「あいきどう」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Ｓｉ基板上にクラックや多結晶塊等のない半導体単結晶を作る。例文帳に追加

To make a semiconductor single crystal free of cracks, polycrystal lumps, etc., on an Si substrate. - 特許庁

ＥＳＤ破壊防止とダイシグ時の欠け防止をしたＳＯＩ基板上の半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device on an SOI substrate where ESD breakdown prevention and chipping prevention in dicing are carried out. - 特許庁

ＵＩ系ＣＰＵは、決定された品質レベルを受信しない場合、起動されない。例文帳に追加

The UI system CPU is not activated when it does not receive the determined quality level. - 特許庁

ＨＤＴＭＯＳは、Ｓｉ基板１０と、埋め込み酸化膜１１と、半導体層３０とを有している。例文帳に追加

This HDTMOS has an Si substrate 10, a buried oxidized film 11, and a semiconductor layer 30. - 特許庁

有効電流指令値を補正値Ｉｑ２ｆ＊で補正し、コンデンサ１の電圧振動を抑制する。例文帳に追加

The active current command value is corrected with the correction value Iq2f* to suppress voltage oscillations of a capacitor 1. - 特許庁

ハードウェア規模を維持しつつ、送信部及び受信部の双方のＩＱインバランス補正を可能にする。例文帳に追加

To perform IQ imbalance correction of both a transmitter and a receiver while maintaining a hardware scale. - 特許庁

半導体活性層表面の膜厚分布が均一なＳＯＩ基板を提供する。例文帳に追加

To provide an SOI substrate which has a uniform film thickness distribution on a surface of a semiconductor active layer. - 特許庁

酸素ドナーの生成に起因する電気的特性の変動の虞のないＳＯＩ基板を提供すること。例文帳に追加

To provide an SOI substrate free from fluctuation in electric characteristics caused by production of an oxygen donor. - 特許庁

ＳＯＩ基板１０４の絶縁層は振動板１１０の一部または全てを構成している。例文帳に追加

The insulation layer of the SOI substrate 104 composes a part or all of the diaphragm 110. - 特許庁

同一のＳｉ基板１上に磁気センサ２と制御回路３とが集積化されている。例文帳に追加

The magnetic sensor 2 and a control circuit 3 are integrated on the same Si Substrate 1. - 特許庁

この場合、記録紙を半分に折れば、両面記録と同様に扱うことができる。例文帳に追加

In this case, the recording paper is folded into half, the recording is processed similarly to the case with the double-sided recording. - 特許庁

高周波トランジスタの作製に適したＳＯＩ基板となり得る半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate which can become such an SOI that is suitably used for the manufacture of a high-frequency transistor. - 特許庁

小型化が可能なＳＯＩ基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device using an SOI substrate to be reduced in size and a manufacturing method thereof. - 特許庁

これにより、Ｓｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部を形成する。例文帳に追加

Owing to this, a hollow part is formed between the Si substrate and the Si layer 13. - 特許庁

駆動用集積回路の制御信号はＳｉ基板１の長手方向の端から供給される。例文帳に追加

A control signal of the integrated driving circuit is supplied from the end of the Si substrate in the longitudinal direction. - 特許庁

ＳＯＩ基板の反りを抑制して半導体装置の製造歩留まりを向上する。例文帳に追加

To avoid warpage in an SOI substrate, and to improve a manufacture yield in a semiconductor device. - 特許庁

ヒット・カウントおよびしきい値が同等である場合、記憶部がＮの値を記憶する。例文帳に追加

If the hit count is equivalent to the threshold value, a storage part stores a value of N. - 特許庁

Ｓｉ基板１の凹部２８における＜１００＞面が露出した部分に先導孔２０を形成する。例文帳に追加

A leader hole 20 is formed in the portion of the recessed part 28, where the (100) surface of the Si substrate 1 is exposed. - 特許庁

半導体装置のＳｉ基板１２０上には、フィールド酸化膜１０１が設けられている。例文帳に追加

On a Si substrate 120 of a semiconductor device, a field oxide film 101 is provided. - 特許庁

同定信号ｉｄＭ^*，ｉｑＭ^*が重畳された形の電流指令を電流制御手段に与える。例文帳に追加

A current command in a form of identification signals idM^*, iqM_* being superimposed is imparted to current control means. - 特許庁

サイドウォールを除去した後、Ｓｉ基板１の露出面に熱酸化膜７を形成する。例文帳に追加

After the side wall is removed, a thermal oxide film 7 is formed on the exposed surface of the Si substrate 1. - 特許庁

分析装置の据付時適格性確認（ＩＱ）に必要な情報を、自動的に且つ確実に収集する。例文帳に追加

To automatically and reliably collect information required for the Installation Qualification (IQ) of an analysis system. - 特許庁

第2-5-10図　東アジア域内の貿易収支における文化関連財の輸出動向（1993年と2003年の比較例文帳に追加

Figure 2.5.10 Trends in exports of culture-related goods in trade balance of entire East Asian region (1993 and 2003 Comparisons) - 経済産業省

ここでは、危機前後における東アジア域内の貿易動 向の変化を確認する。例文帳に追加

This section will confirm the changes in the trend of trade within East Asia across the global financial crisis. - 経済産業省

同期電動機速度制御器１３は、同期電動機２の回転速度指令値ωSM^＊と、同期電動機２の回転速度ωSMとの偏差から比例積分制御等により磁極直交方向電流指令値Ｉｑ^＊を演算する。例文帳に追加

A synchronous motor speed controller 13 calculates a current command value Iq^* in a direction perpendicular to the magnetic pole direction by proportional integration control, etc. based on a deviation of a rotating speed ωSM of a synchronous motor 2 from a rotating speed command value ωSM^* of the synchronous motor 2. - 特許庁

Ｓｉ基板上の絶縁層と、別のＳｉ基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を用いて接合し、ＳｉＧｅ層側のＳｉ基板を研磨等により除去する。例文帳に追加

An insulation layer on a Si substrate and an SiGe layer on another Si substrate are bonded, using the semiconductor laminating technology, and the Si substrate at the SiGe layer side is removed by polishing, etc. - 特許庁

本発明は、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate. - 特許庁

本発明に係る半導体装置（チップ４）は、支持基板としての第１Ｓｉ基板１と、第１Ｓｉ基板１の一主面上に第１の絶縁膜であるＳｉＯ_2膜９を介して積層された第２Ｓｉ基板３とを有している。例文帳に追加

A semiconductor device (chip 4) comprises a first Si substrate 1 as the supporting substrate and a second Si substrate 3 laminated on the principal surface of the first Si substrate 1 via an SiO_2 film 9 as a first insulating film. - 特許庁

講義情報を知的ＣＡＩ教材化する際の、ＣＡＩ教材の生成だけでなく、講義内容に即したＣＡＩ教材シナリオの作成、素材の編集も計算機で自動的に行う。例文帳に追加

To automatically perform not only the preparation of CAI materials, but also the preparation of CAI teaching material scenario according to lecture contents and the editing of raw material by a computer at the time of making the lecture information into intelligent CAI teaching materials. - 特許庁

Ｉ／Ｑ信号再生部３４は、分割フレーム記憶部４４が出力する離散化Ｉ／Ｑ信号と位相差Δθとに基づいて、シンボル周期と同期した再生Ｉ／Ｑ信号を出力する。例文帳に追加

An I/Q signal reproducer 34 outputs a reproduction I/Q signal which is synchronized with a symbol period, based on the discrete I/Q signal which is outputted from the division frame storage 44 and the phase difference Δθ. - 特許庁

予測結果に基づき同期噛合い機構の連結動作を行う際、同期噛合い機構の連結動作が完了しない場合に、同期噛合い機構を中立位置へ戻すとともに、連結状態にせしめんとした所定の歯車列を備える変速機入力軸に連結される摩擦伝達機構を締結して待機し、次の変速動作に備える。例文帳に追加

In the case where the connecting operation of the synchromesh mechanism is not yet completed in the connecting operation of the synchromesh mechanism from the prediction results, the synchromesh mechanism is returned to the neutral position, and the friction transmission mechanism to be connected to the transmission input-shaft equipped with the specified gear train is connected on standby in preparation for a next speed change operation. - 特許庁

ＬＳＩ吸着ヘッドにより、ＬＳＩ供給部１４からＬＳＩ１４ａを吸着し、銅板吸着ヘッド２４により、銅板供給部１２から銅板１２ａを吸着し、Ｘ−Ｙステージ１０を移動して、加熱部１８に移動する。例文帳に追加

The LSI suction head 22 sucks an LSI 114a from an LSI supply part 14, and the copper plate suction head 24 sucks a copper plate 12a from a copper plate supply part 12, and then the LSI 14a and copper plate 12a are moved from an X-Y stage 10 to a heating part 18. - 特許庁

ＳＯＩ基板における半導体素子の素子分離性能と集積度を阻害することなく、制御用の第１半導体素子と出力用の第２半導体素子をＳＯＩ基板に組み込み、第２半導体素子の発生する熱の問題を解決した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that does not hinder the element separation performance and integration of the semiconductor element on an SOI substrate, incorporates a first semiconductor element for control and a second one for output into the SOI substrate, and solves the problem of heat caused by the second semiconductor element. - 特許庁

超音波振動子と、当該振動子の振動面を満たす超音波伝播媒体（Ｌｉｑ１）と、霧化対象液体（Ｌｉｑ２）を入れるための超音波通過膜Ｂを持つ小形液体容器（２０）と、超音波をＬｉｑ１および膜Ｂを介してＬｉｑ２に導くための小形液体容器保持機構とからなり、膜Ｂは下に凸のアーチ型を成し、応力を当該膜の横方向に分散すると共に液体を溜めるように構成される。例文帳に追加

The membrane B forms a downward projected arch and is composed to disperse the stress in the transverse direction of the membrane and store a liquid. - 特許庁

また、合気道の合気と大東流など他武術の合気が同一か異なるものかについても意見が分かれる。例文帳に追加

Additionally, opinions are divided over whether the "aiki" of Aikido and the "aiki" of other martial arts such as Daito school are the same or different.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

中でも（財）合気会が日本武道館で毎年行う「全日本合気道演武大会」は国内最大規模の演武会である。例文帳に追加

Among them, the 'All Japan Aikido Demonstration,' which is held annually at the Nippon Budokan by Aikikai Foundation, is the largest enbukai in Japan.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

合気道の稽古は、技を左右同じ動きで同回数繰り返すため、左右の身体の歪みを取る効果がある。例文帳に追加

Training in aikido repeats techniques using the same movements for the left and right, repeating them the same number of times, so it effectively resolves distortion between the left and right sides of the body.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また、剣道、合気道においても素振りや形の稽古で使用される（実戦に用いられることもある）。例文帳に追加

They are also used to practice suburi (solo cutting exercises) and kata (forms); they are also sometimes used in actual fighting in kendo (Japanese fencing) and aikido (an art of self-defense derived from judo).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＳＯＩ基板の最上部半導体層の一部分にパターン形成して、実質的に垂直な側壁を有する半導体フィン１８が作成される。例文帳に追加

A portion of a top semiconductor layer of the SOI substrate is patterned into a semiconductor fin 18 having substantially vertical sidewalls. - 特許庁

ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。例文帳に追加

A gettering site layer is formed of a semiconductor containing a Group 18 element such as Ar, over a semiconductor layer of the SOI substrate. - 特許庁

プラズマプロセス中における半導体素子の損傷のないＳＯＩ基板を用いる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device using an SOI substrate without the damage of a semiconductor element during a plasma process. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いる半導体装置において、プラズマプロセス中のチャージアップによる半導体素子の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration of a semiconductor element due to charge-up during a plasma process in a semiconductor device utilizing an SOI substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に形成された半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving a semiconductor element formed on a SOI substrate in characteristics. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に高品質の非ＳＯＩ領域を形成することができ、ロジック回路とＤＲＡＭを同一半導体チップに効果的に集積する。例文帳に追加

To form a high-quality non-SOI region on an SOI substrate, and to effectively integrate a logic circuit and a DRAM on the same semiconductor chip. - 特許庁

ドアロック駆動装置の出力トルクの低下による、ドアロックの噛合い機構の作動不良を防止することを課題とする。例文帳に追加

To prevent the malfunction of a door lock meshing mechanism due to the degradation of output torque of a door lock drive device. - 特許庁