「成長してからは」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern. - 特許庁

一方、我が国の対事業所サービスは、中期的に成長しており、輸入は緩やかに減少しており、生産額で見ても米国に遠く及ばないことから、依然、成長の段階にあると結論づけることができる。例文帳に追加

One can thus conclude that professional and business services in Japan are still at the growth stage. - 経済産業省

根元から出ている葉の房から成長する毛様の軸に白い花のゆるい房を有するユキノシタ科の植物例文帳に追加

saxifrage having loose clusters of white flowers on hairy stems growing from a cluster of basal leaves  - 日本語WordNet

大臣及び総裁は、彼らの国々全体としての実質経済成長は、1982 年の－0.7％のマイナス成長から、本年は約３％となることを期待している。例文帳に追加

Ministers and Governors expect that real growth in aggregate for their countries will be about 3 per cent this year, compared to negative growth of ?0.7 per cent in 1982.  - 財務省

1990年代後半以降の世界経済の成長は、世界のGDPの約3割を占める米国の内需主導型の成長が日本を含むアジア等からの輸出や資金を呼び込み、これが更なる米国の経済成長の原資となってけん引されてきた。例文帳に追加

Since the latter half of the 1990s, global economic growth has been driven by the domestic demand-led U.S. economic growth, which by inducing exports and capital from Asia including Japan, and other countries and regions became a source of further U.S. economic growth, accounting for approximately 30% of the world’s GDP. - 経済産業省

世界経は長期にわたり力強い成長と低インフレの組み合わせを享受してきたが、現在は逆風に直面している我々は、世界経済が力強い成長を続けるための条件の整備に取り組む。例文帳に追加

For a long time the world economy enjoyed a combination of robust growth and low inflation, but it now faces headwinds. We will work to ensure that the conditions are in place for continued strong world economic growth.  - 財務省

1975 年から1985 年までの10 年間を見ると、日本経済は成長しているがエネルギー消費量は増加しておらず、「消費エネルギーを増やさない経済成長」を実現した。例文帳に追加

During the decade between 1975 and 1985, Japan achieved steady economic growth without increasing energy consumption. - 経済産業省

昇華法による窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶の成長方法であって、ｃ軸に垂直な方向から３５度の角度範囲でＡｌＮ結晶が成長するような種結晶を用いることを特徴とし、上記ＡｌＮ結晶の成長方向として、ａ軸方向、ｍ軸方向およびｒ軸方向が挙げられる。例文帳に追加

In the method for growing the aluminum nitride (AIN) crystal by a sublimation method, a seed crystal that grows the AlN crystal at an angle within 35 degrees to a direction perpendicular to axis c is used, provided that the AlN crystal is grown in the direction of axis a, axis m or axis r. - 特許庁

横方向選択成長ＥＬＯ構造層は、サファイア基板１２上に、ストライプ状リッジとして設けられたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａと、Ｇａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａから横方向成長法により成長させたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ横方向成長層１４ｂとから構成されているＧａＩｎＮ−ＥＬＯ構造層１４である。例文帳に追加

A lateral selective growth ELO structural layer is the GaInN- ELO structural layer 14 composed of a Ga_xIn_1-xN species crystal 14a provided on the sapphire substrate 12 as a stripe ridge, and a Ga_xIn_1-xN layer 14b grown from the Ga_xIn_1-xN species crystal 14a by lateral growth. - 特許庁

シャワープレートを用いて少なくとも２種類の反応ガスを成長室内に供給する場合に、ガス吐出孔から成長室へ供給されるガスフローを均一化することができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth device uniforming a gas flow supplied to a growth chamber from a gas discharge hole when at least two reaction gases are supplied into the growth chamber by using a shower plate; and a method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

成長基板が載置される搭載領域を有するサセプタ装置は、搭載領域を分割して得られた区分領域の各々に配されかつ各々が成長基板に対向する熱輻射面を有し、成長基板の厚さ方向に可動である複数の熱輻射部からなる搭載部を有する。例文帳に追加

The susceptor device having a mounting region for mounting a growth substrate is provided with a mounting section consisting of a plurality of heat radiation parts disposed, respectively, in division areas obtained by dividing the mounting region, each having a heat radiation surface facing the growth substrate, and movable in the thickness direction of the growth substrate. - 特許庁

フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。例文帳に追加

In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2. - 特許庁

シリコン単結晶の定径部の成長が終了した後、種結晶の回転速度を０〜８ｒｐｍとして、単結晶を無転位状態で融液から切り離すシリコン単結晶の成長方法。例文帳に追加

The method of growing the silicon single crystal comprises adjusting the rotation speed of a seed crystal to 0 to 8 rpm after growing the constant diameter part of the silicon single crystal, and then cutting the silicon single crystal off from the melt in the dislocation-free state. - 特許庁

本節では、我が国のグローバル化が経済成長の鍵であることをみてきたが、以下では我が国の過去からの成長過程を振り返った上で、新たな世界経済構造へ対応していくための戦略について概観する。例文帳に追加

It is will be shown in this chapter that globalization in this country is the key to economic growth. After looking back on the growth process from the country's past, a general view of a strategy to respond to the new world economic framework is given. - 経済産業省

海外からの直接投資の拡大、蓄積を背景に、アジア地域において産業集積が形成され、同産業集積は輸出型成長モデルを特徴とするアジアの経済成長に大きな役割を果たしてきた。例文帳に追加

Supported by the expansion and accumulation of foreign direct investment, industrial clusters have been formed in Asia and making significant contribution to Asia’s economic growth which is characteristically export-driven growth model. - 経済産業省

アジア諸国・地域は、積極的に我が国を始めとする海外からの直接投資を受け入れてきており、こうした投資の受入れによって高い経済成長を実現し、その成長が更なる投資を呼び込むという好循環のメカニズムによって、「世界の成長センター」と呼ばれるような高い経済成長を実現してきた。例文帳に追加

Asian countries and regions have actively accepted direct investment by Japan and other foreign countries, which has created a positive cycle in which the acceptance of investment leads to high economic growth, spurring additional investment from foreign countries. Because of such cycle between foreign investment and economic growth, Asia has achieved high economic growth and the region has become eventually called “the world’s growth center.” - 経済産業省

複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第１の窒化物半導体層を含む複数の第１領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第２の窒化物半導体層を含む複数の第２領域とを有してなる。例文帳に追加

The semiconductor substrate for forming a plurality of gallium nitride semiconductor elements has a plurality of first regions grown with the transverse growth, including a first nitride semiconductor layer; and a plurality second regions grown substantially in the longitudinal direction, including a second nitride semiconductor layer, on a dissimilar substrate made of a material different from gallium nitride semiconductor. - 特許庁

また、むかご８から成長した自然薯を翌年移植し、その年に成長して得られた自然薯をさらに翌年分割して種薯として植え付けることが可能である。例文帳に追加

The Chinese yam grown from each of the propagules 8 is transplanted next year, and the Chinese yam grown in the year is further split up to plant the split one as a seed tuber in the year after planted. - 特許庁

また、企業成長という観点からみても、単一事業だけで事業を拡大している企業はほとんどなく、新しい分野に進出することによって成長する。例文帳に追加

From the point of view of enterprise growth as well, there are few enterprises that grow simply by pursuing one line of business; instead, they grow by entering new fields. - 経済産業省

その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。例文帳に追加

After that, Sb is supplied as the surfactant during the growth of a GaInAs mixed crystal or a GaInNAs mixed crystal, and the quantum well layer 105 which is composed of GaInAsSb or GaInNAsSb is grown up on a substrate. - 特許庁

結晶成長条件の異なる２以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程１０と他の半導体層の結晶成長工程１２との間における結晶成長中断工程２０において、降温工程２０ａおよび前記降温工程後の昇温工程２０ｃを含む半導体デバイスの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device, having a multilayer surface including two or more semiconductor layers different in crystal growing conditions, comprises a temperature-lowering step 20a and a temperature-rising step 20c, after the temperature-lowering step in a crystal growth interrupted step 20 between a crystal growing step 10 of one semiconductor layer and a crystal growing step 12 of another semiconductor layer. - 特許庁

そしてこの背景には、米国と欧州・日本等の主要経済圏との間にある経済成長率の格差等から、成長率の高い米国に資金が流入しているという側面もある。例文帳に追加

In addition, there is another dimension to this picture. That is, due to factors including disparities in economic growth rates between the U.S. and the major economies including Europe and Japan, funds are flowing into the U.S. where the growth rate is higher. - 経済産業省

結晶成長による界面に発生する歪みの発生を抑制するためのテンプレート基板に関し、結晶主軸から傾けて切断した疑似整合させたエピタキシャル成長テンプレート基板及びその製造方法の提供例文帳に追加

To provide epitaxial growth template substrate pseudo aligned by cutting out of crystal main axis for inhibiting strain generating in interface in crystal growth and method thereof. - 特許庁

ＺｒＢ_２単結晶基板面上に窒化物半導体を成長するに当り、窒化物半導体から基板への抵抗を小さくするとともに、成長する窒化物半導体の結晶性を向上させる窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for growing a nitride semiconductor substrate on the surface of a ZrB_2 single crystal substrate in which resistance from the nitride semiconductor to the substrate is decreased and crystallinity of the growing nitride semiconductor is enhanced. - 特許庁

このように配置すれば、その角度に応じて種結晶４の上に成長する炭化珪素単結晶６の成長面も傾斜するため、炭化珪素単結晶６の成長面（凹面）の凹部から下流側までの間においても、炭化珪素原料ガスの流れが円滑に行われる傾斜とすることができる。例文帳に追加

By this disposition, the growth face of the silicon carbide single crystal 6 is inclined according to the angle and the smooth flow of the silicon carbide reaction gas can be secured even in the range from the concave part of the growing face (having a concave face) to the down stream side of the silicon carbide single crystal 6. - 特許庁

ポリマ鎖／薄膜成長において，反応性分子ガスの供給レート制御の容易化，副生成物の成長領域からの排除により，成長制御性を向上させること，反応性分子の利用効率を向上させること，および分子切り替え速度を高速化することである。例文帳に追加

To facilitate feed-rate control of reactive molecular gas in polymer chain/thin film growth, to improve growth controllability by excluding byproducts from a growth region, to increase utilization efficiency of the reactive molecule, and to attain the high speed of molecular switching speed. - 特許庁

管理サーバ２は、定期的に顧客ＤＢ３に記録された顧客情報を参照し、対応する生物の成長記録データを、成長記録ＤＢ４から抽出し、ネットワーク６を介して顧客端末１に送信する。例文帳に追加

A management server 2, referring to the customer information periodically recorded in the customer DB 3, extracts growth record data of the corresponding animal from the growth record DB 4, and the extracted data is transmitted to a customer's terminal 1 via a network 6. - 特許庁

エピタキシャル成長は、単結晶基板または成長表面の結晶学的方位からとられたまたはこれをエミュレートする結晶学的方位を有するピエゾ電気膜を意味する。例文帳に追加

The epitaxial growth means the piezoelectric film having a crystallographical azimuth which is taken from the crystallographical azimuth of a single crystal substrate or a growing surface or emulates this. - 特許庁

その後、酸素が結晶中から排出され続けるとともに、酸素が連続的に成長表面上へ衝突するため、結晶の成長表面の酸素蓄積量が増えていくにつれて、混入速度は単調に増加する。例文帳に追加

Oxygen is continuously discharged from the crystal thereafter and oxygen continuously collides with a growth surface, so that, as the quantity of stored oxygen increases on the growth surface of crystal, a mixing speed is monotonously accelerated. - 特許庁

るつぼ内で溶融させた金属又は半導体原料を、該原料よりも高い融点を有する材料で化学気相成長法により成長表面をコーティングした冷却体部を用いて、該冷却体部の成長表面で固化成長させることにより金属シート又は半導体シートを製造することを特徴とする金属シート及び半導体シートの製造方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

By using a cooler section whose growth surface is coated with a material having a melting point higher than that of a metal or a semiconductor material by a chemical vapor deposition, the metal or the semiconductor material melted in a crusible is solidified and grown on the growth surface of the cooler section to manufacture the metallic sheet or the semiconductor sheet. - 特許庁

インフレによる影響を除いた実 質値ベースでも、同国は1999 年から2008 年まで10 年にわたりプラス成長を維持し、同期間の平均成長率は世界平均の2.8%を大きく上回る6.7%を記録してい る。例文帳に追加

On a real basis accounting for the effects of inflation, the Russian economy recorded ten consecutive years of positive growth from 1999 to 2008 and an average growth rate of 6.7% for the same period, far higher than the global average of 2.8%. - 経済産業省

これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。例文帳に追加

The carbon film can be peeled without dissolving the growth substrate nor damaging the carbon film and, accordingly, the formed transparent conductive carbon film can be continuously transferred and continuously processed from the growth substrate to the transfer substrate. - 特許庁

NIEs諸国・地域は、1990年代に高い経済成長を維持していたが、タイから始まったアジア通貨危機２）の影響で、1998年は韓国、シンガポール、台湾がマイナス成長となった（第1-1-17～20図）。例文帳に追加

Although the NIEs maintained a high level of economic growth during the 1990s, the effects of the Asian currency crisis2 that began in Thailand led to negative growth in the Republic of Korea (ROK), Singapore and Taiwan in 1998 (Figs.1.1.17, 1.1.18, 1.1.19, 1.1.20). - 経済産業省

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

正確な情報を得ていませんが、いずれにしましても、成長戦略の中に「金融」ということが入っていますから、その辺はよく確かめてみます。例文帳に追加

I do not have accurate information on this, but whatever the case may be, I shall confirm this carefully, as the ''financial sector'' is part of the growth strategy.  - 金融庁

長期にわたる輸出・投資依存型の経済成長による消費の伸び鈍化や、都市と農村間の格差が大きな問題となっており、中国政府もこの成長路線からの転換をはかろうとしている。例文帳に追加

Major issues include a decline in consumption growth due to long-term dependence on exports and investment as economic driving forces, and the gap between cities and rural areas. The Chinese government is trying to direct the course of its expansion away from this path. - 経済産業省

パピルスは、成長段階における二酸化炭素吸収量が木材の３乃至５倍であるため、車両等からの二酸化炭素排出量を効率よく低減することができ、成長期間も１年と短く、成長期の管理が容易であるため、バイオエタノールの量産化が可能になる。例文帳に追加

Since papyrus has a carbon dioxide absorption of 3-5 times the absorption of wood in the growing stage, the carbon dioxide emission of vehicles, and the like, can be reduced in high efficiency, and the bioethanol can be produced in mass, because the growing period of papyrus is as short as 1 year and the management of the plant in the growing stage is easy. - 特許庁

成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶６を成長させる。例文帳に追加

The method is carried out by supplying gas as a source material to an SiC seed crystal 5 placed in a growth chamber (1, 2) and growing an SiC single crystal 6 from the SiC seed crystal 5. - 特許庁

成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給してＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶を成長させる。例文帳に追加

In a vessel for growing (1,2), an SiC seed crystal 5 is set and a gas as a feed is supplied to it, and the SiC single crystal is grown from the SiC seed crystal 5. - 特許庁

欧州は、1990年代中頃から安定的な経済成長を続けてきたが、2001年、2002年は景気が減速している。例文帳に追加

Although the European economy maintained a course of stable economic growth from the mid-1990s onward, this growth slowed in 2001 and 2002. - 経済産業省

半導体発光スタックは、成長基板から分離され、接合構造体を介して不透光性基板に接合される。例文帳に追加

The semiconductor luminescent stack is separated from a grown substrate and is bonded to the nontranslucent substrate through the bonding structure. - 特許庁

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer. - 特許庁

異種基板上に窒化物半導体からなる結晶層を積層してなるテンプレート基板の製造の際に、異種基板の結晶成長面を選択成長用のマスクで部分的に覆い、該マスクの上方において窒化物半導体結晶を横方向に成長させることによって、横方向成長により形成される結晶の大面積化を図るにあたり、該マスクをＭｇ化合物で形成する。例文帳に追加

At this time, the mask is formed from a Mg compound. - 特許庁

基体上に成長した炭素構造体の頂点付近の炭素原子と化学結合して該頂点上に成長したカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーまたはグラファイトナノファイバーから成る炭素ナノ構造体。例文帳に追加

This carbon nano structure is formed of a carbon nano tube, a carbon nano fiber or a graphite nano fiber grown on the apex by chemically bonding to a carbon atom in the vicinity of the apex of a carbon structure grown on a base body. - 特許庁

半導体基板Ｗの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、半導体基板Ｗを座ぐり２ｃ内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c. - 特許庁