「比抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板２１上に比抵抗が１００〜５０００Ω・ｃｍもの高比抵抗のエピタキシャル層２３を形成し、これを接合分離して島領域２５を形成する。例文帳に追加

In this semiconductor device, there is formed on a semiconductor substrate 21, an epitaxial layer 23 of high resistivity in which the resistivity is 100 to 5,000 Ωcm, and this is junctioned and isolated to form an island region 25. - 特許庁

入力電圧を抵抗分割して得られる電圧Ｖ２と、抵抗Ｒ３とダイオードＤ１，Ｄ２とで構成された回路で得られる基準電圧Ｖ１とを比較回路で比較してノードＮ３に出力する。例文帳に追加

A voltage V2 obtained by dividing the resistance of an input voltage is compared with a reference voltage V1 obtained by a circuit composed of a resistor R3 and diodes D1 and D2 by a comparator circuit and is outputted to a node N3. - 特許庁

利得可変幅が負荷抵抗器の抵抗値の比とトランジスタのエミッタ面積の比との積で決定され、出力端子における直流電位の変動が少ない可変利得増幅回路を提供する。例文帳に追加

To provide a variable gain amplifier circuit the gain variable width of which is determined by the product of the ratio of resistances load resistors and the ratio of emitter areas of transistors(TRs) and which provides less fluctuations in a DC potential at an output terminal. - 特許庁

ＣＯ_2 濃度ムラの発生及び気泡の蓄積を防止した純水比抵抗調整装置、並びにそのような純水比抵抗調整装置を備えたウエハ洗浄装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pure water resistivity regulator with the generation of nonuniform CO2 concn. and the accumulation of bubbles prevented and the wafer cleaner furnished with such a pure water resistivity regulator. - 特許庁

窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an n-type SiC single crystal having small specific resistance despite low nitrogen (N) content, the SiC single crystal which can be prepared thereby and has small specific resistance, and the use thereof. - 特許庁

磁気メモリ素子は、強磁性自由層を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を備え、第１の比較的高い抵抗状態と第２の比較的低い抵抗状態を示す。例文帳に追加

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) including a ferromagnetic free layer, and exhibits a first relatively high resistance state and a second relatively low resistance state. - 特許庁

これらの比較回路の一方の出力端子を抵抗を介してプルアップし、また他方の比較回路の出力端子に抵抗を直列接続し、その出力を１本の共通信号ラインで主マイクロコンピュータに供給する。例文帳に追加

Further when a signal showing abnormality in the diagnosis result is supplied, it is displayed in a display device to inform a trouble to the driver. - 特許庁

回転検出用ブラシＢＤ１１による検出電圧は、ノイズ除去回路１でノイズが除去されて比較器３によって抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の接続点の電位と比較される。例文帳に追加

A voltage detected by a rotation detecting brush BD11 is compared with a potential of the connection point between the resistor R3 and the resistor R4 by a comparator 3, after the noise is removed by a noise removing circuit 1. - 特許庁

複数のヒータ電極層１の比抵抗を下部電極側７から相変化膜側３へと徐々に高くし、相変化膜３と接触する領域２のヒータ電極層１−６の比抵抗を最大とする。例文帳に追加

The specific resistance of the plurality of electrodes 1 is gradually increased from a lower electrode side 7 to a phase change film side 3, so that the heater electrode layer 1-6 of a region 2 contacting the phase change film 3 can obtain the maximum specific resistance. - 特許庁

これにより、各深度において地盤固有の間隙水の比抵抗を考慮した真の比抵抗を得ることができ、地盤性状および土質を正確かつ多角的に評価することが可能である。例文帳に追加

By this, true resistivity in the consideration of each resistivity of clearance water which is peculiar to the ground can be acquired at each depth, and a ground property and the soil quality can be evaluated accurately and multilaterally. - 特許庁

比抵抗計８１が、所望の比抵抗値より高い値を検出するとコントローラ８２は開閉制御弁Ｖ５を開け二酸化炭素が供給される。例文帳に追加

When a resistivity meter 81 detects a value higher than a desired specific resistance value, a controller 82 opens an opening/closing control value V5 and the carbon dioxide is supplied. - 特許庁

低カットオフ周波数に設定される際の抵抗値の比(Ｑ＝Ｒ３／Ｒ１)は、高カットオフ周波数に設定される際の抵抗値の比より小さな値に設定される。例文帳に追加

A ratio Q of a resistance value R3 to a resistance value R1 when a cut-off frequency is set low, is set smaller than that when the cut-off frequency is set high. - 特許庁

流量が大きく変動する超純水の比抵抗値を、所望の値に簡便に調整し安定させることができる超純水の比抵抗調整方法、及び超純水処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a specific resistance adjusting method of ultrapure water capable of simply adjusting and stabilizing the specific resistance of ultrapure water greatly varying in a flow rate to a desired value, and an ultrapure water treatment apparatus. - 特許庁

超純水流量が変化したとき、従来よりも迅速かつ簡便に超純水の比抵抗値を所望の値に安定させることができる超純水の比抵抗調整方法、及び超純水処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for regulating specific resistance of ultrapure water and an apparatus for treating the ultrapure water capable of more quickly and simply stabilizing the specific resistance of the ultrapure water at a desired value than ever before even when the flow rate of the ultrapure water fluctuates. - 特許庁

高精度で目標とする比抵抗の被膜を形成することができ、比抵抗の小さい被膜を得ることができる被膜の形成方法、及び該被膜を形成することができる真空成膜装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for depositing a film capable of depositing a film having an objective specific resistance with high accuracy and capable of obtaining a film small in specific resistance, and to provide a vacuum film deposition device capable of depositing the same film. - 特許庁

ソフトフェライトコアをほぼ均等の重量、形状に多分割し、各部分の比抵抗値を測定した場合に、比抵抗の値が平均値未満となる部分の体積分率を 20vol％以下とする。例文帳に追加

The soft ferrite core is constituted, when the core is divided into many parts having nearly same weights and shapes and the specific resistance values of the divided parts are measured, the volume fraction of the parts having specific resistance values smaller than that of the means specific resistance value of the divided parts becomes ≤20 vol.%. - 特許庁

比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive ceramic sintered compact capable of adjusting specific resistance value in a wide range and also adjusting the temperature dependence of specific resistance value. - 特許庁

低抵抗で、十分な抵抗変化幅を有するＢａ／Ｔｉ比を従来のものに比べ広くとることのできる半導体等の磁器用原料粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing raw material powders for ceramics such as semiconductors in which resistance is low and a wide range of the Ba/Ti ratio with a sufficient change range of the resistance can be obtained compared to a conventional material. - 特許庁

従来と同じ比抵抗でも、より高い温度係数を有するＶＯｘボロメータ材料の作製を可能にし、比抵抗の制御を時間で実現できるボロメータ材料の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a bolometer material, capable of manufacturing a VOx bolometer material having higher temperature coefficient even in the case of the conventional resistivity and also capable of controlling resistivity by adjusting a time and also to provide a method for depositing a protective film capable of protecting the properties of the material. - 特許庁

次に、診断処理部３１ｂは、同様に比較診断用抵抗素子３２に定電流を通電し、比較診断用抵抗素子３２に印加される信号を取得して信号の電圧値を測定する。例文帳に追加

Then, the diagnosis processing part 31b similarly feeds a constant current to a resistance element 32 for comparative diagnosis, obtains a signal applied to the resistance element 32 for comparative diagnosis and measures a voltage value of the signal. - 特許庁

コンパレータ１９の＋端子に印加される電圧Ｖaは、熱電圧と、トランジスタ１１，１２の飽和電流の電流比と、抵抗２３，２１の抵抗値比と、に基づいて設定される。例文帳に追加

A voltage Va, to be applied to the + terminal of a comparator 19, is set on the basis of thermal voltages, the current ratio of the saturation currents of transistors 11, 12, and the ratio of the resistance values of resistors 23, 21. - 特許庁

盛土１上の複数地点において、見かけ比抵抗の測定を行い、収集された見かけ比抵抗測定データの分散に基づいて、空気間隙率を算出する。例文帳に追加

The measurement of apparent resistivity is carried out in a plurality of points on the banking 1, and an air space ratio is calculated on the basis of dispersion of collected apparent resistivity measuring data. - 特許庁

アンプに接続される入力抵抗器での分圧比率と、同アンプに接続される帰還入力抵抗器の分圧比率とを、共に設計通りに設定すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which both a voltage dividing ratio by an input resistor connected to an amplifier and a voltage dividing ratio by a feedback input resistor connected to the amplifier are set as designed. - 特許庁

基板比抵抗をρ、ブレークダウン電圧をＢＶとすると、ρ＞（ＢＶ／３０）^4/3×０．７５とし、基板比抵抗を７５０Ωｃｍ以上、好ましくは７５０Ωｃｍ以上１２５０Ωｃｍ以下とする。例文帳に追加

A formula ρ>(BV/30)^4/3×0.75 is given where the resistivity of a substrate is ρ and a break-down voltage is BV, the conductivity of the substrate is set not to be less than 750 Ωcm, preferably is set not to be less than 750 Ωcm or not more than 1,250 Ωcm. - 特許庁

液晶材料中に溶解する水分量の低減により、比抵抗値向上と比抵抗値低下に付随して発生する表示不良率を低減した液晶表示装置の提供。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device wherein a specific resistance value is improved and a display defect ratio generated by the decrease of the specific resistance value is decreased by reducing the content of water dissolved in a liquid crystal material. - 特許庁

比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a conductive ceramic sintered compact capable of adjusting a specific resistance value in a wide range, and adjusting temperature dependence of the specific resistance value. - 特許庁

比較器３２は、抵抗Ｒｄ，Ｒdrの接続経路の電圧XAVDD'と基準電圧（５Ｖ）とを比較し、電圧XAVDD'の方が高ければ切替回路３１をオンして抵抗素子Ｒdrの両端を短絡する。例文帳に追加

The comparator 32 compares the voltage XAVDD' of the connection path of resistances Rd, Rdr with a reference voltage (5 V), and when the voltage XAVDD' is larger than the reference voltage (5 V), the comparator 32 short-circuits both ends of the resistance element Rdr by turning the circuit 31 ON. - 特許庁

そして、リンス処理時には、ポンプ４２の駆動により導入配管３８を通じてリンス液を処理槽１２から吸い上げつつ比抵抗測定器４０に送液して比抵抗を測定するようにした。例文帳に追加

During the rinse treatment, the rinse solution is sucked from the treating tank 12 through the introducing piping 38 by the driving of the pump 42 and at the same time the solution is sent to the resistivity measuring device 40 to measure the resistivity. - 特許庁

パターニングが容易で、エッチング工程後の熱処理にて低比抵抗の透明導電膜に転化でき、比抵抗の小さい電極基板を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode substrate having a low specific resistance, capable of being patterned and converted into a transparent conductive film having the low specific resistance with heat treatment after an etching process. - 特許庁

その結果、記憶媒体で従来と同様の面記録密度が確保される場合に、磁気抵抗効果膜４４の磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は従来に比べて増大する。例文帳に追加

As a result, when securing the same surface recoding density as before on a memory medium, the magnetoresistance change ratio (MR ratio) of the magnetoresistive effect film 44 is increased than before. - 特許庁

スライム処理用ポンプ１のケーシング２を支持する支持台３には、電気比抵抗センサー４が取り付けられ、電気比抵抗センサーは計測ケーブル５に接続される。例文帳に追加

This electric specific resistance sensor 4 is installed on a support table 3 for supporting a casing 2 of a slime treatment pump 1, and the electric specific resistance sensor is connected to a measuring cable 5. - 特許庁

合成回路２０は、抵抗値の比率が１：６４の２個の抵抗Ｒ１，Ｒ２を備え、第１のＰＷＭ信号１５ａと第２のＰＷＭ信号１６ａとを１：１／６４の比率で合成する。例文帳に追加

A synthesis circuit 20 is provided with two resistors R1, R2 whose resistance ratio is 1:64 and synthesizes the 1st PWM signal 15a and the 2nd PWM signal 16b at a ratio of 1:1/64. - 特許庁

配向膜32のはがれが生じた付近の比抵抗が低下することもなく、この比抵抗の低下を原因とする画質低下が生じることもない。例文帳に追加

The degradation in the specific resistance near the point where the peeling of the alignment layer 32 occurs and the degradation in the image quality in consequence of the degradation in the specific resistance do not arise. - 特許庁

バインダ樹脂中の導電性粒子の混合比に多少のバラツキが生じても、抵抗層の比抵抗の変化を極力抑制することができるようにした感圧装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pressure-sensitive device, capable of suppressing changes in the specific resistance of a resistance layer as much as possible, even if the content of electroconductive particles in a binder resin involves a dispersion to some degree. - 特許庁

比例弁の故障が生じたときに、電流検出用抵抗への通電量の増加により電流検出用抵抗の発熱が過大となることを防止した比例弁の駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide a proportional valve drive device which prevents the excessive heat generation of current detecting resistance caused by an increase in an amount of energization to the current detecting resistance when a proportional valve is broken down. - 特許庁

この低比抵抗領域６の存在によって、逆バイアス時に反転相が形成され難くなり、高比抵抗領域４の不純物濃度を上げずに漏れ電流の値を小さくすることができる。例文帳に追加

Due to the existence of the resistivity region 6, an inversion phase is hardly generated during reverse biasing and the value of leak current can be made small, without having to increase the impurity concentration of the high resistivity region 4. - 特許庁

一方、受信信号を、入力抵抗Ｒ２とプルダウン抵抗Ｒ３との分圧比により、受信信号の平均電圧に対応した適正な電圧値に調整して比較器Ｈ１のＢ入力へ入力する。例文帳に追加

The detection circuit 23, on the other hand, adjusts the received signal into a proper voltage corresponding to the average voltage of the received signal by using a voltage division ratio by means of an input resistor R2 and a pull-down resistor R3 and gives the adjusted voltage to an input B of the comparator H1. - 特許庁

空燃比センサ１０ａ，１０ｂの素子抵抗が目標素子抵抗となるようにヒータ１２ａ，１２ｂに対するＤｕｔｙを設定することで、空燃比センサ１０ａ，１０ｂの実際の温度を目標温度に制御する。例文帳に追加

Duty with respect to the heaters 12a and 12b is set so that element resistance of the air-fuel ratio sensors 10a and 10b is to be in the target element resistance, and thereby the actual temperature of the air-fuel ratio sensors 10a and 10b is controlled to be in the target temperature. - 特許庁

実際の計測時には、算出された抵抗値比率を補正値により補正して誤差を除去した補正抵抗値比率を求め、これを用いて変換テーブルから液化ガス残量を算出する。例文帳に追加

In actual measurements, the corrected resistance value ratio is obtained, in which the calculated resistance value ratio is corrected by the correction value and removed of errors, and the remaining quantity of the liquefied gas is calculated from a conversion table, using this. - 特許庁

表面平滑性に優れ、比抵抗が低く、かつ、２００℃未満の加熱によっても非晶質性と表面平滑性および比抵抗の性質が変化せず、内部応力が低い透明導電性薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a transparent conductive thin film which is superior in surface smoothness, and in which the specific resistance is low, an amorphous characteristic, the surface smoothness, and a characteristic of the specific resistance do not change even by heating the film at less than 200°C, and in which the inner stress is low. - 特許庁

下層２と上層３は積層されて、摺動子５が摺接する表面は、上層３により構成されており、上層３の比抵抗は下層２の比抵抗よりも低い。例文帳に追加

A lower layer 2 and an upper lower 3 are laminated, a slider 5 slides on the surface of the upper layer 3, and the upper layer 3 is lower in resistivity than that of the lower layer 2. - 特許庁

そして、診断処理部３１ｂは、着火素子２９に印加される信号の電圧値と、比較診断用抵抗素子３２に印加される信号の電圧値とを比較して、着火素子２９の抵抗値が正常か、または異常かを診断する。例文帳に追加

Then, the diagnosis processing part 31b compares the voltage value of the signal applied to the ignition element 29 with the voltage value of the signal applied to the resistance element 32 for comparative diagnosis and diagnoses that the resistance value of the ignition element 29 is normal or abnormal. - 特許庁

その際、ＲＣ抽出部７は、レイアウトされた配線の寄生容量、寄生抵抗を抽出し、比較部９によって論理接続情報抽出部３が抽出した寄生抵抗値、静電容量値との比較を行う。例文帳に追加

At that time, an RC extraction part 7 extracts parasitic capacity or parasitic resistance of laid out wiring, and a comparison part 9 compares it with a parasitic resistance value or a parasitic capacity value extracted by the logic connection information extraction part 3. - 特許庁

この場合、発生電圧と切替電圧とが比較され、比較結果に基づいて検出用電流が切り替えられるので、転写手段の抵抗が変化しても、抵抗に応じた適正な転写電圧を決定することができる。例文帳に追加

In this case, since the generated voltage and the switching voltage are compared and the current for detection is switched according to the compared result, the appropriate transfer voltage according to resistance is determined even when the resistance in the transfer means is varied. - 特許庁

この窒素は、相変化材料の結晶相とアモルファス相との間の十分な抵抗比を得るのに役立ち、初期化工程が行われていない製品完成直後の段階から所望の抵抗比を得ることができる。例文帳に追加

This nitrogen is useful to obtain a sufficient resistance ratio of the phase change material between the crystal phase (set state) and the amorphous phase (reset state), and the desired resistance ratio can be obtained from a stage just after the completion of the product wherein no initializing step is implemented. - 特許庁