「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

これにより、システム全体のＩＱ関連情報が自動的に収集されるので、ユーザは任意の情報を取り出して印刷することでＩＱ資料を簡単に作成することができる。例文帳に追加

Consequently, the IQ-related information of the overall system is automatically collected, thereby it is possible for users to easily create IQ materials by extracting any information and printing it. - 特許庁

コンタクトホールの形成領域が素子分離領域と重複しても、素子特性の劣化を抑制できるＳＯＩ基板とこのＳＯＩ基板を用いた半導体装置とを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon on insulator (SOI) substrate which suppresses the deterioration of element characteristics even though formation regions of contact holes are overlapped with an element isolation region, and to provide a semiconductor device using the SOI substrate. - 特許庁

汚染に対するゲッター効果があるなどの高性能でしかも高信頼度のＳＯＩ基板およびその製造方法とそのＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a highly reliable high-performance SOI substrate which has a getter effect, etc., against contamination. - 特許庁

ハードウェアの不完全性によるＩＱインバランスを補償できるようにしたＭＩＭＯ−ＯＦＤＭ通信システムにおけるＩＱインバランス補償方法を提供する。例文帳に追加

To provide an IQ imbalance compensation method in MIMO-OFDM communication system arranged such that IQ imbalance due to incompleteness of hardware can be compensated. - 特許庁

ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。例文帳に追加

Then, a first single crystal semiconductor substrate is bonded to a second single crystal semiconductor substrate, and a stacked-layer substrate formed from the first single crystal semiconductor substrate and the second single crystal semiconductor substrate bonded to each other is used as a bond substrate in a process of manufacturing an SOI substrate. - 特許庁

歯車試験装置１を構成する駆動部１０及び従動部２０は、共通の架台２上に設けられており、駆動部１０の駆動軸１１に装着された歯車Ａと、従動部２０の従動軸２１に装着された歯車Ｂとを互いに噛み合わせ、駆動軸１１を駆動して歯車の噛み合い挙動を試験する。例文帳に追加

The drive part 10 and follower part 20 constituting a gear testing apparatus are provided on a common stand 2 and the gear A mounted on the drive shaft 11 of the drive part 10 is meshed with the gear B mounted on the follower shaft 21 of the follower part 20 to drive the drive shaft 11 to test the meshing behavior of the gears. - 特許庁

Ｓｉ基板１上に、Ｓｉを含む第１の半導体層２と、第１の半導体層２上に形成され、ＳｉＧｅを含む第２の半導体層３と、第２の半導体層３上に形成され、ＧａＡｓを含む第３の半導体層４とを形成し、第１の半導体層２または第２の半導体層３と、第３の半導体層４とにそれぞれ能動素子を形成する。例文帳に追加

On a Si substrate 1, an Si-containing first semiconductor layer 2, an SiGe-containing second semiconductor layer 3, and a GaAs-containing third semiconductor layer 4 are successively formed in a laminated state in the order; and then active elements are formed respectively on the first or second semiconductor layer 2 or 3, and on the third semiconductor layer 4. - 特許庁

もし、ACKパケットが特定のタイムアウトする期間までに受け取られなかった場合、キューは自動的に登録を削除します。例文帳に追加

If the ACK packet is not received before a specified timeout period the entry will automatically be deleted from the queue. - Gentoo Linux

合気道の創始者・植芝盛平は1883年（明治16年）和歌山県田辺町（現・田辺市）の富裕な農家に生まれた。例文帳に追加

The founder of Aikido, Morihei UESHIBA, was born into a wealthy farming family in 1883, in Tanabe-cho, Wakayama Prefecture (the present-day Tanabe City).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道の技を通して敵との対立を解消し、自然宇宙との「和合」「万有愛護」を実現するような境地に至ることを理想としている。例文帳に追加

Its ideal is to resolve conflict with the enemy through aikido techniques, and to reach a state of realizing 'harmony' and 'loving and protecting all things' in nature and the universe.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

無駄な力を使わず効率良く相手を制する合気道独特の力の使い方や感覚を「呼吸力」「合気」などと表現する。例文帳に追加

The unique use of power and sensation in aikido as a means to efficiently control the opponent without wasting energy is called 'breath power' or 'aiki.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道では「相手の欲するところを自ら与える」などと言い、一般的に相手の攻撃に対する防御技・返し技の形をとる。例文帳に追加

In aikido, there is a phrase, 'voluntarily offer what the opponent wants,' and defensive techniques and kaeshi waza (returning the opponent's waza (technique) immediately) are common forms.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道における「合気」が主に理念的な意味で用いられるのに対し、「呼吸力」は主に「技法の源になる力」という意味合いで用いられる。例文帳に追加

While 'aiki' in aikido is mainly used in the sense of a principle, 'breath power' is mainly used to mean 'a source of power for techniques.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

（「合気剣」や「合気杖」を修練する師範と、他流の剣術や杖術の形を合気道の理合で解釈して修練する師範に分かれる）例文帳に追加

(Some grandmasters train in 'aikiken' (the sword technique of aikido) and 'aikijo' (staff technique of aikido), while other grandmasters train in swordplay and the jojutsu of other schools, as interpreted under the aikido rationale.)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

試合を行わない合気道では、各自の技量の向上と世間一般への普及を目的として演武会が開催される。例文帳に追加

In aikido, for which matches aren't held, enbukai is held to improve individual skills and promote it to the general public.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

吉祥丸が合気道の普及に乗り出し、デパートの屋上で演武会を行うと知った盛平は非常に反発した。例文帳に追加

When Morihei learned that Kisshomaru had decided to hold an enbukai on the rooftop of a department store to promote aikido, he objected strongly.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

技術的には、合気道を大東流合気柔術の一会派とみなして、大東流合気柔術植芝伝と呼ぶ向きもある。例文帳に追加

Technically, some refer to Aikido as Daito-ryu Aiki Jujutsu, or the Ueshiba method, viewing it as one faction of Daito-ryu Aiki Jujutsu.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

事実、大東流合気柔術には多彩な会派があり、合気道がその中の一会派だという見解も成り立ちうる。例文帳に追加

In fact, Daito-ryu Aiki Jujutsu has various factions, and it's possible to view Aikido as one such faction.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

嘉納治五郎が植芝盛平の合気道を見たとき嘉納治五郎は思わず”私の求めていた物はこれだ！！”と叫んだとされている。例文帳に追加

It is said that when Jigoro KANO saw Morihei UESHIBA's aikido he shouted, "This is what I've been searching for!"  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

否定的な意見の根拠としては、次の例などがあり、合気道をそのまま一般的な護身術として考えることに疑義を呈する。例文帳に追加

Reasons for the negative opinions include the following, questioning the idea of considering aikido as a common art of self-defense.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道は大東流合気柔術・起倒流・柳生心眼流・新陰流などを修めた植芝盛平が始祖である。例文帳に追加

Aikido was established by Morihei UESHIBA, who mastered Daito-ryu Aiki jujutsu (Daito school of the self-defense martial art), and other jujutsu schools such as Kito-ryu, Yagyu Shingan-ryu, Shinkage-ryu.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

空手と諸流の柔術や合気道、剣術等を学んだ小西康裕が創始した空手流派として神道自然流がある。例文帳に追加

Yasuhiro KONISHI, who learned the swordplay and various martial arts (such as karate, some schools of jujutsu, and aikido), established Shinto Jinen-ryu as his own karate school.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ただし、諸大名においては同様の場合、給人格（給人席）となることはあっても、中小姓となることは、まず無かった。例文帳に追加

Sons in the same situation who were the descendents of a Daimyo lord, however, were given a paid rank (or paid position) and seldom became Nakakosho.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この場合、共著者全員の書面による同意を得ずにある一人の共著者が著作者の権利を分けて行使することはならない。例文帳に追加

In such a case, a co-author may not separately exercise the author's rights, without the written consent of all co-authors.  - 特許庁

工業用油及び油脂。潤滑油。塵埃吸収，加湿，結合用の合成物。燃料 (自動車用揮発油を含む)及び発光物。蝋燭，灯心例文帳に追加

Industrial oil's and greases; lubricants; dust absorbing, wetting and binding compositions; fuels (including motor spirit) and illuminants; candles, wicks.  - 特許庁

この場合、金属添加物としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。例文帳に追加

In such a case, for example, nickel (Ni), copper (Cu) and tungsten (W) are preferably used as the metallic additive. - 特許庁

イオン注入工程１１０では，投影飛程Ｒｐ１のイオン注入によってＳｉ基板に不純物イオンを導入する。例文帳に追加

In the ion implantation process 110, impurity ions are introduced to the Si substrate through the ion implantation of a projection range Rp1. - 特許庁

ＳＯＩ基板に形成されるトレンチキャパシタ４７は、上方シリコン層５および絶縁層を通って半導体ベース基板１の中にまで延びる。例文帳に追加

The trench capacitor 47 formed on the SOI board extends into a semiconductor base board 1 through an upward silicon layer 5 and the isolation layer. - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層の上にゲート酸化膜、ゲート電極材料を順次形成し、ゲート電極のパターニングを行う。例文帳に追加

A gate oxide film and a gate electrode material are sequentially formed over a semiconductor layer of an SOI substrate and gate electrodes are patterned. - 特許庁

半導体材料として優れた特性を持つ窒化ガリウム系化合物を比較的安価なＳｉ基板上に形成することを特徴とする。例文帳に追加

The gallium nitride system compound with excellent properties as a semiconductor material is formed on a comparatively inexpensive Si substrate. - 特許庁

自動利得制御部は、オーバーレンジ、Ｉ，Ｑ系統の各ベースバンド信号の検出情報を基に利得を選択する。例文帳に追加

An automatic gain control section selects a gain on the basis of detection information about the over-ranges, and the I and Q system baseband signals. - 特許庁

ＳＯＩ基板はシリコン基板上にシリコン酸化膜などの絶縁層を介して単結晶のシリコン半導体層が形成されている。例文帳に追加

Regarding the SOI substrate, a single crystal silicon semiconductor layer is formed on the silicon substrate via an insulating layer such as silicon oxide film. - 特許庁

Ｓｉ基板上への無転位で低欠陥な化合物半導体結晶のエピタキシャル成長を実現する。例文帳に追加

To achieve the epitaxial growth of a low defect compound semiconductor crystal on an Si substrate with no dislocation. - 特許庁

これらを搬送波の同相成分および直交成分として、第１、第２のベースバンド信号Ｉ、Ｑとを２つの乗算回路14、15で乗算する。例文帳に追加

They are multiplied as the in-phase component and orthogonal component of a carrier by 1st and 2nd baseband signals I and Q in two multiplication circuits 14 and 15. - 特許庁

半導体基板は、例えばＳｉ基板上に、厚さが１００ｎｍ程度のＳｉ_1-xＧｅ_xエピタキシャル層を成長させたものである。例文帳に追加

In the semiconductor substrate, an Si_1-xGe_x epitaxial layer in a thickness of approximately 100 nm is grown on the Si substrate. - 特許庁

単純なハードウェア構成で、必要なアナログ／デジタル素子の数を従来より削減してＩ／Ｑ復調処理を行う。例文帳に追加

To provide an I/Q demodulator that conducts I/Q demodulation processing by decreasing the number of required analog/digital components with a simple hardware configuration. - 特許庁

再結晶化プロセスの間、ＳＯＩ基板は応力を受けたので、最終的な半導体層も、応力を受ける。例文帳に追加

Because the SOI substrate was under stress during the recrystallization process, the final semiconductor layer will be under stress as well. - 特許庁

Ｓｉ活性層の厚さを局所的に変化させ、高精度とすることができるＳＯＩ基板（半導体基板）の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing SOI substrate (semiconductor substrate) which can make the thickness of an Si active layer change locally and can also be made high in accurate. - 特許庁

検査対象である半導体基板Ｓ２のＳｉ基板に正弦波交流を印加し、その電圧振幅波形ＰＦ１を測定する。例文帳に追加

A sine-wave AC current is applied to a semiconductor substrate S2 of Si as an object of inspection, and a voltage amplitude waveform PF1 is measured. - 特許庁

次に、前記Ｓｉ基板中にビアホールを、半導体プロセスを使って前記エッチングストッパ膜が露出するまで形成する。例文帳に追加

Then a via hole is formed in the Si substrate by using a semiconductor process until the etching stopper film is exposed. - 特許庁

Ｓｉ基板上への炭化珪素単結晶膜の製造方法及びそれを用いて製造される炭化珪素半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL FILM ON SI SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED BY USING SAME - 特許庁

半導体基板１０上に、シリコン酸化膜２０、単結晶シリコン膜３０が積層されたＳＯＩ基板を用意する（図８（ａ））。例文帳に追加

An SOI (silicon on insulator) substrate where a silicon oxide film 20 and a single crystal silicon film 30 are deposited on a semiconductor substrate 10 is prepared (Fig. (a)). - 特許庁

その結果、Ａ／Ｄコンバータ１１０，１１１の入力端にＩ，Ｑ信号の直流オフセット電圧の変動が生ずる。例文帳に追加

Consequently, the fluctuations in the DC offset voltages of I and Q signals are caused at input ends of A/D converters 110 and 111. - 特許庁

抵抗が低い金属配線を有する半導体デバイスを洗浄する場合、金属配線を腐食することが少ない金属腐食防止剤を提供する。例文帳に追加

To provide a metal anticorrosive which hardly corrode the low- resistance metallic wiring of a semiconductor device when the semiconductor device is cleaned. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いることなく、絶縁体上に形成される半導体層のレイアウト面積を拡大する。例文帳に追加

To increase an layout area of a semiconductor layer formed on an insulator without using any SOI substrate. - 特許庁