「BLOCKING LAYER」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In a first particular generalized embodiment, a light blocking layer is located and formed interposed between a first semiconductor layer including a photoactive region and a second semiconductor layer including at least a second transistor or a floating diffusion region shielded by the light blocking layer.例文帳に追加

第１の特定の一般化された実施形態において、光ブロッキング層は、光活性領域を含む第１の半導体層と、光ブロッキング層によって遮蔽された少なくとも第２のトランジスタ又は浮遊拡散部を含む第２の半導体層との間に挿入されて配置及び形成される。 - 特許庁

The invention relates to the resin coated sheet including the sheet like supporting body with a resin layer and a blocking inhibiter layer sequentially layered on at least one side, wherein the glass transition temperature (Tg) of the resin layer is not more than +60°C, and the blocking inhibitor layer has a thickness of 0.1-20 μm.例文帳に追加

シート状支持体の少なくとも片面に樹脂層とブロッキング防止層を順次設けた樹脂塗工シートにおいて、前記樹脂層のガラス転移温度（Ｔｇ）が＋６０℃以下、且つ前記ブロッキング防止層の厚さが０．１〜２０μｍの構成とする。 - 特許庁

The moisture absorbing non-organic chemical compound of the moisture absorbing layer is further preferably the one whose main constituent is calcium oxide, while the gas-blocking layer is further preferably made of polyolefin resin mixed with moisture absorbing non-organic chemical compound or moisture absorbing organic compound or with a mixture of these two, and the gas blocking layer is preferably a sealant layer.例文帳に追加

吸湿層の吸湿性無機化合物が酸化カルシウムを主成分とするとさらに好ましく、ガスブロック層が、ポリオレフィン樹脂に吸湿性無機化合物または吸湿性有機化合物またはこれらを配合しても好ましく、ガスブロック層がシーラント層である場合も好ましい。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is obtained by sequentially stacking at least a charge blocking layer, a moire preventive layer, and a photosensitive layer on a conductive support, wherein the charge blocking layer contains N-alkoxymethylated nylon and has a contact angle to water of 55-65°.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも電荷ブロッキング層、モアレ防止層、感光層の順に積層されてなる電子写真感光体において、該電荷ブロッキング層がＮ−アルコキシメチル化ナイロンを含み、水に対する接触角が５５〜６５°であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

To selectively remove a blocking film of the chamfered part of a substrate, without causing unevenness in the form of the blocking film on the back of an epitaxial wafer silicon single-crystal substrate for restricting a production of a nodule in the chamfered part when an epitaxial layer is growth, and further to efficiently and accurately remove the blocking film of this chamfered part with high productivity.例文帳に追加

エピタキシャル層を成長する際に面取り部においてノジュールが生成するのを抑制するために、エピタキシャルウエーハ用シリコン単結晶基板裏面のブロッキング膜の形状にむらが生じないように該基板の面取り部のブロッキング膜を選択的に除去する。 - 特許庁

When an antireflection layer and a near IR light blocking layer are formed on each of both surfaces of a transparent base material to form a laminate, the near IR light blocking layer is formed by using a near IR light absorbing dyestuff, a binder resin and also minute solid particles which have an average primary grain size of ≥1 μm and are smaller than thickness of the near IR light blocking layer.例文帳に追加

透明基材の両面にそれぞれに反射防止層と、近赤外線遮蔽層を形成するに当り、近赤外線遮蔽層を、近赤外線吸収色素及びバインダー樹脂に、平均１次粒子径が１μｍ以上であって、前記近赤外線遮蔽層の厚さより小さい微小固体粒子を併用して積層体を形成する。 - 特許庁

A light emitting device 100 includes a pixel having a substantially transparent anode 111; a hole transporting layer 112 over the anode; a light emission layer 113 over the hole transporting layer; a blocking layer 114 over the light emission layer; an electron transporting layer 115 over the blocking layer; and a cathode 117 in electrical contact with the electron transporting layer.例文帳に追加

実質的に透明な陽極１１１と、陽極を覆う正孔輸送層１１２と、正孔輸送層を覆う発光層１１３と、発光層を覆う障壁層１１４と、障壁層を覆う電子輸送層１１５、および電子輸送層と電気的接触状態にある陰極１１７を有するピクセルを含んでいる発光デバイス１００。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁

A hole injected layer 3, a hole carrier layer 4, a mixture luminescent layer 5, a hole blocking layer 6, an electron injection layer 7 and a cathode 8 are formed on an anode 2.例文帳に追加

陽極２上に正孔注入層３、正孔輸送層４、混合物発光層５、正孔阻止層６、電子注入層７および陰極８が形成される。 - 特許庁

The photoconductor includes a supporting substrate, an optional ground plane layer, an optional hole blocking layer, a photogenerating layer, and at least one charge transport layer, wherein the charge transport layer contains a polyalkylene glycol benzoate.例文帳に追加

支持基板、随意的接地板層、随意的ホールブロック層、光生成層、および少なくとも1つの電荷輸送層を含み、さらに、電荷移動層がポリアルキレングリコールベンゾエートを含む光伝導体。 - 特許庁

To prevent a curling phenomenon in a photoconductor which includes a supporting substrate, an optional ground plane layer, an optional hole blocking layer, an optional adhesive layer, a photogenerating layer, and at least one charge transport layer.例文帳に追加

支持基板、任意のグラウンドプレーン層、任意の正孔阻止層、任意の接着層、光生成層、および少なくとも１つの電荷輸送層を有する光導電体のカール現象を防止する。 - 特許庁

A separation layer 3 of a reverse blocking IGBT consists of the heat diffusion layer 7 and the diffusion layer 21 within the trench, and the heat diffusion layer 7 can be shallowly formed by forming the diffusion layer 21 within the trench, allowing the thermal diffusion time to be considerably reduced.例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴの分離層３はこの熱拡散層７と溝内拡散層２１からなり、溝内拡散層２１を形成することで熱拡散層７を浅く形成できて、熱拡散時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁

Thereafter, the seed layer is formed on the blocking layer and then electrolytically polished (36), and after the electrolytic polishing of the seed layer, a copper substance layer is formed on the polished seed layer by using an electric plating process (38) to fill the recess.例文帳に追加

その後、前記シード層を阻止層上に形成した後に電解研磨し（３６）、前記シード層の電解研磨後、銅物質層が電気メッキ工程（３８）を用いて前記研磨されたシード層上に形成されて前記リセスを埋め込む。 - 特許庁

A dimensionally patterned decorated plate is obtained by forming a barrier layer on a base material, forming a transparent resin layer on the barrier layer and further forming a printed layer on the transparent resin paper by use of a light blocking ink, the barrier layer and the base material having a color of the same kind.例文帳に追加

基材上にバリア層を設け、このバリア層上に透明樹脂層を形成し、さらにこの透明樹脂層に遮光性インクで印刷層を形成するとともに、バリア層と基材を同色とした。 - 特許庁

The photoreceptor is preferably a function separating type photoreceptor including a charge blocking layer, a moire prevention layer, a charge generation layer 35, a charge transport layer 37 and a crosslinked surface layer 39, which are provided in this order on a conductive support 31.例文帳に追加

また、前記感光体が導電性支持体３１上に電荷ブロッキング層、モアレ防止層、電荷発生層３５、電荷輸送層３７、架橋表面層３９の順に設けられた機能分離型の感光体であることが好ましい。 - 特許庁

A triple layer constituted of a tunneling insulating layer, the charge storing layer and a blocking insulating layer, and a second conducting layer are formed in order on the whole surface of the substrate on which the first conducting film is formed.例文帳に追加

第１導電膜が形成された基板の全面にトンネリング絶縁層、電荷貯蔵層及びブロッキング絶縁層で構成された三重層と第２導電膜層を順次に形成する。 - 特許庁

In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.例文帳に追加

コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁

To prevent deterioration of blocking performance in an electrostatic recording body manufactured by forming a stripe electrode on a support body and forming a blocking layer on it.例文帳に追加

支持体上にストライプ電極が形成され、その上にブロッキング層が製膜されてなる静電記録体において、ブロッキング性能の悪化を防止する。 - 特許庁

At a voltage blocking structure part of a reverse blocking type IGBT, a surface layer on a top side of an n-type drift region 1 is provided with a plurality of field limiting rings (FLR) 2 and a channel stopper 3.例文帳に追加

逆阻止型ＩＧＢＴの耐圧構造部には、ｎ型ドリフト領域１のおもて面の表面層に、複数のフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）２およびチャネルストッパー３が設けられている。 - 特許庁

In the blocking layers 15a and 15b, the blocking layers 15a and 15b and the Dye layer 14 emit red light by recombination in the form of an excited complex.例文帳に追加

第１および第２のホールブロッキング層１５ａ、１５ｂにおいては、励起錯体の形で再結合することにより、第１および第２のホールブロッキング層１５ａ、１５ｂおよびＤｙｅ層１４は赤色の光を発する。 - 特許庁

Sources or drains 14 of transistors, and photodiodes 13 which constitute light blocking pixel covered by a light blocking layer 16 are formed in a surface of a highly doped well 20 formed in a lightly doped substrate 11, forming the potential barrier ΔV from the lightly doped substrate 11 toward the heavily doped well 20.例文帳に追加

遮光層１６で覆われた遮光画素を構成するトランジスタのソースまたはドレイン１４およびフォトダイオード１３は、低濃度基板１１に設けられた高濃度ウェル２０の表面に形成されている。 - 特許庁

To detect the blocking of an exhaust pipe by dew condensation of the air penetrated from the outside of the exhaust pipe and surely prevent an accident by providing a means for detecting the pressure of the coolant gas layer within a low-temperature thermostat and detecting the freezing blocking of the exhaust pipe.例文帳に追加

生体磁気計測装置の冷却装置において、低温恒温槽の排気管外部から侵入した空気の結露凝結（凍結）による排気管閉塞やボイルオフ等を検知して、未然の事故防止を確実に図る。 - 特許庁

To provide printed matter having sufficient light-blocking ability without thickening the entire light-blocking layer, and without unevenness being formed on a surface when the printed matter is viewed, and to provide a method of manufacturing the printed matter.例文帳に追加

遮光層全体の厚さを厚くすることなく、かつ、印刷物を視認する方向から見て、表面に凹凸が形成されることなく、十分な遮光性を有する印刷物および印刷物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An approximately L-shaped seal body 24 across the second longitudinal separation line 22 at a position before the horizontal separation line 18 is stuck to the surface of the release part 16 as a blocking layer for blocking the progress of breakage along the second longitudinal separation line 22.例文帳に追加

離脱部１６の表面には、横切離線１８の手前位置において第二縦切離線２２を跨ぐ略Ｌ字上のシール体２４が、第二縦切離線２２に沿った破断の進行を阻害する阻害層として貼着されている。 - 特許庁

Configuring each of the layers 202a and 202b with an organic material enables homogeneity of the charge blocking layer 202 to be improved, thereby improving blocking performance.例文帳に追加

各層２０２ａ，２０２ｂを有機材料とすることで、電荷ブロッキング層２０２の均質性を向上させることができ、ブロッキング性能を向上させることができる。 - 特許庁

The development processor for processing a photosensitive planographic printing plate having an image forming layer and an oxygen blocking layer on a supporting body processes the removed oxygen blocking layer dissolved in washing water by the following means (A) and (B).例文帳に追加

支持体上に画像形成層、酸素遮断層を有する感光性平版印刷版を処理する現像処理装置において、取り除き、且つ、水洗水に溶解した該酸素遮断層を以下のＡ）、Ｂ）の手段で処理することを特徴とする現像処理装置。 - 特許庁

The substrate 200 for the display device comprises; a main substrate 202 which is an inorganic laminar compound as a main material; an impurities blocking layer 203 arranged on the main substrate; and a semiconductor layer 212 arranged on the impurities blocking layer 203.例文帳に追加

この表示装置用基板２００は、無機層状物質を主体とする主基板２０２と、この主基板上に配置される不純物阻止層２０３と、この不純物阻止層２０３上に配置される半導体層２１２と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The light-emitting device comprises a current blocking layer 32 which is formed on a GaAs substrate 28 having a (100)-like face as a major face; and first and second extended portions 30, 31 of the current blocking layer 32, which are formed continuously from the current blocking layer 32 and extended substantially perpendicular to flat surfaces of the GaAs substrate 28, respectively.例文帳に追加

ほぼ（１００）面を主面とするＧａＡｓ基板２８上に形成された電流阻止層３２を含む発光素子と、この電流阻止層３２に連続形成され、前記ＧａＡｓ基板のフラット面それぞれ実質的に垂直な方向に延長された第１および第２の電流阻止層延長部３０、３１が形成されている。 - 特許庁

This nitride semiconductor light emitting device comprises: an n-type clad layer 120; an active layer 130 formed on the n-type clad layer; an electron blocking layer 140 which is formed on the active layer and consists of a p-type nitride semiconductor containing Group III transition elements; and a p-type clad layer 150 formed on the electron blocking layer.例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子は、ｎ型クラッド層１２０と、前記ｎ型クラッド層上に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成され、第３族転移元素を含むｐ型窒化物半導体からなる電子遮断層１４０と、前記電子遮断層上に形成されたｐ型クラッド層１５０とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

A positive hole blocking layer 8 having physical properties of low positive hole transportability and an energy gap wider than the luminous layer is provided between the luminous layer 1 and the electron transport layer 9.例文帳に追加

発光層７と電子輸送層９との間に、正孔輸送性が低く、発光層よりもエネルギーギャップが広い物性を有した正孔阻止層８を設ける。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

A transparent electrode 2, an electron hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, an electron hole blocking layer 5 composed of a hexaazatriphenylene derivative, an electron transport layer 6 and a metal electrode 7 are arranged in this order on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上に、透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、ヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層５、電子輸送層６、金属電極７の順に配置された構成とする。 - 特許庁

The metal layer and the metal-based clad layer have a ridge shape, a current blocking layer 180 is formed on sidewalls and an exposed surface, and a p-electrode layer 190 is provided thereon.例文帳に追加

金属層及び金属系クラッド層は、リッジ状に形成され、その側面及び外郭領域表面に電流遮断層１８０が形成され、その上にｐ−電極層１９０が備えられている。 - 特許庁

The bank for the light-blocking layer is formed by stacking an organic insulation coloring layer around the sensor electrode, and has a plurality of notches separated from each other with a predetermined distance by partially using a single layer or by partially reducing one layer.例文帳に追加

該遮光層用バンクはセンサー電極周囲に有機絶縁着色層の積層にて形成され、かつ部分的には単層もしくは一層少なくすることにより、所定の間隔を空けた複数の切り欠きを有する。 - 特許庁

Projections 16, 17 opposing to both side faces of a ridge 14 acting like a principal current path and each including an intermediate layer 9 and a current blocking layer 11 are formed to a laminated semiconductor layer 20 in a direction orthogonal to the laminated direction of the layer 20.例文帳に追加

積層半導体層２０の積層方向と直交する方向に、主たる電流通路となるリッジ１４の両側面に対向して成る、中間層９及び電流阻止層１１を有する突起部１６及び１７を形成する。 - 特許庁

A stress relaxing layer 42 made of a material same as that of an organic layer of the organic EL element is formed on a cathode 40 of the organic EL element, and a moisture blocking layer 44 made of a material same as that of the cathode 40 is formed on the stress relaxing layer 42.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の陰極４０の上に有機ＥＬ素子の有機層と同じ材料からなる応力緩和層４２を形成し、その上に陰極４０と同じ材料からなる水分ブロック層４４を形成する。 - 特許庁

A compound having a terminal blocking effect on a monomer included in A layer is included in B layer in the method for producing the fine pus by which the A layer containing the monomer is brought into contact with the B layer containing water as a main component.例文帳に追加

単量体を含むＡ層と水を主成分とするＢ層からなり、Ｂ層にＡ層に含まれる単量体の末端封止効果を有する物質が含まれていることを特徴とする微粒子の製造方法。 - 特許庁

A first semiconductor laser structure 110 consists of an n-type clad layer 111, an active layer 112, a p-type clad layer 113 and an n-type current blocking layer 114.例文帳に追加

第１の半導体レーザ構造１１０は、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｎ型電流ブロック層１１４により構成されている。 - 特許庁

There are laminated in this order: a substrate; an n-type contact layer; an active region consisting of a plurality of barrier layers and quantum well layers, wherein the highest portion thereof is the quantum well layer; a blocking layer; and a p-type contact layer.例文帳に追加

基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部が量子井戸層である活性領域と、ブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。 - 特許庁

This nitride compound semiconductor light-emitting device is equipped with an active layer 5 which is pinched between an upper and a lower clad layer, 4 and 6, and a current blocking layer 8a having an opening that serves as a current path is formed on the active layer 5.例文帳に追加

上下クラッド層４、６で挟まれた活性層５上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層８ａが設けられている。 - 特許庁

At least a decorative layer 3 and an adhesive layer 6 are formed on one surface of a base film 2, and on the other surface, a first back ink layer 7 having a blocking resisting property and a second back ink layer 12 having an antistatic property are formed sequentially.例文帳に追加

基材フィルム２の一面に少なくとも加飾層３、接着層６が形成され、他面に帯電防止性を有する第１背面インキ層７、耐ブロッキング性を有する第２背面インキ層１２が順次形成されている。 - 特許庁

The ink image accepting layer 18 comprises a quaternary ammonium salt having both an antistatic effect of preventing electrification and a blocking preventing effect.例文帳に追加

インク受像層１８は帯電を防止する帯電防止効果とブロッキング防止効果の両方を有する第４級アンモニウム塩を含んでなる。 - 特許庁

Further, within the capsule, one more capsule is set as one more layer and internally contains the protein degradation enzyme blocking agent (protease inhibitor) B.例文帳に追加

さらにカプセルの内にもう一層カプセルを設定しこの内側にタン白質分解酵素阻害剤（プロテアーゼ・インヒビター）Ｂを含む。 - 特許庁

To provide an exhaust purification catalyst capable of preventing its catalyst layer from blocking its vent holes (micropores), and a method of producing the same.例文帳に追加

触媒層による通気孔（細孔）の閉塞が抑制された排ガス浄化用触媒及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁