備えている。例文帳に追加

The semiconductor substrate comprises an SiGe layer SG formed on an Si substrate 1 and a region 1a having a higher impurity concentration than other region is patterned on the surface of the Si substrate. - 特許庁

ＩＱタイミング調整部２３は、例えばＤ／Ａコンバータ２２の出力信号に対してＩ相もしくはＱ相の導線長を長くすることで、ＩＱ間のタイミングを調整する。例文帳に追加

An IQ timing adjusting unit 23 adjusts inter-IQ timing, for instance, by making the lead wires of I phase or Q phase longer in length to output signals of the D/A converter 22. - 特許庁

受信信号に固定的に付加される波形ひずみの要因であるＤＣオフセット、Ｉ／Ｑレベル比、Ｉ／Ｑ直交性の乱れ、同期ずれ、給電線差による位相回転の補償をディジタル信号処理で実現する。例文帳に追加

Compensation of a DC offset, an I/Q level ratio, the disturbance of I/Q orthogonality, synchronization deviation and phase rotation by a feeder difference which are the factors of the waveform distortion fixedly added to the reception signals is realized by a digital signal processing. - 特許庁

基板とＳＯＩ層との貼り合わせにおいて、別途装置を用いることなく、容易で精度高い貼り合わせを行うことができるＳＯＩ基板、さらには該ＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an SOI substrate capable of easy and accurate sticking without using a separate apparatus in sticking a substrate and an SOI layer together, and to further provide a semiconductor device using the SOI substrate. - 特許庁

同一Ｓｉ基板上に隣接して配置されているＬＤ（図示せず）とは段差１１によるＳｉ基板との間隙により電気的に分離されるからＬＤからＰＤへの電気的なクロストークは抑制される。例文帳に追加

Since the PD is electrically separated from the LD which is adjacently arranged on the same Si substrate by the gap with the Si substrate owing to the difference 11 in level, electric crosstalk from the LD to the PD is suppressed. - 特許庁

犠牲層３５の除去された跡のエッチング窓３４にはＳｉ基板２２の表面が露出しているので、エッチング窓３４の下方ではＳｉ基板２２が結晶異方性エッチングされて空洞２３が生じる。例文帳に追加

The surface of an Si substrate 22 is exposed in an etching window 34 where the sacrifice layer 35 is removed, so that the cavity 23 is produced below the etching window 34 by the crystal anisotropic etching of the Si substrate 22. - 特許庁

本発明に係る半導体記憶装置は、ＳＯＩ基板１上に縦型トランジスタからなるＦＢＣ２をマトリクス状に配置したものであり、ＳＯＩ基板１の埋め込み酸化膜３とＦＢＣ２との間に金属層４を形成する。例文帳に追加

This semiconductor memory device includes an FBC 2 made of the vertical transistor disposed in a matrix form on an SOI substrate 1, and a metal layer 4 formed between a buried oxide film 3 of the SOI substrate 1 and the FBC 2. - 特許庁