「半ガラス質」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ヒアリン軟骨あるいはある種の皮膚の状態に現れる、ガラスのような半透明な物質例文帳に追加

a glassy translucent substance that occurs in hyaline cartilage or in certain skin conditions  - 日本語WordNet

シリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、コーテイング剤および半導体装置例文帳に追加

INORGANIC SUBSTRATE WITH SILICA BASED GLASS THIN LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, COATING AGENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

保護フィルム６は、ガラス管２の外周面を被覆してガラス管２の外周面が汚染物質で汚れるのを防ぐ薄膜であり、ガラス管２の外周面の２分の１、具体的には、ガラス管２の下半分を被覆している。例文帳に追加

The protection film 6 is a thin film which covers the outer circumference of the glass tube 2 and prevents the outer circumference of the glass tube 2 from being stained by a contaminant, and covers one half of the outer circumference of the glass tube 2, to be concrete, the lower half of the glass tube 2. - 特許庁

ａ）ケイ酸ガラスるつぼの結晶化を促進する少なくとも１つの物質で溶浸されている多孔性の非晶質ケイ酸ガラス素地を製造し、 ｂ）溶浸されたケイ酸ガラス素地を乾燥し、 ｃ）金属又は半金属を充填し、かつ ｄ）１ｈ〜１０００ｈの期間に亘り９００〜２０００℃の温度に加熱する。例文帳に追加

a) A porous amorphous siliceous glass body infiltrated with at least one substance accelerating crystallization of the siliceous glass crucible is produced, b) the infiltrated amorphous siliceous glass body is dried, c) metal or semimetal is filled and d) the resulting system is heated at 900 to 2,000°C for 1 to 1,000 h. - 特許庁

実質的に鉛やその他の有害成分を含まないガラスでありながら、７１０℃以下の温度で半導体素子を封入可能な半導体封入用ガラスを提供する。例文帳に追加

To provide glass for encapsulation of a semiconductor element which is capable of encapsuling a semiconductor element at 710°C or low although the glass does not virtually contain hazardous contents such as a lead and the like. - 特許庁

短波長の青色半導体レーザー光を十分に透過し、着色等の材質劣化がない光半導体用カバーガラスを提供する。例文帳に追加

To provide a cover glass for optical semiconductors having enough transmittance of blue laser beam light with short wave length of semiconductors. - 特許庁

透明導電ガラス基板４の表面に多孔質半導体層５を設け、増感色素を担持させて半導体電極２を得る。例文帳に追加

A porous semiconductor layer 5 is provided on a surface of a transparent conductive glass substrate 4 and a sensitizing dye is carried to obtain a semiconductor electrode 2. - 特許庁

本発明の負極電極（半導体電極）１０は、基板（ガラス基板）１１と、この基板１１の一面１１ａに複数、それぞれ独立して散在しているガラス粒子１４と、このガラス粒子１４を含む基板１１の一面１１ａを覆う透明導電膜１２と、多孔質層１３とを備えている。例文帳に追加

The negative electrode (a semiconductor electrode) 10 includes a substrate (a glass substrate) 11, glass particles 14 independently scattered in plurality on one face 11a of the substrate 11, a transparent conductive film 12 covering the one face 11a of the substrate 11 including the glass particles 14, and a porous layer 13. - 特許庁

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。例文帳に追加

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material. - 特許庁

半導体製造工程に使用されて消耗劣化した石英ガラス部材に対し、品質の安定化と再生の合理化を図れる石英ガラス部材の再生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of refurbishing a quartz glass component which is eroded and deteriorated due to use in a semiconductor manufacturing process to stabilize quality and rationalize refurbishment. - 特許庁

高いイオン伝導性が報告されているＬｉ_２Ｓ−ＳｉＳ_２系固体電解質ガラスは、ガラス転移温度３４０℃であり、半田リフロー温度２９０℃ではイオン伝導度が低下する。例文帳に追加

To provide solid electrolyte glass having high lithium ion conductivity and an anisotropic ion conducting passage, and to obtain an all-solid battery having the extremely low-level deterioration of its characteristics when it is exposed to high temperatures like ones in a solder reflow tank by using this solid electrolyte for the battery. - 特許庁

屈折率の互いに異なる複数のガラス材料を同心円状に積層したガラスロッドを、その同心円の軸が実質上水平になるように設置し、該軸を中心として回転させながら加熱処理して、隣接するガラス材料層間でガラス材料中に含まれる前記成分を相互拡散させ、半径方向に連続的な屈折率分布を形成させる。例文帳に追加

A glass rod prepared by concentrically laminating a plurality of glass materials having different refractive indices is set with the axis of the concentric circles substantially horizontal and then heated while being rotated around the axis so that the compositions included in the glass materials in the adjacent glass material layers are made to diffuse into each other to generate the continuous distribution of the refractive index in the radial direction. - 特許庁

透明または半透明のガラス製器が有する近代的で清涼感のある質感と、蒔絵の加飾を有することによって豪奢な質感を演出する漆器の質感とを融合させることによって、両者の質感を併せ持つガラス製器を提供する。例文帳に追加

To provide a glass vessel having both a modern and refreshing texture intrinsic to a transparent or semi-transparent glass vessel and a luxurious texture produced through the decoration formed by lacquering intrinsic to a lacquer ware fused together with each other. - 特許庁

この中間層１２を基礎として、石英ガラスなどの非晶質体よりなる基板１１の上に単結晶の半導体層２０を成長させる。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer 20 is grown on the amorphous substrate 11 of quartz glass, or the like, using the semiconductor layer 20 as a base. - 特許庁

ガラス基板にダメージを与えることなく、基板上に結晶粒径が小さくて均一な結晶質半導体膜を得ることができる。例文帳に追加

Without giving a defect to the glass substrate, a crystalline semiconductor film whose crystal particle diameter is small and uniform can be obtained. - 特許庁

好適には非晶質半導体膜９を上層に有するガラス基板８を昇温させて加熱状態を維持する。例文帳に追加

Preferably, a glass substrate 8 having an amorphous semiconductor film 9 on an upper layer is heated to be kept in a heated state. - 特許庁

該ガラス基板８上の前記非晶質半導体膜９にレーザ光２０を照射して該非晶質半導体膜を融点を超えない温度に加熱して、前記非晶質半導体膜９を結晶化させる。例文帳に追加

A laser beam 20 is irradiated onto the amorphous semiconductor film 9 on the glass substrate 8 to heat the amorphous semiconductor film at a temperature not higher than its melting point and crystallize the amorphous semiconductor film 9. - 特許庁

絶縁膜やガラス等の非晶質材料上に高品質なＳｉ半導体やヘテロ混晶半導体等の半導体素子を形成可能な半導体薄膜の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor thin film which can form a high quality Si semiconductor and a semiconductor element, such as hetero-mixed crystal semiconductor on an amorphous material like insulated film and glass. - 特許庁

液晶ディスプレイ用ガラス基板として使用しても、熱処理工程において、ガラス中のアルカリイオンが成膜された半導体物質中に拡散し、膜特性の劣化を招くことがなく、また放電による半導体素子や電気回路の静電破壊を防止し、さらに環境中の塵や埃によって表面が汚染されにくいガラス基板を提供する。例文帳に追加

To provide a glass substrate which does not cause deterioration in film characteristics caused by the diffusion of alkali ions in the glass into a deposited semiconductor film in a heat treatment process even when it is used as the glass substrate for a liquid crystal display, and which prevents the electrostatic breakdown of a semiconductor element or an electrical circuit caused by discharge, and whose surface is hardly contaminated by dust and dirt in the environment. - 特許庁

半硬質部１２がガラス側かつ圧入前方側に傾斜して形成され、軟質部１１がガラス側かつ圧入後方側に傾斜して延びるヒレ部１４を有し、ビード１０が全体として略ハ字状に形成される。例文帳に追加

This bead 10 has a fin part 14 where the semi hard part 12 is formed by tilting onto a glass side and a pressing-in front side and the soft part 11 is extended by tilting onto the glass side and a pressing-in rear side, and the whole bead 10 is formed into a substantially truncated chevron shape. - 特許庁

ガラスなどの耐熱性の低い材料を基板として用いながらも、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、単結晶に匹敵する高品質の結晶質半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which uses a crystalline semiconductor film whose quality is so high as to be comparable to that of a single crystal by enhancing orientation rate of the crystalline semiconductor film obtained by crystallizing an amorphous semiconductor film, which uses even a low heat- resistant material such as glass or the like for the substrate. - 特許庁

非晶質半導体膜を形成したガラス基板を、結晶化に必要な温度以上の処理雰囲気内に導入することにより、処理雰囲気からの熱伝導による急速加熱を行って、非晶質半導体膜を結晶化させる。例文帳に追加

The noncrystalline semiconductor film is rapidly heated by heat conduction from the process atmosphere and crystallized. - 特許庁

負極４０は、透明導電膜４２で被覆されたガラス基板４１と、このガラス基板４１上に形成されてこのガラス基板４１上の領域を複数の受光領域に区画する金属系の集電極４３と、前記各受光領域内にそれぞれ形成され、増感色素を有する多孔質の酸化物半導体膜４５とを有している。例文帳に追加

The negative electrode 40 comprises a glass substrate 41 covered by a transparent conductive film 42, a current collector electrode 43 of metallic system which is formed on this glass substrate 41 and demarcates the region on the glass substrate 41 into a plurality of light receiving regions, and a porous oxide semiconductor film 45 which is formed respectively in each light receiving region and has a sensitized dye. - 特許庁

アルミニウムペースト組成物は、シリコン半導体基板１の上に電極８を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットとを含み、ガラスフリットがアルカリ土類金属酸化物を含む。例文帳に追加

The aluminum paste composition, a paste composition for forming an electrode 8 on a silicon semiconductor substrate 1, contains an aluminum powder, an organic vehicle, and a glass frit; and the glass frit contains alkaline-earth metal oxide. - 特許庁

正極５０は、透明導電膜５２で被覆されたガラス基板５１と、このガラス基板５１上に形成された触媒電極５３と、酸化物半導体膜４５と触媒電極５３との間に介在する電解質溶液６５とを有している。例文帳に追加

The positive electrode 50 comprises a glass substrate 51 covered with a transparent conductive film 52, a catalyst electrode 53 formed on the glass substrate 51, and an electrolyte solution 65 interposed between the oxide semiconductor film 45 and the catalyst electrode 53. - 特許庁

白金を含有するが、粒子径が２μｍ以上の白金製異物を実質的に含まないか、含んでも粒子径が２μｍ以上の白金製異物の含有量が１０ケ／１００ｍｌ以下のガラスであることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。例文帳に追加

A cover glass for semiconductor package, which contains platinum, substantially does not contain a platinum foreign matter having a particle diameter of ≥2 μm, or even when it contains, the content is ≤10 pieces/100 mL. - 特許庁

廃ガラスと石灰質原料とを混合もしくは混合粉砕し、該混合物もしくは粉砕物に水を添加して混練するか、あるいはスラリー状として型枠に鋳込んで半可塑性状態に硬化させた後成型し、つぎに蒸気養生を施すガラス骨材の製造方法を特徴とするものである。例文帳に追加

In the producing method of the glass aggregate waste glass is mixed or mixed and pulverized with a calcareous raw material, water is added in the mixture or the pulverized material to knead or to make into slurry like, casted into a molding flask to harden semi-plastic like and, after that, molding and steam aging are applied. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、（ａ）ガラス基板１０上にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ガラス基板１０上およびゲート電極２０上にゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０上に非晶質シリコン膜４０を成膜する工程とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device has a process (a) forming a gate electrode 20 on a glass board 10, the process (b) forming a gate insulating film 30 on the glass board 10 and the gate electrode 20 and the process (c) forming an amorphous silicon film 40 on the gate insulating film 30. - 特許庁

対向する１対の可撓性を有するフィルムの間に、膜厚１０〜７０μｍの無機ガラスフィルム、透明導電層、増感色素を担持した半導体層、電解質層、導電層及び膜厚１０〜７０μｍの無機ガラスフィルムがこの順に設置されてなることを特徴とする光電変換素子。例文帳に追加

The photoelectric conversion element includes an inorganic glass film having a thickness of 10-70 μm, a transparent conductive layer, a semiconductor layer carrying sensitized dye, an electrolyte layer, a conductive layer, and an inorganic glass film having a thickness of 10-70 μm in this order between a pair of facing flexible films. - 特許庁

ガラス製等の基板５０上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜１００を形成した後、レーザアニールを施して半導体膜１００を多結晶化させる（結晶化工程）。例文帳に追加

A semiconductor film 100 consisting of an amorphous silicon film is formed by a low-temperature process on a substrate 50 made of glass or the like, laser annealing is made, and the semiconductor film 100 is polycrystallized (crystallization process). - 特許庁

ガラス製等の基板５０上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜を形成した後、レーザアニールを施して半導体膜を多結晶化させる（結晶化工程）。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the semiconductor film made of the amorphous semiconductor film on a substrate 50 made of a glass by a low temperature process, and then making the semiconductor film polycrystalline by laser annealing (crystallizing step). - 特許庁

ガラス製等の基板５０上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜１００を形成した後（成膜工程）、ランプアニールを施して半導体膜１００を多結晶化させる（結晶化工程）。例文帳に追加

After forming a semiconductor film 100 made of an amorphous silicon film on a substrate 50 formed of glass or the like with a low-temperature process (film-forming process), lamp annealing is performed to thereby make the film 100 polycrystalline (crystallization process). - 特許庁

多孔質ガラス体の半径をＲとしたときに、その中心から０．８Ｒまでの領域の嵩密度を０．３〜０．７ｇ／ｃｍ^３とし、その嵩密度の変動割合を半径１ｍｍにつき±０．００５ｇ／ｃｍ^３以下とする。例文帳に追加

When the radius of the porous glass body is R, the bulk density of the range from the center to the 0.8R is 0.3-0.7 g/cm^3 and the fluctuation of the bulk density is within ±0.005 g/cm^3 per 1mm of radius. - 特許庁

ガラス基板１上に光吸収性の膜２を形成し、薄いバッファー膜３を形成してから、その上に非晶質等の半導体膜４を形成し、レーザ光５を照射して半導体膜を結晶化させる。例文帳に追加

A manufacturing method is constituted by forming an optically absorption film 2 on a glass substrate 1, forming a thin buffer film 3, forming an amorphous or similar semiconductor film 4 thereon and irradiating the film 4 with a laser beam 5 to crystallize it. - 特許庁

続いて実質的に透明な板状の第２の基材３として同様にコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用いその厚さ方向の一方の面に実質的に透明な半導体回路２を形成した。例文帳に追加

Subsequently, as a substantially transparent planar second substrate 3, likewise a non-alkali glass 1737 (thickness 0.5 mm) made by Corning Co., Ltd. is used and a substantially transparent semiconductor circuit 2 is formed on one side surface of the thickness direction. - 特許庁

質量％で、ＺｎＯ ５０〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ １９〜２８％、ＳｉＯ_２ ７〜１５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１２％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０．１〜５％の組成を含有し、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体被覆用ガラス。例文帳に追加

The semiconductor coating glass includes a composition of 50-65% ZnO, 19-28% B_2O_3, 7-15% SiO_2, 3-12% Al_2O_3, and 0.1-5% Bi_2O_3, in mass% and does not substantially contains a lead component. - 特許庁

有機蛍光色素及び蛍光性半導体微粒子からなる群から選ばれた少なくとも一種の蛍光物質と最大径１００ｎｍ以下のガラス微粒子との混合物を、１ＧＰａ以上の圧力で加圧することを特徴とする蛍光体ガラス材料の製造方法、並びに、上記方法によって蛍光体ガラス材料を製造した後、更に、５０℃以上の温度で熱処理することを特徴とする蛍光体ガラス材料の製造方法。例文帳に追加

A procedure for the production of a fluorescent glass material is carried out by compressing a mixture of at least one fluorescent substance selected from the organic fluorescent pigment and fluorescent semiconductor fine particles and glass fine particles with maximum diameter of 100 nm or less under pressure of 1 GPa or over, and by further heat-treating of the resultant fluorescent glass material at a temperature of 50°C or over. - 特許庁

次いでガラス素材により所要数量の質量部を形成し（工程１０３）、該質量部と、前記ガラス・ウェハーおよび前記シリコン・ウェハーとを、ベース、ダイアフラムおよび質量部が半導体加速度センサを構成するように対応させて、接着剤等により接合してセンサ・ウェハーを形成する（工程１０４）。例文帳に追加

Then the required numbers of mass parts are formed of glass material (103), and the mass part, glass wafer, and silicon wafer are allowed to correspond so that the base, diaphragm, and mass part constitute a semiconductor acceleration sensor, which is jointed with a bond, etc., to form a sensor wafer (104). - 特許庁

半導体基板、液晶用ガラス基板などの電子デバイス用基板をはじめとする種々の物品の表面付着異質物質（レジスト等）を短時間処理で除去し、清浄化することができる効率のよい表面付着異質物質除去方法および除去装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for removing foreign matters (such as resist) deposited on the surfaces of various sorts of products including an electronic device substrate such as a liquid crystal glass substrate and cleaning the surfaces efficiently in a short time. - 特許庁

アニール処理を行なう半導体製造装置において、ガラス基板に対してダメージを与えずに、良質なシリコン膜を基板上に形成できるようにする。例文帳に追加

To make formable a superior silicon film on a glass substrate without giving damage to the glass substrate in a semiconductor manufacturing equipment performing annealing treatment. - 特許庁

実質的に非晶性であり、ガラス転移温度が０℃〜５０℃のポリエステル樹脂層を少なくとも１層有することを特徴とする半導体ウエハ用ダイシングフィルム。例文帳に追加

The dicing film for the semiconductor wafer comprises at least one layer of a polyester resin layer which is substantially amorphous and whose glass transition temperature is 0 to 50°C. - 特許庁

色素増感型太陽電池１００は、２枚のガラス製（またはプラスチック製）透明基板１及び５、透明半導体微粒子２、色素３、及び電解溶液（または固体電解質）４で構成されている。例文帳に追加

The pigment sensitized solar battery 100 comprises two glass (or plastic) transparent substrates 1 and 5, transparent semiconductor fine particles 2, pigments 3 and an electrolyte solution (or solid electrolyte) 4. - 特許庁

凸レンズ作用を持たせた半球状（サイクロイド）透明吸盤にしたことにより、文字盤が拡大され、軟質プラスチック樹脂の素材が厚みを増し、ガラス面を保護できるようにした。例文帳に追加

By providing a hemispherical (cycloid) transparent suction cup having a convex lens action, the dial plate is enlarged, the material of soft plastic resin is thickened, and the glass plane can be protected. - 特許庁

本発明の抗−反射性材料は１．５ｍの半径を有する円筒状芯の回りに巻くことができる柔軟性ガラス基質３０の上に抗−反射性コーティング２０及び場合によるトップコート１０を含む。例文帳に追加

This anti-reflective material includes the anti-reflective coating 20 on the flexible glass substrate 30 which may be wound around a cylindrical core having a radius of 1.5 m and, in some cases, a top coat 10. - 特許庁

有機蛍光色素、半導体微粒子等の熱的・化学的耐久性が比較的低い蛍光物質を、その蛍光機能を低下させることなくガラス母体中に安定に分散させることが可能な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a procedure for the stable dispersion of a fluorescent substance having comparatively low thermal and chemical durabilities such as an organic fluorescent pigment and semiconductor fine particles in a glass matrix, without the decline of fluorescent function. - 特許庁