「2値素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

この組電池は、電圧検出回路２が検出する素電池１の電圧差が設定値よりも大きく、かつ衝撃検出部３が衝撃を検出した状態で、制御回路５が電流遮断素子４をオフに制御して電流を遮断する。例文帳に追加

With the battery pack, the control circuit 5 controls the current interrupting element 4 in an off-state to interrupt the current, when the voltage differences of the unit batteries 1 detected by the voltage detecting circuit 2 are larger than a preset value and yet with the impact detecting part 3 in a state detecting the impact. - 特許庁

階調電圧生成回路１４内の複数の抵抗素子の段間の少なくとも一部に、γ補正電圧を印加するようにしたため、個々の液晶表示装置のガンマ値に合わせてγ補正を精度よく行うことができ、表示品質を向上できる。例文帳に追加

Since the gamma correction voltage is made to be applied at least to a part of stage intervals of a plurality of resistance elements in the gradation voltage generating circuit 14, the circuit part 2 can perform the gamma correction accurately in accordance with the individual gamma value of the liquid crystal display device to improve the display quality of the display device. - 特許庁

ギルバードセル型ミキサ回路３において、二重平衡接続した回路１と差動増幅回路２との動作電流の差の電流値を、電源よりエミッタへ供給する回路内に、第１・第２の抵抗素子23、24を、挿入接続したこと。例文帳に追加

In a Gilbert cell type mixer circuit 3, first and second resistance elements 23 and 24 are inserted and connected in a circuit for supplying a current value of a difference of operating currents of a double balance-connected circuit 1 and a differential amplifier 2 from a power source to an emitter. - 特許庁

フォトトランジスタやｃｄｓ素子などの照度センサ１により周囲照度を検知して制御部（マイコン）２により基準照度値との比較で白熱灯などの光源３の点灯／消灯を制御する照度センサ付き照明器具である。例文帳に追加

This is an illumination apparatus having an illuminance sensor 1 that detects the surrounding illumination intensity by means of a phototransistor and a cds element and controls lighting and turning off of the light of a light source 3 such as an incandescent lamp by a control section (microcomputer) 2 in comparison with the reference illumination intensity value. - 特許庁

直進光２を測定物５、３２に照射したときの散乱光を素子２３で受光し、その受光位置の違いによって出力する測定物５、３２の高さに対応する特性値から測定物５、３２の形状を計測する。例文帳に追加

The scattered light in the emission of a straight light 2 to a measuring matter 5, 32 is received by an element 23, and the shape of the measuring matter 5, 32 is measured from the characteristic value corresponding to the height of the measuring matter 5, 32 outputted by the difference in light receiving position. - 特許庁

制御回路２は、スイッチ素子のオン幅の上限値を大きくするソフトスタート制御を行う発振制御部１６と、発振制御部１６によりソフトスタート制御を行う時間を制御するソフトスタート期間制御部１５と、を備える。例文帳に追加

A control circuit 2 has: an oscillation controller 16 performing soft start control by which an upper limit value of an on-width of a switch element is raised; and a soft start period controller 15 controlling a time period of the soft start control by the oscillation controller 16. - 特許庁

前記ＴＲ１から液晶素子ＬＣへの制御信号を動作検証回路１の入力ＩＮとし、それが期待値と一致するか否かを論理判定回路３で判定し、判定結果をメモリ回路４で保持するとともに切換回路２への出力ＯＵＴとして導出する。例文帳に追加

A control signal from the TR1 to the liquid crystal element LC is regarded as the input IN of an operation inspecting circuit 1, a logic judging circuit 3 judges whether or not it matches with an expectation, and a memory circuit 4 holds the result of the judgment and at the same time, represents it as the output OUT to a switch circuit 2. - 特許庁

ランプ保護手段１７はスイッチング素子３の入力電圧と出力電圧に差がなく、しかもランプ電流がしきい値より大きい場合には、サイリスタ１８を導通させ、チョッパ回路２の出力を短絡して、放電ランプ１２を保護する。例文帳に追加

When there is no difference between the input voltage and the output voltage of the switching element 3 and the value of lamp current is larger than the threshold value, a lamp-protection means 17 turns on a thyristor 18, short-circuits the output of a chopper circuit 2 and protects the discharge lamp 12. - 特許庁

これにより上昇しようとする２次側出力Ａがスイッチング制御回路４にフィードバックされ、スイッチング制御回路４によって２次側出力Ａの電圧値が一定となるようにスイッチング素子２のデューティー比が低減される。例文帳に追加

As a result of this, the secondary-side output A that is just on a start to be boosted is fed back to a switching control circuit 4, and the duty ratio of a switching element 2 is reduced so that the voltage value of the secondary-side output A becomes constant by the switching control circuit 4. - 特許庁

磁気記録媒体２１の記録領域を加熱する、近接光発生素子３３の光パワー分布の半値幅を１００ｎｍ以下にすることで、磁気記録媒体２１の冷却時間を２ｎｓ以下にして、熱揺らぎの影響を抑制する。例文帳に追加

The influence of heat decay is suppressed by setting a half value width of optical power distribution of a proximity light generation element 33 heating a recording area of the magnetic recording medium 21 to 100 nm or less and making cooldown time of a magnetic recording medium 21 to 2 ns or less. - 特許庁

フォトトランジスタ・ｃｄｓ素子などの照度センサ１により周囲照度を検知して制御部（マイコン）２により設定照度値AD1aとの比較で発光ダイオードなどの光源３の点灯／消灯を制御する照度センサ付き照明器具である。例文帳に追加

It is a light fitting with an illuminance sensor, which detects ambient illuminance by the illuminance sensors 1 of such as a photo-transistor/cds element, and the like, and controls the lighting/putting-out-light of the light sources 3, such as light emitting diodes and the like, by comparison with a setting illuminance value AD1a by the control part (microcomputer) 2. - 特許庁

ビス２０，２１，２２，３０及び３１は、誘電体３への挿入長を変化することによって放射素子１と地板２との間の容量値が変化させることで、逆Ｆアンテナの共振周波数を変化させることができるという効果も兼ねている。例文帳に追加

A capacitance between the radiation element 1 and the ground plate 2 is changed by changing an insertion length of the machine screws 20, 21, 22, 30, 31 to the dielectric material 3 so as to change the resonance frequency of the inverted-F type antenna. - 特許庁

図２に示す連想メモリセルにおいて磁気抵抗素子ＴＲ１０１〜ＴＲ１０４はＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜であり、ビット線対（ＢＬ，／ＢＬ）、不一致検出線ＭＬおよび基準電流出力線ＭＳＬの電流磁界による磁化方向に応じた抵抗値を有する。例文帳に追加

In an associative memory cell shown in figure 2, magnetoresistive elements TR101-TR104 are a TMR film used for a MRAM, and have a resistance value on accordance with a magnetizing direction by current magnetic fields of a pair of bit line (BL, /BL), an uncoincidence detecting line ML, and a reference current output line MSL. - 特許庁

過電流保護回路（１０）は、負荷（２）を駆動するための駆動素子（３０１〜３０４）に流れる電流を監視し、当該電流が所定の閾値以上となったことを検出した場合には、検出結果に応じて所定の保護時間だけ前記負荷の駆動を停止させるための制御を行う。例文帳に追加

An overcurrent protection circuit (10) monitors a current passing through driving elements (301-304) for driving a load (2), and when detecting that the current is not less than a prescribed threshold value, controls to stop driving the load for a prescribed protection time in accordance with the detected result. - 特許庁

このようなアクティブ型ＲＦＩＤタグは、演算部３１により、光検出部２の光導電素子２２にて検出された実照度をＡ／Ｄ変換回路３３を介して認識し、不揮発性メモリ３４の照度閾値を超えたと判定した場合に、送信信号を作成する。例文帳に追加

In the active RFID tag, the operation part 31 recognizes the real illuminance detected by a photoconductive element 22 in the photodetection part 2 through an A/D conversion circuit 33, and at the time of determining that the real illuminance exceeds an illuminance threshold stored in the nonvolatile memory 34, prepares a transmission signal. - 特許庁

スピーカー・ユニット駆動負帰還増幅器において、スピーカー・ユニット２を負帰還回路網の一部として用い、負帰還量を十分にかけ、かつそれに直列につながるインピーダンス素子Ｚ１３を約スピーカー・ユニットと同じ値とすることによって解決した。例文帳に追加

In the negative feedback amplifier driving the loudspeaker unit, the loudspeaker unit 2 is used as a part of the feedback circuit network, an amount of negative feedback is fully applied, and an impedance element Z13 connected to the circuit network in series, is nearly the same value of the loudspeaker unit. - 特許庁

ＣＰＵ１２は、傾斜センサー１４でから出力された信号値に基づいて、撮像素子２で被写体像が撮像されたときのカメラボディ１００の傾斜角度θを算出し、カメラボディ１００の９０度毎の縦横の向きを判定する。例文帳に追加

A CPU12 calculates an inclination angle θ of a camera body 100 when a subject is imaged with an imaging element 2, based on the signal value outputted from an inclination sensor 14, for determining vertical and horizontal of the orientation of the camera body 100 by each 90°. - 特許庁

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。例文帳に追加

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10. - 特許庁

レンズ３を介して原稿台ガラス２上に置かれた原稿Ｃを電荷結合素子センサ４で読み取る画像読み取り装置において、読み取り位置ズレを補正するために補正値を演算する補正演算部１７と補正処理を行う補正処理部１８とを有する。例文帳に追加

In the image reader for reading an original C which is placed on original platen glass 2 via a lens 3 with a charge coupled device sensor 4, the apparatus has a correction operating part 17 for operating a correction value in order to correct the read position deviation, and a correction processing part 18 for performing correcting processing. - 特許庁

本発明は、光源１と偏光子２と液晶セル３と検光子４と受光器５とにより光学素子が構成され、受光器５により測定された透過光強度を電流電圧変換回路８で電圧値として変換して電圧計９にて測定する。例文帳に追加

A light source 1, a polarizer 2, a liquid crystal cell 3, an analyzer 4, and a light receiver 5 constitute an optical element wherein the intensity of transmitting light measured by the light receiver 5 is converted through a current/voltage conversion circuit 8 into a voltage being measured by a voltmeter 9. - 特許庁

静電容量値は、たとえば、２の重み付けがされている静電容量素子Ｃ１１〜Ｃ１３は、たとえば、４ビットの周波数調整制御信号ＳＥＬＣ０〜ＳＥＬＣ３に基づいて、スイッチＣＳＷ０〜ＣＳＷ３が選択し、周波数の切り替えを行う。例文帳に追加

The capacitance value of the capacitance elements C11 to C13 to which a weight of 2 is added is selected by the switches CSW0 to CSW3 based on 4-bit frequency adjustment control signals SELC0 to SELC3, thereby switching the frequency. - 特許庁

この後、アニール工程等により加熱されチャネル領域ＣＨから不純物が素子分離領域１０側に放出されやすくなっても特にシリコン基板２の表面に近い側からの不純物放出を抑制でき、セルトランジスタＴｒの閾値電圧を安定的に保つことができる。例文帳に追加

After this, even if impurities are easily discharged from the channel region CH to the element separation region 10 side heated by an anneal process and the like, a threshold voltage of a cell transistor Tr can be kept stable by suppressing the impurities discharged from the side near especially the surface of the silicon substrate 2. - 特許庁

ＳＡＷ素子の動作温度範囲は、圧電基板２の周波数温度特性が２次曲線又は３次曲線で表される場合に、その極値となる温度を含まないように設定し、該２次曲線又は３次曲線が温度の上昇に関して常に正方向に変化するようにする。例文帳に追加

When the frequency versus temperature characteristic of the piezoelectric substrate 2 is expressed by a quadratic curve or a cubic curve, the operation temperature range of the SAW element is set not to include a temperature to be an extremal value but allow the quadratic curve or the cubic curve to always change in a positive direction for the rise of a temperature. - 特許庁

エリアセンサ（固体撮像素子）３より送出される輝度信号によって検出される被写体の輝度がある一定の値（例えば、７００ｃｄ／ｍ^2）よりも明るくなるとき、切換判定回路５がエリアセンサ３を対数変換動作させるべきであると判定する。例文帳に追加

When the luminance of a subject detected by a luminance signal sent from an area sensor (solid state image pickup element) 3 is brighter than a certain fixed value (e.g. 700 cd/m2), a switching judgment circuit 5 judges that the area sensor 3 is allowed to execute logarithmic transformation operation. - 特許庁

このため、ビット線２が、均一な断面積を有する場合と比べてＭＴＪ素子２４など他の構成要素の配置位置に応じて有効に空間を利用した形状となり、Ｘ軸方向において十分にその抵抗値を低減することができる。例文帳に追加

Thereby, the bit lines 2 become a shape effectively utilizing the space corresponding to the disposition of other elements such as the MTJ elements 24, compared with that of having the uniform cross-sectional area, and the resistance can be reduced sufficiently in the X-axial direction. - 特許庁

半導体基板からなるフレーム１と、その内方に弾性を有するビーム２，２により揺動自在に支持された重り部３と、ビーム２に設けられて作用する加速度により抵抗値の変化するピエゾ抵抗２１，２１，…と、フレーム１に設けられてピエゾ抵抗２１，２１からの信号を取り出す電極４，４，…と、からなる半導体加速度センサ素子。例文帳に追加

This semiconductor acceleration sensor element comprises a frame 1 comprising a semiconductor substrate, an overlapping part 3 supported rockably by beams 2, 2 having elasticity inside, piezo resistances 21 provided on the beam 2 and having resistance values changing by an applied acceleration, and electrodes 4 provided on the frame 1, for taking out signals from the piezo resistances 21, 21. - 特許庁

インバータ制御装置２は、整流回路ＲＣ、メインリレー１０、平滑コンデンサＣ、スイッチング素子Ｔｒ１〜６有するインバータ回路３０、コンデンサ放電制御部１１０、電圧検出部１２０、および基準電圧値Ｖｓと基準電圧値Ｖｓに対応する基準デューティ比Ｄとを記憶する記憶部１３０を備える。例文帳に追加

An inverter controller 2 includes a rectifier circuit RC, a main relay 10, a smoothing capacitor C, the inverter circuit 30 having switching elements Tr1-6, a capacitor discharge control section 110, a voltage detection section 120, and a memory 130, which stores a reference voltage value Vs and a reference duty ratio D, corresponding to the reference voltage Vs. - 特許庁

電子カメラ１４の撮像素子１６から出力される画像信号から得られる１フレーム毎のフレーム画像データに基づいてフォーカス評価回路２５により顕微鏡本体１における試料２に対するフォーカス評価値を求め、このフォーカス評価値に基づいてＡＦ装置２０によって焦準ハンドル４を回転させて合焦点を得る。例文帳に追加

A focus evaluation value for a sample 2 in a microscope body 1 is obtained by a focus evaluation circuit 25 based on the frame image data of every frame obtained from the image signal outputted from the imaging device 16 of an electronic camera 14, and a focusing handle 4 is rotated to obtain a focusing point by an AF device 20 based on the focus evaluation value. - 特許庁

画像平均値算出手段２にて算出した水平または垂直方向に画像信号の平均値と、フリッカ周波数算出手段５にて交流電源周波数と撮像素子のフレーム周波数から算出したフリッカ周波数を用いて、フリッカデータ抽出手段３、４によって、フリッカデータを抽出する。例文帳に追加

An average value of a picture signal in the horizontal or vertical direction, which is calculated in a picture average value calculation means 2, and a flicker frequency calculated in a flicker frequency calculation means 5 by an AC supply power frequency and the frame frequency of an imaging device are used to extract flicker data by flicker data extraction means 3 and 4. - 特許庁

画像生成部４は、発光源２から対象空間に照射された光と対象空間内の対象物Ｏｂで反射され光検出素子１で受光される反射光との対応関係によって対象物Ｏｂまでの距離を求め、対象空間の各方向に対応する画素値が距離値である距離画像を生成する。例文帳に追加

An image generation part 4 determines the distance to the object Ob by a correlation between light irradiated from the light emitting source 2 into the object space and reflected light reflected by the object Ob in the object space and received by the photodetection element 1, and generates a distance image wherein a pixel value corresponding to each direction in the object space is a distance value. - 特許庁

明度調整手段１１０は、ＬＳＩテスタ１０１から被試験半導体素子１０６へ供給される電気的制御内容と、電子ビーム系制御手段１０８から電子ビーム系（電子ビーム発生源104、2次電子検出器１０５）への制御内容から導出される像観測条件とに、基づき明度の制御値の初期値を導出する。例文帳に追加

A lightness adjusting means 110 draws the initial value of a lightness control value, based on the contents of electric control supplied from an LSI tester 101 to a semiconductor element 106 to be tested and image observing conditions drawn from the contents of control supplied from an electron beam system control means 108 to an electron beam system (a electron beam generating source 104 and a secondary electron detector 105). - 特許庁

画像生成部４は、発光源２から対象空間に照射された光と対象空間内の対象物で反射され光検出素子１で受光される反射光との対応関係によって対象物Ｏｂまでの距離を求め、対象空間の各方向に対応する画素値が距離値である距離画像を生成する。例文帳に追加

An image generation part 4 obtains a distance to an object Ob in accordance with a correspondence relation between light radiated from the light emission source 2 to the object space and reflected light which is reflected by the object in the object space and is received by the photodetector 1, and generates a depth map wherein pixel values corresponding to respective directions of the object space are distance values. - 特許庁

画像生成部４は、発光源２から対象空間に照射された光と対象空間内の対象物Ｏｂで反射され光検出素子１で受光される反射光との対応関係によって対象物Ｏｂまでの距離を求め、対象空間の各方向に対応する画素値が距離値である距離画像を生成する。例文帳に追加

An image generation part 4 obtains a distance to an object Ob in accordance with a correspondence relation between light radiated from the light emission source 2 to the object space and reflected light which is reflected by the object Ob in the object space and is received by the photodetector 1, and generates a depth map wherein pixel values corresponding to respective directions of the object space are distance values. - 特許庁

この偏波面保持ファイバー５に対して、測定光ＳＬの位相差に変化を与え得る外乱Ｔを周期的に与える外乱付与機構４０によって周期的な外乱Ｔが偏波面保持ファイバー５に強制的に与えられている間に求められた測定情報Ｓを平均し、その測定情報Ｓの平均値Ｓａに基づきファラデー素子２周辺の磁界強度や電流値を得る。例文帳に追加

Measurement information S acquired during the forcible application of the periodic disturbance T to the polarized wave plane maintenance fiber 5 by the disturbance application mechanism 40 is averaged, a magnetic field intensity near a Faraday element 2 or a current is obtained on the basis of an average value Sa of the measurement information S. - 特許庁

互いに対向して配される一対の基板間に液晶が封入された液晶表示素子で、該液晶層の厚さを一定に保つために配置された樹脂製スペーサーにおいて、該スペーサーの膜厚の標準偏差値が平均値の２％以下であることを特徴とする液晶パネル用スペーサー。例文帳に追加

The spacer for the liquid crystal panel, which is made of resin and disposed for keeping a fixed thickness of a liquid crystal layer in the liquid crystal display device having the liquid crystal sealed between a pair of substrates disposed oppositely to each other is characterized in that the standard deviation value of the thickness of the spacer is 2% or less of the mean value of the thickness. - 特許庁

スイッチング素子Ｑ１のオフ時電圧を監視する検出回路４は、スイッチング回路２内に設けた検出点の電圧Ｖｒが比較基準値以上となったときに検出信号を出力する比較器４２と、放電灯３に供給される負荷電圧Ｖｌａを検出して負荷電圧Ｖｌａが増大するにつれて前記比較基準値を高く設定する演算回路４１を有する。例文帳に追加

The detecting circuit 4 monitoring the off-time voltage of the switching element Q1 is provided with a comparator 42 outputting a detection signal when a voltage Vr at a detection point provided in the switching circuit 2 goes beyond a comparison reference value, and an arithmetic circuit 41 setting the comparison reference value higher as a load voltage V1a supplied to the discharge lamp 3 is detected as increasing. - 特許庁

基板上に電極と少なくとも１層以上の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１層はホスト化合物とドーパントを含有する発光層であり、該ホスト化合物がアニオンラジカルとなる場合のＧａｕｓｓｉａｎ９８を用いて計算した再配向エネルギーの値が０ｅＶを超えて０．５０ｅＶ以下であり、前記有機層は有機溶媒を１０^-2〜１０^3ｐｐｍ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。例文帳に追加

In the organic electroluminescent element having an electrode and at least one organic layer on a substrate, at least one organic layer is a light emitting layer containing a host compound and a dopant, reorientation energy value calculated using Gaussian 98 when the host compound becomes anion radical is 0 to 0.50 eV, and the organic layer contains organic solvent by 10^-2 to 10^3 ppm. - 特許庁

表示装置は、交流電源を直流に変換する交流直流変換部２と、交流直流変換部２から給電され非常時に動作する非常用電源３と、給電された電流を所望の電流値に制御する電流制御部４と、有機ＥＬからなる複数の面状発光素子５、６とを備える。例文帳に追加

The display device includes: an AC/DC converting unit 2 converting an AC power supply into a DC power; an emergency power supply 3 powered by the AC/DC converting unit 2 and operating in emergency; a current controller 4 controlling the supplied current into a desired current value; and a plurality of surface light-emitting elements 5, 6 comprising organic EL elements. - 特許庁

位相参照式の同期ＰＷＭ制御において、電力変換器２の半導体スイッチ素子をオン／オフ駆動するスイッチ指令にデッドタイムＴｄを挿入するのに伴って電力変換器２の出力電圧誤差が生じないように、スイッチ指令の生成に使用する位相閾値をデッドタイム補償位相Δθで補正してデッドタイム補償を行うデッドタイム補償器１４を設けた。例文帳に追加

In the synchronous PWM control of phase reference type, a dead time compensator 14 performing dead time compensation by correcting the phase threshold used for generating a switch command with the dead time compensation phase Δθ is provided so that the output voltage error of the power converter 2 does not arise when a dead time Td is inserted into the switch command for on/off driving the semiconductor switch element of the power converter 2. - 特許庁

車両用発電機２の電圧制御装置１において、互いに直列に接続されたイグニッションスイッチ３と低消費電力で駆動する発光素子（発光ダイオード４）を介してバッテリ５の電圧を入力する入力端子Ｌを有し、この入力端子Ｌの電圧が所定値を越えた時に車両用発電機２のロータコイル２０１の励磁を開始する。例文帳に追加

The voltage controller 1 of a generator 2 for vehicle has an input terminal L receiving the voltage of a battery 5 through ignition switches 3 connected in series and a light emitting element (a light emitting diode 4) operating with low power consumption and excitation of the rotor coil 201 of the generator 2 for vehicle is started when the voltage at the input terminal L exceeds a given level. - 特許庁

エンジン始動時間経過後の近未来のモーター２の回転速度とスイッチング素子のジャンクション温度とを常に推定し、これらの推定値に基づいてエンジン始動時間経過後にモーター２がロック状態にあって、且つ、モーター２のトルク制限が必要と判定されると、直ちにエンジン３を始動するようにした。例文帳に追加

A rotational speed of the motor 2 and a junction temperature of a switching element in the near future after an engine start-up time are continuously estimated, and according to the estimates, if the motor 2 is determined to be in a locked state and require torque limiting after the engine start-up time, the engine 3 is started immediately. - 特許庁

一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する発光素子の有機化合物層の少なくとも一つが、有機化合物に起因する不純物の含有量がヘキサデカン換算値で１０ｎｇ／ｃｍ^2以下となる有機化合物層とするか、有機化合物に起因する不純物の含有個数が１０個以下となる有機化合物層とした。例文帳に追加

In a luminous element, at least one of organic compound layers of layers in the luminous element located between a pair of electrodes contains 10 ng/cm^2 or less of impurity due to an organic compound when hexadecane conversion is carried out, or contains 10 impurities or less due to the organic compound. - 特許庁

交流電源１から供給される交流電圧を整流回路２で直流母線電圧９に変換し、制御部７はその直流母線電圧９の電流と電圧とを電流検出部６と電圧検出部８との検出値に基づいてスイッチング素子４のＯＮ／ＯＦＦを切り替えることで、ヒータ５の発熱量を制御する。例文帳に追加

An AC voltage supplied from an AC power supply 1 is converted to a DC bus bar voltage 9 by a rectifier circuit 2, and a control section 7 controls the heating value of the heater 5 by switching on/off a switching element 4 based on values of current and voltage of the DC bus bar voltage 9 detected by a current detecting section 6 and a voltage detecting section 8. - 特許庁

パッケージ２は、各ＬＥＤチップ１ａ〜１ｄが一表面側に実装される実装基板２ａと、実装基板２ａの上記一表面側に配置されＸＹＺ表色系での三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚそれぞれを検出する３種類のカラーセンサ４Ｒ，４Ｇ，４Ｂが形成された光検出素子成基板４０とを備えている。例文帳に追加

The package 2 includes: a mounting substrate 2a having the LED chips 1a to 1d mounted on one surface side; and an optical detecting element formation substrate 40 including three kinds of color sensors 4R, 4G and 4B disposed on the one surface side of the mounting substrate 2a and detecting tristimulus values X, Y and Z of an XYZ color system. - 特許庁

上記の保護回路５１は、ゲートしきい値電圧が各々異なり負荷電流検出回路５０から出力される同一の負荷電流対応電圧Ｖ_Cがゲートに加えられる２つのＭＯＳＦＥＴ３３，４０を、パワースイッチ素子２のゲート電圧Ｖ__Gを２段階に変化させる保護用スイッチとして用いる。例文帳に追加

The protecting circuit 51 uses two MOSFET 33 and 40, with which gate threshold voltages are respectively different and the same load current correspondent voltage VC outputted from the load current detecting circuit 50 is impressed to gates, as switches for protection for changing the gate voltage VG of the power switch element 2 on two stages. - 特許庁