「かりぬい」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

この酒は今樽から抜いたばかりだ例文帳に追加

This wine is fresh-drawn from the cask.  - 斎藤和英大辞典

私の髪はまだ洗ったばかりで濡れていた。例文帳に追加

My hair was still wet from being washed. - Tatoeba例文

物を布や紙ですっかり覆い込んでしまう例文帳に追加

to cover something completely with cloth or paper  - EDR日英対訳辞書

私の髪はまだ洗ったばかりで濡れていた。例文帳に追加

My hair was still wet from being washed.  - Tanaka Corpus

飼い主がしっかりペットフードの知識を身につけましょう例文帳に追加

An owner should know everything about pet food.  - 京大-NICT 日英中基本文データ

可視光応答性に優れる光触媒塗工液例文帳に追加

PHOTOCATALYST COATING SOLUTION HAVING EXCELLENT RESPONSE TO VISIBLE LIGHT - 特許庁

このＰ偏光には波長５８０ｎｍの光を含めない。例文帳に追加

The P polarized light does not include light of 580 nm in wavelength. - 特許庁

光拡散塗膜形成用塗料及び光拡散シート例文帳に追加

LIGHT DIFFUSION COATING FILM-FORMING COATING MATERIAL AND LIGHT DIFFUSION SHEET - 特許庁

光硬化性樹脂組成物及び光硬化塗膜例文帳に追加

PHOTOSETTING RESIN COMPOSITION AND PHOTOSETTABLE COATING FILM - 特許庁

枝の中を風が吹き抜ける、低い音があるばかりだった。例文帳に追加

was only broken by the low murmuring of the wind among the branches.  - JULES VERNE『80日間世界一周』

本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４、及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。例文帳に追加

This GaN semiconductor laser element 10 comprises a laminated structure of an n-type GaN layer 14, an n-type AlGaN clad layer 16, an active layer 20, an Mg-doped p-type GaN optical waveguide layer 22, a p-type AlGaN clad layer 24, and a p-type GaN contact layer 26 on an n-type GN substrate 12. - 特許庁

４６５ｎｍ〜６２０ｎｍの最大透過率が７０％以上の着色層材料において、３８０ｎｍ〜４６５ｎｍの平均透過率が６２０ｎｍ〜７８０ｎｍの平均透過率よりも大きくなるように調整する。例文帳に追加

The colored layer material with ≥70% maximum transmissivity at 465 to 620 nm is adjusted so that 380 to 465 nm mean transmissivity becomes larger than 620 to 780 nm mean transmissivity. - 特許庁

布粘着テープ基布用複合仮撚加工糸及びその製造方法及び厚手粘着テープ基布例文帳に追加

TEMPORARILY TWISTED COMPOSITE YARN FOR CLOTH COHESIVE TAPE SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD THEREOF AND THICK COHESIVE TAPE BASE CLOTH - 特許庁

光透過率は、６４０ｎｍ〜６８０ｎｍの波長域内の光を利用して検出される。例文帳に追加

The light transmittance is detected through the use of light of the wavelength region between 640 nm and 680 nm. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。例文帳に追加

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion. - 特許庁

ＮＯｘ吸蔵還元触媒のＮＯｘ吸蔵能力及びＮＯｘ浄化率を高める。例文帳に追加

To enhance NOx storage capability and the NOx purifying rate of a NOx storage-reduction catalyst. - 特許庁

君の言うことを仮に事実としても僕の議論の答弁にはならぬ例文帳に追加

Granting what you say to be true, it does not answer my argument.  - 斎藤和英大辞典

動産や不動産の貸し付けに対しての借主から貸し主に支払われる料金例文帳に追加

the fee charged for renting something  - EDR日英対訳辞書

絹の狩衣を着て将軍に面会できる身分の人例文帳に追加

in Japan, a person belonging to a social class that was permitted to wear clothing made of silk when meeting a shogun  - EDR日英対訳辞書

Ｓ，Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸鉄アルカリ塩の製法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING IRON S,S-ETHYLENEDIAMINE-N,N'- DISUCCINIC ALKALI SALT - 特許庁

β−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸三アルカリ金属塩の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING TRIALKALI METAL SALT OF β-ALANINE-N, N-DIACETIC ACID - 特許庁

ＮＤフィルタ、ＮＤフィルタの製造方法、および光量絞り装置例文帳に追加

ND FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING ND FILTER, AND LIGHT QUANTITY ATTENUATION DEVICE - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面が入射光の受光面である。例文帳に追加

The second surface of the n-type InP substrate 32 is a light-receiving surface of incident light. - 特許庁

上記の、４をＭ、３をＮと置き換えると、ＭｘＮ光スイッチとなる。例文帳に追加

The MxN optical switches are obtained when 4 is replaced with M and 3 with N. - 特許庁

私の犬が散歩中に電柱にぶつかりました。例文帳に追加

My dog crashed into a telephone pole while he was out for a walk.  - Weblio Email例文集

明日まで犬をお預かりしましょう。例文帳に追加

I'll take care of the dog till tomorrow. - Tatoeba例文

塗ったばかりの漆器を入れて乾燥させる箱例文帳に追加

a box in which to dry ware that has just been lacquered  - EDR日英対訳辞書

今度ばかりは、私ひとりではとても切り抜けられませんからね」例文帳に追加

I can't go through this alone."  - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

本発明に係る受光素子は、ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４が順次形成されている。例文帳に追加

The light receiving element is made by forming an n-InP buffer layer 102, an n-InGaAs optical absorption layer 103, and an n-InP window layer 104 in sequence on an InP substrate 101. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板１００上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０１やｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層１０３等からなる半導体多層膜を順次エピタキシャル成長した後、ＳｉＮ膜を堆積し、パターニングを行う。例文帳に追加

Semiconductor multi-layer films constituted of n-InGaAsP light absorption layers 101 or n-InGaAs light receiving layers 103 or the like are epitaxially grown on an n-InP substrate 100, and an SiN film is deposited and patterned. - 特許庁

変形筬１６の緯入れ通路２０に対して緯糸Ｙの緯入れ方向下流側には緯糸把持機構部３２が配置されている。例文帳に追加

A weft holding mechanism part 32 is disposed on a downstream side along a weft insertion direction for weft Y from a weft insertion path 20 of a modified reed 16. - 特許庁

これらの上に、ｎ型ＧａＮ光導波層３ａ，３ｂ、ＩｎＧａＮ活性層４ａ，４ｂ、ｐ型ＧａＮ光導波層５ａ，５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７ａ，７ｂ、ｐ型コンタクト層８ａ，８ｂが順次形成される。例文帳に追加

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed. - 特許庁

被測定光ファイバ２の一端に入射する光のＮＡである入射ＮＡと、被測定光ファイバ２の他端から出射する光のＮＡである出射ＮＡとから、これらの増分ΔＮＡを求める。例文帳に追加

An increment ΔNA is determined from incidence NA which is NA of light entering one end of an optical fiber 2 to be measured, and outgoing NA which is NA of light going out from the other end of the optical fiber 2 to be measured. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１の上には、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２およびＩｎＰ窓層５を含む積層構造が形成されている。例文帳に追加

On an n-type InP substrate 1, a multilayered structure consisting of an InGaAs light absorption layer 2 and an InP window layer 5 is formed. - 特許庁

本発明のフィルムは、波長５１５ｎｍの光に対する位相差値が３ｎｍ以下であり、波長５１５ｎｍの光に対する厚み方向の位相差が５ｎｍ以下であり、かつ下式にて定義されるＡ値が−３ｎｍないし３ｎｍである。例文帳に追加

The film has ≤3 nm phase difference for the light at 515 nm wavelength and ≤5 nm phase difference in the thickness direction for the light at 515 nm wavelength. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。例文帳に追加

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1. - 特許庁

光触媒塗膜形成用コーティング剤、及び光触媒塗膜形成方法例文帳に追加

COATING AGENT FOR FORMING PHOTOCATALYST COATING FILM AND METHOD FOR FORMING PHOTOCATALYST COATING FILM - 特許庁

ＧａＮ系半導体光素子、ＧａＮ系半導体光素子を作製する方法、及びエピタキシャルウエハ例文帳に追加

GaN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND EPITAXIAL WAFER - 特許庁

照射光学系４０Ａは、Ｎ本の光ファイバＦ_１,１〜Ｆ_１,ＮおよびＮ個のレンズ４１_１〜４１_Ｎを含む。例文帳に追加

The irradiation optical system 40A contains N optical fibers F_1,1- F_1,N and N lenses 41_1-41_N. - 特許庁

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。例文帳に追加

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer. - 特許庁

この近赤外線光の波長は７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましく、波長７２０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下がより好ましい。例文帳に追加

The wavelength of the near infrared rays is preferably ≥700 nm and ≤1,500 nm, more preferably ≥720 nm and ≤850 nm. - 特許庁

窒化物半導体積層構造３は、光を発光可能な活性層１２を含み、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層からなる。例文帳に追加

The nitride semiconductor laminate structure 3 includes an active layer 12 capable of emitting light, and consists of a GaN layer, an InGaN layer and an AlGaN layer. - 特許庁

研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。例文帳に追加

A composition for polishing contains silica particles, and polyethylene amine comprising of NH_2(CH_2 CH_2 NH)_nH(n is an integer of 2 or more). - 特許庁

これはとばかりに刀を抜いた房八だが、信乃を庇う沼藺を勢いで斬ってしまった。例文帳に追加

Surprised, Fusahachi drew a sword, but mistakenly killed Nui, who was trying to cover Shino.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

光ファイバＦ_１,ｎの第１端は光カプラＣ_ｎに光学的に接続されている。例文帳に追加

The first end of the optical fiber F_1,n is optically connected to the optical coupler C_n. - 特許庁