「成長してからは」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの最適化例文帳に追加

To optimize off-angle α from the R-surface of a sapphire substrate and V/III ratio ρ as the epitaxial growth conditions of a group III nitride-based compound semiconductor. - 特許庁

根元から出ているロゼットの暗い光沢がある緑の葉と目立つ単独のベル形の青い花のために栽培される低成長する高山植物例文帳に追加

low-growing alpine plant cultivated for its dark glossy green leaves in basal rosettes and showy solitary bell-shaped blue flowers  - 日本語WordNet

続いて、第１の半導体層１１の上にＧａＡｓからなる第２の半導体層１２をマグネシウムを添加せずに成長させる。例文帳に追加

Then, a second semiconductor layer 12 composed of GaAs is grown on the first semiconductor layer 11, without adding magnesium. - 特許庁

ドナー細胞は、Ｇ１期で成長及び分裂周期から脱し、かつＧ０状態に止まるという点で、静止状態である。例文帳に追加

The donor cell exists in the quiescent state, from a viewpoint that the cell exits from a growth and division cycle on a G1 stage and remains in a G0 state. - 特許庁

また、前記炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーが、前記基板表面から直接成長していることを特徴とする。例文帳に追加

Also, the aluminum carbide whiskers or alumina whiskers are grown directly from the substrate surface. - 特許庁

以上のことから分かるように、原則として、貿易の増加はその国の経済成長を高めることにつながる。例文帳に追加

As evident from the above, the increase in trade will boost economic growth in that country in principle. - 経済産業省

基板１上に、Ａｌを含む窒化物半導体（例えばＡｌＧａＮ）からなる第１の層３を成長させ、その後、成長温度から降温するなどして、第１の層に亀裂１０を設け、続いて、その第１の層４の上に、Ａｌを含む窒化物半導体、例えばＡｌＧａＮ、からなる第２の層５を成長させる。例文帳に追加

A first layer 3 composed of a nitride semiconductor containing Al (e.g. AlGaN) is grown on a substrate 1, and thereafter a crack 10 is formed in the first layer by lowering the temperatures from a growing temperature, etc. Successively, a second layer 5 composed of the nitride semiconductor containing Al, e.g. AlGaN, is grown on the first layer 4. - 特許庁

成長因子受容体を発達させるT細胞の表面でタンパク質がコードする遺伝子の突然変異から生じている男児のSCID例文帳に追加

SCID in male children resulting from mutation of a gene that codes for a protein on the surface of T cells that allows them to develop a growth factor receptor  - 日本語WordNet

感情の高まりから発せられた叫び・掛け声が次第に成長して、祭りや労働の際に集団で歌われる歌となったものとも言われる。例文帳に追加

It is also said that the screams and cheers let out with excitement increasingly grew to be songs sung in groups at festivals and during laborious work.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

そして、ラジカル酸素を含む材料源を基板に照射することによりＺｎＯ系酸化物半導体からなるバッファ層を成長する（Ｓ２）。例文帳に追加

A buffer layer consisting of the ZnO oxide semiconductor is grown by applying a material source including radical oxygen onto the substrate (S2). - 特許庁

エピタキシャル成長層からなるエクステンション部を有し、かつ、ゲート長の短い半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has an extension part made of an epitaxially grown layer and which has a short gate length. - 特許庁

シリコン単結晶を高い成功率で無転位状態で融液から切り離す方シリコン単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a silicon single crystal, by which the silicon single crystal is cut off from a melt in a dislocation-free state with a high percentage of success. - 特許庁

光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。例文帳に追加

In a process to perform epitaxial growth in a semiconductor layer of a photoelectric element, a plurality of island-shaped objects can be grown in the semiconductor layer by heavily doping a dopant. - 特許庁

感光体製造工程で光導電層にできる異常成長部分の成長を抑制させて、それが画像上に現れず画像欠陥を大幅に改善させることができる電子写真感光体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor capable of suppressing growth of abnormally grown parts formed in a photoconductive layer in a photoreceptor manufacturing process, thereby drastically improving image defects because an image is not affected by the abnormally grown parts. - 特許庁

成長工程（Ｓ１）とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。例文帳に追加

The growing process (S1) is to form a laminated body by alternately growing a first conduction type layer formed of a first conduction type semiconductor and a second conduction type layer formed of a second conduction type semiconductor whose conduction type is different from the first conduction type by not less than one layer for each layer. - 特許庁

2002年に入り、景気は底入れしたものの、力強い回復は見られず、2003年の景気は緩やかな成長が見込まれている。例文帳に追加

Although the economy bottomed out in 2002, there was no dynamic recovery witnessed, and it is forecast that there will be moderate recovery in 2003. - 経済産業省

結晶成長後の半導体超微粒子を含有する有機液層から該半導体超微粒子を効率よく分離する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently separating semiconductor ultramicroparticles from an organic liquid phase containing semiconductor ultramicroparticles after crystal growth. - 特許庁

この際、幅を５μｍ以下とした領域１０８〜１１０がストッパー領域となり、１０１と１０２からの横成長がそこで停止する。例文帳に追加

At that time, the regions 108-110 whose width is set so as to be 5 μm or less are used as stopper regions, and the horizontal growth from the 101 and 102 is stopped there. - 特許庁

女性の経済面での参画が経済成長を促すという観点から、APEC では、2011 年 9 月、「女性と経済サミット」を開催した。例文帳に追加

From the viewpoint that women’s economic participation will promote economic growth, APEC held in September 2011 the Women and the Economy Summit. - 経済産業省

『高度に発達した金融システムが生み出す付加価値を背景に、企業、カネ、ヒトを世界から集めながら成長』例文帳に追加

It grows while gathering enterprise, money and people from the world. It has a background in the additional value of a financial system that grows high-level investments. - 経済産業省

強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。例文帳に追加

The ferroelectric film 27 is formed by MOCVD (micro organic chemical vapor deposition) method and the initial layer 27A thereof is grown along the crystal orientation of second conductive film 26A. - 特許庁

無機材料または合成樹脂材料から成る基材２の表面に、プラズマ化学的気相成長法またはマイクロ波化学的気相成長法によって、約１〜約１０μｍの膜厚を有するアモルファスシリコンカーバイドから成るコーティング膜３を形成する。例文帳に追加

A coating film 3 having about 1-10 μm film thickness and consisting of amorphous silicon carbide is formed on the surface of a base material 2 consisting of an inorganic material or a synthetic resin material by a plasma chemical or microwave chemical vapor growth method. - 特許庁

そのエピタキシャル成長層２の動作領域で、半導体基板１との境界部から上方にかけて、ｎ^++形の埋込層６が設けられている。例文帳に追加

In the operation region of the epitaxial growth layer 2, an n++-type embedded layer 6 is provided from the border part with a semiconductor substrate 1 extending upward. - 特許庁

半導体材料（７０）を開口部（６８）内で成長させた後、誘電体ストリップを除去し、その後、別の半導体層（７２）を全面に亘って成長させる。例文帳に追加

A semiconductor material (70) is grown within the openings (68) and then another semiconductor layer (72) is grown over the entire surface after removing the dielectric strips. - 特許庁

また、このインゴットから切り出した炭化珪素基板に炭化珪素エピタキシャル層を成長させてウエハとする。例文帳に追加

The silicon carbide epitaxial layer is grown on the silicon carbide substrate cut out of the above ingot to obtain a wafer. - 特許庁

半導体層積層体１０における開口部から露出した領域の上にリッジ状の上部クラッド層２５が再成長により形成されている。例文帳に追加

A ridge-like upper clad layer 25 is formed on an area exposed from the opening of the semiconductor laminated layers 10 by regrowth. - 特許庁

半導体薄膜成長室などの主室内から水素ガスを効率的に除去することのできる薄膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film forming apparatus which can effectively discharge the hydrogen gas from a main chamber, such as a semiconductor thin-film growth chamber. - 特許庁

煙突筒内の煤塵の付着・成長を防止し、煙突からの煤塵の飛散を大幅に低減することができる煙突を提供する。例文帳に追加

To provide a chimney to prevent adhesion and grow of soot and dust and reduce dispersion of soot and dust from the chimney to a large extent. - 特許庁

支柱によって成長用基板の上に支えられ、化合物半導体からなる半導体層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor layer is formed which is supported on the substrate for growth by the columns and made of a compound semiconductor. - 特許庁

上記ｎ型ＧａＮ基板１０には、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３が形成されている。例文帳に追加

The n-type GaN substrate 10 has a dug region 3 formed from the principal growth plane 10a along a thickness direction. - 特許庁

反応炉において、炉口部からの汚染に影響されない高清浄な反応雰囲気で良質な膜成長を行う。例文帳に追加

To provide a reactor for growing a high-quality film in a highly clean reaction atmosphere without being affected by contamination from a throat. - 特許庁

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。例文帳に追加

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer. - 特許庁

ヒノキ科の葉から酢酸エチルなどにより抽出される、中性から塩基性であって脂溶性の植物成長抑制物質を、土壌表面に散布および／または土壌に混合することにより、あるいは水中に浸漬することにより植物の成長を効果的に抑制することができる。例文帳に追加

The growth of a plant is effectively suppressed by using the fat-soluble plant growth inhibiting substance having neutral to basic nature and extracted from the leaf of the plant of family Cupressaceae with ethyl acetate, or the like, by spraying the substance on the surface of soil and/or mixing in soil or immersing the substance in water. - 特許庁

そのころ僕は，投てきにはやせすぎていましたが，体が大きく成長するにつれ，記録が順調に伸びました。例文帳に追加

At that time I was too thin for field throwing, but as I grew bigger, my record improved steadily.  - 浜島書店 Catch a Wave

2008 年第2 四半期から固定資本形成が主要な下押し要因となって徐々に成長を鈍化させており、リーマンショック後の2008年第4 四半期には前期比マイナス1.7％まで落ち込んだが、2009 年第2 四半期以降、輸送機械を中心とする輸出の持ち直しによって実質GDP成長率は回復へし、緩やかにプラス成長を続けている（第1-2-2-20 図）。例文帳に追加

From the second quarter of 2008, economic growth gradually lost pace, primarily on account of the formation of fixed capital, with growth in the fourth quarter of 2008, after the outbreak of the Lehman shock, down 1.7% from the previous term.　　However, the real GDP growth rate revived in the second quarter of 2009, primarily due to the recovery of transport machinery exports, and has maintained moderate growth (see Figure 1-2-2-20). - 経済産業省

次いで、第３工程では、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、ＳｉＧｅ層からなる第１の層２１をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In a third step, a first layer 21 made of SiGe layer is subjected to epitaxially growing on a surface of the dug silicon substrate 11. - 特許庁

ＨＬ２％から第２のシャドーＳＤ２％の第３の変域１０３ａ（ｂ）では、正方形で網点ドット５０ｃ（ｄ，ｅ）を成長させる。例文帳に追加

In a third domain 103a (b) from HL 2% to a second shadow SD 2%, the halftone dot 50c (d, e) is grown in the square. - 特許庁

エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。例文帳に追加

The epitaxial substrate includes a substrate 1, a base layer 2 comprising a first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a semi-insulating layer 3 comprising a second nitride semiconductor epitaxially grown on the base layer 2. - 特許庁

エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。例文帳に追加

The epitaxial layer is provided with a substrate 1, a base layer 2 that is epitaxially grown on the substrate 1 and is made of a first nitride semiconductor, and a semi-insulation layer 3 that is epitaxially grown on the base layer 2 and is made of a second nitride semiconductor. - 特許庁

ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成されている。例文帳に追加

The SiC mold comprises a substrate which consists of an SiC (silicon carbide) sintered body and a polycrystalline SiC film which is formed by vapor phase growing or liquid phase growing on the substrate, of which the surface is polished into a mirror surface, and uneven patterns are formed on the surface of the polycrystalline SiC film. - 特許庁

その後、シランガスのみを止め、同温にてアンドープＧａＮからなる無添加半導体層１４３を２００ｎｍの膜厚で成長させる。例文帳に追加

Thereafter, supply of only the silane gas is stopped and the non-doped semiconductor layer 143 formed of undoped GaN is grown in the thickness of 200 nm under the same temperature. - 特許庁

その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。例文帳に追加

Thereafter, the mixture 3 is heated at a temperature of 700-900°C so that sodium is evaporated from the mixture 3 and a silicon crystal is grown. - 特許庁

基板温度を約１０５０℃にして、ＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層を成長させる。例文帳に追加

A p-type nitride semiconductor layer composed of Mg-doped GaN is grown at a substrate temperature of approximately 1,050°C. - 特許庁

目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜の成長に先立って初期層もしくは初期核が結晶化しない第１の温度で初期層もしくは初期核を原子層成長させ、引き続いて第１の温度より高い第２の温度に昇温して初期層もしくは初期核を結晶化した後、目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜を成長する。例文帳に追加

An initial layer or initial nucleuses are grown into an atomic layer at a first temperature, at which the initial layer or the initial nucleuses are hardly crystallized, prior to the growth of the perovskite oxide ferroelectric thin film, then the initial layer or the initial nucleuses are heated up to a second temperature higher than the first temperature so as to be crystallized, and then the objective perovskite oxide ferroelectric thin film is grown. - 特許庁

我々は、金融セクターを安定させ、経済成長回復に向け刺激を与えるため、力強い行動を協調してとってきている。例文帳に追加

We have taken forceful and coordinated action to stabilize the financial sector and provide stimulus to restore economic growth.  - 財務省