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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 冷プラズマに関連した英語例文

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冷プラズマの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 295



例文

熱伝導率がそれ程良好でない絶縁板を効率的に却することができるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing system, in which an insulating plate having a not so high a thermal conductivity, can be cooled efficiently. - 特許庁

プラズマ密度が大きいところではペルチェ素子5に捕獲される電子量が多く、却効果が大きくなり、逆にプラズマ密度が小さいところでは却効果が小さくなるので、ウエハの面内温度の均一性を高めることができる。例文帳に追加

The amount of electrons captured by the Peltier element 5 is large where plasma density is high, resulting in higher cooling effect, while the cooling effect is lower where the plasma density is low, so the uniformity of in-plane temperature of the wafer is improved. - 特許庁

(1)水蒸気濃度が2.0g/m^3以上であって大気圧にある雰囲気において、プラズマ水蒸気を発生させる工程、および(2)前記プラズマ水蒸気を延鋼板表面に接触させる工程を経て、表面処理延鋼板を製造する。例文帳に追加

The surface-treated cold-rolled steel plate is manufactured via (1) a step of generating plasma steam in the atmosphere where the steam concentration is2.0 g/m^3 and which is under the atmospheric pressure, and (2) a step of bringing the plasma steam into contact with the surface of the cold-rolled steel plate. - 特許庁

直流アークプラズマ装置において、銀およびチタンを含有した原料を消費アノード電極とし、カソード電極からアルゴンガス等のプラズマフレームを発生させ、消費アノードの銀およびチタンを加熱、蒸発させ、そのプラズマ状態の原料を酸化、却することによって銀微粒子を複合した二酸化チタン微粒子の製造方法が提供される。例文帳に追加

This method of producing the subject compounded microparticles comprises the following process: in a direct current arc plasma device, a raw material containing both silver and titanium served as consumptive anode, a plasma flame such as of argon gas is generated from the cathode to heat and vaporize both the silver and titanium from the consumptive anode, and the resultant raw material in a plasma condition is oxidized and cooled. - 特許庁

例文

高周波誘導熱プラズマトーチ1に少なくともガラス原料、ドーパント原料及び酸素を供給し、プラズマ火炎中で合成されたガラス微粒子を、回転しつつプラズマトーチ1に対して相対的に往復運動するガラスロッド表面に付着堆積させる光ファイバプリフォームの製造方法において、ガラスロッド6を却しながらガラス微粒子を堆積させることを特徴としている。例文帳に追加

In the method for manufacturing an optical fiber preform by supplying a high-frequency induction thermal plasma torch 1 with at least glass raw material, dopant raw material, and oxygen, and depositing the glass particles synthesized in the plasma flame onto a surface of a glass rod that moves backward and forward relative to the plasma torch 1 while rotating, deposition of the glass particles is performed while cooling the glass rod 6. - 特許庁


例文

なおプラズマジェットにより改質されたガスが再結合により再び有害ガスに変化するのを防止するためには、プラズマジェットで加熱した後速やかにガスを却したり、触媒により無害なガスや粒子に代えて安定化させるのが望ましい。例文帳に追加

In order to prevent the reformed gas from being recombined to generate a hazardous gas, the gas is preferably cooled immediately after being heated with plasma jet or converted into harmless gas or particles through a catalyst and settled. - 特許庁

この状態でウエハ10をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ10とトレイ11の両方が却されるため、ウエハ10の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。例文帳に追加

When the wafer 10 is subjected to plasma process in this state, the wafer 10 and tray 11 are both cooled during the plasma processing, so that the wafer 10 is unlikely to have a temperature difference between a center part and an outer peripheral part thereof, thereby improving uniformity of etching. - 特許庁

有効波長領域(13.5nm近傍)のEUV光を発する励起準位の輻射却時間を短縮して、入力パワーをより短時間でEUV光として放射させることができ、かつEUV光の利用効率を高めることができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma light source and a plasma light generating method which can shorten the radiation cooling time of the excitation level to emit EUV light of a valid wavelength region (in the vicinity of 13.5 nm) and to radiate input power as EUV light in a shorter time, and which can enhance utilization efficiency of EUV light. - 特許庁

基板処理容器10を却ステージ24上にセットし、蓋体15を介してマイクロ波を導入すると共にガスバルブ17から反応ガスを導入し、内部でプラズマPを発生させて基板Sに対してプラズマ処理を行う。例文帳に追加

A method for processing the substrate includes the steps of setting the container 10 on a cooling stage 24, introducing a microwave via a cover 15, introducing a reaction gas from a gas valve 17, generating a plasma P therein, and plasma processing the substrate S. - 特許庁

例文

プラズマディスプレイパネル3と、プラズマディスレイパネル3の背面のほぼ全面に配設された金属板(取り付け板)5と、却用の液体が封入され、この金属板5に取り付けられた金属パイプ7とを連結した液駆動装置10を備える。例文帳に追加

The device is provided with a plasma display panel 3, and a liquid drive device 10 coupling a metal plate (a fitting plate) 5 set on almost on the whole of the rear face of the plasma display panel 3 and a metal pipe 7 with liquid for cooling sealed and fitted to the metal plate 5. - 特許庁

例文

更に、半導体基板を却する却部3、及び却部3により却された半導体基板の温度が100℃以下の状態で、下地膜に活性窒素を導入するプラズマ窒化部4が設けられている。例文帳に追加

Further, there is provided a cooling unit 3 for cooling a semiconductor substrate, and a plasma nitriding unit 4 for introducing active nitrogen into the base film in a state where the temperature of the semiconductor substrate cooled by cooling unit 3 is in 100°C or less. - 特許庁

当該方法においては、急を行う却室13に搬送されたプラズマディスプレイパネル用ガラス基板1が載置されたセッター3の下面中央部及びその近傍部に対して、却空気を吹きつけることによりセッター3上に載置されたプラズマディスプレイパネル用ガラス基板1の急を行う。例文帳に追加

In this method, a cooling air is blown to the center or vicinity of the lower face of the setter 3 on which the glass substrate 1 for a plasma display panel is transferred in the cooling chamber 13 for quenching and the glass substrate 1 for the plasma display panel mounted on the setter 3 is quenched. - 特許庁

陽極11aと陰極13とに電圧を印加して、プラズマにより基板1上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極11aを却部材12で却して基板1を所定の温度に急する。例文帳に追加

A voltage is applied across the anode 11a and the cathode 13 to form a layer of carbon nanowall on the substrate 1 by plasma, and thereafter the anode 11a is cooled by a cooling member 12 to rapidly cool the substrate 1 to a predetermined temperature. - 特許庁

プラズマの発生の前後から、却・調温ユニットにより温度制御を行いながら、配管2a〜2fを介して却部1内の流水路6a〜6fに却水を流す。例文帳に追加

While temperature control is performed by a cooling/temperature controlling unit before and after the generation of plasma, cooling water is allowed to flow through water flowing paths 6a to 6f in a cooling part 1 via piping 2a to 2f. - 特許庁

プラズマ処理装置の電極を管状にし、この電極内の空間に却液を流して電極を却する際、上記電極内空間にガス溜まりが形成されるのを防止し、却効率を向上させる。例文帳に追加

To improve cooling efficiency by preventing gas stay formed in a space inside an electrode, in cooling an electrode by flowing cooling liquid in the space by making the electrode of a plasma treatment device tubular. - 特許庁

プラズマ中にろう材等からの不純物が混入せず、却パイプ等から媒が漏洩する可能性が少なく、かつ却効率が高く、しかも安価な材料を用いて製造コストが削減できること。例文帳に追加

To prevent impurities of a brazing filler material, etc., from being mixed in a plasma, to have few possibilities to leak a cooling medium from a cooling pipe, etc., and high cooling efficiency and to reduce the manufacturing cost by using low-cost materials. - 特許庁

プラズマCVD装置は、基板を載置しかつ電極として機能する却サセプタと、内部に形成された複数の貫通孔を通じて却サセプタの方向へガスを導入するためのシャワープレートを含む。例文帳に追加

A plasma CVD apparatus comprises: a cooling susceptor for placing a substrate thereon and serving as an electrode; and a shower plate for introducing a gas towards the cooling susceptor through a plurality of through holes formed therein. - 特許庁

プラズマ処理装置は、放電を行なうための電極1a,1bと、電極1a,1bの周りに媒45を流すための媒流通手段とを備える。例文帳に追加

The plasma processing apparatus is provided with electrodes 1a, 1b for discharging, and a coolant circulating means for supplying a coolant 45 to the periphery of the electrodes 1a, 1b. - 特許庁

マイクロ波プラズマ処理装置は,処理容器,導波管,スロットアンテナ23,誘電体,第1の却部60および第2の却部から構成される。例文帳に追加

This microwave plasma treatment apparatus comprises a processing container, a waveguide, a slot antenna 23, a dielectric, a first cooling unit 60 and a second cooling unit. - 特許庁

電極は、円筒状構造であることが好ましく、特に、プラズマ処理中、電極温度を下げるために円筒電極の内部に却材を供給する却材供給手段を設けることが好ましい。例文帳に追加

The electrodes 1, 2 are preferably in a cylindrical structure and, it is particularly preferable that a cooling material supply means 20 is provided for supplying cooling material 9 into the cylindrical electrodes to thereby decrease the temperature of the electrodes during plasma processing. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルや回路基板上の部品が自然空によって効率よく却されるようにして、排気ファンの削減または除去により騒音及びコストの低減を図る。例文帳に追加

To reduce a noise and a cost by efficiently cooling parts on a plasma display panel and a circuit board with natural cooling and reducing or eliminating exhaust fans. - 特許庁

電極を構成する金属の薄肉化による軽量化と、部品点数の減少による組立性及びメンテナンス性の向上を図るとともに、ガス却による却機構の簡素化を実現できるプラズマソースを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma source, in which light weight by thinning of a metal constituting the electrodes and which improved of assemblability and maintenability by reduction of the number of components, and simplifying of a cooling mechanism by gas cooling is realized. - 特許庁

半導体基板を却ガスによって却しながら各種の成膜を行う場合において、成膜温度を高精度に制御し得るプラズマ装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a plasma apparatus and a manufacturing method of semiconductor device for controlling film forming temperature with higher accuracy, at the formation of various kinds of films while a semiconductor substrate is cooled with the cooling gas. - 特許庁

騒音の発生がなく、却のための消費電力を必要とせず、かつ、装置の容積をあまり増大させずにプラズマディスプレイを却することができる。例文帳に追加

To cool a plasma display device without generating noise, requiring power consumption for cooling, and moreover, without much increase in the volume of the device. - 特許庁

また、アンテナ4と却ジャケット7の密着性を保つことで却効率を維持し、温度影響が少なく、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる。例文帳に追加

Further, a cooling efficiency can be kept, be less influenced by temperature, and an electric magnetic field distribution or a plasma density distribution within the dielectric material window can be stabilized, by securing an adhesive force between the antenna 4 and a cooling jacket 7. - 特許庁

また、本発明の大気圧プラズマ処理装置においては、第1の電極及び第2の電極の近傍に画定された放電空間に導入される処理ガスを却するガス却手段を設けたことを特徴としている。例文帳に追加

Furthermore, in the atmospheric pressure plasma treatment device, a gas cooling means to cool a treated gas introduced into the discharge space demarcated in the vicinity of a first electrode and a second electrode is installed. - 特許庁

特定の層構成を有する積層体とプラズマを利用した食材などの保機能向上システム、及び該システムを組み込んだ安価な保庫の提供。例文帳に追加

To provide a cold reserving function improving system of a foodstuff by using a laminated body having a specific layer constitution and plasma, and an inexpensive cold reserving storage incorporated with this system. - 特許庁

直膨式却システムにおけるサイクル内の媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device capable of attaining a desired wafer temperature distribution with low power consumption by optimizing a refrigerant circulation amount in a cycle of a direct expansion type cooling system. - 特許庁

直膨式却サイクルのメンテナンス時に生じる媒排出量を削減することで、装置のダウンタイム、メンテナンスコスト、環境負荷を低減したプラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus reduced in downtime, maintenance cost and an environmental load of the apparatus by reducing the discharge amount of a refrigerant generated in maintenance of a direct expansion-type cooling cycle, and to provide a method of maintaining the same. - 特許庁

炉体及び炉蓋を流通する却水の流量、入口温度及び出口温度Tに基づいて、炉体却損失熱量を求め、これに基づいてプラズマ出力補正値を求める。例文帳に追加

A furnace body cooling loss calorific value is determined based on a flow rate of cooling water flowing in a furnace body and a furnace cover, the inlet temperature and the outlet temperature T, and a plasma output correction value is determined based on these values. - 特許庁

特性補正用リング9は、基板温度調節機構5が兼用された却手段により却され、プラズマPからの熱を蓄えて経時的に温度上昇するのが防止される。例文帳に追加

The characteristic compensation ring 9 is cooled by a cooling means which serves also as the substrate temperature control mechanism 5, and prevents the temporal temperature rise caused by the accumulation of heat from the plasma P. - 特許庁

炉体及び炉蓋を流通する却水の流量Gw、入口温度Twi及び出口温度Twoに基づいて、炉体却損失熱量Qlrを求め、これに基づいてプラズマ出力補正値Qps1を求める。例文帳に追加

A furnace body cooling loss calorific value Qlr is determined based on a flow rate Gw of cooling water flowing in a furnace body and a furnace cover, the inlet temperature Twi and the outlet temperature Two, and a plasma output correction value Qps1 is determined based on these values. - 特許庁

基板に反りを生じさせることなく、従来よりも短時間で急させることが可能なプラズマディスプレイパネル用ガラス基板の却方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cooling method of a glass substrate of a plasma display panel in which the glass substrate can be quenched in shorter time then the conventional art without bringing about a warping on the substrate. - 特許庁

第一壁17はプラズマにより発生する中性子を遮蔽するための遮蔽構造体18にピン23で取り付けられ、この遮蔽構造体18には遮蔽構造体却管22を内蔵しており却水が通水される。例文帳に追加

The first wall 17 is mounted to a shielding structure body 18 for shielding neutrons being generated by plasma using pins, and the shielding structure body 18 incorporates a shielding structure body cooling pipe 22, and cooling water is passed. - 特許庁

プラズマ加熱用トーチの電極において、電極の却水通路内面に電極母材(銅)の酸化物が付着することによる却水と電極の熱伝達悪化を防止して、トーチの長寿命化を図る。例文帳に追加

To provide a torch for heating plasma that can prolong the lifetime by preventing deterioration of heat transferring between cooling water and electrodes which may be generated as oxidation of electrode base material (copper) are attached to inner surface of a cooling water passage, in electrode of a torch for heating plasma. - 特許庁

ウエハW等の被処理基板の媒による却効率を向上させることが可能な載置台、及びこの載置台を備えたプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mounting stand capable of improving cooling efficiency of a substrate to be processed such as a wafer W by a refrigerant, and to provide a plasma processor equipped with the mounting stand. - 特許庁

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、却水流路の引回しが煩雑になることなく却を行う。例文帳に追加

To perform cooling without complicating layout of a cooling water passage in a plasma generating device that is used for a workpiece treatment or the like such as reforming of a substrate. - 特許庁

プラズマトーチ却水の漏水を却水量や水圧の変化のように間接的に検知するのではなく、直接的に検知することで、従来技術より精度良く早検知することを課題とする。例文帳に追加

To provide a water leakage detector that can directly detect the leakage of the cooling water of a plasma torch with a higher accuracy. - 特許庁

したがって、ポンプなどからの却水流路の引回しが煩雑になることなく却を行うことができ、前記プラズマ発生ノズル31近傍に設けられ、センサ等を搭載した電子回路基板などを保護することができる。例文帳に追加

Accordingly, cooling can be performed without complicating the layout of the cooling water passage from a pump or the like, thus an electronic circuit board or the like which is installed near the plasma generating nozzles 31 and mounted with a sensor or the like can be protected. - 特許庁

板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材46を、複数の貫通孔45aが形成された板状の吸着部材45と却プレート44とをろう付けして構成し、吸着部材45の上面にアルミナを溶射した溶射膜65を形成するとともに、貫通孔45aが開口した孔部45dのエッジを溶射膜65によって覆うようにする。例文帳に追加

An electrode member 46 abutting against the lower surface of a work in a plasma processing apparatus performing plasma processing of a planar work is constituted by soldering a planar adsorption member 45 having a plurality of through holes 45a and a cooling plate 44. - 特許庁

また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと、その末端部に加熱及び却プレートを収容するための中が空洞で円筒形の部分を有する上部部材であって、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んでなる。例文帳に追加

The plasma processing system also includes an induction coil configured to form an electromagnetic field for creating a plasma for processing the substrate, and the optimized top piece coupled to the bottom piece which has a hollow cylindrical portion for accommodating a heating and cooling plate at a terminal end. - 特許庁

排気管10を有するプラズマディスプレイパネル100の製造方法であって、加熱手段6を用いて、溶融し封じた前記排気管10の先端部10aを、排気管10の徐点を越えかつ軟化点よりも低い温度で再加熱することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing a plasma display panel 100 equipped with an exhaust pipe 10 includes the step of reheating the end 10a of the exhaust pipe 10 which has been melted and closed, by using a heating means 6 and at a temperature higher than a slow cooling point of the exhaust pipe 10 and is lower than a softening point thereof. - 特許庁

環状の導波管5の内側に配置された反応室2内に、該導波管5の内周部に設けられたアンテナ20からマイクロ波電力を供給し、前記反応室2内部にプラズマを生じせしめ、気相成長合成法で成膜するプラズマCVD装置において、前記環状導波管5と反応室2との間に却装置27が配置されている。例文帳に追加

The plasma CVD apparatus which supplies microwave electric power from an antenna 20 provided in an internal circumference of the annular waveguide 5, into a reaction chamber 2 arranged inside the waveguide 5, and generates plasma inside the above reaction chamber 2 to form a film by vapor- phase epitaxial synthesis method, is characterized by arranging a cooling device 27 between the above annular waveguide 5 and the reaction chamber 2. - 特許庁

電極板を均等かつ安定に却することにより電極板のプラズマ発生面の温度分布を均等化し、半導体ウエハのエッチング速度を均一にすることができ、安定したウエハ歩留りが達成されるとともに、電極板の使用寿命の向上も保たれるガラス状カーボン電極を配設したプラズマエッチング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching device to which a glass-like carbon electrode is disposed for equalizing the temperature distribution of the plasma generation surface of an electrode plate, uniformizing the etching speed of a semiconductor wafer, achieving a stable wafer yield, and prolonging the service life of the electrode plate as well by equally and stably cooling the electrode plate. - 特許庁

メタノール水溶液微粒子発生器、スパーク−プラズマ加熱器、触媒反応器、水素分離装置、水素却器、水素圧縮器、並びに水素噴入装置等を含む水素燃料供給装置を提供する例文帳に追加

This hydrogen fuel feeder includes a methanol solution particle generator, a spark-plasma heater, a catalyst reactor, a hydrogen separator, a hydrogen cooler, a hydrogen compressor, a hydrogen injecting device, etc. - 特許庁

また、基板電極上に形成されたカーボン膜に水素ガス中でECRプラズマ処理を行うことにより、容易に針状で密に形成されたカーボンより成るエミッタを有する電界放出型陰極を形成できる。例文帳に追加

The field emission type cold cathode having the emitter comprising the needle-shaped and densely formed carbon can be formed easily by executing an ECR plasma treatment in hydrogen gas on the carbon film 2 formed on the substrate electrode 1. - 特許庁

複数の金属及び/又は半金属の塩化物ガスを反応室42に導入して、高温、プラズマ励起下で水素と反応させて、却した基板46上に微細結晶又はアモルファスの合金膜を生成させる。例文帳に追加

Gaseous chloride of plural metals and/or semimetals is introduced into a reaction chamber 42 and is brought into reaction with hydrogen at high temperature under the excitation of plasma to deposit a fine crystal or amorphous alloy film on a cooled substrate 46. - 特許庁

基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、トレイを高効率で却する装置の提供。例文帳に追加

To provide an apparatus for highly efficiently cooling a tray in a plasma treatment apparatus which arranges the tray housing a substrate in a substrate housing hole on a substrate susceptor. - 特許庁

このプラズマエッチング装置1のガス噴出し板4は、ガスが通過可能な構造を有する炭化珪素焼結体製の電極板11に、炭化珪素焼結体製の却部材12を設けたものである。例文帳に追加

A gas spouting plate 4 for a plasma etching apparatus 1 is composed of an electrode plate 11 made of silicon carbide sintered body having a structure whish passes gas, and a cooling member 12 made of silicon carbide sintered body provided thereto. - 特許庁

例文

マイクロ波によりプラズマ化したメタンガスは、磁石7による磁界により誘導され、却ドラム3上のベースフィルム2上にカーボン膜として形成される。例文帳に追加

The methane gas made into plasma by the microwave is induced with a magnetic field by a magnet 7, and is formed on a base film 2 on a cooling drum 5 as a carbon film. - 特許庁

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