「成長してからは」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

冷却部材１０２の表面１０８から複数のＣＮＴ１０４を垂直に成長させる。例文帳に追加

A plurality of CNTs 104 are vertically grown from a surface 108 of the cooling member 102. - 特許庁

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。例文帳に追加

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth. - 特許庁

反応析出物が発生する部位において、高融点材料からなる棒状部材１６を結晶成長開始時から連続的に公転させることにより、反応析出物が成長する以前に反応析出物を下方に落下除去させたり、その成長自体が抑制されるようにする。例文帳に追加

At a position where the reaction deposit is generated, a rod-like member 16 formed from a high melting point material is revolved continuously from the time when growth of the crystal is started so that the reaction deposit is allowed to fall downward and removed before the deposit grows or the growth itself of the deposit is suppressed. - 特許庁

最初は完全に成長によって裂かれるいろいろなキノコの若い担胞子体を覆っている細胞膜例文帳に追加

membrane initially completely investing the young sporophore of various mushrooms that is ruptured by growth  - 日本語WordNet

力強い成長を続けていた世界経済は、我々の予想を上回る減速を経験しています。例文帳に追加

The world economy, which enjoyed vigorous growth until several months ago, is now slowing down faster than expected.  - 財務省

成長ゾーン８では、原料ゾーン４から供給される塩化亜鉛と、酸素材料として水供給手段６から供給される水とを反応させて、基板保持手段１０に保持された成長基板１６上に酸化亜鉛半導体を成長させる。例文帳に追加

In the growth zone 8, zinc chloride supplied from the material zone 4 and water supplied from the water supply means 6 as an oxygen material react with each other, thereby growing a zinc oxide semiconductor on a growth substrate 16 held by the substrate holding means 10. - 特許庁

そして、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部２４を、複合基板５０の発光層成長準備層の第二主表面ＭＰ２に対し、各単位準備層８外の領域での層成長を成長抑制用空隙１１により抑制しつつエピタキシャル成長させることにより、各単位準備層８上に発光層単位成長部１３を形成する。例文帳に追加

Light emitting layers 24 of AlGaInP are epitaxially grown on the second main surface MP2 of the light layer growth preparation layer of the complex board 50, while layer growth in regions other than the unit preparation layers 8 is inhibited by the growth inhibiting gaps 11, for the formation of a light emitting layer unit growth section 13 on each of the unit preparation layers 8. - 特許庁

窒化物半導体結晶の成長時にマスクの劣化が発生しても、Ｍｇ化合物からなるマスクからは窒化物半導体結晶の横方向成長を促進するＭｇが放出されるので、該結晶の横方向成長が抑制されることがない。例文帳に追加

Even if the mask is deteriorated when the nitride semiconductor crystal is grown, the lateral direction growth of the nitride semiconductor crystal is not suppressed because Mg for facilitating the lateral direction growth of the crystal is discharged from the mask formed from the Mg compound. - 特許庁

複数の柱状結晶ＣＳからなる棒状ドメインＲＣは、曲折または枝分かれしながら成長を続け、他の結晶核から発生した棒状ドメインＲＣと衝突して、成長が完了する。例文帳に追加

A rod-like domain RC composed of a plurality of columnar crystals CS continues growing while bending or branching and collides against another rod-like domain RC grown from other crystal nucleus, thus completing the growth. - 特許庁

母型から直接電鋳を成長させるのではなく、図６に示すように、スパッタリング処理で、母型の母光学転写面に第１の層としてのニッケル燐の被膜Ｐを形成し、ここから電鋳を成長させている。例文帳に追加

The film P of nickel-phosphorus as a first layer is formed on the optical transfer face of a matrix by sputtering treatment as shown in the figure to grow an electroforming therefrom without using a method where the electroforming is directly grown from the matrix. - 特許庁

本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する第１の基板と、前記成長面の少なくとも凸部上に形成された第１の窒化物半導体膜とを有し、前記窒化物半導体膜は、前記凸部上から前記凹部上にラテラル成長した膜を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor film comprises a film which is lateral-grown on the concave portion from the convex portion. - 特許庁

我が国経済については、昨年前半に力強い成長が見られた後、後半に落ち込みましたが、99暦年の実質ＧＤＰ成長率は0.3％となり、98年が大幅なマイナス成長であったことからすれば、最悪の状況を脱していると考えられます。例文帳に追加

In 1999, Japan's economy showed growth during the first half of the year, followed by a decline in the second half. Since real GDP grew by 0.3 percent, compared with minus 2.5 percent in 1998, the worst phase may be over.  - 財務省

一方で、世界経済、特に、東アジア経済は今後も力強い成長を続けていく見通しである。例文帳に追加

especially the East Asian economies, is expected to sustain robust growth in the future. - 経済産業省

｛０００１｝面から傾斜角度１°〜９０°傾いた面を成長面とする複数の炭化珪素単結晶を、上記成長面が互いに相対するように一定の間隔をおいて配置し、上記成長面上に炭化珪素単結晶を成長させて上記間隔を炭化珪素単結晶で満たした成長結晶を作製する。例文帳に追加

Arranging a plurality of silicon carbide single crystals having their growth surfaces being tilted at an inclination angle of 1-90° from {0001} plane so that the growth surfaces oppose each other with definite intervals, then silicon carbide single crystals are grown on the growth surface to fill the intervals with silicon carbide single crystals to obtain a grown crystal. - 特許庁

気相成長装置および排ガス除害装置を通常運転から省エネルギー運転に切り替える際に、排ガス除害装置から排気ガスが気相成長装置に逆流しないようにし、気相成長装置に悪影響を与えないようにする。例文帳に追加

To prevent the phenomenon that, at the time when a vapor deposition and an exhaust gas detoxifying device are changed from a normal operation to an energy saving operation, exhaust gas reversely flows from the exhaust gas detoxifying device to the vapor deposition system, and adverse influence is exerted on the vapor deposition system. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。例文帳に追加

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation. - 特許庁

この乱の過程で鎌倉幕府は朝廷から東国の支配権、軍事警察権を獲得し、朝廷から独立した地方政権へと成長していた。例文帳に追加

During the war, the Kamakura bakufu obtained the right to rule Togoku as well as military and police authorities, becoming a local government independent of the Imperial Court.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属原料と窒素とが溶解した溶液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、前記溶液に、ＩＩＩ族窒化物結晶のｃ軸に平行な方向の成長速度をｃ軸に垂直な方向の成長速度よりも速くさせる物質を含ませて、ＩＩＩ族窒化物結晶２９を成長させる。例文帳に追加

In the method for growing the group III nitride crystal from a solution in which at least an alkali metal, a group III metal raw material and nitrogen are dissolved, the group III nitride crystal 29 is grown by incorporating a substance for increasing the growth speed in the direction parallel to the c-axis of the group III nitride crystal higher than that in the direction perpendicular to the c-axis into the solution. - 特許庁

ｎ−ＧａＮ層１０３の上に成長抑制膜１０４を形成し、成長抑制膜１０４の形成されていない部分からＩｎＧａＮ再成長層１０５を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。例文帳に追加

A growth suppression film 104 is formed on an n-GaN layer 103, an InGaN re-grown layer 105 is formed from a part, where the growth suppressing film 104 is not formed, thereby lessening the dislocation propagating from the substrate interface and improving the characteristics of a light-emitting element formed thereon. - 特許庁

横方向成長法によるＧａＮ層が種結晶層の絶縁層で覆われていない露出した側面からのみ成長するために、ＧａＮ層の横方向成長が非対称性になるので、会合部３２は、種結晶層と絶縁層の境界付近からＧａＮ層の厚さ方向に形成される。例文帳に追加

Since the GaN layer is grown by lateral growth method only from the exposed side face not covered with the insulation layer of the nuclide crystal layer, the GaN layer is grown asymmetrically in the lateral direction, and an association part 32 is formed in the thickness direction of the GaN layer from the vicinity of boundary of the nuclide crystal layer and the insulation layer. - 特許庁

III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。例文帳に追加

Since the group III nitride crystal is subjected to a step-flow growth from the portions of the repeated steps, its through-dislocations generated from its upper layer 2 are so bent in response to the step-flow growth of the group III nitride crystal that its penetrative dislocations are eccentrically located as the group III nitride crystal is grown thereafter. - 特許庁

これらの機関は世界の金融の安定と成長の促進に更に力強い役割を果たすだろう。例文帳に追加

They will be even stronger players in promoting global financial stability and growth.  - 財務省

サセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記フローチャンネルに加熱手段を設け、気相成長終了後の基板をフローチャンネル内から取出した後、フローチャンネルを加熱することにより、フローチャンネルの内壁に付着した汚れを再蒸発させて除去してから次の気相成長操作を開始する。例文帳に追加

In a horizontal gas phase growth device that carries out gas phase growth by making material gas flow parallel to the substrate surface set on a susceptor, a heating means is provided in the flow channel and the flow channel is heated after the substrate in which gas phase growth completes is taken out and dirt stuck to the inner wall of the flow channel is remoived by re-evaporation and the following gas phase growth beings. - 特許庁

蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。例文帳に追加

The method for producing the cubic phosphor powder includes: a phosphor growth step of growing a monocrystalline phosphor which emits a wavelength conversion light when excited with a predetermined excitation light; and a division step of mechanically dividing the grown monocrystalline phosphor into the cubic phosphor powder. - 特許庁

引き上げ法により成長した単結晶シリコンインゴットから切り出したシリコンウェーハに塩素を含むガスを酸化性ガスに混合した雰囲気で行う塩酸酸化を行ってからエピタキシャル成長を行うようにした。例文帳に追加

A silicon wafer sliced from a single crystal silicon ingot grown by a pull-up method is subjected to hydrochloric acid oxidation in an atmosphere of oxidizing gas mixed with a gas containing chlorine and then epitaxial growth is started. - 特許庁

危機からの回復を持続的・安定的な成長につなげていくことは、日本を含むアジアにとって重要な課題であり、ADBには、アジアの途上国の成長を推進していくため、中心的な役割を果たすことを期待しています。例文帳に追加

Turning recovery from the crisis into sustainable and stable growth is important for Japan and Asian economies. In this regard, we expect the ADB to play a leading role in promoting growth of developing Asian economies.  - 財務省

つまり、企業は誕生してから成長する過程において、単一事業だけで成長するには限界があるが、衰退していく既存事業の代替手段として、又はさらなる企業成長を目指すための手段として既存事業と異なる「新しい分野」に進出し、その分野でも成功を収めることによって成長していくのである。例文帳に追加

There are thus limits to how far an enterprise can grow by pursuing just one line of business from its inception, and enterprises respond by entering new and different fields in order to replace declining existing fields of business or else supplement such business and achieve further growth. - 経済産業省

マスク層３間のストライプ状の開口部から縦方向選択成長部７１が形成され、さらにこの縦方向選択成長部７１からの横方向選択エピタキシャル成長によってストライプ形状のＧａＮ系化合物半導体層７２が形成される。例文帳に追加

A longitudinal direction selective growth 71 is formed from a stripe-like opening between the mask layers 3, and a GaN based compound semiconductor layer 72 in a stripe shape is formed by lateral direction selective epitaxial growth from the longitudinal direction selective growth 71. - 特許庁

また、非磁性下地膜の成長粒子は、ベースフィルムＦ側から表面に向って連続的に変化して、密から粗になり、磁性膜の成長粒子は、非磁性下地膜側から表面に向って連続的に変化して、粗から密になっている。例文帳に追加

Growth particles of the non-magnetic under film are continuously changed from the under film F side toward the surface from a dense state to a rough state and growth particles of the magnetic film are continuously changed from the non-magnetic under film side toward the surface from a rough state to a dense state. - 特許庁

チャネル形成領域の形成に用いられるシリコン膜は、結晶成長の起点部から成長した略単結晶のシリコン結晶粒からなり、その膜厚を３０ｎｍ乃至１５０ｎｍとする。例文帳に追加

The silicon film used for forming the channel forming region 26 is composed of nearly single-crystal silicon crystal grains grown from a crystal growth starting point and has a film thickness of 30-150 nm. - 特許庁

地域の持続的かつより一層の繁栄を実現するとの観点から，この成長戦略は，より質の高い成長の達成に資するものであるとの認識の下，我々は，この成長戦略案を承認し，首脳による検討及び採択のために同案を提出することに合意した。例文帳に追加

Recognizing that this Growth Strategy will help achieve a higher quality of growth with a view to realizing sustained and enhanced prosperity in the region, we endorsed the draft and agreed to submit it to Leaders for their consideration and adoption. - 経済産業省

これにより、冬期凍結時にウォッシャーノズル２８、３０から成長する氷は、所定量成長するとその自重に耐えきれず、ウォッシャーノズル２８、３０から折損する。例文帳に追加

The ice growing from the washer nozzles 28 and 30 is unable to tolerate its own weight, when the ice grows prescribed quantity, and therefore the ice breaks from the washer nozzles 28 and 30 at the time of freezing in a winter. - 特許庁

期間中の実質経済成長率の年平均値は、2.1％にとどまっており、いざなぎ景気、バブル景気時の年平均成長率はもちろんのこと、90年代に入ってからの2回の景気回復期間における年平均成長率2.4％、2.3％も若干下回っている（第1-1-3図）。例文帳に追加

The annual average rate of real economic growth during the present recovery remains at 2.1%. This naturally falls below the annual average growth rates during the Izanagi boom and the bubble boom, and slightly below the annual average growth rates of 2.4% and 2.3% during the two recovery periods in the 1990s (Fig. 1-1-3). - 経済産業省

窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。例文帳に追加

The method for growing a nitride semiconductor crystal includes a step (S10) of preparing a substrate made of a nitride semiconductor having a surface including a region to be used and a step (S20) of growing a nitride semiconductor crystal on the substrate surface by a hydride vapor phase growth method. - 特許庁

10億人を超える人口を有するインドの経済は近年急速な成長を実現しており、世界的な経済危機の影響からその勢いは鈍化しているものの、依然として国際的にみれば高い水準の成長率を維持している。例文帳に追加

The Indian economy has grown rapidly in recent years and it now has a population of over one billion. Although the growth momentum somewhat decelerated due to the latest world economic crisis, in international terms, India maintains a high growth rate. - 経済産業省

成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing a light-emitting device includes: forming a semiconductor film 20 on a substrate for growth, forming element separation grooves reaching the substrate for growth on the semiconductor film 20; and also forming a protective film 50 partially covering the side surface of the semiconductor film 20 exposed by forming the element separation grooves and being apart from the substrate for growth. - 特許庁

こうした状況の下、輸出の伸びの鈍化によりドイツ経済は、統一以降低成長を続け、2000 年代に入ってからはドイツの経済成長は、G7 諸国の中でも最低レベルになってしまった。例文帳に追加

Under these circumstances, the German economy suffered continued low growth after the unification due to slowing growth in exports and the Germany's economic growth marked the lowest level among G7 nations in the 2000s. - 経済産業省

凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor member having low dislocation density of a surface by preventing intersecting between crystal growth from a convex portion of a substrate having unevenness and crystal growth from a concave portion. - 特許庁

成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。例文帳に追加

In the ground board that is used for the method of manufacturing a semiconductor by immersing the ground board with a growing surface in the melt solution and growing the semiconductor on the ground board, a crystal growing surface S1 of the ground board includes a groove extending from a forward portion in an immersing direction to a rear direction. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

殻付き牡蠣１の成長端側１ｆの中央が非成長状態のＶ字型窪み１ｇに形成され、これを挟んでその両側が成長方向に向けて略丸みを帯びた凸型縁１ｈに形成され、殻付き牡蠣１の殻外形が全体として略ハート形に形成された。例文帳に追加

The center on a growing end side 1f of the unshelled oyster 1 is formed as a V-shaped recess 1g in a non-growing state, and both ends of the recess 1g are formed as round protruding edges 1h toward the growing direction, so that the whole contour of the shell of the unshelled oyster 1 is heart-shaped. - 特許庁

混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。例文帳に追加

The mixing chamber 38 communicates with the second storage shed 40 and the vapor deposition chamber 36, mixes the gas supplied from the heating chamber 8 with the silane-based gas and then supplies the mixed gas 34 to the vapor deposition chamber 36. - 特許庁

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。例文帳に追加

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth. - 特許庁

また、Ｓｉ膜３１より後に形成されるｎ型ＧａＮ層４の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が一旦低下し、ｎ型ＧａＮ層４より後に形成される窒化物半導層の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が上昇するように構成する。例文帳に追加

The method includes temporarily lowering the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of n-type GaN layer 4 formed after the Si film 31, and increasing the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of a nitride semiconductor layer formed after the n-type GaN layer 4. - 特許庁

タイ国家経済社会開発庁（NESDB）（2012）によれば、農業・製造業・サービス業における洪水被害は、GDP（現在市場価格ベース）を約3,280 億バーツ（約8,860 億円*55）減少させ、年間の成長率を3.7%押し下げた（よって、2011 年の当初予想の3.8%成長から0.1%成長に落ち込んだ）としている。例文帳に追加

According to the National Economic and Social Development Board of Thailand (2012), damages caused by the flooding to agriculture, manufacturing, and service sectors have reduced GDP (current market price basis) by approximately 328 billion baht (approximately \\886 billion*55), and pushed down the annual growth rate by 3.7% (thus, the originally estimated growth of 3.8% dropped to 0.1%growth). - 経済産業省