「Breakdown Test」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To precisely test equipment for harmonic breakdown strength.例文帳に追加

機器の高調波耐量について正確に試験できるようにする。 - 特許庁

To provide a test piece extensometer capable of enabling a test piece extensometer to automatically separate from a test piece after breakdown test and elastic modulus test in a material testing machine.例文帳に追加

材料試験機における耐力試験、弾性率試験が終了した後、試験片伸び計が試験片から自動的に離脱することができる試験片伸び計を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, ITS STATIC ELECTRICITY BREAKDOWN VOLTAGE TEST METHOD, AND DEVICE例文帳に追加

半導体集積回路、その静電気耐圧試験方法及び装置 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR DIELECTRIC BREAKDOWN TEST OF COATED WIRE例文帳に追加

被膜付電線の絶縁破壊試験装置及び絶縁破壊試験方法 - 特許庁

4. Measures to be taken if a breakdown occurs (including how to handle test samples if a breakdown occurs during testing) 例文帳に追加

四　故障が起こつた場合の対応（測定中に故障が起こつた場合にあつては、試験品の取扱いを含む。）の方法 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a technology of applying high voltage to a trench insulation isolation section in the breakdown voltage screening test of the trench insulation isolation section.例文帳に追加

トレンチ絶縁分離部の耐圧スクリーニング試験において、高電圧を印加する。 - 特許庁

To perform a breakdown strength test of an image forming apparatus by supplying power for forcibly turning on a relay inside the apparatus without using an external supply such as a power supply for a breakdown strength test.例文帳に追加

絶縁耐圧試験用電源のような外部電源を用いることなく、装置内部でリレーを強制オンさせる電力を供給し、画像形成装置の絶縁耐圧試験を行なう。 - 特許庁

To correctly carry out alignment of a testing pin with a terminal of a measured device, in an electrostatic breakdown test.例文帳に追加

静電破壊試験において被測定デバイスの端子と試験用ピンとの位置合わせを正確に行う。 - 特許庁

When the tire for the laboratory test generates a breakdown in the same tire component with that for the real car test, and the physical property of the tire component shows the same level with the threshold, the predetermined condition is set as a laboratory test condition for the test tire.例文帳に追加

ラボ試験のタイヤが実車試験と同じタイヤ構成部材に破壊が発生し、該タイヤ構成部材の物性値が閾値と同じレベルを示す場合に予め設定した条件を試験タイヤのラボ試験条件とする。 - 特許庁

To realize an electrostatic breakdown test of semiconductor devices which can enhance the reliability on measurement of a breakdown endurance amount by static discharging of the semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイスについての静電気の放電による破壊耐量の測定の信頼性を高めることができる半導体デバイスの静電破壊試験を実現する。 - 特許庁

To suppress a variation in on-voltage by preventing lowering in breakdown strength at a shorting test, while increasing switching speed.例文帳に追加

短絡試験での破壊耐量の低下を防ぎ、オン電圧のばらつきを抑えつつ、スイッチングスピードを速くする。 - 特許庁

To provide a LSI with built-in storage which can surely detect the breakdown of a transistor in a decoder by an operation test.例文帳に追加

動作テストにより確実にデコーダ内のトランジスタの故障を検出することができるメモリ内蔵ＬＳＩを提供する。 - 特許庁

The fisheye breakdown is generated in a metallic specimen by a fatigue test, and the type of defect that exists in risk volume and extremely causes fatigue breakdown is specified for measuring the dimensions.例文帳に追加

疲労試験により金属製試験片にフィッシュアイ破壊を生じさせ、危険体積中に存在する最も疲労破壊の原因となった欠陥の種類を特定し、その寸法を測定する。 - 特許庁

When the voltage breakdown test of power cable 10 is performed, DC voltage is applied to the power cable 10, but because the winding does is not breaked, the voltage breakdown test can be performed in the state wherein the power cable 10 and the transformer 21 are connected.例文帳に追加

電力ケーブル１０の耐電圧試験時には、電力ケーブル１０に直流電圧を印加するが、巻線の絶縁破壊が発生しないため、電力ケーブル１０と変圧器２１の巻線とを接続した状態で行うことができる。 - 特許庁

The breakdown enzyme is used while endo and/or exo-type 1,3-α-D- glucanase to test paper.例文帳に追加

分解酵素はｅｎｄｏまたは／およびｅｘｏ型の１，３−α−Ｄ−ｇｌｕｃａｎａｓｅを試験紙に塗布して用いる。 - 特許庁

To provide a circuit inspection apparatus capable of accurately and easily executing an insulation breakdown voltage test to a compact electronic component.例文帳に追加

小型の電子部品に対して、絶縁耐圧試験を正確かつ簡易に実行することができる回路検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a DC test terminal which has a high breakdown strength and by which essential DC performances of a plastic insulated cable can be secured.例文帳に追加

プラスチック絶縁ケーブル本来の直流性能を把握することのできる破壊強度の高い直流試験端末の提供。 - 特許庁

To inhibit the abnormal measurement or the deterioration and breakdown on the surface of electronic component from generating even in the case of breakdown voltage test of an electronic component.例文帳に追加

高電圧を印加して電子部品の耐圧試験などを行った場合にも、測定値に異常を生じたり、電子部品の表面に変質や破壊が発生したりすることを防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a drive circuit for collectively test the breakdown voltage characteristics of a plurality of output transistors without measuring using a probe needle.例文帳に追加

駆動回路において、プローブ針を用いた測定を行うことなく、複数の出力トランジスタの耐圧特性を一括して検査する。 - 特許庁

To stably supply a boosted voltage during a burn-in test without breakdown of a semiconductor element in a booster power supply circuit.例文帳に追加

バーンインテスト時において、昇圧電源回路における半導体素子を破壊させることなく、安定して昇圧電圧を供給する。 - 特許庁

To provide a laminate excellent in steam barrier properties even after a breakdown test such as a pen input-endurance test in an electrode film such as a sheet of electronic paper and a laminate with a transparent conductive membrane.例文帳に追加

電子ペーパーなどの電極フィルムにおいて、ペン入力耐久試験などの破壊試験後にも水蒸気バリア性に優れる積層体および透明導電性薄膜付積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a terminal process member for a lightning impulse breakdown test capable of easily and surely performing a terminal process of a sample power cable.例文帳に追加

容易且つ確実に供試電力ケーブルの端末処理をすることが可能な雷インパルス電圧破壊試験用端末処理部材を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which various static breakdown strength capability can be tested with a WLBI test.例文帳に追加

本発明の目的は、ＷＬＢＩ試験において様々な静電耐圧能力を試験可能な半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an electrostatic protection circuit device for protecting an internal element having a high breakdown voltage from the overcurrent noise of an ESD and overcurrent noise in a latch-up test.例文帳に追加

高耐圧の内部素子をＥＳＤの過電流ノイズとラッチアップ試験の過電流ノイズから保護する静電保護回路装置を提供する。 - 特許庁

Very low frequency voltage with average voltage field of 5 kV/mm to 20 kV/mm is charged to a cable degraded by water tree for 10 to 100 minutes to test breakdown and generation of harmful water tree is judged for the breakdown cable and no harmful water tree and no lowering of AC remaining performance are judged by the test for no breakdown cables.例文帳に追加

平均電界が５ｋＶ／ｍｍ〜２０ｋＶ／ｍｍの超低周波電圧を水トリー劣化したケーブルに１０分〜１００分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて有害水トリーが発生したものと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについて、有害水トリーが存在せず試験によりＡＣ残存性能が低下していないと判定する。 - 特許庁

The change at the time of the temperature acceleration test of a dielectric breakdown life distribution is adopted as the temperature change of the gradient of a distribution function in the cumulative percent defective.例文帳に追加

絶縁破壊寿命分布の温度加速試験時の変化を、その累積不良率における分布関数の傾きの温度変化として取り入れる。 - 特許庁

A threshold for breakdown of a tire component is determined from a physical property of the broken tire component which is sampled from a broken tire in a real car test.例文帳に追加

実車試験により破壊したタイヤからサンプリングした破壊されたタイヤ構成部材の物性値から該タイヤ構成部材の破壊の閾値を決定する。 - 特許庁

To perform process evaluation and wafer test using a TEG efficiently, while protecting the TEG against electrostatic breakdown during the process evaluation.例文帳に追加

ウエハ面積を有効に利用し、ＴＥＧを用いたプロセス評価とウエハテストとを効率的に行うと共に、プロセス評価時のＴＥＧの静電破壊を防止する。 - 特許庁

To shorten a manufacturing time needed of a direct-current oil immersed power cable without deteriorating direct-current breakdown voltage during a cooling period of a heat-cycle test.例文帳に追加

ヒートサイクル試験の冷却期間中における直流破壊電圧を低下させることなく直流油浸電力ケーブルの製造所要時間を短縮する。 - 特許庁

A predetermined test power is sent from a power transmission unit 220 to a power receiving unit 110 so that a receiving voltage does not exceeds the breakdown voltage of a power receiving circuit.例文帳に追加

受電回路の耐電圧を受電電圧が超えないように送電ユニット２２０から受電ユニット１１０へ所定のテスト電力が送出される。 - 特許庁

Various configurations of the PN junction and the N and P metal contacts for the ESD diode are described for increasing the breakdown voltage and for improving test conditions.例文帳に追加

破壊電圧を高め、試験条件を改良するための、ＥＳＤダイオード用のＰＮ接合部とＮ及びＰ金属接点の各種構成が記載されている。 - 特許庁

DIELECTRIC BREAKDOWN TEST METHOD OF SUBSTRATE MATERIAL FOR PRINTED WIRING BOARD AND PRINTED WIRING BOARD BY VOLTAGE IMPRESSION FOR LONG TIME OR REPETITIVE VOLTAGE APPLICATION例文帳に追加

プリント配線板用基板材料およびプリント配線板の長時間電圧印加あるいは繰り返し電圧印加による絶縁破壊試験方法 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which occurrence of a malfunction and breakage of a control circuit of the liquid crystal display device is suppressed in an electrostatic breakdown test.例文帳に追加

、静電破壊試験の際に液晶表示装置の制御回路の誤動作及び破壊が生じることを抑制できる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tester particularly applied to avalanche breakdown test in a discrete element so that an overcurrent is properly prevented.例文帳に追加

本発明は、試験装置に関し、特にディスクリート素子におけるアバランシェ破壊試験に適用して、適切に過電流を防止することができるようにする。 - 特許庁

Also very low frequency voltage with average voltage field of 6 kV/mm to 17 kV/mm is charged for 10 to 100 minutes to test breakdown and no life expectancy for 1 to 10 years is judged for the breakdown cable and the existence of life expectancy of 1 to 10 years and no lowering of AC remaining performance after the withstand voltage test are judged for no breakdown cables.例文帳に追加

また、平均電界が６ｋＶ／ｍｍ〜１７ｋＶ／ｍｍとなる超低周波電圧を、１０分〜１００分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて、１年から１０年の余寿命が無かったと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについては、１年から１０年の余寿命があり、かつ耐圧討験前後でＡＣ残存性能が低下していないと判定する。 - 特許庁

In this evaluating method for concrete structure, a test piece is obliquely down from the boundary part of mutually adjacent concrete structures hardened with a time difference, and the test piece is extracted extending over the mutually adjacent concrete structures and evaluated for strength by compression breakdown test.例文帳に追加

時間差を有して硬化した相隣接するコンクリート構造物の境界部から斜め下方向にテストピースを切り抜き、該テストピースは、相隣接するコンクリート構造物に跨って抜き取られて圧縮破壊試験で強度評価することを特徴とするコンクリート構造物の評価方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer measuring apparatus for hardly causing insulation breakdown to even at high voltage application and performing a highly reliable test even concerning a high withstand voltage semiconductor device.例文帳に追加

高電圧を印加しても絶縁破壊が起き難く、高耐圧の半導体装置についても信頼性の高い試験が可能な半導体ウエハ測定装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a dielectric breakdown occurring at a low voltage during a cooling period of a heat cycle in a long-term direct-current loading test of a 300 kV-500 kV-class solid cable.例文帳に追加

３００ｋＶ〜５００ｋＶクラスのソリッドケーブルにおける直流長期課通電試験のヒートサイクルの冷却期間中に発生する低電圧での絶縁破壊を防止するようにする。 - 特許庁

The voltage application part applies the voltage previously determined on a breakdown measurement circuit element 11 provided in the semiconductor integrated circuit and for measuring a test voltage applied to the semiconductor element.例文帳に追加

電圧印加部は、半導体集積回路に設けられた、半導体素子に印加する試験電圧を測定するための耐圧測定回路素子１１に予め定められた電圧を印加する。 - 特許庁

To easily conduct an electrostatic breakdown test even if terminals or the like are not similar in shape as a printed board for expanding PC functions, an IC card, a game IC cassette, and the like are mixed.例文帳に追加

パソコン機能拡張用プリント基板，ＩＣカードおよびゲーム用ＩＣカセット等が混在し、端子等の形状が一様でない場合においても、容易に静電破壊試験を実施する。 - 特許庁

The electron beam test system analyzes faulty or breakdown caused by a process defect by irradiating an electron beam to a semiconductor integrated circuit device to be analyzed and obtaining a potential contrast.例文帳に追加

被解析対象物である半導体集積回路装置に電子ビームを照射して電位コントラストを取得することにより、プロセス欠陥に起因する不良又は故障を解析する電子ビームテストシステムである。 - 特許庁

To obtain a highly reliable semiconductor device that suppresses oxidation deterioration of a sealing resin even at a high temperature, can use the same sealing method and sealing resin as before, and has no decrease in breakdown voltage even during a heat cycle test and a reliability test of high-temperature operation etc.例文帳に追加

高温下においても封止樹脂の酸化劣化を抑制し、封止方法および封止樹脂は従来通りのものを使用することができ、ヒートサイクル試験や高温動作などの信頼性試験でも、絶縁破壊電圧が低下しない、信頼性の高い半導体装置を得る。 - 特許庁

The test device 1 of the semiconductor integrated circuit 10 testing the semiconductor integrated circuit 10 by applying a voltage to a semiconductor element of the semiconductor integrated circuit 10 includes a voltage application part 2, a breakdown detection part 3, and a test voltage determination part 4.例文帳に追加

半導体集積回路１０の試験装置１は、半導体集積回路１０の半導体素子に電圧を印加することによって半導体集積回路１０を試験するものであり、電圧印加部２、ブレークダウン検出部３及び試験電圧決定部４を備えている。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic capacitor wherein infiltration of a plating liquid to inner electrodes 3, 4 is prevented, crack generation can be also prevented in both a breakdown voltage test in wet condition and a thermal shock test, a connection status of internal and external electrodes is assured and a peeling of dielectric layers 1a to 1f is prevented.例文帳に追加

内部電極３，４へのメッキ液浸入を防止し、また、湿中耐圧試験においても、熱衝撃試験においても、クラック発生を防止でき、しかも内部−外部電極の接続状態を確実にし、誘電体層１ａ〜１ｆの剥離を防止した積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

Since second or third criterion is set as well as the first criterion corresponding to complete dielectric breakdown (hard breakdown) of a gate insulation film, TDDB test of an extremely thin gate oxide film can be performed even for a semiconductor device (chip) having a total gate area as large as 10000 μm^2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の完全な絶縁破壊（ハードブレイクダウン）に相当する第１のクライテリアだけでなく、第２又は第３のクライテリアを設定することにより、極薄のゲート酸化膜のＴＤＤＢ試験を全ゲート面積が１００００μｍ^2 に達する半導体デバイス（チップ）に対しても、行なうことができる。 - 特許庁