「成長してからは」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

培養層１２は、この培養層１２中に蒔かれた種子１７から発芽して成長した植物１３の培地として用いられる。例文帳に追加

The cultivation layer 12 is used as the medium of the plant 13 germinated and grown from a seed 17 sowed in the cultivation layer 12. - 特許庁

結晶成長の最終段階における熱拡散や潜熱放出の影響を抑えて、結晶核からの十分な結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体を生成することのできる結晶化装置。例文帳に追加

To provide a device for crystallization, which realizes sufficient crystal growth from a crystal nucleus to produce a crystallized semiconductor with a large particle diameter, while suppressing the influence of thermal diffusion or the release of latent heat, in the final stage of the crystal growth. - 特許庁

成長過程のパイナップルとその頂頭葉との間の首部にリングを嵌挿しておき、その後のパイナップルと頂頭葉の成長によって、リングが首部から離脱不能な状態にする。例文帳に追加

The ring is fitted to a neck part between a pineapple being in process of growth and its top leaves, so that the ring cannot be detached from the neck part because of following growth of the pineapple and top leaves. - 特許庁

ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。例文帳に追加

To provide a remote plasma CVD device eliminating an etching product from a member for shielding an ion seed generated at a CNT growth process and to provide the CNT growth process. - 特許庁

主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN crystal where the occurrence of a stacking fault is suppressed even if the GaN crystal is grown on a GaN seed crystal substrate whose principal plane is inclined at 20° or more and 90° or less from a (0001) plane. - 特許庁

皮膚面から離れた位置からでも安全に照射することのできる光体毛成長調節装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical regulation apparatus for body hair growth in which irradiation can be safely performed even from a location apart from a skin surface. - 特許庁

母親がたまたま美しいからと言って、必ずしもその娘が成長して美人になると言う事にはならない。例文帳に追加

Just because a mother happens to be beautiful it does not necessarily follow that her daughter will grow up to be the same. - Tatoeba例文

母親がたまたま美しいからと言って、必ずしもその娘が成長して美人になると言う事にはならない。例文帳に追加

Just because a mother happens to be beautiful it does not necessarily follow that her daughter will grow up to be the same.  - Tanaka Corpus

FRB が 4 月 24-25 日の FOMC 後に公表した四半期経済見通しでは、2012 年第 4四半期の実質 GDP 成長率は 2.4-2.9%と、1 月時点（2.2-2.7%）から上方修正された。例文帳に追加

According to the 2012 quarterly economic forecast announced by FRB after FOMC held on April 24-25, the real GDP growth rate in the 4th quarter of 2012 was estimated to be 2.4-2.9%, revised upward from 2.2-2.7% (forecast in January). - 経済産業省

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9. - 特許庁

以上のことから、米国の対事業所サービスは、成長を続けつつも成長のテンポを鈍化させつつあり、業種として成熟しつつある段階にあると考えられる。例文帳に追加

As such, while professional and business services in the US continue to grow, the pace of growth has slowed, suggesting that professional and business services are maturing as an industry. - 経済産業省

1996年から2006年にかけた実質GNIの成長率を主要先進国（日、米、英、独、仏）で比較すると、我が国は5か国中最低であり、年平均成長率は0.96％にとどまる（第2-2-10表）。例文帳に追加

Comparing the rate of growth in Japan from1996 to 2006 with those of major industrial countries (U.S., Britain, Germany, and France), we can find that Japan's growth has been the slowest, with the average yearly growth standing at 0.96% (see Table 2-2-10). - 経済産業省

これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。例文帳に追加

So, the number of carbon air holes is reduced at a relatively deep point being away from the surface of the drift layer 23 as the grown-up SiC crystal growth layer. - 特許庁

また、熱処理２７を施した後、Ｈ_２雰囲気において、有機金属気相成長炉１１の温度を熱処理温度Ｔ_ＴＨから第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長温度Ｔ_ＧＲまで降温させる。例文帳に追加

Also, after executing the annealing 27, a temperature of the organometallic vapor growth furnace 11 is lowered from an annealing temperature T_TH to a growth temperature T_GR of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 in an H_2 atmosphere. - 特許庁

また、成長を目指すには経済活動に安全を提供することが不可欠との考えから、「安全な成長（Secure Growth）」を5 つめの観点として議論を進めていく。例文帳に追加

Also, grow from an idea to provide safe and essential economic activities. "Secure Growth" is as a point of discussion to proceed to the fifth. - 経済産業省

我が国が「持続する成長力」を備え、「可処分所得」を増加させるためには、前節までで述べた生産性上昇によるGDP成長に加えて、海外資産からの収益である所得収支を増加させることが重要である。例文帳に追加

In order for Japan to achieve “sustained potential for growth,” and to increase “disposal income”1 Japan needs to expand income surplus which is an indicator of profit from external assets, in addition to achieving GDP growth through improvement in productivity as described in the preceding sections. - 経済産業省

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

基板支持装置７は、操作ロッドから基板ホルダ８を受け取って支持し、基板ホルダ８を成長チャンバ２内の所定の位置に配置する。例文帳に追加

The substrate supporting device 7 receives the substrate holder 8 from the operation rod, supports it and arranges the substrate holder 8 in a prescribed position in a growth chamber 2. - 特許庁

ＣＶＤ法を用いてＣＮＴを成長させると、成長触媒がカーボンに覆われたり（Ａ−１）、基板から浮いてＣＮＴ内部に入る（Ａ−２）ことがある。例文帳に追加

When CNT is grown up using a CVD method, there is that a growth catalyst is covered with carbon (A-1), floats from a substrate and goes into the inside of CNT (A-2). - 特許庁

更に、2年連続で4％を超える水準の経済成長が達成されたのは過去20年を通して初めてであり、心から祝福します。例文帳に追加

Moreover, it has achieved over 4% economic growth for two consecutive years for the first time in the last two decades. I offer my congratulations for such performance.  - 財務省

透明導電膜からなる光起電力素子用基板において、その表面に成長した異常成長部を、酸またはアルカリ溶液でのエッチングにより、溶解した光起電力素子用基板。例文帳に追加

In the substrate for photovoltaic elements made of a transparent conductive film, an abnormal growth section growing on the surface is dissolved by etching with an acid or an alkali solution. - 特許庁

薄膜成長方法に関し、過剰な熱処理によって配線の信頼性やビアコンタクトに悪影響を与えることなく、また過少な熱処理による成長チャンバからの発塵を防止する。例文帳に追加

To provide a thin film growing method in which the wiring reliability and the via contact are not adversely affected by excessive heat treatment, and dust is prevented from being caused by unreasonably small heat treatment in a growing chamber. - 特許庁

我が国における実質GDP成長率は1970年代、80年代の4 ％台半ばから、90年代には1 ％程度、2000年代には0.3％程度へと4 ％ポイント程度鈍化した。例文帳に追加

Economic growth, growth factors and productivity - 厚生労働省

基板１またはその付近では、先に結晶成長させる半導体層ＡのＶ／III 比を後から結晶成長させる半導体層ＢのＶ／III 比よりも小さく設定する。例文帳に追加

In a substrate 1 or in the neighborhood thereof, V/III ratio of a semiconductor layer A growing the crystal previously is set smaller than V/III ratio of a semiconductor layer B growing the crystal subsequently. - 特許庁

液相エピタキシャル成長に使用され、基体からの粉末の発生を抑制しつつ生産性を向上させることができる液相成長用治具、及びそれを使用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a holder for liquid phase growth, which is used for liquid phase epitaxial growth, and with which dust from a base body is suppressed and the productivity can be improved, and to provide a method of manufacturing an epitaxial wafer using the same. - 特許庁

気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase epitaxial growth device having a straightening plate capable of preparing a film free from film quality degradation on a substrate with high reproducibility even when the flow rate of a material gas changes significantly during vapor phase epitaxial growth, and to provide a vapor phase epitaxial growth method. - 特許庁

例えばＳｉＣ、ＧａＮなどの半導体膜を気相から合成してエピタキシャル成長させていくときに、欠陥や異常成長が生じるのを抑制する。例文帳に追加

To suppress the generation of defects and abnormal growth in performing epitaxial growth on a semiconductor film such as, for example, SiC and GaN after synthesizing the same in a gaseous phase. - 特許庁

また、成長著しいアジアにおいては、今後エネルギー需要の増大が予想され、経済成長を持続可能なものとする観点からもエネルギー利用の効率化、再生可能エネルギーへの取り組みが重要となっています。例文帳に追加

In fast growing Asia, where energy demand is expected to increase drama tically,efforts to improve energy efficiency and to utilize renewable energy are essential in order to ensure its economic growth is sustainable.  - 財務省

そして、前記反射層4 およびスペーサ層5 が、エピタキシャル成長による面心立方構造を有し、前記中間層6 が、エピタキシャル成長による体心立方構造を有し、それらの結晶成長の方位が、立方晶の単位格子に関して<001> である。例文帳に追加

The reflecting layer 4 and the space layer 5 are in a face- centered cubic structure with epitaxial growth, while the intermediate layer 6 is in a body-centered cubic structure with epitaxial growth, in which the orientation of crystal growth is <;001>; for the unit grating of a cubic crystal. - 特許庁

一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。例文帳に追加

The first crystal region is grown from an interface with one impurity semiconductor layer, and the second crystal region is grown towards the interface with the other impurity semiconductor layer from a position separated from the interface with one impurity semiconductor layer. - 特許庁

しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。例文帳に追加

Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage. - 特許庁

その後Ｎ型Ｓｉ層をエピタキシャル成長させると、高速用ＨＢＴの形成領域Ａではまずシリコン酸化膜３の蒸発が起こり除去されてからＮ型Ｓｉ層が成長する。例文帳に追加

After an n-type Si layer is epitaxially grown, the silicon oxide film 3 is first evaporated in the formation area A of the high-speed HBT and it is removed therefrom, and then the n-type Si layer is grown. - 特許庁

8月に別府で開催する成長戦略ハイレベル会合では、有識者からの意見を得つつ、産学官で議論を行い、成長戦略の方向性について認識を共有する。例文帳に追加

At the high-level meeting to be held in Beppu, in August, a growth strategy gained input from experts, industry and academia to discuss, share and understand about the direction of its growth . - 経済産業省

ホール１８の底部からめっき膜が成長することによってホール１８を導電体で埋め込み、ボイド等の生じにくいプラグ２０を得る。例文帳に追加

A plating film is grown from the bottom of the hole 18 to fill the hole 18 with a conductor, thereby obtaining a plug 20 in which a void is hardly formed. - 特許庁

アジア地域を見ましても、依然としてその成長は相対的に高い水準にあり、中国やインド等においては引き続き力強い成長が見込まれています。例文帳に追加

In Asia, the level of growth remains relatively high, and continuous robust growth is expected in China and India.  - 財務省

現在の若者（15～39歳）は、少子高齢化が急速に進む社会で成長し、これからは人口減少社会を生きていくこととなる。例文帳に追加

Young people today (15 to 39 years old) will grow in society with a rapidly declining birthrate and a growing proportion of elderly people, and will live in a society with a declining population in the future. - 厚生労働省

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。例文帳に追加

Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked. - 特許庁

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底をマスクする。例文帳に追加

Before conducting the step of lateral growing of the sidewalls, the sapphire bottom is masked for preventing the growth of the gallium nitride from the bottom of the groove from interfering with the lateral growth of the sidewalls of at least one column thus formed into at least one groove thus formed. - 特許庁

成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。例文帳に追加

In the growth step, crystal growth from the template 20 side to the substrate 11 side is progressed in the thin film precursor 13 by heating the thin film precursor 13 while holding the contact state. - 特許庁

データ蓄積手段（データべース３４）には、スライム成長検出手段からのスライム成長データが実水系プロセス毎に収集されて蓄積される。例文帳に追加

The slime growth data from the slime growth detecting means is collected and accumulated for every actual water line process in a data accumulation means (data base 34). - 特許庁

種結晶１８として、ＧａＮからなる自立基板を用い、種結晶１８上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１００を成長させた。例文帳に追加

A self-supporting substrate comprising GaN is used as a seed crystal 18, and a GaN crystal 100 is grown on the seed crystal 18 at a growth rate of not more than 7 μm/h. - 特許庁

中国経済は、実質GDP成長率が2003年から4年連続で10％を超えるなど、1978年の改革開放以降、年平均9％以上の高成長を続けている。例文帳に追加

The Chinese economy has continued to have a high growth rate averaging over 9% annually since its reform and opening-up in 1978, including a real GDP growth rate surpassing 10% for four consecutive years starting in 2003. - 経済産業省

2011年第1四半期は輸入額が再び増加に転じたことから、純輸出が成長率に対して若干のマイナスに寄与した。例文帳に追加

Because the amount of import increased again for the first quarter of 2011, the net export contributed to the negative growth rate. - 経済産業省

単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。例文帳に追加

The base material 10 for growing the single crystal diamond is composed of a single crystal silicon substrate 13, an MgO film 11 which is heteroepitaxially grown on a side of the single crystal silicon substrate 13, where the single crystal diamond is to be grown, and an iridium film or rhodium film 12 heteroepitaxially grown on the MgO film 11. - 特許庁

基板１の結晶成長面には凸部１１及び凹部１２が形成されており、前記凸部１１の上方部から専ら結晶成長が行われるよう構成されている。例文帳に追加

The semiconductor base is constituted so that a crystal growth may occur only from an upper part of the convex part 11. - 特許庁