「比抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

すると、プルアップ抵抗１０９とプルダウン抵抗１１０が折り返し信号電路１０４を介して電気的に接続され、プルアップ抵抗１０９およびプルダウン抵抗１１０の分圧比によりＬｏレベルの入力信号１１１がメイン制御部１０８のＩ／Ｏ制御部１０７に入力される。例文帳に追加

Then, a pull-up resistor 109 and a pull-down resistor 110 are electrically connected through a loopback signal circuit 104, and a Lo-level input signal 111 is inputted to an I/O controller 107 in a main controller 108 according to a voltage division ratio of the pull-up resistor 109 to the pull-down resistor 110. - 特許庁

出力段の電圧を内蔵する抵抗ラダーと、出力段および抵抗ラダーに電流を供給するパストランジスタとで電圧を設定する電圧レギュレータであって、レギュレータ出力電圧を決定する抵抗ラダーの抵抗分圧比を外部からの制御信号により、スイッチング手段で切り換え、パストランジスタに流れる電流値を一定にする電圧レギュレータ。例文帳に追加

This voltage regulator sets voltage with a resistance ladder including voltage of an output stage and a pass transistor that feeds current to the output stage and the resistance ladder, switches a voltage division ratio of the resistance ladder that determines a regulator output voltage with a control signal from the outside in a switching means, and makes a current value caused to flow to the pass transistor to be constant. - 特許庁

カレントミラー回路（Ｔｒａ２，Ｔｒａ３）は、第１のトランジスタＴｒａ１のコレクタから入力した電流に比例した電流を、第１の抵抗Ｒａ１と第２の抵抗Ｒａ２との接続点から引き抜く。例文帳に追加

A current mirror (Tra2 and Tra3) extracts, from a connection point of the first resistor Ra1 and the second resistor Ra2, current proportional to current input from the collector of the first transistor Tra1. - 特許庁

基本的には、地絡が発生していない場合のコンパレータ９０の基準電圧Ｅａは、比較電圧Ｅｂより高い電圧となるように抵抗器９４、９６の抵抗値を設定しておく。例文帳に追加

Basically, the resistance of resistors 94, 96 is preliminarily set so that the reference voltage Ea of the comparator 90 in the absence of the ground-defect becomes higher than comparative voltage Eb. - 特許庁

感光体上に形成された静電潜像を、比抵抗が１０^４Ω−ｃｍ以上の高抵抗酸化チタン粉末が外添されたトナーを用いて現像する。例文帳に追加

An electrostatic latent image formed on a photoreceptor is developed by using a toner to which high resistance titanium oxide powder having ≥10^4 Ω-cm resistivity is externally added. - 特許庁

そして、この抵抗器Ｚ_Ｌの抵抗値を、マイクロ波に対するランプ部１０のインピーダンス、およびマイクロ波に対する空気のインピーダンスに比べ十分に大きい値とする。例文帳に追加

The resistance value of this resistor Z_L is made sufficiently large compared with the impedance of the lamp part 10 to microwave and the impedance of air to the microwave. - 特許庁

この構造により、一方の電極を構成する透明導電膜の抵抗率が、他方の電極を構成する金属電極に比較して高いことによる抵抗損失の影響を抑制することができる。例文帳に追加

By virtue of this structure, influence of resistance loss caused by high resistivity of a transparent conductive film constituting the one-side electrode relative to that of a metal electrode constituting the other-side electrode can be prevented. - 特許庁

インターフェイス判別時には判別用プルアップ抵抗１１２を電源バスに接続し、この抵抗に接続された線の電圧を第２のコンパレータ１２２により第２の閾値電圧と比較する。例文帳に追加

In discriminating an interface, discriminating pull up resistor 112 is connected to a power bus, and the voltage of a line connected to the resistor is compared with a second threshold voltage by a second comparator 122. - 特許庁

従来技術の問題点を解消し，導電抵抗値が良好で加湿処理前後の比抵抗の変化が小さく，かつ耐マイグレーション性にも優れた導電ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a conductive paste capable of solving the problems of conventional art, having superior conductive resistance value, reduced in a change between resistivities, before humidification treatment and after the humidification treatment, and having with superior migration resistance. - 特許庁

並列ｐｎ層１５を構成するｐコラム１０と、ショットキー電極７との間に実質的に高比抵抗のｎ高抵抗領域１１を介在させる。例文帳に追加

A high resistance region 11 having a substantially high resistivity is inserted between a p-column 10 forming parallel p-n layers 15 and a Schottky electrode 7. - 特許庁

カーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成されたガス供給層に、金属箔を導入して複合体にすることにより、その比抵抗並びに接触抵抗を飛躍的に低減する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a mean by which the specific resistance and the contact resistance are drastically reduced by introducing metal foils into a gas supply layer constituted of carbon black and fluororesin fine particles to form a composite. - 特許庁

アルミニウムＡｌ、ホウ素Ｂ、クロムＣｒ及びケイ素Ｓｉの４元素から実質的になり、比抵抗が４ｍΩ・ｃｍ以上、抵抗温度係数の絶対値が３００ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The high-resistivity material is composed substantially of four elements of aluminum Al, boron B, chromium Cr, and silicon Si and has resistivity of ≥4 mΩ.cm and an absolute temperature coefficient value of ≤300 ppm/°C. - 特許庁

金属配線の上に堆積された窒化チタン膜を窒素プラズマに暴露して比抵抗を低減させる場合において、金属配線の高抵抗化を防止して、高速で動作する半導体装置が得られるようにする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that operates at high speed by preventing the resistance of a metal wiring from becoming higher, when a titanium nitride film accumulated on the metal wiring is exposed to nitrogen plasma to reduce specific resistance. - 特許庁

Ｇｄ，Ｄｙ、Ｔｂなどの希土類金属とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの遷移金属を主成分とするフェリ磁性体を用いた磁気抵抗効果膜において、比較的大きな磁気抵抗効果が得られるようにする。例文帳に追加

To obtain relatively large magnetoresistance effect in a magnetoresistance effect film using a ferrimagnetic substance which takes rare earth metals such as Gd, Dy, and Tb and transition metals such as Fe, Co, and Ni as chief components. - 特許庁

本発明の方法で得られる水酸化ニッケルは、ニッケルメタルへの還元量が１０〜３０％であり、３９．２ＭＰａでの圧粉抵抗の比抵抗が８０００〜０．０８Ωｃｍであることを特徴とする。例文帳に追加

Nickel hydroxide provided by this invented method has 10 to 30% reduction quantity to nickel metal and 8,000 to 0.08 Ω.cm specific resistance of pressed powder at 39.2 MPa. - 特許庁

ＣＰＵ１４は、ソレノイド３への通電前（非通電時）に、電圧モニタ回路６の抵抗とプルダウン抵抗１３との分圧比に基づいて、ソレノイド３の異常または正常を判断する。例文帳に追加

Prior to turning on electricity to the solenoid 3 (during non-weld time), the CPU 14 deems abnormality or normality of the solenoid 3, based on a voltage division ratio of resistance of the voltage monitoring circuit 6 and the pull-down resistor 13. - 特許庁

チタン酸バリウム系正特性サーミスタにおいて，素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力およびオン／オフサイクル寿命が低下することなく、抵抗値の低い正特性サーミスタを得る。例文帳に追加

To obtain a barium titanate-base positive characteristic thermistor having a low resistance value without the degradation in voltage resistance, rush permissible electric power and on/off cycle life even if an element material is made lower in specific resistance. - 特許庁

電子部品の抵抗値は、温度上昇に基づいて比例的に向上するため、この抵抗値を検出すれば電子部品３の温度を検出することができる。例文帳に追加

Since the resistance value of the electronic part is proportionally improved on the basis of temperature rise, the temperature of the electronic part 3 can be detected by detecting this resistance value. - 特許庁

これにより、本発明に係る多結晶シリコンヒューズは、比較的高抵抗であり、低電流で破壊できるため、多結晶シリコンヒューズまでの配線の抵抗値が高い場合であっても、確実に破壊することができる。例文帳に追加

According to this method, the polycrystalline silicon fuse is provided with a comparatively high resistance and the same can be destroyed by a low current, whereby the fuse can surely be destroyed even when the value of resistance of a wiring to the polycrystalline silicon fuse is high. - 特許庁

ノイズの抑制とスピントルクの影響の抑制とを可能とする抵抗値を有し、且つ大きなＭＲ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子を実現する。例文帳に追加

To achieve a magnetic resistive effect element for acquiring a resistance value capable of achieving the suppression of noise and the suppression of an influence of spin torque and a large MR ratio. - 特許庁

電流比較回路は、負性抵抗素子ＮＤ１，ＮＤ２からなる直列負性抵抗素子回路と、この回路の両端に同一周期のクロック信号ＶＣＫ１，ＶＣＫ２を供給するクロック信号供給回路Ｃを備えている。例文帳に追加

The current comparing circuit is provided with a serial negative resistor circuit composed of negative resistors ND1 and ND2 and a clock signal supply circuit C for supplying clock signals VCK1 and VCK2 of the same cycle to both terminals of this circuit. - 特許庁

そして、予め実験によりも求めていた抵抗の変化量と反りとの関係と、検出された抵抗の変化量とを比較してプリント配線基板５２を支持する筐体５８の反りを検出する。例文帳に追加

Warpage of a housing 58 which supports the printed wiring board 52 is detected by comparing the relation between variation of resistance and warpage predetermined by experiments with detected variation of resistance. - 特許庁

２次元電子（正孔）系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system. - 特許庁

容量性サセプタンスを有する抵抗皮膜を用いた電波吸収体であって、従来の抵抗皮膜を用いた電波吸収体に比べて薄く、且つ容易に設計および製造することのできる電波吸収体を実現する。例文帳に追加

To provide a radiowave absorber, using a resistance coating having a capacitive susceptance, which is thinner than a conventional radiowave absorber using a resistance film and can be easily designed and manufactured. - 特許庁

バイパス通路８８に、バイパス通路８８の通気抵抗が常態でキャニスタ７８の通気抵抗に比して大きくなるようにベンチュリ８８ａを設ける。例文帳に追加

A venturi 88a is provided at the bypass passage 88 so that he ventilation resistance in the bypass passage 88 is larger than that in the canister 78 in ordinary state. - 特許庁

放電電極部材４，５は、希土類元素、アルカリ土類金属元素およびＭｎを含み、かつ比抵抗が１０^-4〜１Ω・ｃｍの範囲にある、低抵抗酸化物からなる。例文帳に追加

The discharge electrode members 4, 5 is made of low-resistance oxide containing rare earth elements, alkali earth metal elements and Mn, and that, with a specific resistance within the range of 10^-4 to 1 Ωcm. - 特許庁

銅の体積抵抗率がニッケルの約１／４であるため、金属板４０ａ、４０ｂのそれぞれに使用された金属の体積抵抗率の比率が１／２以下となる。例文帳に追加

Since the volume resistivity of copper is about one fourth that of nickel, the ratio of the volume resistivity of the metal respectively used for the metal plates 40a, 40b becomes a half or lower. - 特許庁

冷媒流出口８に近い偏平チューブ４の内部流路抵抗は、冷媒流出口９から遠い偏平チューブ４の内部流路抵抗に比べ、相対的に大とされている。例文帳に追加

The internal flow channel resistance of the flat tubes 4 near the refrigerant outflow port 8 is relatively more than that of the flat tubes 4 far from the refrigerant outflow port 9. - 特許庁

他の電気特性（たとえば、静電容量の温度特性、絶縁抵抗、絶縁抵抗の加速寿命、誘電損失）を悪化させることなく、比誘電率の向上が可能な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a dielectric ceramic composition capable of improving the specific permittivity without deteriorating other electric characteristics (for example, a temperature characteristic of the capacitance, insulation resistance, accelerated lifetime of the insulation resistance and dielectric loss), and to provide its production method. - 特許庁

電極比抵抗および接触抵抗を小さくして、基板との接着強度を維持した太陽電池の電極およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for a solar cell that reduces resistance against an electrode and contact resistance to maintain adhesive strength with a substrate, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

ＬＳＩケース２０１の外部には、ケースピンを介してインピーダンス設定用のクランプ抵抗２０８と、これと電位を比較するための第１および第２の参照電圧生成抵抗２２１、２２２が接続されている。例文帳に追加

A clamp resistor 208 for setting impedance and first and second reference voltage generating resistors 221 and 222 for comparing potential with it are connected, through a case pin, to the outside of an LSI case 201. - 特許庁

一対の分圧抵抗ＲＰ３，ＲＰ２は第２伝送線路Ｔ２上のインピーダンスをクロック供給先１２Ａの入力インピーダンスに整合させる抵抗比に設定される。例文帳に追加

The impedance of the pair of voltage divider resistors RP3, RP2 on the second transmission line T2 is set to a resistance ratio matching the input impedance of the clock supply destination 12A. - 特許庁

レベル変換回路１０１は、入力電圧ＩＮ＋およびＩＮ−を直列に接続された抵抗の抵抗比に基づいてレベル変換するための回路である。例文帳に追加

The level converting circuit 101 is a circuit for level converting based on a resistance ratio of a resistor to which input voltages IN+ and IN- are connected serially. - 特許庁

基準抵抗器のみを用いて内部抵抗計測器を校正する場合と比較して、交流結合素子への電位印加に起因する校正誤差を極めて少なく出来る計測値校正回路を提供する。例文帳に追加

To provide a measurement value calibration circuit capable of reducing calibration errors caused by potential application to an AC coupling element much more than that in calibration of an internal resistance measurement device by using only a reference resistor. - 特許庁

低抵抗部４は、複合酸化物の酸素が欠損した酸素欠損組成を有しており、これによって周囲の複合酸化物に比べてシート抵抗が低下する。例文帳に追加

The low resistive part 4 has an oxygen deficit composition consisting of the compound oxide from which some portion of oxygen is lost and thereby has sheet resistance lower than that of the surrounding compound oxide. - 特許庁

そして、電池２の内部抵抗値Ｒ_Bの、リチウムイオンキャパシタ３の内部抵抗値Ｒ_Cに対する比（Ｒ_B／Ｒ_C）が２以上７未満である。例文帳に追加

A ratio (R_B/R_C) of an internal resistance value R_B of the battery 2 to an internal resistance value R_C of the lithium-ion capacitor 3 is equal to or greater than 2 and less than 7. - 特許庁

チタン酸バリウム系正特性サーミスタにおいて、素子材料を低比抵抗化しても耐電圧、突入許容電力およびＯＮ−ＯＦＦサイクル寿命が低下することなく、抵抗値の低い正特性サーミスタを得る。例文帳に追加

To obtain a barium titanate positive temperature coefficient thermistor which is not deteriorated in breakdown voltage, allowable rush power, and on-off cycle life even when the specific resistance of an element material is reduced, and has a low resistance value. - 特許庁

エピタキシャル層のようにシリコン半導体基板に比べて抵抗率がより低い低抵抗率層への高周波信号の漏洩が抑制される高周波半導体回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-frequency semiconductor circuit device in which a leak of a high-frequency signal to a low resistivity layer such as an epitaxial layer having a lower resistivity compared to a silicon semiconductor substrate is controlled. - 特許庁

従って、第１のゲート電極４１を深く形成すると、占有面積を大きくしなくとも導通抵抗を小さくすることができるので、従来に比して導通抵抗を低くすることができる。例文帳に追加

Thus, the continuity resistance is lowered by forming the first gate electrode 41 deeper, without enlarging the occupancy area, so that the continuity resistance can be made lower than before. - 特許庁

回路パターンを構成する高導電膜の比抵抗を十分に低抵抗化することができるメンブレン配線板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a membrane wiring board for making the specific resistance of a highly conductive film forming a circuit pattern sufficiently low, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

そして二次電池の初期時における内部抵抗Ｒに相当する値Ｚ(int)と、最新の二次電池の内部抵抗Ｒに相当する値Ｚ(now)とを比較して、充電制御を行う。例文帳に追加

Charging control is performed by comparing a value Z(int) corresponding to the internal resistance R in the initial stage of the secondary battery with a value Z(now) corresponding to the newest internal resistance R of the secondary battery. - 特許庁

抵抗性ランダムアクセスメモリアレイ(80)を設計するための方法が提供され、その場合エレメントは、アレイに対して20dB以上の信号対雑音比を維持するように相関された抵抗の値に選択される。例文帳に追加

A method for designing a resistive random access memory array (80) is provided, in which elements are selected with values of resistances that are correlated to maintain a signal-to-noise ratio of 20 decibels or more for the array. - 特許庁

チョークコイルＬ１１の一端とグランドとの間に、第１の抵抗Ｒ１１と第２の抵抗Ｒ１２とが直列接続され、その接続点が比較検出回路１２の一方の入力に接続される。例文帳に追加

A first resistor R11 and a second resistor R12 are connected in series between one end of the choke coil L11 and a ground, and its node is connected to one input of the comparative detection circuit 12. - 特許庁

トレンチシンカー１６と拡散層シンカー１７の占有率は狭く、かつこれらの抵抗値は低いので、同じオン抵抗であるための実行面積は従来に比べて減少することができる。例文帳に追加

Since the trench sinker 16 and diffused layer sinker 17 occupy a small area and a resistance value thereof is small, an effective area can be reduced even at the same ON resistance. - 特許庁

例えば以上の様な構成により、ｑ軸側の磁束経路における磁気抵抗値と、ｄ軸側の磁束経路における磁気抵抗値との差分をできるだけ大きく確保すれば、比較的大きなリラクタンス・トルクを取り出すことができる。例文帳に追加

A relatively high reluctance torque is taken out by assuring as large difference as possible between a magnetic resistance value of a magnetic flux path on q-axis side and that on d-axis side, with such configuration as stated above. - 特許庁