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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > パルス照射の意味・解説 > パルス照射に関連した英語例文

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パルス照射の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1213



例文

チャック10と光ビーム照射装置20との相対的な移動量に応じたパルス信号を出力するエンコーダ32を設け、エンコーダ32のパルス信号からチャック10と光ビーム照射装置20との相対的な移動量を検出する。例文帳に追加

An exposure device includes an encoder 32 for outputting a pulse signal according to a relative moving distance between a chuck 10 and a light beam irradiation device 20, and detects the relative moving distance between the chuck 10 and the light beam irradiation device 20 based on the pulse signal from the encoder 32. - 特許庁

好ましくは、パルス2を測定部位7に所定回数繰り返し照射してプラズマ3の発光強度を反復計測し、所定回数のパルス2の照射に対するプラズマ3の発光強度の平均値又は変化率により硬化体1の強度を測定する。例文帳に追加

The pulses 2 are preferably emitted toward the measuring portion 7 repeatedly prescribed times to measure the luminous intensities of the plasma 3 repeatedly, and the strength of the cured object 1 is measured based on an average value or a variation of the luminous intensities of the plasma 3 in the prescribed times of pulse 2 emission. - 特許庁

超音波トランスデューサーを内蔵した超音波治療ヘッドモジュール、該超音波の照射を制御する制御手段を備え、創傷部位に対して超音波パルス照射する創傷治療装置。例文帳に追加

A wound treatment device comprises an ultrasonic treatment head module having an ultrasonic transducer therein and a controlling means to control its ultrasound radiation, from which an ultrasonic pulse is irradiated to the wounded area. - 特許庁

結晶化装置は、紫外光域のレーザー光をパルス照射することによる溶融化と、可視光のレーザー光を連続照射することによる結晶化を組み合わせることで、結晶化を行うレーザー光の可視化を可能とする。例文帳に追加

The crystallization device can visualize the laser beams for crystallization by combining fusing by pulsively applying laser beams at an ultraviolet light region with crystallization by successively applying visible laser beams. - 特許庁

例文

好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを0.3J/cm^2〜1.5J/cm^2、パルスレーザー光の照射回数が1〜100ショットとする。例文帳に追加

Preferably, an irradiation laser fluence used for the laser annealing is set in 0.3-1.5 J/cm^2 and the number of times of irradiation of pulse laser beam is set in 1-100 shot. - 特許庁


例文

基材表面に成膜された硬質カーボン膜に、低フルーエンスのパルスレーザー(フェムト秒レーザー等)を照射することで、照射部分にガラス状炭素を形成することができる。例文帳に追加

A hard carbon film deposited on the surface of a base material is irradiated with a pulse laser of low fluence (such as a femtosecond laser), thus glassy carbon can be deposited on the irradiated part. - 特許庁

この際、パルス照射中には、ポリゴンミラー45により、溶融した非晶質ケイ素膜の横方向の結晶化速度よりも大きい速度で照射領域を移動させる。例文帳に追加

In this case, an irradiation region is moved at a speed being larger than a crystallization speed in the horizontal direction of the fused amorphous silicon film by a polygon mirror 45 during the irradiation of pulses. - 特許庁

前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射する場合、オゾン濃度計13によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記パスル照射の繰り返し周波数が制御される。例文帳に追加

A repetition frequency of pulse irradiation is controlled based on the ozone concentration or the ozone partial pressure measured by the ozone densitometer 13, when the surface of the substrate is pulse-irradiated with the light within the ultraviolet area. - 特許庁

固体材料表面に、低フルーエンスの超短パルスレーザー(フェムト秒レーザー)を偏光制御して照射することで、照射したレーザーの波長より小さいサイズの微細構造を形成する。例文帳に追加

A low-fluence ultra-short pulse laser beam (femtosecond laser beam) is applied to the surface of a solid material as it is controlled for polarization, to form a fine structure whose size is smaller than the wavelength of the laser beam applied. - 特許庁

例文

および透明材料にパルスレーザー光を照射または集光照射することにより、屈折率が異なる領域を内部に形成することを特徴とする光学部品または光学的ローパスフィルターの製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the optical component or the optical low-pass filter forms areas of different refractive factors inside by radiating or focusing pulse laser beams on the transparent material. - 特許庁

例文

これらの規定パルス信号の検出数により、光ピックアップ装置20から光ディスクDKへ照射される3つのレーザビームが光ディスクの同一トラックを照射しているかを判定する。例文帳に追加

Whether the three laser beams irradiated from an optical pickup device 20 to the optical disk DK irradiate the same track of the optical disk is determined on the basis of the number of the prescribed pulse signals thus detected. - 特許庁

トリガ回路50は、光源30に対してパルス光の照射タイミングを指示するとともに、信号処理回路62〜92に対して、照射タイミングと同期したそれぞれでの光の検出タイミングを指示する。例文帳に追加

A trigger circuit 50 indicates irradiation timing of the pulsed light to the light source 30, and indicates each light detection timing synchronized with the irradiation timing to signal processing circuits 62-92. - 特許庁

次に、薄膜がアブレーションされた領域にパルスレーザビームを照射しながら、ビームスポットを、第1回目のレーザ照射時よりも速く移動させる21a,21b。例文帳に追加

Then, while the pulse laser beam is irradiated to the area 20 being abrased on the thin film, beam spots 21a, 21b are moved faster than the first irradiation. - 特許庁

一方の走査光学系を通して加工対象物上にパルスレーザビームが照射されている期間に、他方の走査光学系を駆動してビームの照射位置を移動させておく。例文帳に追加

While the work is irradiated with the pulse laser beam through one scanning optical system, the beam irradiation position is moved by driving the other scanning optical system. - 特許庁

本発明は、レーザ照射、典型的にはUVからIRのスペクトルで且つ短いパルス間隔のものを用いてパッケージを照射し、成形化合物のアブレーションを行う。例文帳に追加

According to the present invention, a package is irradiated with laser, typically ones of a spectrum ranging from a UV to an IR with a short pulse interval, and the ablation of a molding compound is performed. - 特許庁

照射領域をアモルファス化させることにより屈折率変化領域を形成して書き込みを行い、パルスレーザをアモルファス化した領域に照射して当初の原子・分子配列状態に復帰させて消去を行う。例文帳に追加

Writing is made by forming a reflectivity changed areas by making the irradiated areas amorphous, and erasing is made by recovering the original atom/molecule layout by irradiating the amorphous area with the pulse laser beam. - 特許庁

赤外線発光回路6が、パルス状の照射赤外線A1を照射すると、赤外線受光回路7が検知体Cからの反射赤外線A2と外乱光Bを受光する。例文帳に追加

In this object detector, an infrared ray receiving circuit 7 receives a reflected infrared ray A2 from detection object C and the disturbance light B, when an infrared light emitting circuit 6 emits a pulse-like irradiation infrared ray A1. - 特許庁

パルスレーザー照射手段は、レーザー照射エネルギー密度を100mJ/mm^2以下とし、結像光学系は、測定対象物の表面に対して垂直方向に4mmの範囲を蛍光検出器上へ結像させる。例文帳に追加

A laser irradiation energy density is brought into 100 mJ/mm^2 or less in the pulse laser irradiation means, and the imaging-focusing optical systems image-focus 4 mm of range along a direction perpendicular to the surface of the measuring object on the fluorescence detectors. - 特許庁

排気口から排出された気体をパルスレーザ光で走査して励起させ、この励起された気体に検出レーザ光を照射し、照射のちの検出レーザ光の波長を受光部68によって測定する。例文帳に追加

A gas emitted from the exhaust vent 28 is excited by being scanned with the pulsed laser beam, the excited gas is irradiated with the detection laser beam and the wavelength of it after the irradiation with it is measured by the light-receptive part 68. - 特許庁

線量算出部80は、出力パルスの数およびガラス素子10への紫外線照射量に基づいてガラス素子10に照射された放射線線量を算出する。例文帳に追加

The dose calculation part 80 calculates a radiation dose irradiated to the glass element 10 based on the number of output pulses and the ultraviolet rays exposure dose irradiated to the glass element 10. - 特許庁

このパルス照射間での照射位置の移動距離fは、上記ビームのビーム径a以上であり、列方向におけるビームアレイの幅H未満とする。例文帳に追加

Moving distance (f) of the irradiating position among irradiation of pulse is larger than the beam diameter (a) of the beam, and smaller than the width H of the beam array in the columnar direction. - 特許庁

パルスレーザ光Lを分析対象物12に照射し、パレスレーザ光Lの照射にて分析対象物12から放出される蛍光Fを蛍光伝送用光ファイバ15で伝送する。例文帳に追加

Pulsed laser light L is radiated to an analyzed object 12, and fluorescence F released from the analyzed object 12 by radiation of the pulsed laser light L is transmitted by an optical fiber 15 for fluorescence transmission. - 特許庁

本実施形態のパターン描画装置1は、各光学ヘッドによるパルス光の照射位置を計測し、その照射位置のずれ量Pおよびずれ量の差分ΔPに応じて較正処理の時間間隔Tsを変更する。例文帳に追加

The pattern drawing apparatus 1 measures the irradiation position of pulse light by each optical head and changes the time interval Ts of the calibration process in accordance with the deviation amount P of the irradiation position and with the difference ΔP in the deviation amounts. - 特許庁

また、取付け台20に受け渡しする補修作業装置14を設け、前記レーザー照射装置で可視光のパルスレーザー光を所定範囲ずつ走査しながら照射してシュラウド15の内面をレーザー加工する。例文帳に追加

The installation base 20 is provided with a repair work device 14 for delivery, and pulse laser light of visible light is irradiated by the laser irradiation device while scanning a prescribed range by a prescribed range, so as to apply laser machining to the inner face of a shroud 15. - 特許庁

分析試料5の照射面から放出される二次イオンは、照射面の二次元情報を保持したまま引出電極15で引き出され、パルスゲート電極部に入射する。例文帳に追加

Secondary ions emitted from the irradiation surface of an analysis sample 5 are extracted by an extraction electrode 15 while holding the two-dimensional information of the irradiation surface and enter a pulse gate electrode. - 特許庁

成形ロール50に照射ヘッド21から超短パルスレーザを照射して成形ロール50の表面を3次元的に加飾するレーザ加工方法。例文帳に追加

In the laser beam machining method, a forming roll 50 is irradiated with an ultrashort pulse laser from an irradiation head 21 to decorate the surface of the forming roll 50 three-dimensionally. - 特許庁

連続照射パルス照射のフレームレートが低い場合でも動きの滑らかな透視画像を撮影できるように撮影タイミングを自動調整する放射線画像撮影システムを提供する。例文帳に追加

To provide a radiographic image capturing system which can automatically adjust image capturing timing so as to capture a smoothly moving fluoroscopic image even when frame rates of continuous irradiation and pulse irradiation are low. - 特許庁

記録用のパルスレーザ光を照射すると共に、これとは別途に、光軸を傾けた第1のCWレーザをフォーカスサーボ制御のために照射する。例文帳に追加

A pulse laser beam for recording is irradiated, and separately from this, a first CW laser whose optical axis is inclined is irradiated for focus servo control. - 特許庁

光の照射による光メモリを次の情報書換え時に残留させず、かつ光未照射部分も書込みパルスによって液晶が反転しないようにしてコントラストの低下を防止させるようにする。例文帳に追加

To prevent liquid crystal elements from decreasing in contrast by preventing an optical memory by irradiation with light from remaining at the time of rewriting the following information, and preventing the liquid crystal from being reversed in unirradiated part by write pulses. - 特許庁

集光光学系51でパルスレーザ光Lの照射範囲を広くしても、判定装置で負極面上のレーザ光照射範囲すべての範囲の元素を効率良く定量できる。例文帳に追加

Even when an irradiation range of the pulse laser light L is widened by the condensing optical system 51, elements in the whole range of the laser light irradiation range on the negative electrode surface can be determined efficiently by a determination device. - 特許庁

クリーニング装置は、所定部材にパルス光を照射して、所定部材の異物を溶融又は気化させて、所定部材から前記異物を除去する照射装置を備える。例文帳に追加

The cleaning device includes an irradiation device which fuses or vaporizes foreign matter on the prescribed member by irradiating the prescribed member with pulsed light to remove the foreign matter from the prescribed member. - 特許庁

このレーザ加工方法は、パルスレーザ光を集光して脆性材料基板表面に照射するレーザ光照射工程と、レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、を含んでいる。例文帳に追加

The laser beam machining method comprises: a laser beam emission stage where a pulse laser beam is condensed and is emitted to the surface of a brittle material substrate; and a laser beam scattering stage where the laser beam is scanned along a scribe schedule line. - 特許庁

ただし、それら第一照射領域F1と第二照射領域F2とが重なり合う領域の面積をB、パルスレーザのスポットの面積をAとしたとき、B/Aが0.25以上0.80以下となるように制御する。例文帳に追加

Therein, when an area of the region in which the first irradiation region F1 and the second irradiation region F2 are overlapped with each other is B and an area of the spot of the pulse laser is A, the control is performed in such a manner that B/A is ≥0.25 and ≤0.80. - 特許庁

m行n列をなす複数のビームからなるビームアレイの照射位置を露光体に対して上記ビームアレイの列方向に移動させつつ、このビームアレイをパルス照射する。例文帳に追加

While irradiating position of a beam array formed of a plurality of beams of m-rows and n-columns is moved in the columnar direction of the beam array for an exposure object, this beam array is irradiated in the form of pulse. - 特許庁

多重量子井戸構造(MQW)で構成されるテラヘルツ波発生素子(1)に対し、量子数の異なるサブバンドの励起子(E2HH1,E2HH2)を同時に励起する超短光パルスを光照射回路(2)により照射する。例文帳に追加

An ultra short light pulse exciting excitons (E2HH1, E2HH2) of subbands different in the number of quantums simultaneously is irradiated to a terahertz wave generating element (1) composed of a multiple quantum well (MQW) by a light irradiation circuit (2). - 特許庁

CLV駆動指令パルス列生成方法及びその装置、送り方向のビーム照射位置誤差検出方法、ビーム照射位置誤差補正方法及びその装置、光ディスク原盤露光装置、光記録媒体例文帳に追加

GENERATION METHOD FOR CLV DRIVING COMMAND PULSE ROW AND DEVICE THEREOF, ERROR DETECTING METHOD FOR BEAM IRRADIATION POSITION IN FEED DIRECTION, ERROR COMPENSATING METHOD FOR BEAM IRRADIATION POSITION AND DEVICE THEREOF, EXPOSURE DEVICE FOR OPTICAL ORIGINAL DISK, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM - 特許庁

薄板状の被加工物10を短パルスレーザ光の照射によって加工する際に、レーザ照射側面の背面を液体40からなる衝撃吸収体に密着させる。例文帳に追加

When the thin sheet workpiece 10 is machined by being irradiated with the short pulsed laser beam, the surface on the opposite side of the surface to be irradiated with the laser beam is brought into close contact with a shock absorbing element composed of liquid 40. - 特許庁

本発明のEUV光源装置は、メインパルスレーザ光の照射前に、CW(QCWを含む)光をターゲットに照射することにより、ターゲットを蒸発させて適切な密度及び形状を有するターゲットに変化させる。例文帳に追加

To provide an EUV (extreme ultraviolet) light source device which evaporates a target into one with appropriate density and shape, by irradiating on it CW light (including QCW light) before irradiation of main pulse laser light. - 特許庁

また、光応答性物質としては、例えばPLZT等の1つの光の照射と非照射で形状が変化するものを用い、パルス光で作動させても良い。例文帳に追加

As an optically responding material, for example, PLZT or the like capable of changing its shape by irradiation or non-irradiation of one light, can be used, and the system may be optionally operated by the pulse light. - 特許庁

一方の走査光学系17,18を通して加工対象物53上にパルスレーザビームが照射されている期間に、他方の走査光学系18,17を駆動してビームの照射位置を移動させておく。例文帳に追加

While the work 53 to be machined is irradiated with the pulse laser beam through either one of optical scanning systems 17 and 18, the position irradiated with the laser beam is moved by driving the other optical scanning system 18 or 17. - 特許庁

線量算出部80は、出力パルスの数、蛍光の変化量および紫外線照射量に基づいて素子10に照射された放射線線量を算出する。例文帳に追加

The dose calculation section 80 calculates the dose of the radiation emitted on the element 10 on the basis of the number of the output pulse, the change amount of the fluorescence and the irradiation amount of the ultraviolet rays. - 特許庁

防止は補助材か周囲液体あるいは気体への熱伝導の利用、パルスレーザビーム照射によって、また補償はレーザビーム照射位置の負帰還制御によって行う。例文帳に追加

The prevention of the deviation is performed by utilizing the thermal conduction to an auxiliary material or an ambient liquid or gas or by pulse laser beam irradiation, and the compensation is preformed by negative feedback control of the laser beam irradiation position. - 特許庁

表面にa-Si膜が形成された基板18に、線状に整形されたパルスレーザ光を、線状レーザ光の短軸方向に移動しながらスキャン照射して、複数のエネルギー密度で、照射領域19を形成する。例文帳に追加

A substrate 18 having an a-Si film on its surface is scan-irradiated with a pulse laser beam shaped in the form of a line, while the beam is being moved in a short axial direction of the line-shaped laser beam, thus forming an irradiation region 19 with two or more energy densities. - 特許庁

この走査時には、この特定範囲を区分けした測定領域毎に投光素子14がパルス状の照射光91を照射して、その戻り光から、各測定領域の受光量電圧を収集する。例文帳に追加

The light projection element 14 emits the pulse-like irradiation light 91 in every measuring area in the partitioned specified range, when scanned, and collects a received luminous energy voltage in the each measuring area, based on a returned light. - 特許庁

電子ビームをパルス状に照射し、照射位置をアーク放電毎に変更することにより、高い成膜の制御性を得ることができ、ターゲットの有効利用が可能となる。例文帳に追加

This vapor deposition apparatus can obtain high controllability for film formation and can effectively use the target, by irradiating the evaporation surface with the electron beam in a pulse form and changing the position to be irradiated at every time of the arc discharge. - 特許庁

照射装置3は、基板1上に層間膜2を形成してなるコンタクト表面上に位置する単位領域に、パルス状のスポット光を照射する。例文帳に追加

A light-irradiating device 3 has a pulse-like spot beam irradiated in a unit region positioned on a contact surface, where an interlayer film 2 is formed on a substrate 1. - 特許庁

そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルス照射によって半導体層の線状第1領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも2つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、2つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が1000ns以下である。例文帳に追加

Also, in the device for crystallizing an amorphous semiconductor layer which includes a radiation pulse source, an irradiator prepared for melting a first linear region of the semiconductor layer by irradiating of radiation pulses, and radiation pulse source prepared for irradiating the semiconductor layer by the two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns. - 特許庁

半導体レーザーの照射光を光ディスク原盤のレジスト膜に照射して情報を記録する原盤記録装置において、前記レジスト膜を無機レジスト膜とし、前記半導体レーザーの照射光をパルス幅200ps以上1ns以下の短パルスのレーザーとして出力する手段を具備したたことを特徴とする。例文帳に追加

The master recording system for recording information by irradiating a resist film of an optical disk master with a semiconductor laser light includes an inorganic resist film and has a means for outputting the light of the semiconductor laser as a short pulse laser with a pulse width of 200 ps to 1 ns. - 特許庁

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。例文帳に追加

A method for manufacturing a conductive pattern-formed substrate of the present invention includes: a conductive pattern formation step of irradiating a transparent conductive layer provided on an insulation substrate with a pulse-form laser beam in a predetermined pattern to form an insulation portion and forming at least a conductive pattern; and a re-irradiation step of re-irradiating a part of the insulation portion with the pulse-form laser beam. - 特許庁

例文

感光体ドラムの軸心方向に沿って感光体ドラムの表面に光を照射するための半導体発光素子94を含む光照射部を配設し、この光照射部の半導体発光素子94に所定期間だけパルス電圧を連続して供給し、このパルス電圧の立ち上り時に半導体発光素子94に突入電流が流れるようにする。例文帳に追加

A photoirradiation section including a semiconductor light emitting element 94 for irradiating the surface of the photoreceptor drum with light is disposed along the axial center direction of the photoreceptor drum and pulse voltages are continuously supplied only for the prescribed period to the semiconductor light emitting element 94 of the photoirradiation section such that an inrush current flows to the semiconductor light emitting element 94 during rising of the pulse voltages. - 特許庁

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