「BLOCKING LAYER」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

An introduction passage 110 is opened on a gas sensor element surface 101, the gas sensor element surface 101 comprises a diffusion resistance layer 17 for coating the introduction passage 110, and a dense layer 162 for coating the sensor cell, and the heat blocking part 100 is located between the diffusion resistance layer 17 and the dense layer 162.例文帳に追加

またはガスセンサ素子表面１０１に導入路１１０が開口し、かつガスセンサ素子表面１０１は導入路１１０を覆う拡散抵抗層１７と、センサセルを覆う緻密層１６２とよりなり、拡散抵抗層１７と緻密層１６２との間に熱遮断部１０を有する。 - 特許庁

The moisture absorbing packaging container is constituted, in sequence from outermost layer side, of a gas barrier layer, a moisture absorbing layer constituted of a moisture absorbing resin compound which is made of polyolefin resin mixed with moisture absorbing non-organic chemical compound, and a gas-blocking layer composed of a polyolefin resin.例文帳に追加

外層側から順に、ガスバリア層、ポリオレフィン樹脂に吸湿性無機化合物を配合した吸湿性樹脂組成物からなる吸湿層、ポリオレフィン樹脂からなるガスブロック層、からなることを特徴とする湿分吸収包装容器を提供する。 - 特許庁

Alternatively, there are laminated in this order: the substrate; the n-type contact layer; an active region consisting of the plurality of barrier layers and quantum well layers, wherein the highest portion thereof is the barrier layer; the blocking layer with a graded composition; and the p-type contact layer.例文帳に追加

あるいは、基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部がバリア層である活性領域と、グレーデッドな組成を有するブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。 - 特許庁

One or more insulating layers (32) are formed on a substrate (30), and the metal wiring is formed by electrically plating a diffusion blocking layer and a seed layer (34) on a recess formed on the substrate before electrically plating a metal layer for filling the recess formed on the insulating layer (32).例文帳に追加

基板（３０）上に一つ以上の絶縁層（３２）を形成し、前記絶縁層（３２）上に形成されたリセスを埋め込む金属層が電気メッキされる前に、前記金属配線は基板に形成されているリセス上に拡散阻止層及びシード層（３４）を電気メッキして形成する。 - 特許庁

The non-volatile memory device in which the inter-polysilicon/blocking dielectric 41, 42 comprises a layer in the silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored, and the silicon oxide consuming material consumes at least a part of the upper layer, is disclosed.例文帳に追加

また、ポリシリコン間／ブロッキング誘電体４１，４２が、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を含み、シリコン酸化物消費材料が上部層の少なくとも一部を消費した不揮発性メモリデバイス。 - 特許庁

The cover tape is constituted of a plastic film layer, a polyethylene layer, and an antistatic blocking preventive layer containing a quaternary ammonium salt cation-based surfactant dispersed in an acrylic-based resin which are stacked, or of a plastic film layer, an antistatic layer, a polyethylene layer, and an antistatic blocking preventive layer containing a quaternary ammonium salt cation-based surfactant dispersed in an acrylic-based resin which are stacked.例文帳に追加

プラスチックフィルム層とポリエチレン層と４級アンモニウム塩型カチオン系界面活性剤をアクリル系樹脂に分散させた組成の帯電防止接着層が積層された構成からなるカバーテープ、ないしはプラスチックフィルム層と帯電防止層とポリエチレン層と４級アンモニウム塩型カチオン系界面活性剤をアクリル系樹脂に分散させた組成の帯電防止接着層が積層された構成からなるカバーテープである。 - 特許庁

In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.例文帳に追加

さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

A heat sealable cellophane showing an anti-blocking property comprises a cellophane base and a heat sealable layer composed of a polyester- based resin as a major component laminated on at least one surface of the cellophane base wherein peeling strength representing an anti-blocking property of the heat sealable layer is not more than 100 g/15 mm-width.例文帳に追加

セロハンを基材とし、該基材の少なくとも片面にポリエステル系樹脂を主成分とするヒートシール層を有するヒートシール性セロハンであって、ヒートシール層の耐ブロッキング性を示す、ヒートシール層同士を密着させた場合の剥離強度が１００ｇ／１５ｍｍ幅以下であることを特徴とする耐ブロッキング性に優れるヒートシール性セロハン。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory element comprises a tunnel insulating film formed on a semiconductor substrate, an electric charge trap layer which is formed on the tunnel insulating film and includes a dielectric film of which a transition metal is doped, a blocking insulating film formed on the electric charge trap layer, and a gate electrode formed on the blocking insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた誘電膜を含む電荷トラップ層と、電荷トラップ層上に形成されたブロッキング絶縁膜と、ブロッキング絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子である。 - 特許庁

An inorganic thin-film layer is provided on the electrode side of each plastic film and a film constituting each electrode and and the inorganic thin-film layer operate on each other to mutually fill a pinhole, a crack, etc., formed in film formation of the both, so the gas blocking property and steam blocking property of the plastic substrates are improved to obtain improved display performance.例文帳に追加

そして上記無機薄膜層がプラスチックフィルムの電極側に設けられており、電極を構成する被膜と無機薄膜層が作用し合って両者の成膜時に生じたピンホールやクラック等を相互に充填し合うため、プラスチック基板のガス遮断性と水蒸気遮断性が改善され、この結果表示性能の向上が図れる。 - 特許庁

The device may further comprise an exciton blocking layer disposed adjacent to and in direct contact with an organic acceptor material of each photoactive region, wherein the LUMO of each exciton blocking layer other than that closest to the cathode is not more than about 0.3 eV greater than the LUMO of the acceptor material.例文帳に追加

デバイスは、各光活性領域の有機アクセプター材料に隣接し、かつそれと直接接触して配置された励起子遮断層をさらに備えることが可能であり、カソードに最も近いもの以外の各励起子遮断層のＬＵＭＯは、アクセプター材料のＬＵＭＯより約０．３ｅＶを超えて大きくない。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester film is formed by providing at least one face of a polyester base material film with a blocking resistance improving layer containing a polyester graft copolymer prepared by grafting at least one kind of radically polymerizable monomer on a hydrophobic copolymerized polyester and allowing an anion-based antistatic agent to exist in the blocking resistance improving layer.例文帳に追加

少なくとも１種のラジカル重合性モノマーを疎水性共重合ポリエステルにグラフトさせたポリエステル系グラフト共重合体を含有する耐ブロッキング性改良層をポリエステル系基材フィルムの少なくとも片面に設け、且つアニオン系帯電防止剤が前記耐ブロッキング性改良層中に存在する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

There are provided: a pair of electrodes 101, 104; a photoelectric conversion layer 102 arranged between the pair of electrodes 101, 104; and electric charge blocking layers 105, 103 provided between at least one of the pair of electrodes 101, 104 and the photoelectric conversion layer 102, wherein the electric charge blocking layers 105, 103 contain a hydrogenation inorganic oxide.例文帳に追加

一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち少なくとも一方と光電変換層１０２との間に設けられた電荷ブロッキング層１０５，１０３とを備え、電荷ブロッキング層１０５，１０３が水素化無機酸化物を含む。 - 特許庁

The halogen-free shading adhesive tape can be achieved because a shading layer free from the halogen and sulfur can be formed by using a polyurethane resin as a binder resin, and an ink layer containing a blocking-preventing agent as the shading layer for shading the light.例文帳に追加

遮光用の遮光層として、ポリウレタン樹脂をバインダー樹脂とし、ブロッキング防止剤を含有するインキ層を使用することにより、ハロゲンや硫黄を含まない遮光層を形成できるため、ハロゲンフリーの遮光性粘着テープを実現できる。 - 特許庁

The protection layer 90 having a mixing layer 92 containing nickel and iron and a chromium-rich layer 94 containing chromium as a principal component perform a role for blocking an outer periphery of the separator 38 from an oxidizing atmosphere, a vapor oxidation atmosphere, and a reducing atmosphere.例文帳に追加

Ｎｉ及びＦｅを含有する混合層９２と、Ｃｒを主成分として含有するクロムリッチ層９４とを有するこの保護層９０は、セパレータ３８の外周部を、酸化雰囲気、水蒸気酸化雰囲気及び還元雰囲気から遮断する役割を営む。 - 特許庁

Between the other electrode and the organic photoelectric conversion layer, an electron blocking layer may be formed whose electron affinity is smaller than the work function of the adjacent electron by 1.3 eV or above, and ionization potential is the same as or smaller than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.例文帳に追加

もう一方の電極と有機光電変換層との間に、電子親和力が、隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、イオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、それより小さい電子ブロッキング層を設けても良い。 - 特許庁

A photomask 100 of the present invention includes a glass substrate 110, a chromium layer 120 formed as a light-blocking film on one surface of the glass substrate 110, and a silicone-coating layer 130 formed as a reflection film on one surface of the chromium layer 120.例文帳に追加

本発明によるフォトマスク１００は、ガラス基板１１０と、ガラス基板１１０上の一面に遮光膜として形成されたクロム層１２０と、クロム層１２０の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層１３０を含んで形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high reliability by improving the adhesion of a layer insulation film to prevent the layer insulation film between wirings from peeling off and blocking cracks in the layer insulation film from propagating.例文帳に追加

層間絶縁膜の密着性を向上し、配線間の層間絶縁膜の剥がれを防止することができ、層間絶縁膜内におけるクラックの伝播の阻止を図ることによって信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a process of lowering the temperatures of the first ferromagnetic layer and the antiferromagnetic layer to the temperatures lower than the blocking temperature, the first ferromagnetic layer is imparted with the unidirectional anisotropy once again in a direction the same as the DC magnetic field generated by the magnet 9.例文帳に追加

第一の強磁性層及び反強磁性層がブロッキング温度よりも低い温度に降温する過程において、磁石９が発生する直流磁場と同じ方向に、第一の強磁性層に再び一方向異方性が付与される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capsule toner having a release agent layer on the surface of a toner base particle and further having a resin coating layer outside the release agent layer, having excellent blocking resistance, suppressing occurrence of high temperature offset and having a wide fixable temperature range, and to provide a capsule toner and a developer.例文帳に追加

トナー母粒子の表面に離型剤層を有し，さらに離型剤層の外側に樹脂被覆層を有し、耐ブロッキング性にすぐれ、高温オフセットの発生が抑制された、定着可能温度域の広いカプセルトナーの製造方法、カプセルトナーおよび現像剤を提供する。 - 特許庁

A diamond semiconductor light-emitting device has a structure where a boron-doped p-type diamond layer, a hole-outflow blocking layer having a band gap exceeding 5.47 eV and formed of an oxide, a fluoride or a mixture of an oxide and an fluoride, and an electron injection layer are sequentially stacked.例文帳に追加

ホウ素がドープされたｐ形ダイヤモンド層と、バンドギャップが５．４７ｅＶ超であり、酸化物、フッ化物、またはこれらの混合物からなる正孔流出阻止層と、電子注入層とが順次積層された構造を有することを特徴とするダイヤモンド半導体発光素子。 - 特許庁

The device further comprises means (22, 24) for heating the storage layer beyond the blocking temperature of magnetization and a means (26) for applying thereto a magnetic field (34) orientating the magnetization with respect to that of the reference layer without modifying the orientation of the reference layer.例文帳に追加

装置はさらに、磁化のブロッキング温度よりも上に記憶層を加熱する手段（２２，２４）と、前記基準層の向きを変えることなく基準層の磁化に対して記憶層の磁化の向きを調整する磁場（３４）を記憶層に印加する手段（２６）と、を備える。 - 特許庁

Even if a temperature of the front face layer 2 exceeds a glass transition temperature of the organic paint and the organic paint on the front face layer 2 is softened, the inorganic paint on the back face layer 3 is not softened, so that generation of blocking and the like can be suppressed when the cement-base slate boards are overlapped together.例文帳に追加

表面層２の温度が有機塗料のガラス転移温度（Ｔｇ）を超えて表面層２の有機塗膜が軟化しても、裏面層３の無機塗膜が軟化しないため、セメント系スレート板を重ね合わせたときにブロッキング等の発生が抑制される。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

The metal blocking plate 34 has a first layer, made of a metal oxide layer, on the introducing side of the oxygen radicals, and a second layer, made of a metal exposed in the substrate W processed in the chamber 11, on the side facing the substrate W, and has a through hole through which oxygen radicals pass.例文帳に追加

この金属防止板３４は、酸素ラジカルの導入側に金属酸化物層からなる第１層と、基板Ｗと対向する側に、チャンバ１１内で処理される基板Ｗにおいて露出した金属よりなる第２層とを備え、酸素ラジカルが通過する貫通孔が形成されている。 - 特許庁

To provide a laminated film, good in a line conveyance property and protective performance of a hard coat layer, and excellent in transparency and abrasion-resistance, without blocking in a roll state after the hard coat layer is coated, a curl of the film, and a wave of the film when the hard coat layer is coated.例文帳に追加

ハードコート層塗工後の巻き物の状態でのブロッキング、フィルムのカール、ハードコート層塗工時のフィルムの波打ちがなく、ライン搬送性、ハードコート層の保護性が良好で、透明性、耐擦傷性の優れた積層フィルムを提供する。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

To provide a laminate for synthetic leather which has a thermoplastic polymer composition layer and a fibrous base layer, having good physical properties, excellent in an outward appearance, without causing damage to the thermoplastic polymer composition layer, nor roughness of a surface thereof, having anti-blocking properties, without causing adherence of the laminate when rewound, and excellent in handleability.例文帳に追加

良好な物性を有し、熱可塑性重合体組成物層の破損や表面荒れがなく外観に優れ、耐ブロッキング性で積層体を巻き戻した時に膠着がなく扱い性に優れる熱可塑性重合体組成物層と繊維質基体層を有する合成皮革用の積層体の提供。 - 特許庁

In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側で大きく、反対側で小さく覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁

A gap shielding member 44, sequentially comprising an adhesive layer 53, a reinforcing plate 52 and a shading layer 51 starting from the board side, is protrusively formed on a surface of the flexible printed board 32 facing the light emitting surface 38, and the reinforcing member 52 and the adhesive layer 52 are each formed of a material having light-blocking effects.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板３２の光出射面３８と対向する側の面には、基板側から順次接着層５３、補強板５２、遮光層５１からなる隙間遮蔽部材４４が突設されており、補強板５２、接着層５３は遮光性を有する材料によって形成されている。 - 特許庁

A depletion layer is expanded from the floating-current blocking region 8 towards the n-type GaN layer 6 on turning off the semiconductor device, a potential is lowered in the n-type GaN layer 26 filled in the aperture 28, and the voltage is decreased across the front side and the back side of a gate-insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。 - 特許庁

To satisfy a need for a pinning layer material of a GMR read sensor with a high blocking temperature and a low annealing temperature, and for a seed layer material that, when used with the pinning layer material, produces a high pinning strength.例文帳に追加

ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。 - 特許庁

Between one electrode and an organic photoelectric conversion layer, a hole blocking layer is formed which consists of an organic compound and whose ionization potential is larger than the work function of the adjacent electrode by 1.3 eV or above, and electron affinity is the same as or larger than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.例文帳に追加

電極と有機光電変換層との間に、イオン化ポテンシャルが隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、電子親和力が隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等かそれより大きい、有機化合物からなる正孔ブロッキング層を設ける。 - 特許庁

Further, the flattening layer 2 contains an inorganic filler, thus the curing and contraction of the flattening layer 2 is reduced, the flattening effect is enhanced and the blocking property of the flattening layer 2 against gas such as water vapor is improved.例文帳に追加

また平滑化層２には無機フィラーが含有されているため、平滑化層２の硬化収縮を低減して、平滑性の効果をより高く得ることができると共に、平滑化層２による水蒸気などのガスの遮断性を高めることができる。 - 特許庁

In a process where a counter board 2 is manufactured, an upper electrode, a first charge blocking layer, and a semiconductor layer 19 are laminated in this order on a support board, and then ceramic particles 23 are blown against the surface of the semiconductor layer 19 by the use of an abrasive discharge nozzle 22.例文帳に追加

対向基板２の製造工程において、支持基板上に上部電極、第１の電荷阻止層、半導体層１９がこの順に形成された後、該半導体層１９の表面に砥粒吐出ノズル２２によりセラミック粒子２３を吹き付ける。 - 特許庁

The hole blocking layer 5 contains a ternary complex compound composed of two quinolinol derivatives, IIIB group element, and halogen element or phenol derivative.例文帳に追加

ホール阻止層５は、２つのキノリノール誘導体とIIIＢ族元素とハロゲン元素またはフェノール誘導体とから構成される三元錯体化合物を含む。 - 特許庁

In other words, a diffraction peak can not be observed in a X-ray diffraction spectrum of the electric charge blocking layer 105, or a half width of the highest diffraction peak therein is ≥5 degrees.例文帳に追加

または、電荷ブロッキング層１０５のＸ線回折スペクトルにおいて回折ピークが現れない、もしくはその中で最大となる回折ピークの半値幅が５°以上とする。 - 特許庁

Further, if an ultraviolet absorber having a hydroxyl group is added to the surface sheet and an ultraviolet absorber bleed blocking layer comprising a urethane resin is formed on the surface sheet, weatherability also becomes good.例文帳に追加

また、表面シート中に水酸基を有する紫外線吸収剤を含有させ、この表面シートの上にウレタン樹脂からなる紫外線吸収剤ブリード遮断層を形成すれば、耐候性も良好となる。 - 特許庁

A blocking structure is formed between a first ink channel formed in a silicon substrate and a second ink channel formed in an insulating layer.例文帳に追加

シリコン基板に形成された第１のインクチャネルと絶縁体層に形成された第２のインクチャネルとの間にブロッキング構造を形成する。 - 特許庁

Consequently, the blocking layer 7 is formed continuously over the upper face and the side face of each element 6a, to surely prevent pouring-in of dark current from the stripe electrode 6.例文帳に追加

これにより、各エレメント６ａの上面および側面に亘って連続的にブロッキング層７が形成され、ストライプ電極６からの暗電流注入を確実に阻止できる。 - 特許庁

An image sensor covers a transfer gate and a floating diffusion layer as the blocking to protect a photodiode on a diode region is expanded laterally.例文帳に追加

本発明のイメージセンサはダイオード領域上にフォトダイオードを保護するブロッキングが側方に拡張されてトランスファゲート及び浮遊拡散層まで覆う。 - 特許庁

The plurality of EL layers 15 are covered with a counter transparent electrode 13, and a blocking layer 41 is formed for each pixel on the counter transparent electrode 13.例文帳に追加

複数のＥＬ層１５は対向透明電極１３によって被覆されており、対向透明電極１３上には画素ごとにブロッキングレイヤ４１が成膜されている。 - 特許庁

After removing the external magnetic field, their entire are heat treated at a temperature higher than a blocking temperature of an AFM layer and lower than a Curie temperature of the first to third patterns 43A to 43 C.例文帳に追加

外部磁場を取り除いたのち、ＡＦＭ層のブロッキング温度よりも高く、かつ第１から第３のパターン４３Ａ〜４３Ｃのキュリー温度よりも低い温度で全体を熱処理する。 - 特許庁

To provide an exchange coupled element which has a high unidirectional anisotropy constant Jk, high blocking temperature TB, and small film thickness and a reforming method for an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

高い一方向異方性定数Ｊkを有し、かつ高いブロッキング温度ＴBを有し、膜厚が薄い交換結合素子及び反強磁性層の改質方法を提供する。 - 特許庁

Since the second substrate 114 has a radiation blocking function, the radiation that has passed through the scintillator layer 117 without the wavelength conversion is difficult to reach the first substrate 11.例文帳に追加

第２基板１１４が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層１１７を透過した放射線が第１基板１１へ到達しにくくなる。 - 特許庁