「スパッタエッチング」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

次に、第１層間絶縁膜の全面をスパッタエッチングにより所定厚さ除去する。例文帳に追加

Next, the first inter-layer insulation film is removed in the predetermined thickness from the entire part thereof with the etching process. - 特許庁

また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。例文帳に追加

In addition, the barrier layer forming process includes a selective film-forming process and a sputter etching process. - 特許庁

スパッタエッチングを用いるライナ／バリア／シードの堆積においてオーバハングを除去すること。例文帳に追加

To remove overhang of the deposition of a liner, a barrier and a seed using sputter etching. - 特許庁

基板と記録層の間に形成された反射膜層又は誘電体層の表面にスパッタエッチングを行い、さらにその上に積層する記録層の表面にもスパッタエッチング処理を施す。例文帳に追加

Sputter etching is applied to a reflector layer or a dielectric layer formed between the base and the recording layer, and another sputter etching is carried out on the surface of the recording layer laminated on it. - 特許庁

次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。例文帳に追加

Then, during the sputter etching process in the barrier layer 340, sputtering particles in the barrier layer 340 are laminated in a sidewall part 344 of the opening part while sputter etching is performed with respect to the barrier layer 340 of the plane part 342. - 特許庁

エッチング法としてはアルカリや酸による化学的湿式エッチング、スパッタエッチングなどの物理的ドライエッチングが使用される。例文帳に追加

A chemical wet etching by alkali or acid and a physical dry etching such as a sputter etching are used as the etching method. - 特許庁

ガス混合物は、ホウ素イオンによるスパッタエッチングが行われるように、更にＢＣｌ_3６６を含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the mixed gas further contains BCl3 66 so that sputter-etching by boron ion can be carried out. - 特許庁

次に、半導体素子１に集束イオンビームを走査し、不良箇所を厚さ０．１μｍ以下までスパッタエッチングする。例文帳に追加

The semiconductor element 1 is covered by a thin film 4 comprising an element with small electron dispersion activity, and scanned by a converged ion beam. - 特許庁

バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method which does not deteriorate the reliability of wiring even though etching a barrier metal layer by sputtering. - 特許庁

その結果、ＳＥプラズマ空間７には円盤状のプラズマが形成され、基板２の表面全体が均一にスパッタエッチングされる。例文帳に追加

As a result, a disk-like plasma is formed in the SE plasma space 7, and the entire surface of the substrate 2 is uniformly etched by sputtering. - 特許庁

物理気相堆積膜のオーバハング部分を除去するために、ライナー／バリア／シード堆積（110,112,214）後に、スパッタエッチングが行なわれる。例文帳に追加

In order to remove the overhung part of the physical vapor deposited film, after liner/barrier/seed (110, 112 and 214) deposition, sputter etching is conducted. - 特許庁

超電導膜２１０の幅方向に集束イオンビームによる凹形加工（凹形スパッタエッチング）を行う。例文帳に追加

Recessed shape processing (recess-shaped sputter etching) using a converged ion beam is carried out along the width of the supercondcutvie film 210. - 特許庁

すなわち、スパッタエッチング法によるエッチング時間をジャストエッチング時間の２倍以上として行なう。例文帳に追加

Namely, the duration of the sputter etching is set at twice or more as long as the just etching time. - 特許庁

高周波プラズマを利用したスパッタエッチングにおける製品不良に繋がる異常放電を検出する。例文帳に追加

To detect abnormal discharge related with defective products in the sputter etching utilizing high frequency plasma. - 特許庁

スパッタエッチング装置１００のマッチングボックス１７に異常放電検知手段２０を接続し、異常放電検知手段２０にインターロック手段３０ａ等の異常放電時処理手段３０を接続して、異常放電発生時に速やかにスパッタエッチング装置１００の停止を行う。例文帳に追加

Operation of the sputter etching apparatus 100 is quickly stopped when abnormal discharge is generated by connecting an abnormal discharge detecting means 20 to a matching box 17 of the sputter etching apparatus 100 and also connecting an abnormal discharge processing means 30 such as an interlocking means 30a or the like to the abnormal discharge detecting means 20. - 特許庁

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering. - 特許庁

その際に生じるシリコン酸化膜４４の上面とタングステンプラグ４８の上面との間の段差３０を、アルゴンイオンによるスパッタエッチングを行って平滑化する。例文帳に追加

A level difference 30 between the upper surface of the silicon oxide film 44 and the upper surface of the tungsten plug 48 produced at this time is smoothed by performing sputter etching using an argon ion. - 特許庁

そして、アルゴンガスを用いた等方性スパッタエッチングを行なうことによりハードマスク２１ａの角部を丸めて、テーパー形状を有する注入ハードマスク２１を形成する。例文帳に追加

Then a tapered implantation hard mask 21 is formed by rounding corners of the hard mask 21 by performing isotropic etching using an argon gas. - 特許庁

その後、スパッタエッチングにより配線溝５の側面以外に形成された不要な堆積膜７を除去し、配線溝５内に導電体膜を形成する。例文帳に追加

Thereafter, unwanted deposition film 7 formed to the area other than the side surface of the wiring groove 5 is removed with the sputter etching and a conductor film is formed inside the wiring groove 5. - 特許庁

高融点金属の被着に先立ち、多結晶シリコン層上に形成された自然のシリコン酸化膜の除去を、５〜５０ｅＶの範囲のエネルギを持った低エネルギーのアルゴンガスイオンのスパッタエッチングにより行う。例文帳に追加

Prior to cladding metal with a high melt point, a natural silicon oxide film that is formed on a polycrystalline silicon layer is removed by sputter etching of an argon gas ion with low energy of 5 to 50 eV. - 特許庁

スパッタリングを用いて基板のクリーニングおよび基板への成膜を行うスパッタリング装置において、基板表面を均一にスパッタエッチングすることができるスパッタリング装置の提供。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus capable of uniformly etching a surface of a substrate in the sputtering apparatus to clean the substrate and deposit a film on the substrate by using the sputtering. - 特許庁

透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製する際に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによって切削端面に生じたダメージ層を除去する。例文帳に追加

To remove a damaged layer generated in a cut end face by sputtering- etching with a convereged ion beam, when preparing a thin sample piece for a transmission electron microscope. - 特許庁

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。例文帳に追加

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer. - 特許庁

薄片試料（３０）の切削端面にはガリウムイオンビームによるスパッタエッチングによって格子欠陥等のダメージ層が形成されている。例文帳に追加

The damaged layer such as a layer having a lattice defect is formed in the cut end face of the thin sample piece 30 by the sputtering- etching with a gallium ion beam. - 特許庁

接続孔８ｃに埋め込まれた導電体９の表層を、不活性イオンを用いたスパッタエッチングにより除去し、その後、絶縁膜８上に、導電体９に接続する第２の導電層１０ａを形成する。例文帳に追加

Surface layer of the conductor 9 buried in the contact hole 8c is removed by etching using inactive ions and then a second conductive layer 10a for connection with the conductor 9 is formed on the insulating film 8. - 特許庁

基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部３，４の曲率半径を大きくする。例文帳に追加

The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like. - 特許庁

この状態でスパッタエッチングを行うことにより、シリサイド領域におけるシリコン酸化膜３０のうちサイドウォールスペーサ１４を覆う部分の肩部を除去する。例文帳に追加

The shoulder of a portion of the silicon oxide film 30 covering a side wall spacer 14 in the silicide region is removed by carrying out sputter etching in the state. - 特許庁

次に、逆スパッタエッチングを行った後、連続してＴｉ及びＴｉＮを密着層として形成し、さらに容量形成領域に誘電体膜を形成する。例文帳に追加

Then, after reverse sputter etching, Ti and TiN are formed continuously as a contact layer, and further a dielectric film is formed on the capacitance formation region. - 特許庁

そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。例文帳に追加

The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it. - 特許庁

犠牲層（１０８）をスパッタエッチングすることにより、誘電体層（１０２）の上部よりも広い開口部を、犠牲層（１０８）の上部に形成する。例文帳に追加

An opening which is larger than the upper part of the dielectric layer (102) is formed in the upper part of the sacrificial layer (108) through sputter etching of the sacrificial layer (108). - 特許庁

膜除去チャンバー７０内には、基板保持具９０の表面の堆積膜をイオン衝撃によりスパッタエッチングにより除去する膜除去機構が設けられている。例文帳に追加

A film-removing mechanism, which removes the thin film deposited on the substrate holder 90 by sputtering etching using ion impact is provided in the film-removing chamber 70. - 特許庁

前記プレッシャプレート６ａを洗浄した後、このプレッシャプレート６ａのうちで前記ライニング７ａを接着すべき面である接着面に、スパッタエッチングにより微細な多数の円錐状突起を形成する。例文帳に追加

After cleaning the pressure plate 6a, a large number of fine conical projections are formed by sputter-etching on the adhesive surface being a surface for adhering the lining 7a among the pressure plates 6a. - 特許庁

続けて、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜（金属薄膜）３７を形成する。例文帳に追加

Successively, a CrSi thin film (metallic thin film) 37 for metallic thin film resistor is formed continuously without breaking the vacuum after the Ar sputter etching is completed. - 特許庁

ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。例文帳に追加

Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion. - 特許庁

ガス導入系７２により導入されたガスに高周波放電が生じてプラズマが形成され、保持爪９１の表面の堆積膜がイオン衝撃によりスパッタエッチングされて真空中で除去される。例文帳に追加

The high frequency discharge is generated in the gas introduced by a gas introduction system 72 to form the plasma, and the deposited film on the surface of the holding claw 91 is sputter-etched by the ion impulse, and removed in the vacuum. - 特許庁

従来とは異なり、白金膜をスパッタエッチングせず環状の溝部によって所望の配線部の形状に形成できるため、製造装置を汚染することなくさらなる微細化ができる。例文帳に追加

Differently from the past, the platinum films are formed into the shape of a desired wiring part by means of the ring-shaped groove part without sputter etching, and therefore, the gas sensor is further miniaturized without contaminating the manufacturing device. - 特許庁

スパッタエッチングにより、スルーホール開口部に傾斜部を設け断面を大きくするとともに金属配線の表面の酸化Ａｌを除去する。例文帳に追加

A sloped part is provided in a through hole opening part, by sputtering etching, to enlarge a cross section, and aluminum oxide on a surface of the metal wire is removed. - 特許庁

絶縁性基板上に温度依存性の金属薄膜を形成し、金属薄膜をスパッタエッチング法によりパターニングして感熱部を形成する。例文帳に追加

After a metallic thin film 13 having a temperature-dependency is formed on an insulating substrate 2, heat-sensitive sections 5 and 6 are formed by patterning the film 13 by sputter etching. - 特許庁

さらに、アルゴンガスに加えて、水或いは水素をチャンバ内に導入しながら、引き続き、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ４）。例文帳に追加

Furthermore, while in addition to the argon gas, water or hydrogen is introduced into the chamber, the plasma is successively generated in the chamber by outputting the high frequency electric power, to perform the sputter etching on the surface of the metal material (step S4). - 特許庁

誘導結合形プラズマ処理装置において、スパッタエッチングに伴う飛散物によって誘電体壁容器１１の側壁部１４内面へ膜が形成され、高周波電力の供給が阻害されることを防止する。例文帳に追加

To prevent a film from being formed on an inner surface of a sidewall part 14 of a dielectric wall vessel 11 by a scattering substance associated with sputter etching to hinder supply of high-frequency power, in an inductively-coupled plasma processing device. - 特許庁

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、微細化を妨げることなく被エッチング膜のレジスト側壁への再付着による側壁析出膜のないエッチング形状を得る。例文帳に追加

To obtain an etching shape without a side-wall deposition film as a reattached etching film to a sidewall of a resist, without disturbing minute patterning in a non-reactive sputtering etching step. - 特許庁

アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ３）。例文帳に追加

While an inert gas such as argon gas is introduced into a chamber, a plasma is generated in the chamber by outputting a high frequency electric power, to perform a sputter etching on the surface of the metal material installed in the chamber (step S3). - 特許庁

堆積後、低バイアスを用いてスパッタエッチングが行なわれ、オーバハング部分（111）の暑さを減少し、続く重点プロセスにいて生じるシームを避ける。例文帳に追加

After the deposition, sputter etching is performed by using a low bias, the thickness of the overhung part (111) is reduced and a seam generated in subsequent important processes is avoided. - 特許庁

第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成した後、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なう。例文帳に追加

After connection holes 21 are formed in a second interlayer insulating film 19, the Ar sputter etching is performed on the surface of the insulating film 19 including the inside of the connection holes 21. - 特許庁

同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。例文帳に追加

In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper. - 特許庁