「位相シフト」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

微細なホール径を持ち、コンタクトホール列のパターン、あるいは孤立コンタクトホールとコンタクトホール列とが混在するパターンを、マスクを交換せずに、高解像度（即ち、コンタクトホール列については位相シフトマスクを用いたＬ＆Ｓパターンと同等の解像度）で露光可能な露光方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provides method and device for exposure capable of exposing a pattern, having a fine hole diameter and patterns of rows of contact holes or mixed independent contact holes with the rows of contact holes, with a high degree of resolution (or the degree of resolution equal to L-and-S pattern employing a phase shift mask for the rows of contact holes) without exchanging any mask. - 特許庁

振動子３の第１の端子３１ｔ、第２の端子３２ｔ及び第３の端子３３ｔのうち２つの端子を選択し、これら２つの端子の双方から位相を９０度シフトさせた交流電圧をそれぞれ印加すると、ステータ２に振動が発生し、ロータ６と接触するステータ２の段差９に楕円振動が発生する。例文帳に追加

When two out of a first terminal 31t, a second terminal 32t and a third terminal 33t of an oscillator 3 are selected and AC voltages having a phase shift of 90° are applied from these two terminals, vibration is generated in a stator 2 and elliptic vibration is generated at the level difference 9 of a stator 2 touching the rotor 6. - 特許庁

位相のシフトを拡張または収縮させることがなく、電極間の溶融した金属の空洞化または形成の何れかがなく、また溶接のたまりが乱されない、大きな金属半製品のシーム溶接に使用されるタイプの２つ以上のタンデム電極を動作する高容量交流回路電源を利用する電気アーク溶接系の提供。例文帳に追加

To provide an electric arc welding system, utilizing a high-capacitance AC circuit power source for operating two or more tandem electrodes of a type used for a seam welding of large metallic semi-manufactured products, by which the shift of a phase is not extended or contracted, either of hollowing or forming of molten metal between electrodes is eliminated and the pool of welding is not disturbed, . - 特許庁

金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化膜のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜で構成するハーフトーン型位相シフトマスクの基板表面の荒れや凹凸の発生を抑制した製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method to suppress roughening or production of a rugged pattern on the surface of a substrate of a halftone phase shift mask consisting of a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or consisting of a multilayer film comprising a transparent layer and a light shielding layer. - 特許庁

光ピックアップ装置３０は、光源３３と、傾斜多分割型位相シフト回折格子８と、光源から放射される光を光記録媒体３２に集光する対物レンズ３５と、光記録媒体によって反射された反射光を分岐する光分岐素子３６と、分岐された反射光を受光する受光素子３８とを含む構成である。例文帳に追加

An optical pickup device 30 comprises a light source 33, a tilt multi-division type phase shift diffraction grating 8, an objective lens 35 converging light radiated from the light source on an optical recording medium, a light branch element 36 branching reflected light reflected by the optical recording medium, and a light receiving element 38 receiving branched reflected light. - 特許庁

位相シフトキーイングを使用した複数のチャネルを含む光信号をデマルチプレクスするためのデマルチプレクサと、複数の光チャネルをマルチプレクスするためのマルチプレクサと、デマルチプレクサおよびマルチプレクサに結合され、複数のチャネルの光パワー等化を行うように適合された複数の半導体増幅器とを含むチャネルパワー等化器を提供する。例文帳に追加

A channel power equalizer is provided, comprising a demultiplexer for demultiplexing an optical signal comprising two or more channels using phase shift keying, a multiplxer for multiplexing two or more optical channels, and two or more semiconductor amplifiers coupled to the demultiplexer and the multiplexer, and adapted so as to perform optical power equalization of the two or more channels. - 特許庁

また、第１増幅器ＡＰ１により第１微分回路ＤＣ１の出力を増幅し、第２微分回路ＤＣ２により第１増幅器ＡＰ１の出力を微分して位相をシフトさせ、比較器ＣＭにより第２微分回路ＤＣ２の出力と第１増幅器ＤＣ１の出力を比較して、低周波フィルタＦＬ１Ｌと高周波フィルタＦＬ１Ｈを切り替えることにより、可変の遮断周波数ｆｃｕｔを持つようにした。例文帳に追加

A comparator CM compares an output of the second differentiating circuit DC2 with an output of the first amplifier DC1 and the low frequency filter FL1L and the high frequency filter FL1H are switched from one to the other to give a variable shutoff frequency. - 特許庁

透明基板１の上に、ハーフトーン材料膜３と、このハーフト−ン材料膜３上に形成された金属膜４及び反射防止膜５からなる遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記遮光膜を当該膜厚が５０ナノメートル〜７７ナノメートルの範囲となるように成膜した。例文帳に追加

The halftone type phase shift mask blank 1 having the halftone material film 3 on a transparent substrate 1 and the light shielding film consisting of a metallic film 4 and antireflection film 5 formed on the halftone material film 3 is formed by depositing the light shielding film in such a manner that the film thickness thereof attains a range from 50 to 77 nanometers. - 特許庁

グラディエントエコー法、スピンエコー法またはファーストスピンエコー法のうちのいずれか１つを用いてケミカルシフトにより互いに周波数を異にする２種類のスピンの位相差が０でない時点にエコーセンタを持つ磁気共鳴信号を獲得するにあたり、磁気共鳴信号をフラクショナルエコーとして収集する。例文帳に追加

In acquiring a magnetic resonance signal having an echo center at a point of time where the phase difference between two kinds of spin different in frequency is not 0 by chemical shift using a gradient echo method, a spin echo method or a fast spin echo method, a magnetic resonance signal is collected as a fractional echo. - 特許庁

基盤上にレジストを塗布した後、レベンソン位相シフトマスクに設けられたパターンにおける線幅方向の両側のスリット溝３とスリット溝４とをそれぞれ透過する光の干渉を用いて、ランダムに配置されたパターン形状を有するロジック部の形成領域に対して１回目の露光を行う。例文帳に追加

After resist is applied on a substrate, a region where a logic with patterns arranged at random is formed is subjected to a first exposure process, using the interference of light penetrating through slit grooves 3 and 4 located on each side of the line of a pattern provided on a Levenson phase shift mask. - 特許庁

少なくとも２層以上の回折格子が重なり合う積層構造を有する回折光学素子において、前記回折格子の断面形状が、一つの直線または複数の直線を順次連結した多角形形状により、位相シフト関数から導かれるレリーフ型形状に近似した形状を有し、該重なり合う回折格子の断面形状が相似形状を有する。例文帳に追加

The diffracting optical element has a laminate structure wherein at least two or more layers of diffraction gratings are stacked; and the sectional phase of the diffraction grating is a relief type shape derived from a shape shift function by the polygonal shape obtained by connecting one or more straight lines in order and the sectional shapes of the diffraction gratings which are put one over another are similar. - 特許庁

ＥＵＶマスク１０は、基板１１と、基板上の反射性多層膜１２と、少なくとも１つの第１部分１１１の範囲内において多層膜上に配置された位相シフト材料１３と、多層膜上で基板の第２部分１１２の範囲内に配置された、ＥＵＶマスクのマスクパターンに対応するマスク材料１４とを備える。例文帳に追加

An EUV mask 10 includes the substrate 11, a reflective multilayer 12 on the substrate 11, a phase-shifting material 13 disposed above the multilayer in at least one first portion 111 and a masking material 14 disposed above the multilayer in second portions of the substrate and corresponding to mask patterns of the EUV mask. - 特許庁

ゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極上に絶縁層を形成する工程、絶縁層を貫通する開口部を形成する工程を含み、ゲート電極を形成する工程と絶縁層を貫通する開口部を形成する工程の一方または双方は、位相シフトマスク若しくはホログラムマスクを用いた露光工程で行うことを要旨とする。例文帳に追加

One or both of the step for forming the gate electrode and the step for forming the opening parts 203a and 203b penetrating the insulating layer are performed in an exposure process using a phase-shift mask or a hologram mask. - 特許庁

（１）一定周期のウォブル溝を有するＣＬＶディスクフォーマットにおいて、該ウォブル溝は、ウォブル情報データを有する変調された領域とウォブル情報データを含まない非変調領域とからなり、該非変調領域にウォブル溝の位相シフト部を有することを特徴とする光ディスク。例文帳に追加

(1) In the CLV disk format having wobble grooves with a fixed cycle, the optical disk is characterized in that the wobble grooves are constituted of modulated areas having wobble information data and non-modulated area including no wobble information data and the non-modulated areas have phase shift parts of the wobble grooves. - 特許庁

段差を持つフォトマスクや、透明基板にエッチングによってシフター掘り込みの段差部を形成した基板にも、表面平滑で、且つ膜厚を均一に感光性樹脂を塗布し、補助パターンの寸法精度を格段に向上させるようにしたフォトマスク、又はレベンソン型の位相シフトのフォトマスクの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a photomask with steps, a photomask which is greatly improved in size precision of an auxiliary pattern by coating even a substrate, obtained by forming a shifter-dug step part on a transparent substrate by etching, with photosensitive resin so that the surface is smooth and the film thickness is uniform, or a photomask with a Levenson type phase shift. - 特許庁

アンテナ１５，１７からの信号が独立した態様でデジタル的にコード化されることを防止するため、ミクサー回路２０は、チャンネルの一の信号の位相をシフトする一方で、ブランチの一のコード入力は、拡散コードを受信し、少なくとも他のブランチの入力は、共役の拡散コードを受信する。例文帳に追加

In order to avoid the signals from the antennas 15 and 17 from being coded digitally independently, a mixer circuit 20 shifts the phases of the signals of one of channels, whereas the code inputs of one of the branches receive a spreading code and the inputs of at least one other branch receive a conjugate spreading code. - 特許庁

半透光化された回路パターン領域１と、該回路パターン領域１を取り囲む周辺部領域２とを有し、該回路パターン領域１と周辺部領域２とを区画する境界線のうら、面取り部５の斜め境界線が階段状境界線５１になっているように位相シフトレチクル１００を構成する。例文帳に追加

The phase shift reticle 100 includes a semi-transmission circuit pattern region 1 and a peripheral region 2 surrounding the circuit pattern region 1, wherein the oblique boundary line of a chamfered portion 5 in the boundary line partitioning the circuit pattern region 1 and the peripheral region 2 is formed as a step-like boundary line 51. - 特許庁

ＭＲＩの実行方法は、撮像対象の被検体に対して、その各々が始発以外のＲＦ励起パルスに対して所定の位相シフトを有しているような始発無線周波数（ＲＦ）励起パルスをそれぞれ含んだＮ組の定常自由歳差運動（ＳＳＦＰ）シーケンス（Ｎは１を超えかつ６未満の整数）を加えることを含む。例文帳に追加

The method for executing magnetic resonance imaging includes a step of adding N sets (1<N<6) of steady-state free precession(SSFP) sequences respectively containing starting radio frequency(RF) exciting pulses each of which has a prescribed phase shift to the other RF exciting pulses than a starting RF exciting pulse for a subject to be photographed. - 特許庁

該装置は、管路状空間に沿って離間して設けられた複数個の圧力波形測定手段と、圧力波形測定手段によって得られた圧力波形データを管路状空間に沿った基準位置に位相シフトさせて基準位置における、開口端部で反射した反射波を除去した圧力波形を得るデータ処理手段と、からなる。例文帳に追加

The device includes a plurality of pressure waveform measuring means provided separately along the conduit-like space; and a data processing means phase-shifting pressure waveform data obtained by the pressure waveform measuring means to a reference position along the conduit-like space to obtain a pressure waveform in the reference position from which reflected waves reflected by the opening end part are removed. - 特許庁

信号処理部１４は、リニアイメージセンサ１１からイメージセンサ制御部１２およびＡ／Ｄ変換器１３を介して得られる信号から光相関信号を抽出し、その光相関信号の高周波および低周波の不要成分を除去するとともに、その出力をヒルベルト変換して位相を９０°シフトする。例文帳に追加

A signal-processing part 14 extracts a light correlating signal from the signal, obtained from a linear image sensor 11 through an image sensor control part 12 and an A/D converter 13 and removes unwanted high and low frequency components of the light correlating signal and is subjected to the output thereof to Hilbert transformation to shift the phase by 90°. - 特許庁

本発明に係る回折格子の形状評価方法は、位相シフト部を有する回折格子の形状評価方法であって、回折格子の凹凸に対応する干渉縞を検出する干渉縞検出工程と、干渉縞検出工程で検出した干渉縞に基づいて、回折格子の形状評価をおこなう形状評価工程とを含む。例文帳に追加

This shape evaluation method of the diffraction grating having the phase shift part includes an interference fringe detection process for detecting an interference fringe, corresponding to the irregularities of the diffraction grating, and a shape evaluation process for evaluating the shape of the diffraction grating, based on the interference fringe detected in the interference fringe detection process. - 特許庁

本発明は，位相シフト法を用いてウェーハの一方の面の形状を測定するのに同期してウェーハの他方の面の干渉縞画像から移動量を計算し，求めた移動量を用いて，ウェーハの一方の面の形状を計算することによって，ウェーハに移動がある場合にも高い測定精度を確保することを図ったものである。例文帳に追加

The moving quantity of the water is calculated from the interference fringe image of the other surface of the wafer, in synchronization with respect to the measurement of the shape of one surface of the wafer using a phase shift method, and the shape of one surface of the wafer is calculated using the calculated moving quantity to ensure high measurement accuracy, even when the wafer is moved. - 特許庁

微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たクロム系ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。例文帳に追加

To reduce dimensional differences due to inconsistencies in pattern density in a plane by using a mixed gas, wherein a reducing gas is added to a reactive ion etching gas consisting of an oxygen-containing gas and a halogen- containing gas as a reactive etching gas. - 特許庁

共振器３０は、光の出射方向で互いに対向する前端面３１及び後端面３２の間に延び、そのほぼ中央部に位相シフト部１１ｂを持つ断面凹凸状の回折格子１１ａを有し、且つ、前端面３１から後端面３２に向かって結合係数が連続的に増大するように設けられている。例文帳に追加

The resonator 30 is extended between a front end face 31 and a rear end face 32 which are opposite to each other in the light emitting direction, and has a diffraction grating 11a of an irregular cross-sectional shape having a phase shifting section 11g nearly at the center, and is so set up that a coefficient of coupling continuously increases from the front end face 31 toward the rear end face 32. - 特許庁

トランスコンダクタンス調整回路１００は、第１の信号Ｉ及び第１の信号Ｉと位相が９０度異なる第２の信号Ｑが入力され、第１、第２の抵抗素子ＲＡ１と、第１、第２のキャパシターＣＡ１、ＣＡ２と、演算トランスコンダクタンス増幅器で構成される中心周波数シフト回路１１０と、トランスコンダクタンス調整信号ＡＧＭを出力する調整信号生成回路１２０とを含む。例文帳に追加

A transconductance adjustment circuit 100 configured to receive a first signal I and a second signal Q different in a phase from the first signal I by 90 degrees includes: first and second resistive elements RA1; first and second capacitors CA1, CA2; a center frequency shift circuit 110 comprising an operational transconductance amplifier; and an adjustment signal generation circuit 120 for outputting a transconductance adjustment signal AGM. - 特許庁

メモリインタフェース回路は、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭに対するリードサイクルで入力されるデータストローブ信号を用いて内部クロック信号に対する前記データストローブ信号の到達遅延を判定すると共に、到達したデータストローブ信号の位相をシフトした信号に基づいて、到達したリードデータをサンプリングし、サンプリングしたリードデータを前記到達遅延の判定結果に基づいて前記内部クロック信号に同期化する。例文帳に追加

The memory interface circuit determines the delay of arrival of a data strobe signal relative to the internal clock signal by using the data strobe signal inputted in a read cycle to the DDR-SDRAM, samples arriving read data on the basis of a signal resulting from shifting the phase of the arriving data strobe signal and synchronizes the sampled read data with the internal clock signal on the basis of a determination result of arrival delay. - 特許庁

発光層よりも第１電極側にある第１反射面と、前記発光層よりも第２電極側にある第２反射面との間の光学距離が、相対的に短い第１領域と相対的に長い第２領域とを有する有機発光素子において、 第１領域における光学距離Ｌ_１と第２領域における光学距離Ｌ_２は、共振波長λ_１とλ_２とλ_３と、前記第１反射面及び前記第２反射面で反射する際の位相シフトの和φｔとの間で式１の関係を満たすように設定されている。例文帳に追加

The optical distance L_1 in the first region and the optical distance L_2 in the second region are set to satisfy the relationship of expression 1 among resonant wavelengths λ_1, λ_2, and λ_3, a sum ϕt of phase shifts when light is reflected by the first reflective surface and the second reflective surface. - 特許庁

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine. - 特許庁

入力された垂直同期信号を所定の周期で分割して、第１，第２の単位毎に交互に出力する第１の回路と、水平同期信号の位相を調整して所定量だけ遅延する遅延回路を含みこの遅延量に相当する時間だけ一方の単位に属する垂直同期信号を遅延する第２の回路と、遅延した垂直同期信号と他方の単位に属する垂直同期信号とを交互に出力しモアレ補正用の垂直同期パルスを生成する第３の回路とを具備し、第３の回路から出力された垂直同期パルスを利用して垂直走査を行い、画面の表示位置を上下にシフトさせモアレを低減する。例文帳に追加

Vertical scanning is performed by utilizing the vertical synchronizing pulse outputted from the third circuit, the display position of a screen is vertically shifted, and, then, the moire is reduced. - 特許庁