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あいきどうの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1773



例文

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第1および第2の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するSOI基板の、第1の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするMOSトランジスタと、第1の配線層とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer. - 特許庁

そのため、標準発光強度と半導体ウェハーWへのフラッシュ加熱を行うときの複数のフラッシュランプのそれぞれから出射される光の強度と標準発光強度との強度比によって各フラッシュランプの照射状態を判断する場合、強度比のバラツキを抑制することができるため、フラッシュランプの照射状態を正確に把握することができる。例文帳に追加

In making judgement of the irradiation state of each flash lamp by the intensity ratio between the light intensity illuminated from a plurality of flash lamps in flash heating a semiconductor wafer W and the standard illuminating intensity, as the variations of the intensity raio can be suppressed, the irraiation state of the flash lamp can be precisely obtained. - 特許庁

SOI基板上に設定した濃度のGeを含むSiGeエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。例文帳に追加

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed. - 特許庁

半導体基板(Si基板1)上に複数の下部電極3を形成する第1の工程と、これら下部電極3のそれぞれに個別にアモルファス状態の酸化タンタル膜5を形成する第2の工程と、この酸化タンタル膜5を熱処理によって結晶化させる第3の工程と、この結晶化された酸化タンタル膜上に上部電極12を形成する第4の工程とを有する。例文帳に追加

A method has a first process that forms a plurality of lower electrodes 3 on a semiconductor substrate (Si substrate 1), a second process that independently forms a tantalum oxide film 5 with an amorphous state in each of the lower electrodes 3, a third process that crystallizes the tantalum oxide film 5 by heat treatment, and a fourth process that forms an upper electrode 12 on the crystallized tantalum oxide film. - 特許庁

例文

従来の技術で、持ち出しが容易なノート型パーソナルコンピュータおよび携帯型情報機器において、盗難および不正使用を防ぐ場合、距離センサ、照度センサ等複数の検知するセンサの使用しするとともに、非動作時の消費電力が大きく、コストアップにつながることになり不利である。例文帳に追加

To solve such a problem that the power consumption in no operation is great resulting the increase of the cost since plural detection sensors such as distance sensor and illumination sensor are to be used for preventing theft and illegal use of a notebook-sized personal computer(PC) and portable information equipment, which can be easily taken out, in conventional technology. - 特許庁


例文

半導体メモリ装置のメモリセルである記憶トランジスタMTは、SOI基板のシリコン層に形成されたドレイン領域7及びソース領域9と、これらの領域の間のシリコン層に形成されたフローティングのチャネルボディと、チャネルボディ上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極(ワード線WL)と、で構成される。例文帳に追加

A memory transistor MT as a memory cell of a semiconductor memory device is provided with a drain region 7, and a source region 9 that are formed in a silicon layer of an SOI substrate, a floating channel body formed in a silicon layer among the drain and source regions, and a gate electrode (word line WL) arranged on the channel body with a gate insulating film in between. - 特許庁

スロットル弁56の開度を増加させることによってポンプ損失を低減させようとする場合、吸気管51,52内に発生する脈動の大きさに基づき、全開時のスロットル弁56の開度よりも小さい所定の開度をスロットル弁開度の上限として設定し、その上限を超えないようにスロットル弁56の開度を増加させる。例文帳に追加

When trying to reduce a pump loss by increasing the opening of the throttle valve 56, predetermined opening smaller than the opening of the throttle valve 56 in full opening is set as an upper limit of the throttle valve opening on the basis of the size of the pulsation generated in the intake pipes 51 and 52, and the opening of the throttle valve 56 is increased so as not to exceed its limit. - 特許庁

電源投入により分析部10及びPC本体21が起動すると、情報収集部211は記憶部212に保持されているOSの種類、バージョンなどのシステム情報や分析環境情報を読み出したり分析部10からユニット構成情報を受領したりし、送信部213はこれらIQ関連情報をネットワーク1を介してサーバ3へと送信する。例文帳に追加

When the analysis part 10 and the PC body 21 are activated with power on, the information collection part 211 reads system information such as the type and version of OS and analysis environment information held in a storage part 212 and receives system constitution information from the analysis part 10, and a transmission part 213 transmits IQ-related information to a server 3 via a network 1. - 特許庁

この場合、基板の表面に対して現像液吐出ノズル11の底面17が平行な状態を保ち基板の表面と現像液吐出ノズル11の底面17との間に互いに平行な平面で挟まれた空間が形成されるように現像液吐出ノズル11を基板に対して相対的に移動させる。例文帳に追加

In this case, the developer discharging nozzle 11 is moved relative to the substrate so that the bottom surface 17 of the developer discharging nozzle 11 is kept in a parallel state with respect to the surface of the substrate and a space is formed sandwiched by the planes parallel to each other between the surface of the substrate and the bottom surface 17 of the developer discharging nozzle 11. - 特許庁

例文

バックアップ部は、各バックアップデータの属性の種類を求め、属性の種類毎にカウンタを設定し、その値を1とし、更に、同一バックアップデータが2以上のクライアントから取得され、これらに共通の属性がある場合、共通の属性のカウンタの値をそれを有するクライアントの数とし、更に属性毎にクライアント数を求める。例文帳に追加

The backup section determines the type of attribute of each backup data, sets a counter for each type of attribute, the counter having a value of 1, takes, when the same backup data is acquired from two or more clients and these have a common attribute, the counter value of the common attribute as the number of clients having the common attribute, and further determines the number of clients for each attribute. - 特許庁

例文

送信側伝送装置をヘリコプタ後方のトランクルームに設置し、受信側伝送装置を基地局に設置して運用した場合、機器類が密集していることにより移動困難なトランクルームでわざわざ操作パネルを操作しなくても、伝送パラメータの設定を容易に行えるようにすることを目的とする。例文帳に追加

To easily set a transmission parameter even without a trouble to operate a control panel in a trunk room where equipment is too densely disposed and which is thereby difficult for a user to move therein, if a transmitting-side transmission apparatus is installed in the trunk room in the rear of a helicopter and a receiving-side transmission apparatus is installed in a base station and operated. - 特許庁

半導体装置1は、Pウェル層12aの平均アクセプタ濃度と、Pウェル層12aの厚さとの積が、所定値と電子1個当たりの電荷量との積をSOI基板10の形成材料であるシリコンの誘電率で除して得られる値よりも小さくなるように、Pウェル層12aが形成されている。例文帳に追加

In this semiconductor device 1, a P well layer 12a is formed so that a product of the average acceptor concentration of the P well layer 12a and the thickness of the P well layer 12a becomes smaller than a value obtained by dividing a product of a predetermined value and an electrical charge per one electron by a dielectric constant of silicone which is a forming material of a SOI substrate 10. - 特許庁

情報処理装置10にインストールされた既存のデバイスドライバ30は、記憶領域50に格納された更新デバイスドライバが、デバイスドライバ30よりも新しいバージョンであった場合、記憶領域50より更新デバイスドライバを読み込んで実行させることにより、情報処理装置10を再起動せずに更新デバイスドライバの処理を実行する。例文帳に追加

When the updated device driver stored in the storage area 50 is a version newer than the existing device driver 30 installed in the information processor 10, the existing device driver 30 reads out the updated device driver from the storage area 50 and executed, so that the processing of the updated device driver is executed without restarting the information processor 10. - 特許庁

そして、P2Pネットワーク10を通じて新たにファイルが共有される場合、共有ファイルを共有フォルダ20Aにコピーすると共に、ファイル変換部20Cによって共有フォルダ20Aにコピーされた共有ファイルに対してファイルフォーマット変換を施し、第1ピア12Lが動作するインターネット70上のインターネットサーバ70Aに登録する。例文帳に追加

When a file is newly shared through a P2P network 10, the shared file is copied to a shared folder 20A, and file formation conversion is operated to the shared file copied to the shared folder 20A by a file converting part 20C, and registered in an Internet server 70A on an Internet 70 where a first peer 12L is operating. - 特許庁

ディスク上に基本記録単位毎に記録データを記録する際、基本記録単位の途中で記録停止が生じた場合、記録停止した該基本記録単位のデータをメモリに保持し続け、記録停止が解除された後、記録停止位置以降よりメモリに保持された残データから順に記録動作を再開する。例文帳に追加

In the case of recording data to be recorded on a disk for each basic recording unit, when recording is stopped in the middle of the basic recording unit, the data of the basic recording unit under recording stop are continuously held on a memory and after recording stop is canceled, recording operation is restarted in order from remaining data held on the memory after the recording stop position. - 特許庁

電子ビームにより試料に描画を行う電子線描画方法において、前回描画較正時に計測された気圧との気圧差および前回描画較正時からの経過時間を逐次計測し、前記経過時間に対する前記気圧差の割合が、気圧変動割合規定値以上のときには、描画精度の較正を実行することを特徴とする。例文帳に追加

The method of electron beam lithography which performs the lithography at a sample with an electron beam includes the steps of sequentially measuring an atmospheric difference from the atmospheric pressure measured at the previous lithographic calibration time and a lapse time from the previous lithographic calibration time, and performing the calibration of the lithographic accuracy when the proportion of the atmospheric pressure difference to the lapse time is an atmospheric pressure change rate specified value or more. - 特許庁

エレメント2の各部を通過した吸気流れ10は、互いにぶつかり合い吸気ダクト5方向に向きを変え、乱れた状態となってエレメント2の軸方向の吸気流れ11として整流部7、8へ導かれ、整流板7の整流格子7aに沿って流れることにより同一方向に整流される。例文帳に追加

The intake flow 10 passed through each part of an element 2 collides with each other, changes its direction toward an intake duct 5, is introduced to a straightening parts 7, 8 as an intake flow 11 in an axial direction of the element 2 in a turbulent state, and is straightened in the same direction by flowing along a straightening lattice 7a of a straightening plate 7. - 特許庁

所定条件成立(大当たり当選)を契機に、第2始動口7への入賞容易性に係る遊技状態が切り換えられる場合、切り換えられてから所定時間経過後に、切り換えられた新たな状態(時短状態)に適した遊技球の発射強度により遊技(右打ち)を行うことを促す旨の報知を行う。例文帳に追加

With establishment of prescribed conditions (big winning) as a trigger, when a game state relative to winning easiness to a second starting port 7 is switched, announcement to prompt playing of the game (right hand shooting) with the shooting strength of game balls suitable for the new switched state (time shortening state), after the lapse of a prescribed time 7 from the switching, is made. - 特許庁

電流制御手段の出力である電圧指令Vd^*,Vq^*に基づく電圧情報と、検出電流id,iqに基づく電流情報と、回転子の静止位置に基づく位置情報とを用い、同期モータと当該制御装置を含む系のモデルに含まれるパラメータを逐次推定し、推定されたパラメータからモータ定数を求める。例文帳に追加

The parameters included in a model for a system including the synchronous motor and control unit of the same are sequentially estimated, and the motor constant is determined from the estimated parameters, using voltage information based on voltage commands Vd^*, Vq^* that constitute output of the current control means, current information based on detected currents id, iq, position information based on static position of the rotor. - 特許庁

車などで移動する放送受信装置において、放送サービスエリア域外にて受信状態が劣化した場合にも、大容量の記録装置を必要とせずに最適な放送サービスエリアの放送局情報を確保して受信中の番組を継続して受信可能とするとともに、放送局情報のデータが変更された場合の対応に優れた放送受信装置を提供する。例文帳に追加

To provide a broadcast receiver which secures broadcast station information of an optimum broadcast service area without a large capacity recording device and can continuously receive the receiving program, even when the reception state is deteriorated at the outside of the broadcast service area, and which can well cope with the change of the data of the broadcast station information in the broadcast receiver moving in a vehicle or the like. - 特許庁

Si基板に形成された回路パターン上にLEDチップ9を共晶接合でダイボンドし、更にワイヤボンドを施してサブマウント基板6が形成され、リードフレームをインサート成形したハウジング1内に前記サブマウント基板6を収容して、サブマウント基板6の電極とハウジング1のリードフレームがAgペーストを介して接続されて電気的に導通している。例文帳に追加

An LED chip 9 is die-bonded onto a circuit pattern formed on a Si substrate by eutectic junction, wire bonding is performed further for forming a submount substrate 6, the submount substrate 6 is stored into the housing 1 in which a lead frame is insert-molded, and an electrode on the submount substrate 6 is connected to the lead frame of the housing 1 via a Ag paste for electric continuity. - 特許庁

移動局では、基地局の第1アンテナ、第2アンテナの各々からの信号の受信品質を測定し(S3、S5)、測定結果を記憶しておき、その後のデータ受信時に誤りが検出された場合、記憶した測定結果に基づき、受信品質が高い方のアンテナでの再送を基地局に要求する(S10、S11、S12)。例文帳に追加

A mobile station measures receiving qualities of respective signals from a first antenna and a second antenna of a base station (S3, S5), stores the results of the measurement, and requests the base station to retransmit a signal from an antenna with a higher receiving quality, based on the stored measurement results, when an error is detected in received data thereafter (S10, S11, S12). - 特許庁

物理チャンネルの再配置を行う場合、希望チャンネルを、第1の物理チャンネルと第2の物理チャンネルにおいて同時に再送信するサイマル期間を設け、該サイマル期間中に、妨害信号を第1の物理チャンネルの周波数帯に出力して合成し、サイマル期間終了後には、上記第1の物理チャンネルにおける信号と上記妨害信号の、伝送路への出力を停止する構成とする。例文帳に追加

When a physical channel is rearranged, a simultaneous period is provided for simultaneously retransmitting a desired channel in a first and a second physical channel, an interference signal is output to a frequency band of the first physical channel to be synthesized during the simultaneous period, and the output of the signal in the first physical channel and the interference signal to a transmission line is stopped after the simultaneous period. - 特許庁

ノード10-1の組込要求受理部113-1はノード10-2の組込要求部112-2から同期化処理開始が要求された場合、記憶部103-1に記憶されている更新反映待ち情報を未更新領域情報として記憶部104-2に記憶させ、しかる後に対応する領域のデータをノード10-2に反映させる。例文帳に追加

An installation request accepting part 113-1 of the node 10-1, when requested by an installation requesting part 112-1 of the node 10-2 to start synchronization, stores the unupdated information stored in the storage part 103-1 in the storage part 104-2 as unupdated area information and then reflects data on the corresponding area in the node 10-2. - 特許庁

SBSI法を用いてバルクのSi基板1にSOI構造を形成する方法であって、フッ酸を用いた洗浄処理をシリコン基板1に施して支持体9をトリミング(即ち、細線化)し、次に、シリコンゲルマニウム層2をフッ硝酸でエッチングしてシリコン層3とシリコン基板1との間に空洞部を形成する。例文帳に追加

In a method of forming an SOI structure on a bulk Si substrate 1 using an SBSI method, cleaning processing using a hydrofluoric acid is applied to the silicon substrate 1 to trim a support 9 (i.e. form a minute line), and subsequently, a silicon germanium layer 2 is etched with a nitrohydrofluoric acid to form a cavity portion between a silicon layer 3 and the silicon substrate 1. - 特許庁

信号解析により得られた多数(128種程度)の周波数スペクトル情報からMIDI規格で再現可能な適当数(16種程度)を選択して符号化を行った場合であっても、人が聴いた際に、多数の周波数スペクトルフルバンドで再生したものと同等の印象を与えることが可能な音響信号の符号化方法を提供する。例文帳に追加

To provide an encoding method of sound signals which can make a same impression as that of the sound reproduced with multi frequency spectrum full band when people hear that, although when proper numbers (about 16 kinds), which can be reproduced on MIDI standard, are selected from large numbers (about 128 kinds) of a frequency spectrum information from a result of analyzing signals, and are encoded. - 特許庁

使用するSi基板を面方位が(001)で<011>方向へのオフ角が4°のものとした上で、Si上に積層する材料として90nm以下のGaP層またはGaPを機軸とする2種類のIII−V族化合物半導体を積層しておき、その上にペロブスカイト系の酸化膜を積層する。例文帳に追加

On the Si wafer for use that has the face orientation of (001) and an off-angle of 4 degrees in the <011> direction, the GaP layer of 90 nm or smaller or two kinds of group III-V compound semiconductors having GaP as a main component is laminated as a material laminated on the Si wafer, and an oxide layer of a perovskite series is laminated thereon. - 特許庁

ANSI規格に準拠した疑似乱数生成器において用いられるブロック暗号関数Fに代えて、ブロック暗号関数Fの戻り値を引数とし、たとえ鍵およびブロック暗号関数Fの戻り値が既知であっても、戻り値から引数を導出不可能なブロック暗号関数F’を用いる。例文帳に追加

Instead of a block cipher function F used in the pseudo-random number generator based on an ANSI standard, the block cipher function F' for which a return value of the block cipher function F is an argument and the argument cannot be derived from the return value even when a key and the return value of the block cipher function F are known is used. - 特許庁

通信制御装置50は、エリアA2に在圏している移動端末10から緊急呼を受理した場合、緊急呼に含まれる小型エリア識別子に基づいて、小型エリア識別子に対応付けられている通常エリア識別子を在圏管理装置40に問い合わせることによって、小型エリア識別子と対応するエリアA1を判定する。例文帳に追加

A communication control apparatus 50 determines an area A1 corresponding to a small area identifier by making an inquiry about a normal area identifier associated with the small area identifier to the mobility management apparatus 40 based on the small area identifier included in the emergency call, when the emergency call is received from a mobile terminal 10 present in an area A2. - 特許庁

本発明の目的は、サイドシューター型の液体噴射記録ヘッドのインク供給口の幅を、記録ヘッドを構成するSi基板の状態に依存せずに、常に精度良く開口するための、インクジェット機能を有する半導体装置の構造およびそのインク供給口の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having an inkjet function for always accurately opening the width of an ink supply port of a side shooter type liquid jet recording head without depending on the condition of a Si substrate forming a recording head, and an ink supply port manufacturing method. - 特許庁

上記発明によれば、給湯電磁弁30が所定時間使用されなかった場合、給湯電磁弁30を開き所定の水量、給水する自動水はり運転を行い、暖房回路に供給して新鮮水と入れ替えるため、暖房回路の暖房水が腐敗しないように制御するので使用勝手を向上することが可能となる。例文帳に追加

Since the hot water supply solenoid valve 30 is opened when it is not used for a specified time to perform automatic water filling operation for supplying a specified quantity of water thus supplying fresh water to the heating circuit, heating water of the heating circuit is prevented from corrupting and convenience can be enhanced. - 特許庁

A/D変換部3a,3bがシンボルレートの2倍の非同期サンプリングクロックCKで受信ベースバンド信号Sbをサンプリングし、このサンプリングしたデータ系列Ii,Qiをもとに、送信複素シンボル周波数生成部5が、送信複素シンボル周波数成分のデータ系列Ei,Diを生成する。例文帳に追加

A/D converting parts 3a and 3b sample a received baseband signal Sb with an asynchronous sampling clock CK of doubled symbol rate and on the basis of these sampled data sequences Ii and Qi, a transmission complex symbol frequency generating part 5 generates data sequences Ei and Di of transmission complex symbol frequency components. - 特許庁

これにより、たとえ加熱環境下において半導体装置1の側面のSi基板2と封止樹脂10との接合部分にクラックが生じたとしても、ダム層8より内部へのクラックの進入は抑えられるようになるため、封止樹脂10やチップ内部の剥離が抑制され、その性能が維持されるようになる。例文帳に追加

Even if cracking takes place at the junction of the Si substrate 2 and the sealing resin 10 on the side face of a semiconductor device 1 and under heating environment, since penetration of cracking to the inside from the dam layer 8 is suppressed, stripping in the sealing resin 10 or the chip is suppressed, and its performance is sustained. - 特許庁

第1のMFPで作成されたマクロを他の第2のMFPで実行する場合、機種間等における操作画面の違いを考慮し、転送先の第2のMFPにおいても同様のマクロ処理が実行できるように、第1のMFPでマクロ処理を変更し、送信用マクロを生成してから第2のMFPに送信する。例文帳に追加

When the macro prepared with a first MFP is executed with the other second MFP, a macro for transmission is transmitted to the second MFP after generating it by changing macro processing with the first MFP so that the similar macro processing can be executed even in the second MFP of a transfer destination in consideration of the difference in operation screens among the models or the like. - 特許庁

予測モードに入っている場合、切替制御部123は、ネットワークの構成変更のコマンドの受付けの通知やK1/K2バイトの変化の通知を受けると、記憶部140の情報の更新はおこなうが、更新内容を通信処理部110へ反映させずに、情報を更新した旨を動作予測処理部131へ通知する。例文帳に追加

When the acceptance of a command relating to a configuration change of a network or a change of K1/K2 bytes is notified, a switching control unit 123 updates information in a storage unit 140 but does not made updating contents reflected on a communication processing unit 119 and notifies an operation prediction processing unit 131 of information updating. - 特許庁

当該配線は、MiniPCIスロット20に採用されているMiniPCI規格のピンアサインにおいて特定の信号が割り当てられていない未使用ピンに対応する端子、もしくはTVチューナの動作に無関係の信号が割り当てられているピンに対応する端子と、PCIデバイス141とを接続する信号線を含む。例文帳に追加

The wiring include signal lines used for connection between a terminal corresponding to an unused pin to which no particular signal is assigned in pin assignment of an MiniPCI standard complied with by the MiniPCI slot 20 or a terminal corresponding to a pin to which a signal irrelevant to an operation of a TV tuner is assigned and the PCI devices 141. - 特許庁

エッジ検出信号XEGの周期に応じて内挿信号を生成する内挿エッジ回路37と、エッジ検出信号XEGが正常に生成されている期間が所定値以上となった場合には、タイミング信号と内挿信号を併用することによって相切り替えを実行する相切り替え部33とを備えたことを特徴とするディスク駆動装置を提供する。例文帳に追加

This disk drive comprises an interpolation edge circuit 37 for generating an interpolation signal, depending on the period of an edge detection signal XEG and a phase switching section 33 for executing switching of phase, by using in common timing the signal and interpolated signal, when the period in which the edge detection signal XEG is generated normally is equal to or larger than the predetermined value. - 特許庁

SOI基板上に、完全空乏型の高速MOSトランジスタと、高耐圧型MOSトランジスタとを混載し、高精度なアナログICが形成された半導体装置を、ESD破壊に強く、またダイシング工程での割れ欠けなどを防止し、さらに、トリミングの位置決め精度を高くすることでコストダウンを可能にする形で提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where highly accurate analog ICs are formed by mounting perfect depletion high speed MOS transistors and high breakdown strength MOS transistors mixedly on an SOI substrate while reducing the cost by enhancing strength against ESD breakdown, preventing cracking in the dicing process and enhancing the positioning accuracy of trimming. - 特許庁

一方、ECUは、車両が走行している路面が高μ路から低μ路に変わった場合、緊急補正量Qreq_Skidと基準吐出量Qreq_baseとを加算することにより設定された目標吐出量Qreqのブレーキ液がポンプから吐出されるように緊急ポンプ駆動制御を実行する。例文帳に追加

On the other hand, the road surface on which the vehicle travels is changed from the high μ road to the low μ road during ABS control, the ECU executes emergency pump driving control so as to discharge the brake fluid of the target discharge quantity Qreq set by adding emergency correction quantity Qreq_Skid to the reference discharge quantity Qreq_base. - 特許庁

本ステンシルマスク10は、LEEPLのような近接露光を行う半導体リソグラフィ工程で使用するステンシルマスクであって、Si基板からなる支持体12と、SiO_2 膜14を介して支持体12上に延在するSi膜からなるメンブレン16と、メンブレン16に設けられた溝状のパターン18とを備えている。例文帳に追加

This stencil mask 10 is used in the semiconductor lithography process for near exposure like the LEEPL and is provided with a supporting material 12 consisting of a Si substrate, a membrane 16 consisting of a Si film extended on the supporting material 12 via a SiO_2 film 14, and a groove type pattern 18 provided on the membrane 16. - 特許庁

モータジェネレータ10の制御量の制御のための電流の振幅が大きくなる状況下、高周波電圧vdhの重畳に伴ってモータジェネレータ10に実際に流れる高周波電流idh,iqhの振動方向に基づき電気角θを推定すると、ノイズが大きくなること。例文帳に追加

To solve the problem that noise becomes large when an electric angle θ is estimated based on a vibration direction of high frequency currents idh and iqh which actually flow in a motor generator 10 with overlap of high frequency voltage vdh under a situation where amplitude of current for controlling a controlled variable of the motor generator 10 becomes large. - 特許庁

Ta_2 O_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ta_2 O_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ta_2 O_5 膜とSi基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。例文帳に追加

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film. - 特許庁

基板搬送機を具備する半導体製造装置に於いて、基板搬送機の基板受載板22が複数の基板支持部30を介して基板18を受載し、該基板支持部が上下方向に変位可能であり、反りのある基板を受載した場合基板支持部の上下変位で基板の反りを吸収し、基板を均等に支持する。例文帳に追加

In a semiconductor manufacturing device with a substrate- carrying machine, a substrate receiving plate 22 of the substrate-carrying machine receives a substrate 18 via a plurality of substrate support parts 30, the substrate support part can be displaced in the upper and lower directions, and the warpage of the substrate is absorbed by the substrate support part, when a warped substrate is received uniformly for supporting the substrate. - 特許庁

東アジア域内で自動車の完成車を生産する例をとると、我が国で製造した部品や鋼板、フィリピンで製造したトランスミッション等、そしてインドネシアで製造したドア・クラッチ等をタイへ輸出し、タイにおいてそれらの輸入品にエンジン等を加え、完成車に組み立てる場合が存在する。例文帳に追加

Taking the example of producing an entire car in the East Asian region, there are cases where components and steel plates manufactured in Japan, the transmission made in the Philippines, and doors and clutches produced in Indonesia are all exported to Thailand, where with the addition of an engine the imported components are assembled into a finished car. - 経済産業省

この分析を通じた総合的判断として、東アジア域内では、日本、NIEs、中国、ASEANがそれぞれの経済基盤の特性に応じた産業の競争力を有しており、生産面で補完的な経済圏が成立していること、しかもその補完性は静的なものではなく、経済成長や生産技術の段階に応じて変化する動的なものであることが結論づけられる。例文帳に追加

Based on this analysis, we can make the following overall assessment regarding the East Asian region: (1) Japan, the NIEs, China, and ASEAN each have industrial competitiveness according to the characteristics of their individual economic infrastructure, 2) a complementary economic zone for production has been established, and 3) this complementarity is not static, but rather a dynamic complementarity which changes according to stages of economic growth and production technology. - 経済産業省

これを見ると、大手行をメインバンクとしている企業の場合、キャッシュフローが100減少すると、設備投資額が30.3減少するのに対して、地域金融機関をメインバンクとしている企業では18.6の減少と地域金融機関をメインバンクしている企業の方が流動性制約を減じる効果があることが分かる31。例文帳に追加

From this, it can be seen that in the case of enterprises whose main bank is a leading bank, the value of capital investment decreases 30.3 points if cash flow decreases by 100. In the case of enterprises that have a local financial institution as their main bank, the fall is 18.6 points. Having a local financial institution as a main bank thus has the effect of reducing liquidity constraint.31) - 経済産業省

情報通信機械では、世界的に部品の規格化が進み、比較的軽量で輸送コストも低いことから、日本やアジア域内からの調達が活発なのに対して、自動車では車種ごとに部材の規格が異なり、比較的重量があり輸送コストもかかるため、現地に関連企業の集積を形成する傾向が強いといわれる。例文帳に追加

In the information and communication electrics equipment industry, goods are actively procured from Japan and Asian countries since parts and components are being standardized worldwide, are relatively light, and are transported at low costs. In contrast, it is said the automobile industry tends to form clusters of related companies since parts and components differ in standards according to car models, are relatively heavy, and are transported at high costs. - 経済産業省

最後に、③の各国毎の通貨バスケットについては、第3章第1節で述べたように、東アジア域内における貿易、投資の相手国に応じた国ごとの通貨バスケットの導入は各国にとって為替の影響を低減する現実的な選択肢であり、これは構成通貨に円を含めることで②の円の国際化にも有効であると考えられる。例文帳に追加

Lastly for (iii) introduction of a currency basket system for each country, this measure seems a realistic choice for reducing the impact of exchange rates for individual countries as explained in Section 1, Chapter III, since a basket is introduced according to each trade and investment counterpart within East Asia. This may also be effective for (ii) internationalization of the yen, by including yen as one of the basket currencies. - 経済産業省

アジア域内には、前述のとおり、広域インフラプロジェクトの構想が多数存在しており、インフラ整備によって、産業集積地間や生産地と消費地を結ぶ効率的な産業の動脈が生まれれば人や物の往来が活発化して経済統合が深まり、地域間での切れ目のない発展が進むことが期待される。例文帳に追加

As previously mentioned, there are many wide-area infrastructure project plans in Asia. Once the infrastructure development creates industrial arteries that efficiently link industrial clusters, production sites and consumer markets, traffic of people and transportation of good will be invigorated promoting economic integration of the areas and it is expected to result in seamless development among regions. - 経済産業省

例文

例えば、①企業や産業に対する支援の場合、政府が調整計画を策定するのではなく、産業や企業が自らの創意工夫により計画を策定する仕組み、②経営再建に向けたプロジェクト費用の全額を政府が負担するのではなく、その一部を当該企業に負担させる仕組み、③労働者に対する支援の場合、給付金を付与する条件として訓練の受講を義務づける仕組み等が採用されている。例文帳に追加

For example, (1) assistance to companies and industries is determined according to adjustment proposals formed not by government but by companies and industries themselves, while (2) the government does not cover the total project cost of management reorganization, but has the company in question shoulder part of the cost; and (3) in terms of assistance to workers, allowances are paid on the condition that workers undergo training. - 経済産業省

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