「誘起酸化」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

石英、アルミナなどの耐強酸性の酸化物固体を触媒とする放射線誘起水素製造法例文帳に追加

RADIATION-INDUCED HYDROGEN PRODUCTION METHOD USING AS CATALYST STRONG-ACID-RESISTANT OXIDE SOLID SUCH AS QUARTZ OR ALUMINA - 特許庁

レーザ誘起蛍光法による大気中の窒素酸化物濃度測定方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING CONCENTRATION OF ATMOSPHERIC NITROGEN OXIDE BY USING LASER-INDUCED FLUORESCENCE METHOD - 特許庁

酸化誘起積層欠陥を実質的に有さない空孔優勢コアを有する低欠陥密度シリコン例文帳に追加

LOW DEFECT DENSITY SILICON HAVING VACANCY-DOMINATED CORE SUBSTANTIALLY FREE OF OXIDATION-INDUCED STACKING FAULT - 特許庁

モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of inducing a phase transition of perovskite-type oxide for easily inducing a phase transition between an insulator phase and a metal phase of perovskite-type oxide which is a Mott insulator. - 特許庁

ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置例文帳に追加

METHOD FOR INDUCING PHASE-TRANSITION OF PEROVSKITE-TYPE OXIDE, PEROVSKITE-TYPE OXIDE USED AS ELECTRONIC FUNCTIONAL ELEMENT MATERIAL, ELECTRONIC FUNCTIONAL ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE USING PEROVSKITE-TYPE OXIDE - 特許庁

ファラディの電磁誘導の法則によって流路に電圧が誘起されてこの軽油に電流が流れ、この電流が含有硫黄酸化物やリン酸化物を電気分解する。例文帳に追加

By the Faraday's law of electromagnetic induction a voltage is induced in the passage and an electric current flows in this gas oil, which exerts elecrolysis on the contained sulfur oxides and phosphorus oxides. - 特許庁

半導体基板２上に、酸化物３ｂと、酸化物３ｂに囲まれた酸化物３ｂよりバンドギャップが小さいドット状の酸化物３ａとから構成される高誘電ゲート絶縁膜３を形成し、酸化物３ａと酸化物３ｂのバンドギャップ差に起因して生じるローカルポテンシャルミニマムに電子を蓄積する。例文帳に追加

A high dielectric gate insulation film 3 comprising an oxide 3b and dotted oxides 3a which are surrounded by the oxide 3b and each of which has a narrower bandgap than that of the oxide 3b is formed on a semiconductor substrate 2, and the electrons are accumulated in a local potential minimum generated by the difference between the bandgap of the oxide 3a and that of the oxide 3b. - 特許庁

第２誘電層２に電磁波が入射すると、第２誘電層２に含有されている金属酸化物に接触することにより反射が抑制され、第２誘電層２と導電層３との界面において交流電流を誘起する。例文帳に追加

When an electromagnetic wave is made incident on a second dielectric layer 2, it comes into contact with metal oxide contained in the layer 2, so that reflection is restricted and an AC current is induced in an interface between the layer 2 and a conducting layer 3. - 特許庁

上部電極の酸化を有効に抑制することによりヒロック（突起部）の発生を抑制することが可能な誘電体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric element wherein a hillock (protruding part) is suppressed by effectively suppressing oxidization of an upper electrode. - 特許庁

石英、アルミナなどの耐強酸性の酸化物を触媒とするアルコール添加硫酸水溶液を使用する放射線誘起水素製造法例文帳に追加

RADIATION-INDUCED HYDROGEN PRODUCTION METHOD USING ALCOHOLIC ADDITION AQUEOUS SULFURIC ACID SOLUTION AND CATALYZED BY STRONG-ACID-RESISTANT OXIDE SUCH AS QUARTZ OR ALUMINA - 特許庁

この様な熱処理では、高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができる。例文帳に追加

In such heat treatment, occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period. - 特許庁

金属粉体を噴射する圧縮気体中の酸素含有率を調整することによって所望の酸化反応を誘起することができる。例文帳に追加

It is possible to induce a required oxidation reaction by adjusting oxygen content in the compressed gas for spraying the metal powder. - 特許庁

このとき、歪み１１を付けたウェーハ１０の裏面１０２全域には酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）１４が数μｍの深さをもって形成される。例文帳に追加

An oxidation inducing stacking fault (OSF) 14 is formed with a depth of several micrometers in all rear face 102 regions of the wafer 10 with the deformation 11. - 特許庁

食品と飲料の酸化褐変、特にＰＰＯ活性によって起こる酵素による酸化褐変を阻害する４−置換レゾルシノール誘導体で処理された食品および飲料を提供すること。例文帳に追加

To obtain a food and drink treated with a 4-substituted resorcinol derivative effective for inhibiting the oxidation browning of food and drink, especially the enzymatic oxidation browning caused by PPO activity. - 特許庁

(2) ＣＺ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に10^3/cm^2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。例文帳に追加

The silicon wafer is cut out from the silicon single crystal grown by the CZ method and doped with the nitrogen, and generates the oxidation-induced stacking faults in a density of ≥103/cm2 on the surface, when a high temperature oxidation treatment is applied. - 特許庁

希土類酸化物を用いることにより高温で動作する照射誘起発光体が得られ、またこの希土類酸化物を用いたことを特徴とする放射線計測装置が得られる。例文帳に追加

An irradiation-induced scintillation material operable at a high temperature can be produced by using a rare earth metal oxide, and a radiation counting device is produced by using the rare earth metal oxide. - 特許庁

この方法のいくつかの局面において、薄膜酸化物層は、酸化された第２のシリコン層の上に重なり、４００℃未満の温度で、高密度プラズマ励起化学蒸着処理および誘導結合プラズマソースによって形成される。例文帳に追加

In several aspects of the method, a thin-film oxide layer is superposed on the second silicon layer oxidized and formed by a high-density plasma excitation chemical vapor deposition treatment and the inductively coupled plasma source at a temperature lower than 400°C. - 特許庁

酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入することによって、酸化物半導体層にドナーとして機能する酸素欠陥を効果的に形成することができる。例文帳に追加

An oxygen vacancy serving as a donor can be effectively formed in the oxide semiconductor layer by introducing the oxygen-vacancy-inducing factors into the oxide semiconductor layer. - 特許庁

酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入（添加）することによってソース領域及びドレイン領域を選択的に低抵抗化する。例文帳に追加

In a transistor including an oxide semiconductor, oxygen-vacancy-inducing factors are introduced (added) into an oxide semiconductor layer, thereby the resistance of source and drain regions is selectively reduced. - 特許庁

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。例文帳に追加

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate. - 特許庁

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。例文帳に追加

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied. - 特許庁

室温で、マンガン酸化物膜２に３．２ｅＶ（波長にして、約０．３９μｍ；青色）のレーザー光３を照射することにより、光誘起効果による材料中のスピン秩序の変化を生起させ、前記マンガン酸化物膜２の１μｍ近傍の光の透過率・伝導率を高速で制御する。例文帳に追加

Spin order in the material is changed owing to light inductive effect by irradiation of 3.2 eV (approximately 0.39 μm in wavelength and blue in color) of laser beam 3 to the manganese oxide 2 at room temperature, so that the light transmissiveness and electrical conductivity in the vicinity of 1 μm of the manganese oxide film 2 is controlled at high speed. - 特許庁

シリコン基板の表面を比較的厚く酸化して、表面に光導波路となる石英膜を形成させる際、酸化誘起積層欠陥を起因とするパーティクルまたは凹状ピットが石英膜上に少ない高品質な光導波路基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate of high quality in which particles or recessed pits caused by an oxidation- induced lamination defect are few on a quartz film when the quartz film becoming an optical waveguide is formed on the surface by oxidizing the surface of a silicon substrate relatively thick. - 特許庁

エチレンスルフィトもしくはその誘導体により負極２２に安定な被膜が生成されると共に、炭酸エステル誘導体により正極２１で起こる電解液の酸化分解反応が抑制される。例文帳に追加

A stable film is formed on the negative electrode 22 by ethylene sulfite or its derivative, and oxidation decomposition reaction of the electrolytic solution occurring at the positive electrode 21 is suppressed by the carbonate derivative. - 特許庁

強誘電体キャパシタの下部電極の結晶配向性を改善し、かつＴｉの酸化に起因する高抵抗化を防止した強誘電体キャパシタを有する半導体装置を製造する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device provided with a ferroelectric capacitor, for which the crystal orientation of the lower electrode of the ferroelectric capacitor is improved and resistance increase due to the oxidation of Ti is prevented. - 特許庁

ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物層１２にソース電極１３、ドレイン電極１４を設け、さらに上記電荷整列相転移を誘起させるために上記ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物層１２上に絶縁層１５を介してゲート電極１６を有する構造とする。例文帳に追加

The charge injection spin transistor comprises a perovskite Mn oxide layer 12 having a source electrode 13, a drain electrode 14, and further a structure having a gate electrode 16 on the layer 12 via an insulating layer 15 to induce the charge alignment phase transition. - 特許庁

表示装置用フィルター膜５０ａが、ナノサイズの金属微粒子が酸化物粒子の表面に付着した構造を有し、金属／酸化物界面で特定波長帯の光を選択的に共鳴吸収する表面プラズモン共鳴現象が誘起される。例文帳に追加

A filter film 50a for a display device has such a structure that metal fine particles of a nanometer size are deposited on the surfaces of oxide particles and that the surface plasmon resonance to selectively absorb light in a specified wavelength band by resonance is induced on the metal/oxide interface. - 特許庁

また、この方法は、シリコン含有前駆物質を、基板を収容する処理チャンバ内に流すステップと、酸化ガスを前記チャンバ内に流すステップと、シリコン含有前駆物質、酸化ガス及び水蒸気の間の反応を起こし、トレンチ内に誘電体材料を形成させるステップと、を含む。例文帳に追加

The method also includes steps of: flowing a silicon-containing precursor into the processing chamber housing the substrate; flowing an oxidizing gas into the chamber; and causing a reaction between the silicon-precursor, the oxidizing gas and the water vapor to form the dielectric material in the trench. - 特許庁

硫酸溶液に耐強酸性酸化物粉体ないしは固体を混ぜて、酸化物が放射線のエネルギーを吸収し化学反応エネルギーに変換することで生成した還元種により水素イオンの還元反応を促進する放射線誘起触媒法で、水素を高効率で製造する。例文帳に追加

Hydrogen is produced in a high efficiency by a radiation-induced catalytic method comprising mixing a strong-acid-resistant oxide powder or solid with a sulfuric acid solution and accelerating a reaction of reducing hydrogen ions with reducing species formed when the oxide absorbs radiation energy and converts it into chemical energy. - 特許庁

陽極酸化工程にて半導体基板１０の他表面側に照射する光の光量分布を所望のレンズ形状に応じて決定することにより、陽極酸化工程において半導体基板１０中に誘起されるホールの分布が所望のレンズ形状に応じた分布となるようする。例文帳に追加

In the anodizing process, a light quantity distribution of light applied to the other surface side of the semiconductor substrate 10 is decided in accordance with the desired lens shape and, thereby, the distribution of holes induced into the semiconductor substrate 10 in the anodizing process becomes the distribution in accordance with the desired lens shape. - 特許庁

陽極酸化工程にて半導体基板１０の他表面側に照射する光の光量分布を所望のレンズ形状に応じて決定することにより、陽極酸化工程において半導体基板１０中に誘起されるホールの分布が所望のレンズ形状に応じた分布となるようする。例文帳に追加

A light quantity distribution of light with which the other surface side of the semiconductor substrate 10 is irradiated in the anodizing step is determined according to the desired lens shape to obtain a distribution of holes, induced in the semiconductor substrate 10 in the anodizing step, corresponding to the desired lens shape. - 特許庁

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。例文帳に追加

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal. - 特許庁

殺虫成分、糖類およびアミノ化合物を構成成分として含有する害虫可食性の誘引成分に、亜硫酸化合物もしくはチオール化合物又はその両方を含有させた組成物を製造することにより誘引成分の変化が起こりにくい害虫誘殺性毒餌剤。例文帳に追加

The poison bait for attracting and exterminating pest insects and causing little change in the attracting component is obtained by producing a composition containing an insecticidal component, an insect-edible attracting component containing a sugar and an amino compound as constituent components and further containing a sulfite compound and/or a thiol compound. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。例文帳に追加

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film. - 特許庁

強酸化性金属イオン含有水溶液の処理方法については、貴金属分散・担持固体材料を少量添加し、放射線照射により前記水溶液中および固体材料表面に誘起される還元反応を利用して、強酸化性金属イオンを低い酸化状態に還元して無害化する。例文帳に追加

In the method for treating the strongly oxidizing metal ion-containing aqueous solution, the solid material dispersed and the supported with noble metal is added in the little quantity, and the strongly oxidizing metal ion is reduced into a low oxidizing state and made to harmless by utilizing the reduction to be induced in the aqueous solution and on the surface of the solid material, with the irradiation from the radiation. - 特許庁

水の存在下でＣＯ_２を含む気体を人工光合成誘起物１４の表層の光触媒酸化チタン１４ａに接触し、この状態で光触媒酸化チタン１４ａをセラミックスボール１４ａを構成するセラミックスとトルマリンとの相乗効果で生じた電磁波により励起し、人工光合成を起こす。例文帳に追加

A gas containing CO_2 is brought into contact with a photocatalyst titanium oxide 14a at a skin layer of the artificial photosynthesis induction substance 14 in the presence of water and the photocatalyst titanium oxide 14a is excited by an electromagnetic wave generated by synergistic effect of ceramics constituting a ceramics ball 14b and tourmaline to cause the artificial photosynthesis. - 特許庁

多孔質膜１１の材料としては、酸化物、窒化物及び炭化物の内の少なくとも１つを含むセラミックス、又は熱誘起型相分離法により製造したポリオレフィンを用いる。例文帳に追加

Ceramics containing at least one of an oxide, nitride and carbide, polyolefin prepared by the heat-induced phase separation method are used as a material of porous membrane 11. - 特許庁

光蓄電電極１に光が照射されると、光触媒粒子１ｂにおいて電子及び正孔が励起され、これらが電解液と導電性高分子膜１ａとの間に酸化還元反応を誘発する。例文帳に追加

When the photoelectric storage electrode 1 is irradiated with light, electrons and holes are excited in the photocatalyst particles 1b, they induce an oxidation-reduction reaction between an electrolytic solution and the conductive polymer film 1a. - 特許庁

これにより、アルカリ性物質である水酸化ナトリウムで毛根部分の細胞の蛋白質変性・分解などが誘起され脱毛処理が実現される。例文帳に追加

This constitution induces the protein degeneration and degradation of the cell in a hair root part with the sodium hydroxide, an alkaline material, to realize the depilation treatment. - 特許庁

表面プラズモン共鳴または局在プラズモン共鳴を誘起し得る構造の光学デバイスの特性が、金属膜の酸化により劣化することを防止する。例文帳に追加

To prevent the characteristics of an optical device, which has a structure capable of inducing surface plasmon resonance or local plasmon resonance, from being deteriorated by the oxidation of a metal film. - 特許庁

高温または長時間の熱処理を行わなくても酸化誘起積層欠陥の発生を完全に防止することができるシリコン基板の熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of heat treatment of a silicon wafer with which occurrence of stacking faults induced by oxidation is completely prevented without performing heat treatment at high temperature or for a long period. - 特許庁

欠陥が誘起され難くかつ水素や水分の耐性が強い金属酸化物をゲート絶縁膜として用いたＭＩＳ型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an MIS field effect transistor using metallic oxide the defect of which is not caused easily and which resists hydrogen and water as a gate insulating film, and to provide a method for manufacturing the transistor. - 特許庁

前記熱触媒作用は、熱エネルギーによって粒子表面に電子と正孔とを生成させ、体臭成分の酸化還元反応を誘起するものである。例文帳に追加

The thermally catalytic activity is such that electrons and positive holes are produced on the surfaces of the particles to induce the redox reaction of body smell components. - 特許庁

半導体装置に誘起されるチャージが要因とされるシリコン酸化膜の劣化を防止し、特性及び信頼性の高い半導体装置を製造することを可能にする。例文帳に追加

To fabricate a semiconductor device excellent in characteristics and reliability by preventing deterioration of a silicon oxide film due to charges being induced in the semiconductor device. - 特許庁

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。例文帳に追加

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system. - 特許庁