「2値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

撮像素子２の温度に応じて撮像素子２に供給する第２の素子出力レベル設定手段４２の出力値および第２の素子駆動信号供給手段４１の出力値を撮像素子２の出力レベルおよび赤外線検知素子２０〜２３に流すバイアス電流が一定になるように変化させることにより、撮像素子２の温度変化による出力のずれを解消する。例文帳に追加

The shift of output due to temperature change is of the imaging device 2 compensated by changing the output value of the second device output level setting means 42 which is supplied to the imaging device 2 and the output value of the second device driving signal supply means 41 to keep the output level of the imaging device 2 and the bias current which flows in a infrared detection device 20-23 constant. - 特許庁

フリッカ補正部１０は、記憶された周波数モードに基づいて、撮像素子２の電源オン操作時に撮像素子２のシャッタ値を調整する。例文帳に追加

A flicker correction part 10 adjusts the shutter value of the imaging element 2 when the power source of the imaging element 2 is turned on, based on the stored frequency mode. - 特許庁

そして、有機ＥＬ素子１に流れる電流の平均値が２０ｍＡ／ｃｍ^2以下である。例文帳に追加

The mean value of a current made flow through the organic EL elements is ≤20 mA/cm^2. - 特許庁

飽和電圧値及び／又は耐圧電圧値を超えている素子を検出する飽和・耐圧違反素子の検出方法で、素子が用いられる回路図を示す回路図データ２と、素子の端子電圧を解析した解析結果データ３とを与えるとともに、飽和電圧値及び／又は耐圧電圧値条件１を与え、飽和電圧及び／又は耐圧電圧違反の素子については、これを回路図上で明示する飽和・耐圧違反素子の検出方法。例文帳に追加

In this method for detecting an element exceeding a saturation voltage value and/or a withstand voltage value, a circuit diagram data 2 showing a circuit diagram where the element is used, and analysis result data 3 analyzing the terminal voltage of the element are given. - 特許庁

記憶素子(18)は、第1のポート(21)及び第2のポート(24)を有し、第1のポート(21)の値を、第2のポート(24)の値の反転値として維持する。例文帳に追加

The storage element 18 has a first port 21 and a second port 24, and keeps a value of the first port 21 as a reversed value of a value of the second port 24. - 特許庁

入力された高周波信号は、コンパレータ１で２値化され遅延素子群２の初段の遅延素子２１に入力される。例文帳に追加

The input high-frequency signal is binalized by a comparator 1 to be input into a delay element 21 in the first stage of a delay element group 2. - 特許庁

また、光検出素子３およびＴＦＴ素子２における特性をそれぞれ、高い値で両立させることができる。例文帳に追加

Further, characteristics of both the photo detector 3 and the TFT element 2 can be satisfied at high value. - 特許庁

外部磁界が、Ｈｅｘ２の場合、ＭＩ素子１とＭＩ素子３が外部磁界Ｈｅｘ２を検出し、その出力電圧１と出力電圧３を夫々検出したい外部磁界しきい値を越え、素子１と２がＯＮになる。例文帳に追加

When the external magnetic field is the Hex 2, the MI element 1 and the MI element 3 detect the external magnetic field Hex 2, the output voltage 1 thereof and an output voltage 3 thereof exceed respectively the external magnetic field threshold value, and the elements 1, 2 are turned on. - 特許庁

保守支援装置３は、制御装置２の演算素子パラメータ情報２２２の一部の演算素子パラメータの値を仮設定するとき、制御ロジック情報３２１に含まれる演算素子から仮設定対象演算素子を選択して、仮設定対象演算素子情報３２３を生成し、オペレータにより入力される演算素子のパラメータの値から仮設定演算素子パラメータ情報３２５を生成。例文帳に追加

A maintenance support device 3, for temporarily setting the values of a portion of arithmetic element parameters of arithmetic element parameter information 222 of a control device 2, selects a temporary setting target arithmetic element from arithmetic elements included in control logic information 321, generates temporary setting target arithmetic element information 323, and generates temporary setting arithmetic element parameter information 325 from the value of an arithmetic element parameter inputted by an operator. - 特許庁

第２番目以降のスイッチング素子Ｓｉ（ｉは２以上ｎ以下の整数）は、半導体レーザ素子Ｔｉにかかる電圧が閾値を超え、かつ、抵抗素子Ｒｉ−１にかかる電圧が閾値を超えている場合にオン状態になる。例文帳に追加

The second and succeeding switching element Si (wherein i is integers of 2 to n) turn on when voltages applied to semiconductor laser elements Ti exceed the threshold and voltages applied to resistive elements Ri-1 exceed the threshold. - 特許庁

バンプと電子素子とが接合している総面積を電子素子の質量で割った値、およびバンプと基板とが接合している総面積を電子素子の質量で割った値をともに８．８ｍｍ^2／ｇ以上に設定する。例文帳に追加

Both the value dividing the total area of bonding of a bump and the electronic element with the mass of the electronic element and the value dividing the total area of bonding of the bump and the substrate with the mass of the electronic element are set to be ≥8.8 mm^2/g. - 特許庁

抵抗値が温度に依存して変化する複数の発熱素子からなるサーマルヘッド２を用いる。例文帳に追加

A thermal head 2 consisting of a plurality of heating elements whose resistance value changes depending on a temperature is used. - 特許庁

光学素子１の光通過面２における面精度をＰＶ値で０．１〜１５０ｎｍとする。例文帳に追加

The figure accuracy in the optical passage surface 2 of the optical element 1 is set to 0.1-150 nm by PV value. - 特許庁

面発光素子ＶＣＳＥＬ１の閾値電流Ｉｔｈは、Ａ×(Ｔｋ−Ｔｏ)^２＋Ｂで表される。例文帳に追加

The threshold current Ith of the surface emitting element VCSEL1 is represented as A×(Tk-To)^2+B. - 特許庁

次に、ステップ１００で検知したＥＬＧ２の抵抗値と実素子１の抵抗値からＥＬＧ２と実素子１のオフセット値を計算する（ステップ１０２）。例文帳に追加

Then, offset values of the ELG 2 and the real element 1 are calculated based on the resistance value of the ELG 2 and the resistance value of the real element 1 detected in step 100 (step 102). - 特許庁

出力信号の直流レベルに対応した光量を放射する発光素子１と、発光素子１から放射される光を受光し受光量に応じて抵抗値が変化する受光素子２を備え、受光素子２の抵抗値の変化で複数のトランジスタＴＲ１，ＴＲ２のバイアスを変化させオフセットおよびドリフトを制御する。例文帳に追加

The change in the resistance value of the light receiving element 2 changes a bias to the plurality of transistors TR1, TR2 to control an offset and drift. - 特許庁

例えば、上記立体構造のシリコン酸化膜２上に抵抗素子や容量素子を形成し、これらを立体構造とすることで、平面構造の抵抗素子や容量素子に較べて、小さな面積で大きな抵抗値や容量値を付加させることができる。例文帳に追加

For example, a resistive element and a capacitive element are formed on the silicon oxide film 2 of the stereoscopic structure, and by forming these elements into the stereoscopic structure, a large resistive value and capacitive value can be loaded with a small area, compared to the resistive element and the capacitive element of a planar structure. - 特許庁

半導体装置は、複数の被評価素子（ＴＥＧ）２と、複数の被評価素子２のそれぞれに印加される電流値又は電圧値をモニタするモニタ用素子４と、複数の被評価素子２のそれぞれの一端と接続された複数の第１の電極パッド１と、モニタ用素子４の一端と接続された第２の電極パッド３とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device includes a plurality of evaluated elements (TEG) 2, a monitoring element 4 for monitoring a current value or voltage value applied to the plurality of evaluated elements 2 respectively, a plurality of first electrode pads 1 connected to respective one ends of the plurality of evaluated elements 2, and a second electrode pad 3 connected to one end of the monitoring element 4. - 特許庁

本発明に係るＰＴＣ素子２は、所定の温度領域において温度上昇に伴い抵抗値が増加する素子本体４と、素子本体４の表裏面に接合された２つの電極板１０、１２とを有する。例文帳に追加

The PTC element 2 comprises: the element body 4 where the value of resistance increases in accordance with an increase in temperature at a prescribed temperature region, and two electrode plates 10, 12 joined to the front and rear surfaces of the element body 4. - 特許庁

高調波引き込み現象防止装置２０は、ギャップ素子２１と、バリスタ素子２２と、抵抗値が５０Ω〜２ｋΩの範囲内にある抵抗素子２３とを直列に接続して構成されている。例文帳に追加

The harmonic pull-in phenomenon preventing device 20 is composed of a gap element 21, a varistor element 22, and a resistance element 23 whose resistance value is 50 to 2 kΩ connected in series. - 特許庁

各発光素子アレイチップ２の端部近傍の発光素子３に対して、所定の特性値の比較結果が他の部分より大きくまたは、小さくなるように各発光素子３の発光量を設定する。例文帳に追加

Emission of each light emitting element 3 is set such that the comparison results of a specified characteristic value for a light emitting element 3 in the vicinity of the end of each light emitting element array chip 2 are larger or smaller than the comparison results for other parts. - 特許庁

コンピュータ１８は、プリアンプ１６、ロックインアンプ１７によって増幅されたセンサ素子の出力値に基づいて、ウェーハ２にセンサ素子が形成された状態で、このセンサ素子の特性を評価する。例文帳に追加

A computer 18 evaluates the property of the sensor element, at the state which the sensor element is formed on the wafer 2, based on the output value of the sensor element which is amplified by a preamplifier 16, a lock-in amplifier 17. - 特許庁

ローバー５０の最終浮上面研磨工程において、実素子１の抵抗値が検知可能な領域で、ＥＬＧ２の抵抗値と実素子１の抵抗値を検知（測定）する（ステップ１００）。例文帳に追加

In the final floating surface polishing process of a rover 50, a resistance value of the ELG 2 and a resistance value of the real element 1 are detected (measured) in an area where the resistance value of the real element 1 is detectable (step 100). - 特許庁

ＥＬ素子を駆動するための電圧値よりも高い電圧値を入力とし、各単位ブロック１に設けられた降圧回路２で電圧値を低下させた後に駆動素子であるトランジスタ３に与える。例文帳に追加

A voltage reducing circuit 2 provided in each unit block 1 reduces a voltage value which is inputted as a voltage higher than the voltage value required to drive an EL element and transmits the reduced voltage to a transistor 3 that is a drive element. - 特許庁

付与された応力が、対となる電極２及び当該電極２の双方に接続される抵抗体３を有する抵抗素子５を変形することにより、当該抵抗素子５の抵抗値を変化させ、当該抵抗値変化により出力を得る応力センサにおいて、極端に抵抗素子５を構成する電極２高さを高めることなく、当該抵抗素子５の抵抗値変化率を大きくする。例文帳に追加

To increase a resistance value change rate of a resistance element 5 without heightening extremely a height of electrodes 2 constituting the resistance element 5, in a stress sensor wherein a resistance value of the resistance element 5 is changed by deforming the element 5 having the paired electrodes 2 and a resistor 3 connected to both electrodes 2 by an imparted stress, to obtain an output by the change of the resistance value. - 特許庁

例えば前記放電管素子２と、この放電管素子２の温度に依存する特性値を検出する特性値検出手段３とを備えていればよい。例文帳に追加

The device works sufficiently by being equipped with, for example, the discharge tube element 2 and a characteristic value detection means 3 for detecting a characteristic value dependent on the temperature of the discharge tube element 2. - 特許庁

乱数発生部２は、書込み確率が１であって、乱数発生素子の抵抗値を第１の抵抗値にするスピン注入電流を乱数発生素子に供給する１回目の書込みを行い、乱数発生素子の抵抗値を読出す１回目の読出しを行う。例文帳に追加

A random number generation part 2 performs first write to supply spin-injection currents to set the resistance value of a random number generation element to a first resistance value to a random number generation element with a write probability which is 1, and performs first read to read the resistance value of the random number generation element. - 特許庁

表示素子として機能する発光素子２を有する表示部３と、表示部３の表示時間をカウントするカウント手段７と、発光素子２への印加電流値又は印加電圧値を検出する検出手段６と、を備える。例文帳に追加

The device is equipped with a display element 3 having the light emitting element 2 functioning as a display element, a count means 7 for counting the display time of the display element 3 and a detection means 6 for detecting the applied current value or applied voltage value to the light emitting element 2. - 特許庁

スイッチ装置において、電圧駆動されるスイッチング素子２と、前記スイッチング素子を駆動する駆動波形の電圧変化率の最大値が所定値以下となるように前記スイッチング素子を電圧駆動する駆動手段１と、前記スイッチング素子に負帰還をかける負帰還手段４とを備える。例文帳に追加

The switch device is provided with a switching element 2 that is driven by a voltage, a drive means 1 that drives the switching element 2 with the voltage so that a maximum value of a rate of change in the voltage of a drive waveform driving the switching element 2 is a prescribed voltage or below, and a negative feedback means 4 that applies negative feedback to the switching element 2. - 特許庁

他方の容量素子電極層３と一方の容量素子電極層２との間に確実に一定の静電容量を生じさせて内蔵容量素子の静電容量の値を常に一定に維持することができるとともに、容量素子内蔵配線基板の小型化・低背化を容易とすることができる。例文帳に追加

A fixed electrostatic capacity is surely induced between the other capacitor electrode layer 3 and the one capacitor electrode layer 2 to make the electrostatic capacitance of the built-in capacitor constant, and the wiring board equipped with the built-in capacitor can be easily reduced in size and thickness. - 特許庁

本発明に係るＰＴＣ素子２は、所定の温度領域において温度上昇に伴い抵抗値が増加する素子本体４と、素子本体４の表裏面に接合された一対の第１電極板１０および第２電極板１２とを有するＰＴＣ素子２である。例文帳に追加

The PTC element 2 comprises an element body 4 having a resistance increasing as a temperature rises in a predetermined temperature region, a pair of first and second electrode plates 10 and 12 bonded to front and back sides of the element body 4. - 特許庁

本発明に係るＰＴＣ素子２は、所定の温度領域において温度上昇に伴い抵抗値が増加する素子本体４と、素子本体４の表裏面に接合された一対の第１電極板１０および第２電極板１２とを有するＰＴＣ素子２である。例文帳に追加

The PTC element 2 comprises: the element body 4 where the value of resistance increases in accordance with an increase in temperature at a prescribed temperature region; and a pair of first and second electrode plates 10, 12 joined to the front and rear surfaces of the element body 4. - 特許庁

遅延素子１と５、遅延素子２と６、遅延素子３と７、遅延素子４と８において入力データが順次シフトされる一方、コード１〜４、コード５〜８に逆拡散符号系列が順次シフトされ、入力データと逆拡散符号系列との相関値が計算される。例文帳に追加

While the input data are sequentially shifted by the delay elements 1 and 5, the delay elements 2 and 6, the delay elements 3 and 7 and the delay elements 4 and 8, inverse spread code sequence of the codes 1-4 and the codes 5-8 is sequentially shifted to calculate a correlation value between the input data and the inverse spread code sequence. - 特許庁

信号処理部３３は、撮像素子２０に光が入射する状態において、撮像素子２０の転送スイッチ２をオフにして撮像素子２０の平均値算出領域２２を読み出し、読み出した結果に基づき撮像素子２０の固定パターンノイズを算出する。例文帳に追加

The signal processing portion 33 reads out an averaging region 22 of the image sensor 20 by allowing the transfer switch 2 of the image sensor 20 to be off while the light is incident to the image sensor 20 and calculates fixed pattern noise of the image sensor 20 based on the read-out results. - 特許庁

対となる電極２間に電気素子特性決定部材３が配されてなる電気素子の製造方法において、電気素子特性決定部材３に対し気体中での放電を駆動力とする表面物質の除去を施すことで、当該電気素子の特性値を調整する過程を経ることを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing the electric element constituted of arranging an electric element characteristic determination member 3 between a pair of electrodes 2 has a process for adjusting the characteristic values of the electric element by removing a surface substance from the determination member 3 by using electric discharge in gas as a driving force. - 特許庁

次に、補正の対象である可変抵抗素子Ｒｖにミラー回路２から同じく定電流Ｉ１を流して、その際に可変抵抗素子Ｒｖに生じる電圧が前記基準抵抗素子Ｒに生じた電圧になるように、可変抵抗素子Ｒｖの抵抗値を調整する。例文帳に追加

The constant current I1 is then made flow similarly from the mirror circuit 2 to a variable resistor Rv which is a target of connection, and a resistance value of the variable resistor Rv is controlled, such that a voltage generated in the variable resistor Rv may become the voltage generated in the reference resistor R. - 特許庁

一般に、可変容量素子１１ｉａと１２ｉａ、１１ｉｂと１２ｉｂ（ｉ＝１、２、３）の容量値は異なる値に設定される。例文帳に追加

In general, capacitances of the variable capacitance elements 11ia, 12ia and 11ib, 12ib (i=1, 2 and 3) are set to different values. - 特許庁

発光素子１と駆動トランジスタ３の間にトランジスタスイッチ２を設け、（スイッチ２のオン時のゲート電圧）−（駆動トランジスタ３のしきい値電圧Ｖｔｈ）で表される電圧値を、発光素子の共通電極８に印加される電圧値よりも小さい値とする。例文帳に追加

A transistor switch 2 is provided between a light emitting element 1 and a driving transistor 3 and a voltage value represented by (gate voltage when a switch 2 is ON)-(threshold voltage Vth of the driving transistor 3) is set smaller than the voltage value of a voltage applied to a common electrode 8 of the light emitting element. - 特許庁

また素子全体の面積抵抗値が１０Ωμｍ^2以上、４０Ωμｍ^2以下であり、上側の絶縁層の面積抵抗値は、下側の絶縁層の面積抵抗値より高くする。例文帳に追加

Still further, a sheet resistivity value of the whole element is adjusted to be from 10 Ωμm^2 to 40 Ωμm^2, and a sheet resistivity value of the upper insulation layer 16U is adjusted to be higher than a sheet resistivity value of the lower insulation layer 16L. - 特許庁

一方、反転フラッグ素子に書き込まれた１ビットの情報が、第１の値とは異なる第２の値である場合に、他の記憶素子２に書き込まれた所定の単位数−１ビットの情報をそのまま読み出す。例文帳に追加

Meanwhile when one-bit information written in the reversed flag element is a second value that differs from the first value, one-bit information of the prescribed unit number written in other storage elements 2 are read out, as they are. - 特許庁

第１および第３のＭＲ素子１，３の各抵抗値は、信号磁場の変化に応じて互いに同じ向きに変化し、第２および第４のＭＲ素子２，４の各抵抗値は、それと反対向きに変化する。例文帳に追加

The respective resistance values of the first and third MR elements 1 and 3 change in the same direction mutually according to a change in a signal magnetic field, while the respective resistance values of the second and fourth MR elements 2 and 4 change in the direction opposite to that. - 特許庁

各素子３ａ〜３ｃの入力部の＋及び−は結合強度を表し、各入力部に入力される値はその結合強度の値と掛け算され、その後多数決がとられたものが出力層２の素子２ａに出力される。例文帳に追加

A sign of + or - of input sections of each of the elements 3a-3c depicts a coupling strength, the value received by each input section is multiplied with a value of the coupling strength and a result of the majority decision of the products after that is outputted to an element 2a of the output layer 2. - 特許庁

この方法を利用して、A(t)=Vt/Voの値を複数の時刻について算出する操作を2回以上繰り返えし、その値がすべて3以下のとき、この素子を、長期ドリフト性が安定している素子として選別する。例文帳に追加

This method is used to repeat the operation, where the value of A(t)=Vt/Vo is calculated at plural times of point, twice or more, and if this value is three or smaller at all points of time, this device is selected as a device of which the long-term drift property is stable. - 特許庁

駆動部８では、この距離検出素子５の抵抗値を検出し、その抵抗値と予め用意しておいた駆動条件のうちから最適な駆動条件を選択し、その駆動条件で電気熱変換素子２を駆動する。例文帳に追加

A drive section 8 detects resistance of the distance detecting element 5, selects optimal driving conditions from that resistance and preset driving conditions and drives the electrothermal conversion element 2 under the selected driving conditions. - 特許庁

電灯駆動装置１に、複数の電灯１０Ｌ，１１Ｌ（１０Ｒ，１１Ｒ）と接続された半導体素子２（３）の電圧を検出する素子電圧検出手段６と、検出された電圧から半導体素子に流れる電流の推定値を求め、この推定値に基づいて電灯の故障の有無を判定する手段５とを備える。例文帳に追加

This electric lamp driving device 1 is provided with an element voltage detecting means 6 detecting voltages of semiconductor elements 2 and 3 connected to a plurality of electric clamps 10L, 11L and 10R, 11R, and a means 5 determining the existence of a failure of the electric clamps based on an estimated value by determining estimated values of electric currents flowing to the semiconductor elements from the detected voltage. - 特許庁