「比抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。例文帳に追加

By controlling proportions of the amorphous carbon 2 and the graphite 3 to a range of 99:1 to 50:50 by a volume ratio, desired resistance can be easily obtained by decreasing the resistance of the amorphous carbon semiconductor 1. - 特許庁

絶縁基板上にシード層とタンタル膜とを順次積層して形成するための、スパッタリングの成膜レートが早く、しかも比抵抗分布の良い低抵抗タンタル薄膜を得ることが可能な、低抵抗タンタル薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a low resistance tantalum thin film for successively laminating and forming a seed layer and a tantalum layer on an insulating substrate, wherein the film depositing rate of sputtering is high and the low resistance tantalum thin film having satisfactory specific resistance distribution can be obtained. - 特許庁

基板１上に略直方体状に形成される半導体ピエゾ抵抗センサ３において、上記半導体ピエゾ抵抗センサの厚さ寸法Ｈを幅寸法Ｔで除したアスペクト比Ｈ／Ｔを“１”以上とした半導体ピエゾ抵抗センサ。例文帳に追加

In the semiconductor piezoresistance sensor 3 formed in an approximately rectangular-parallelepiped shaped on a substrate 1, an aspect ratio H/T obtained by dividing the thickness size H of the semiconductor piezoresistance sensor by the width size T is equal to 1 or more. - 特許庁

正確な分圧比を有し、抵抗値の温度係数の小さい高精度のブリーダ抵抗回路、及び、このようなブリーダ抵抗回路を用いた高精度で温度係数の小さい半導体装置例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high precision bleeder resistance circuit having an accurate divided voltage ratio and a small temperature coefficient of a resistance value and to provide a semiconductor device having high precision and a small temperature coefficient by using the bleeder resistance circuit such as a voltage detector and a voltage regulator, for example. - 特許庁

このシート１を剥離しウィスカが内部に残存したシート１の体積抵抗値を微小抵抗計により測定し、この測定値と初期体積抵抗値とを比較することにより、ウィスカ発生を定量的に測定することができる。例文帳に追加

The sheet 1 is separated and the value of volume resistivity in the sheet 1 where the whisker remains inside is measured by a minute ohmmeter, and the measurement value is compared with the initial value of volume resistivity, thus quantitatively measuring the occurrence of whiskers. - 特許庁

この表層材及び搬送ベルト５３のいずれかに、樹脂材料にイオン導電系の抵抗率制御材を含有させて比較的大きい体積抵抗率とした材料を用いることにより、用紙Ｐの抵抗値による影響を相対的に小さくする。例文帳に追加

Influence by a resistance value of the paper P is relatively reduced, using a material set as relatively large volume resistivity by including a resistivity control material of an ion conductive system in a resin material, for any of the surface layer material and the conveying belt 53. - 特許庁

工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する例文帳に追加

To provide a high resistance transparent conductive film at a low cost which can be suitably used as a transparent electrode for resistance-type touch panels, has few defects, has specific resistance in the range of 0.9 to 1.8×10^-3 Ωcm, and is produced by the DC sputtering method or the ion plating method which have been widely used industrially. - 特許庁

金属被覆超電導線の断面積比の長さ方向の分布は、芯線部に含まれる第１の材料の電気抵抗値と金属被覆層を構成する第２の材料の電気抵抗値に基づき、実際に測定した電気抵抗値から算出される。例文帳に追加

Distribution of the cross section ratios of the superconducting wire with metal cover is calculated from an electric resistance actually measured depending on the electric resistance of a first material contained in the core part and the electric resistance of a second material composing the metal cover layer. - 特許庁

抵抗器１００は、１１０に示す貴金属合金等から製造される抵抗体および１２１と１２２に示す高伝導性の接合用電極、１４１と１４２に示すボンディング電極から構成され、接合用電極の厚さｔ_Ｅと抵抗体の厚さｔ_Ｒの比は、ｔ_Ｅ／ｔ_Ｒ＞０．１に制御されている。例文帳に追加

The thickness ratio tE/tR is set so as to satisfy a formula, tE/tR>0.1 wherein tE denotes the thickness of the connecting electrode, and tR denotes the thickness of the bonding electrode. - 特許庁

回路本体は、温度検出信号ＴＩＮを出力する温度検知手段１、基準電位ＶＲＡを発生させる抵抗器１１，１２、基準電位ＶＲＢを発生させる抵抗器２１，２２、基準電位ＶＲＣを発生させる抵抗器３１，３２、並びに比較器１０，２０，３０から構成される。例文帳に追加

The circuit body is constituted of a temperature detection means 1 for outputting a temperature detection signal TIN, resistors 11, 12 for generating a standard potential VRA, resistors 21, 22 for generating a standard potential VRB, resistors 31, 32 for generating a standard potential VRC, and comparators 10, 20, 30. - 特許庁

比較的高い抵抗率領域の厚膜抵抗体を形成するための導電材料として、Pb_2Ru_2O_6.5に代替可能な鉛フリーの導電材料、該導電材料を含む厚膜抵抗体用ペーストおよび該ペーストの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free conductive material substitutable for Pb_2Ru_2O_6.5 as a conductive material for forming a thick-film resistor in relatively high resistivity region, a paste for the thick-film resistor containing the conductive material and a manufacturing method of the paste. - 特許庁

該成形品内部の体積抵抗率（ρ_ＶＣ）は１×１０^３Ω・ｃｍ以下で、かつ該成形品の表面を介して測定した体積抵抗率（ρ_ＶＳ）と、該成形品内部の体積抵抗率（ρ_ＶＣ）との比（ρ_ＶＳ）／（ρ_ＶＣ）は、１００以上である。例文帳に追加

The volume resistivity (ρ_VC) of the inside of the molding is 1×10^3 Ωcm or less, and a ratio (ρ_VS)/(ρ_VC) of volume resistivity (ρ_VS) measured through the surface of the molding and the volume resistivity (ρ_VC) of the inside of the molding is 100 or more. - 特許庁

この構成によれば、直列に接続されるリレーコイル８ａの抵抗と保持コイル１２の抵抗との合成抵抗によって連続通電に対する耐熱性を持たせることができるので、従来のリレーコイル及び保持コイルと比較して、それぞれターン数を大幅に低減できる。例文帳に追加

According to this constitution, heat resistance against continuous energization can be obtained by the combined resistance of the resistance of the relay coil 8a and the resistance of the holding coil 12 connected in series, whereby the number of turns can be remarkably reduced in comparison with a conventional relay coil and holding coil. - 特許庁

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。例文帳に追加

To provide a magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magneto-resistance conversion system, and a magnetic recording system capable of preventing a sense current from flowing into a longitudinal bias layer, the noise in reproduced waveforms of which is small, and the (S/N) ratio and the bit error rate of which are excellent. - 特許庁

また、電流バーを流れる被測定電流が作る磁束が貫く磁路の磁気抵抗について、集磁コア内部のみの磁気抵抗とギャップ部を含めた全磁気抵抗の比が、電流センサの出力許容誤差より小さくなるように、集磁コアおよびギャップを構成した。例文帳に追加

For the magnetic reluctance of a magnetic path through which a magnetic flux created by a current to be measured flowing in a current bar penetrates, the flux concentrating cores and the gaps are formed so that the ratio of the magnetic reluctance only inside the flux concentrating cores for the entire magnetic reluctance including the gaps is smaller than an output allowable error of the current sensor. - 特許庁

本発明の電流センサは、被測定電流からの誘導磁界強度が異なる位置に配置される２つの磁気抵抗効果素子と、前記２つの磁気抵抗効果素子が接続され、誘導磁界の強度差に比例した前記２つの磁気抵抗効果素子の出力を得る回路と、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

This current sensor includes two magnetoresistance effect elements arranged at positions where induction field intensities from the current to be measured are different from each other, and a circuit connected to the two magnetoresistance effect elements and obtaining outputs of the two magnetoresistance effect elements proportional to the difference between the induction field intensities. - 特許庁

複数の基準抵抗体３１、３２、３３および３４を用意し、測温抵抗体センサ１の配線３ａおよび３ｂに加え、これらの基準抵抗体も定電流電源１４に順番に接続し、発生する電圧を測定し、さらに、これらの電圧を比較することにより温度を求める。例文帳に追加

Reference resistance bodies 31, 32, 33, and 34 are prepared and in addition to wires 3a and 3b of a temperature measuring resistance body sensor 1, those reference resistance bodies are connected to a constant-current power source 14 in order; and generated voltages are measured and compared to find the temperature. - 特許庁

低い室温抵抗値が得られると共に、動作時と比動作時との間の抵抗変化率が大きく、かつ繰り返し動作による抵抗値の変化が小さく、品質安定性に優れているポリマー正特性サーミスタ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a polymer positive characteristic thermistor element capable of obtaining a low room temperature resistance value, big in the changing rate of resistance between operating time and non-operating time, small in the change of a resistance value due to repeated operation, and excellent in the stability of the quality. - 特許庁

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive effect element, a magnetoresistive effect head, a magnetoresistive conversion system, and a magnetic recording system, wherein a sense current is prevented from flowing to a vertical bias layer, noise is little in a reproduction waveform, and a S/N ratio and a bit error rate are execellent. - 特許庁

抵抗体１の両端にスポット溶接する端子１１を、抵抗体１に溶接される第１の種類の金属板３と、第１の種類の金属板３よりも比抵抗値が低い第２の種類の金属板５とがクラッド接合されて構成されたクラッド材により形成する。例文帳に追加

Each of terminals 11 spot-welded on both the ends of a resistor 1 is formed by a clad material constituted of clad-welding a 1st sort metallic plate 3 to be welded to the resistor 1, and a 2nd sort metallic plate 5 whose resistivity value is lower than that of the 1st sort metallic plate 3. - 特許庁

強磁性粒子を非磁性膜にて覆った磁気抵抗効果薄膜１であり、強磁性粒子２は基板５上に作製され、非磁性膜３を介した電極４間の抵抗が、磁場の印加により従来の磁気抵抗効果材料に比べて非常に大きく変化する。例文帳に追加

In a magnetoresistance effect thin film 1 wherein ferromagnetic particles are covered with a nonmagnetic film, the ferromagnetic particles 2 are formed on a substrate 5, and resistance between electrodes 4 interposing the nonmagnetic film 3 is very largely changed by applying a magnetic field as compared with the conventional magnetoresistance effect material. - 特許庁

一方、このトランジスタ１０７のエミッタと接地間には比較的温度変動の大きい第２の温度特性を備えた抵抗１０９を接続し、このトランジスタのコレクタと電源端子間には、負荷抵抗として、第１の温度特性を備えた抵抗１０８を接続する。例文帳に追加

Conversely, a resistor 109 having a second temperature characteristics having relatively large temperature variation is connected between the emitter of the transistor 107 and the ground, and a resistor 108 having a first temperature characteristic is connected between the collector of the transistor and a power supply terminal as a load resistor. - 特許庁

したがって本実施形態では、前記抵抗体２４，２５の膜厚を従来より厚くしても高い抵抗値を確保でき、よって本実施形態の磁気ヘッドは、従来に比べて断線の生じにくい抵抗体２４，２５を備えた信頼性の高いものとなる。例文帳に追加

Thus, according to the embodiment, high resistance values are secured even if the resistors 24 and 25 have thicker films than those of the conventional ones, and the magnetic head is provided with the resistors 24 and 25 where disconnection hardly occurs as compared with the conventional ones, and has high reliability. - 特許庁

そして、チップがアクティブ状態（ＥＮＢ＝１）になると、所定の時間だけ、抵抗分割回路１１の抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒａとによる分割比を選択し、降圧ＶＣＣを３．０Ｖで安定させるようにフィードバックをかける構成となっている。例文帳に追加

When a chip is put in the active condition (ENB=1), the dividing ratio of the resistance R11 and resistance Ra of a resistance dividing circuit 11 is selected for a specified period of time, and a feedback is applied so that the step-down VCC is stabilized at 3.0 V. - 特許庁

室温下において、高ＴＭＲ比が得られると共に、低抵抗が得られ、トンネルバリア層の厚みを従来より大きくすることのできるトンネル磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a tunnel magnetoresistance effect element, a tunnel magnetoresistance effect head and manufacturing methods therefor, which provides a high TMR ratio and low resistance at room temperature and allows the thickness of the tunnel barrier layer to be reduced, as compared with the conventional cases. - 特許庁

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive element, a magnetoresistive head, a magnetoresistive conversion system, and a magnetic recording system, wherein a sense current is prevented from flowing to a vertical bias layer, noise is little in a reproduction waveform, and an S/N ratio and a bit error rate are execellent. - 特許庁

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little, and S/N ratio and bit error rate are superior. - 特許庁

厚膜抵抗体に好適な、比抵抗が高く、かつ微細で粒径の揃った分散性に優れたＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末の製造方法、それにより得られるＲｕ−Ｔｉ−Ｏ微粉末、及びそれを用いた静電気放電の耐性に優れた厚膜抵抗体組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing Ru-Ti-O fine powder that is suitable for thick-film resistors, has a high specific resistance and a very small uniform particle diameter, and is excellent in dispersibility, and to provide the Ru-Ti-O fine powder manufactured by the method and a thick-film resistor composition that uses the fine powder and is excellent in static discharge resistance. - 特許庁

抵抗体４の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第１半導体膜１１の幅Ｗ１に比して第２半導体膜１２及び前記メタル膜１３の幅Ｗ２を小さくし、抵抗体４の抵抗値は、メタル膜１３の形状により調整する。例文帳に追加

The feature of the resistor 4 in a plane view is formed in such a manner that: in at least a part of the region, the width W2 of the second semiconductor film 12 and the metal film 13 is smaller than the width W1 of the first semiconductor film 11; and the resistance of the resistor 4 is adjusted by the feature of the metal film 13. - 特許庁

結晶相とアモルファス相の間を相変化する相変化材料の結晶相の電気抵抗をＲｃ、アモルファス相の電気抵抗をＲａとするとき、電気抵抗比Ｒａ／Ｒｃが１×１０^4以上である相変化材料を記録層とする相変化型記録記録媒体。例文帳に追加

When electric resistance of a crystalline phase of a phase transition material the phase of which transits between the crystalline phase and an amorphous phase is Rc and electric resistance of the amorphous phase is Ra, the phase transition type recording medium has the phase transition material of which electric resistance ratio Ra/Rc is ≥1×104 as a recording layer. - 特許庁

正確な分圧比を有し、抵抗値の温度係数の小さい高精度のブリーダー抵抗回路、及び、このようなブリーダー抵抗回路を用いた高精度で温度係数の小さい半導体装置例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a highly precise bleeder resistance circuit, having an accurate voltage division ratio and a small temperature coefficient for a resistance value, and also provide a highly precise semiconductor device, using the bleeder resistance circuit which has a small temperature coefficient, such as a voltage detector and a voltage regulator. - 特許庁

鋼線の表面に銅メッキ又は銅合金メッキが施されたワイヤソー用ワイヤを用い、比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の低抵抗シリコン単結晶インゴットから複数枚のスライスウェーハを得る工程を含む低抵抗シリコンウェーハの製造方法の改良である。例文帳に追加

This method of manufacturing the low resistance silicon wafer includes a process to obtain a plurality of sliced wafers from a low resistance silicon single crystal ingot having specific resistance of not more than 1 Ωcm by using the wire for the wire saw subjected to copper plating or copper alloy plating on the surface of a steel wire. - 特許庁

一実施形態では、(1つまたは複数の)加熱回路(34、36)の抵抗が決定され、(1つまたは複数の)加熱器回路が適切にまたは実際に取り付けられているかどうか、および適切に動作しているかどうかを決定するために、期待される抵抗または許容可能な抵抗の範囲と比較される。例文帳に追加

In one embodiment, the resistance of the heating circuit(s) (34, 36) is determined and compared to an expected resistance or range of acceptable resistances to determine if the heater circuit(s) is properly or actually attached and properly operating. - 特許庁

信号を増幅または減衰させる演算増幅器１のゲインを決める抵抗Ｒ_0に並列または直列にスイッチ素子２を挿入し、このスイッチ素子へのスイッチング信号Ｖ_pのデューティ比αを変えることにより該抵抗Ｒ_0の抵抗値を変えるゲインコントロール回路とする。例文帳に追加

A switch element 2 is parallel or serially inserted to a resistor R0 for determining the gain of an operational amplifier 1 for amplifying or attenuating a signal and by changing a duty ratio α of a switching signal Vp to this switch element, the gain control circuit changes the resistance value of the resistor R0. - 特許庁

センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、（Ｓ／Ｎ）比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect element, a magnetoresistance effect head, a magnetoresistance conversion system and a magnetic recording system wherein sense current is prevented from flowing in a vertical bias layer, noises in a regenerating wave is little and S/N ratio and bit error rate are superior. - 特許庁

感温抵抗体Ｒａを接続し感温抵抗体Ｒｕ、Ｒｄの温度係数がＲａの１／３程度となるように抵抗Ｒｕ、Ｒｄを設定することで比較点電位差ｄＶの空気流温度依存性を１／１０以下に補償することができる。例文帳に追加

By connecting the sensing resistor Ra and setting the temperature coefficients of the resistors Ru and Rd at about a third part of that of the resistor Ra, a compensation can be made so that the air-flow temperature dependency of potential difference dV at a comparison point is decreased to one tenth or less. - 特許庁

放電抵抗を端子間につける場合には抵抗素子の大きさが小さいと熱が抵抗素子に集中してしまい放熱の問題が生じるが、樹脂部４８は比較的大きさが大きく放熱も広い領域で起こるため、温度上昇を抑えることができる。例文帳に追加

Although problems of heat radiation result since heat is centered in a resistance element if the value of the resistance element is small when mounting a discharge resistor between terminals, an increase in temperature can be restrained because the resin section 48 is relatively large and heat is radiated in a wide region. - 特許庁

素子抵抗検出時には、空燃比検出のためにセンサ素子部に印加した電圧を、センサ特性に応じた周波数で素子抵抗検出用の電圧に一時的に切り換え、その時の電圧変化と電流変化とから素子抵抗値を検出する。例文帳に追加

During the detection of element resistance, the voltage applied to the sensor element part in order to detect air/fuel ratio is temporarily changed to a voltage for detection of the element resistance at a frequency matching sensor characteristics, and the element resistance value is detected from the changes in voltage and current at that time. - 特許庁

比較的高い抵抗率領域の厚膜抵抗体を形成するための導電材料として、Pb_2Ru_2O_6.5に代替可能な鉛フリー及びルテニウムフリーの導電材料、厚膜抵抗体用ペーストおよび該ペーストの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free and ruthenium-free conductive material which can be substituted for Pb_2Ru_2O_6.5, as a conductive material for forming the thick film resistor of a relatively high resistivity region, to provide a paste for the thick film resistor, and to provide a manufacturing method of the paste. - 特許庁

抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２の抵抗値の比率は、ＮＭＯＳトランジスタＮ２のゲート電圧がしきい値電圧になったときに、そのときの電源電圧の値（リセット解除電圧）がそのしきい値電圧に許容電圧αを加えた電圧になるように設定され、例えば１：８になるように設定されている。例文帳に追加

A ratio of the resistance of the resistors R11, R12 is selected so that a power supply voltage (reset release voltage) is a voltage resulting from adding a permissible voltage α to a threshold voltage when a gate voltage of the NMOS TR N2 reaches the threshold voltage, e.g. 1:8. - 特許庁

従って、メインＶＤＭＯＳ２の配線抵抗値Ｒａと、センスＶＤＭＯＳ３の配線抵抗値（Ｒｃ＋Ｒｄ）とを等しくすることができるため、メインおよびセンスＤＭＯＳ間におけるオン抵抗比の誤差を小さくし、電流検出精度を高めることができる。例文帳に追加

Accordingly the wiring resistance value Ra of a main VDMOS 2 and the wiring resistance value (Rc+Rd) of a sense VDMOS 3 can be set equal to each other, whereby the error of the on-resistance ratio between the main and sense DMOSs can be reduced to improve current detection accuracy. - 特許庁

コントローラは、推定された定常エンジントルクENGTRQ#mを補正して実エンジントルクENGTRQを推定し、この実エンジントルクENGTRQに変速比RATIOを乗じて得られる車両駆動力TRQOUTから基準走行抵抗RLDTRQ、加速抵抗GTRQを減じて走行抵抗増加量RESTRQを演算する。例文帳に追加

A controller corrects an estimated normal state engine torque ENGTRQ#m to estimate a true engine torque ENGTRQ and calculates a running resistance increase RESTRQ by subtracting a reference running resistance RLDTRQ and an acceleration resistance GTRQ from a vehicle drive force TRQOUT that is obtained by multiplying the true engine torque ENGTRQ by a gear ratio RATIO. - 特許庁

ＳＰ６Ｔスイッチのシャント部３１（，３２）は、ＦＥＴなどからなるトランジスタ５３〜５６、抵抗５７〜６６、およびＤＣカット容量となる静電容量素子６７〜６９から構成されており、抵抗６１〜６５の抵抗比は、たとえば、１：２：２：２：１となるように設定されている。例文帳に追加

This circuit has a shunt portion 31(or 32) of an SP6T switch comprising transistors 53-56 comprising FET, resistors 57-66 and capacitance elements 67-69 as DC cut capacitance, and a resistance ratio of each of the resistors 61-65 is set so as to be 1:2:2:2:1 for example. - 特許庁

従来の比較器に比べて、より経済的、より正確、より気密水密、より抵抗力があり、構成部品がより少ない比較器を提供する。例文帳に追加

To provide a comparator with a fewer number of component parts which is more economical, more accurate, more airtight and watertight, and more resistant than conventional comparators. - 特許庁

この磁気回路は、等価的に磁気抵抗（Ｒ_f）から成る磁束弱め回路を有し、永久磁石の減磁の危険性の回避を確実にするために、磁束弱め回路の磁気抵抗と、永久磁石の内部磁気抵抗（Ｒ_a）との比（Ｒ_f／Ｒ_a）が、あらかじめ定められた範囲内の値になるように、磁束弱め回路の磁気抵抗は定められている。例文帳に追加

The magnetic circuit has a magnetic flux weakening circuit equivalently consisting of magnetic resistance (R_f), wherein the magnetic resistance of the magnetic flux weakening circuit is set so that a ratio (R_f/R_a) of the magnetic resistance of the magnetic flux weakening circuit to the internal magnetic resistance (R_a) becomes a value within a predetermined range. - 特許庁