「ガス分布板」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

カソードガス拡散基板１５中の凝縮水の占有体積率をガス拡散阻害を生じない所定値以下に維持するように凝縮水を除去するため、カソードガス拡散基板１５の気孔分布とカソード側セパレータ部品プレート１３の気孔分布に改良を加える。例文帳に追加

In order to remove the condensed water to keep an occupation volume rate of the condensed water in the cathode gas diffusion board 15 below a predetermined value without causing gas diffusion inhibition, improvement is made to a pore distribution of the cathode gas diffusion board 15 and that of a cathode-side separator part plate 13. - 特許庁

そして、補正板６を調整することにより、基板保持部材２内のガスイオンの濃度分布を均一にすることができる。例文帳に追加

Then, by regulating the correcting plate 6, the concentration distribution of the gas ions in the substrate holding member 2 can be uniformized. - 特許庁

基板処理装置に於いて、反応室内での反応ガスの濃度分布を均一化し、基板処理の面内均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve the in-plane uniformity of the substrate treatment by means of a substrate treating device by making the concentration distribution of a reactive gas uniform in a reaction chamber. - 特許庁

本装置のガス分散板４０に一様な分布で設けられたガス流出孔４２は、その開口径がガス分散板の中央領域４８から周辺領域４６に向かって大きくなっている。例文帳に追加

Related to gas flow-out ports 42 distributed uniformly at a gas dispersion plate 40 of the apparatus, its aperture diameter becomes larger beginning with a central region 48 of the gas dispersion plate toward a peripheral region 46. - 特許庁

誘電体天板２の破損防止のために設けた補強リブ３にガス導入部品４およびガス拡散のための部品６を接続することで、ガス拡散のための部品６に設けたガス吹き出し穴７から真空処理室８内の基板９上にガスを均一に分布できる構造とした。例文帳に追加

By connecting a gas introduction parts 4 and a gas diffusion parts 6 to the reinforcement rib 3 prepared for breakage prevention of the dielectric top board 2, a structure is constituted that gas is made to distribute uniformly on a substrate 9 in a vacuum processing room 8 from a gas blow-off hole 7 arranged in the gas diffusion parts 6. - 特許庁

反応管２３内の好適位置で好適温度に加熱されたガスは、被処理基板２１付近において均一な温度分布を形成する。例文帳に追加

The gas heated at suitable temperature in a suitable source position in the reaction tube 23 forms uniform temperature distribution at a part in the vicinity of the processed substrate 21. - 特許庁

金属製ガスケットのボア孔３の周りの面圧分布は，シム板２のボア孔６の周りにおける幅のサイズによって一部調整されるものである。例文帳に追加

The distribution of surface pressure of the metal gasket around the bore 3 is partly adjusted in accordance with the width of the shims 2 around the bore 6. - 特許庁

ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。例文帳に追加

Heat conductivity of gas is in proportion to pressure, so a temperature distribution of the board to be processed can be controlled with the differential pressure. - 特許庁

直交流ガスフロータイプの平板型固体電解質燃料電池において、セル内部の温度分布状態をコントロールし、セル内部の温度分布差や温度分布に起因して発生する熱応力を軽減するなど各種有用な効果を得る。例文帳に追加

To realize a various useful effects for a DC/AC gas flow flat plate solid electrolyte fuel cell such as reduction of heat stress caused by temperature distribution difference or temperature distribution within a cell by controlling the temperature distribution within the cell. - 特許庁

排ガス回収通路３０内には、排ガス回収通路３０内における燃焼排ガスＧ２の通過方向Ｌに直交する周方向Ｒにおける温度分布を緩和するための邪魔板３１が設けてある。例文帳に追加

A baffle plate 31 for improving the temperature distribution in the circumferential direction R orthogonal to the passing direction L of the combustion exhaust gas G2 in the exhaust gas recovering passage 30, is disposed in the exhaust gas recovering passage 30. - 特許庁

プレート部３１の温度分布が均一になると、各放出口３９から放出される原料ガスの量も均一になるので、基板１５には膜厚分布が均一な薄膜が形成される。例文帳に追加

Uniform temperature distribution in the plate 31 allows the amounts of the material gas discharged out of discharge holes 39 to be uniform, and this enables the formation of a thin film uniform in thickness on a substrate 15. - 特許庁

噴射燃料、混合エア、高温ガスの混合気は、絞り板６１、筒状ガイド６２、下流プレート６３を通過することによって濃度分布と流速分布が効率的に均一化する。例文帳に追加

Mixture gas of injected fuel, mixture air and high temperature gas passes through the restricting plate 61, the cylindrical guide 62 and a downstream plate 63 to cause a concentration distribution and a flow speed distribution to be efficiently unified. - 特許庁

被処理基板１４が取り付けられる一方の電極１３に対向する配置で真空チャンバ１の内部に設けられて、反応ガスＧをガス吹出孔３１から真空チャンバ１の内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極２８に、個別のガス供給系統を介して反応ガスＧのガス供給源７に配管接続された複数のガス導入部３７〜３９を、真空チャンバ１の内部に反応ガスＧを均等な分布で導入できる配置で設ける。例文帳に追加

In this case, the reaction gas G can be introduced inside the vacuum chamber 1 with a uniform distribution. - 特許庁

基板側方からガスを供給しつつ基板を挟んでガス供給側と反対側より排気するタイプの基板処理装置において、基板処理時における基板上の圧力分布を有効に制御して、基板処理の均一性を確保する。例文帳に追加

To ensure the uniformity of substrate processing by effectively controlling pressure distribution on a substrate at the time of substrate processing in a substrate processing apparatus of type of discharging gases from the side opposite to a gas supplying side with the substrate sandwiched while supplying a gas from the side of the substrate. - 特許庁

一実施形態において、内容積部を有するチャンバ本体と、内容積部に配置された基板支持部と、非対称分布のガス注入ポートを有するガス分配アセンブリとを含む真空処理チャンバを提供する。例文帳に追加

In one embodiment, a vacuum processing chamber is provided that includes a chamber body having an interior volume, a substrate support disposed in the interior volume, and a gas distribution assembly having an asymmetrical distribution of gas injection ports. - 特許庁

複数のカソードのそれぞれの周囲にガス噴出管を配置して、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして、膜厚分布を改善する。例文帳に追加

To improve the film thickness distribution by disposing a gas spray pipe around each of a plurality of cathodes to allow the process gas to uniformly reach a part close to the center of a substrate. - 特許庁

カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system improved in a film thickness distribution by arranging a gas jet tube is arranged around a cathode case housing a cathode, thereby spreading a process gas uniformly near the center of a substrate. - 特許庁

基板キャリアの処理面の全体にわたって、反応ガスの均一な分布をもたらし、反応ガスの速度が異なることによって引き起こされる乱流を回避することができる反応器及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reactor and a method that provides a uniform distribution of a reaction gas over the entire processing surface of a substrate carrier and can avoid turbulent flow caused by the speeds of the reaction gas being different. - 特許庁

これにより、ガスの導入場所に応じて独立してガス流量を制御でき、半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を同時に均一化することが可能となる。例文帳に追加

Accordingly, gas flow rates can be individually controlled depending on a portion that gases are introduced, so that in-plane distribution of a film thickness and concentration of a thin film formed on a semiconductor substrate 60 can be uniformed all together. - 特許庁

製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum processing apparatus that suppresses a decrease in film quality at the periphery of a substrate due to distribution of film formation conditions by increasing the flow rate of exhaust gas discharged from a slit between discharge electrodes by reducing an exhaust gas flow of gas having not contributed to film formation and flowing to the periphery of the substrate. - 特許庁

反応器内へ不純物ガス成分やパーティクルが混入する恐れがなく、基板近傍での基板・ガスの温度分布およびガス流れの制御がし易くて均—性の高い膜の形成が可能である連続熱ＣＶＤ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a continuous heat CVD apparatus capable of preventing impurity gas components or particles from being mixed in a reactor, easily controlling the temperature distribution of a substrate/gas in a vicinity of the substrate and the gas flow, and depositing a film of high uniformity. - 特許庁

原料ガスを用いて基板に熱ＣＶＤにより金属薄膜を成膜するにあたって、基板間で基板の面内温度分布を揃え、これにより基板間における成膜処理のばらつきを抑えること。例文帳に追加

To provide a film deposition system by which the in-plane temperature distribution of substrates is uniformed between the substrates to suppress variation in film deposition treatment between the substrates when a metal thin film is deposited on the substrate by using a gaseous starting material by means of a thermal CVD. - 特許庁

昇温中の基板に処理ガスが触れて熱衝撃により基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板に処理ガスが触れて基板面内における温度分布が悪くなり均一な熱処理を行えなくなることを防止できる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment system for substrate in which processing gas is prevented from touching a substrate under temperature rise to accelerate generation of a defect in the substrate through heat shock or touching a temperature raised substrate to deteriorate temperature distribution in the plane of the substrate so that uniform heat treatment can be ensured. - 特許庁

処理室１に２種類の原料モノマーガスを流入させ、基板Ｓの表面に高分子膜を形成する蒸着重合装置であって、組成分布及び膜厚分布の均一な高分子膜を形成でき且つ生産性に優れた装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition polymerizer in which two raw material monomer gases are made to flow into a treatment chamber 1 to deposit a polymer film on the surface of a substrate S, which can deposit a polymer film having a uniform compositional distribution and a uniform film thickness distribution, and also, has excellent productivity. - 特許庁

材料ガスの種類や流量を変化させる際に、ガス供給ノズルと基板保持部との距離を予め定めておいた距離に変化させることにより、基板保持部の径方向についての膜厚分布のピークを基板と重ならない位置に生じさせる。例文帳に追加

When the type and the flowing amount of the material gases are varied, by varying the distance between a gas supply nozzle and a substrate holding part to a predetermined distance, the peak of the film thickness distribution, with respect to the diametrical direction of the substrate holding part, is made to be produced at a position which is not superimposed on a substrate. - 特許庁

基板処理装置に於いて、導入された処理ガスにより基板の面内温度分布の均一性が損われない様にして膜厚の均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve uniformity of film thickness by keeping the uniformity of temperature distribution within the plane of substrate due to the processing gas introduced in the substrate processing apparatus. - 特許庁

これにより、基板２０表面の近傍に原料ガスの均一な濃度分布が生じ、基板２０表面に均一な膜厚の薄膜を形成することができる。例文帳に追加

Thus, the uniform density distribution of the raw material gas can be generated in the neighborhood of the surface of the substrate 20, and a thin film whose film thickness is uniform can be formed on the surface of the substrate 20. - 特許庁

被処理基板の周辺領域におけるガスの温度分布を均一化し、被処理基板に形成される薄膜の組成および厚さのばらつきを軽減する気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide vapor phase epitaxy equipment which equalizes temperature distribution of gas in a perimeter region of a processed substrate and reduces variation of composition and thickness of a thin film formed on the processed substrate. - 特許庁

セラミック基板を焼成する際に載せるセッターの貫通孔の開口面積の比率を、周縁部よりも中央部を高くし、雰囲気ガスや温度の分布を、焼結が均一に進むように調節し、セラミック基板の反り、割れを低減する。例文帳に追加

As a result, warpage and cracking of the ceramic substrate are suppressed. - 特許庁

不活性ガスにより散乱される回数の差が基板中心部と基板端部で２０％以内でとすることで薄膜形成材料の蒸着分布を均一化する成膜方法。例文帳に追加

In the film deposition method, the vapor deposition distribution of a material for depositing a thin film is unified by setting the difference in the number of times of scattering with inert gas is within 20% between a center part of a substrate and an end part of the substrate. - 特許庁

熱処理時の基板上における処理ガス供給量の均一化が図られ、基板の膜厚分布の均一化が図れる熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment device where treatment gas supply quantity on a substrate at the time of heat treatment is uniformed and the film thickness distribution of the substrate is uniformed. - 特許庁

被処理基板の寸法や処理条件などの変更に際しても反応ガスの供給を容易、且つ迅速に調節制御して、被処理基板の表面全体にわたり反応ガスを均等な分布で分散させることのできる真空処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum treating apparatus for diffusing reaction gas across the whole surface of a substrate to be treated with uniform distribution by easily and quickly adjusting and controlling the feeding of reaction gas at the changing of the dimensions or processing condition of the substrate to be treated. - 特許庁

原料ガスを供給して基板上に薄膜を製造する方法であって、該基板表面における該原料ガスの供給速度に二次元的な分布を持たせて薄膜を成長させることを特徴とする薄膜製造方法及び薄膜成長装置。例文帳に追加

In the thin film manufacturing method and the thin film growth device, a thin film is manufactured on a substrate by feeding raw gas, and the thin film grows by realizing the two-dimensional distribution of the feeding rate of the raw gas on the surface of the substrate. - 特許庁

ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。例文帳に追加

Etching processing is carried out by radiating ion beams according to the calculated irradiation position and dose distribution while blowing etching gas toward a glass substrate 34. - 特許庁

本発明は、広範囲なガス種や圧力等のプラズマ処理条件において基板近傍プラズマ密度分布を容易に均一に出来るプラズマ処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus for easily unifying a plasma density distribution near a substrate under plasma processing conditions, such as a wide range of gas species and pressure. - 特許庁

本発明は、広範囲なガス種や圧力等のプラズマ処理条件において基板近傍プラズマ密度分布を均一にするプラズマ処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus for easily unifying a plasma density distribution near a substrate under plasma processing conditions, such as a wide range of gas species and pressure. - 特許庁

回転電極を用いたプラズマ処理装置において、狭小になった回転電極と基板との間隙に十分な反応ガスを供給することができ、表面処理特性分布が発生しない。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device using a rotary electrode in which a reaction gas can be sufficiently supplied to a narrowed clearance between the rotary electrode and a substrate and no surface treatment characteristic distribution does not occur. - 特許庁

Ｓｉ基板１０上にシリコン酸窒化膜１２を形成した後、ＮＯガスをシリコン酸窒化膜１２に接触させながら熱処理を施すことにより、シリコン酸窒化膜１２の内部に急峻な分布を持った高濃度の窒素を導入する。例文帳に追加

After a silicon oxynitride film 12 is formed on an Si substrate 10, high concentration nitrogen having steep distribution is introduced into the silicon oxynitride film 12 by performing heat treatment while bringing NO gas into contact with the silicon oxynitride film 12. - 特許庁

原料ガスを分解して基板上に薄膜を堆積する際、プラズマ中の電子エネルギー分布や壁との相互作用を制御することによって、プラズマ中の粒子組成を制御する。例文帳に追加

A system and a method include controlling of particle composition in plasma, by controlling the interaction with electron energy distribution in plasma and a wall, at depositing a thin film on a circuit board by decomposing the source gas. - 特許庁

ドライエッチングに使用するガス組成の調整によっても、マスク１４の膜厚分布を増幅させた三次元形状に圧電材料基板１１を加工できる。例文帳に追加

The piezoelectric material substrate 11 can be also worked in a three dimensional shape wherein thickness distribution of the mask 14 is amplified by adjustment of gas composition used for the dry etching. - 特許庁

反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。例文帳に追加

To obtain a compound semiconductor wafer with a high crystallinity and a uniform in-plane Al composition distribution by using a horizontal type MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) furnace rotating a substrate under a reaction gas. - 特許庁

単層金属ガスケットのボア孔３の周りの面圧分布は，ボア孔周縁板２のボア孔３の周りにおける幅のサイズによって一部調整されるものである。例文帳に追加

Surface pressure distribution of the single level metal gasket around the bores 3 is partially adjusted through the size of the width of the bore peripheral plate 2 around the bores 3. - 特許庁

電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング槽において、アルミニウム箔と電極板の接触防止バーに起因する、エッチング液の循環不足、ガスの滞留、温度分布のバラツキによる静電容量低下を抑える。例文帳に追加

To suppress a decrease in electrostatic capacity due to a deficiency in circulation of an etchant, stagnation of gas, and variance in temperature distribution caused by a contact preventive bar for aluminum foil for an electrolyte capacitor and electrode plates in an etching tank for the aluminum foil. - 特許庁

前記ガスによる減衰が予想され、それにしたがって露光中に蓄積される放射線の照射量、露光中に前記投影ビームによって基板に与えられる放射線エネルギの均一性および角度分布が制御される。例文帳に追加

The irradiation amount of radiation accumulated during exposure, whose attenuation by the gas is anticipated as well as evenness and angular distribution of radiation energy which is applied to a board by the projection beam during exposure are controlled. - 特許庁

金属帯に衝突した後の冷却ガスの影響を受けることなく急速冷却が可能であり、簡単な装置構成で金属帯板幅方向の温度分布の均一化を図ることができる冷却装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cooling device, with which the rapid cooling can be executed without having an effect of cooling gas after colliding to a metallic strip and the uniformity of temp. distribution in the width direction of the metallic strip can be attained. - 特許庁